JP7101437B1 - 光給電コンバータ - Google Patents
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Abstract
Description
さらに、光給電コンバータのサイズの増加を抑制しながら1本の光ファイバケーブルに対応する受光素子の数を増加させることができる。
上記構成によれば、光導波路素子の複数の出口に対応する複数の受光素子を位置ずれが発生しないように容易に配設することができ、入力された光を受光素子に入射させることができる。
図7のように、ウェハ状の半導体基板2の主面2a側に、例えばエピタキシャル成長法のような公知の成膜方法によって、クラッド層7(n型半導体層)、コア層8、光吸収層9、p型半導体層10を形成し、例えば公知のフォトリソグラフィ法によってフォトダイオード形成用のエッチングマスク21を形成する(フォトダイオード形成用のエッチングマスク形成工程)。そして、例えばRIE法(反応性イオンエッチング法)のような公知のエッチング方法によって、p型半導体層10と光吸収層9をエッチングし、エッチングマスク21を除去する。
光給電コンバータ1は、光ファイバケーブルOCを介して入射する光を光導波路素子5によって分配して複数の受光素子6a~6dに入射させるので、強い光の入射による受光素子6a~6dの光電変換効率の低下を抑制することができる。そして、複数の導電性部材15、16,17によって複数の受光素子6a~6dが直列、並列又は直並列に接続されるので、出力先に合わせた電圧、電流が出力されるように光給電コンバータ1を容易に形成することができる。また、光導波路素子5によって光を分配するので光ファイバケーブルOCの接続数を少なくすることができ、複数の受光素子6a~6dを複数の導電性部材15で接続するので電圧、電流の変換装置が不要であるため、光給電コンバータ1を小型化することができる。
1a :第1光給電コンバータ
1b :第2光給電コンバータ
2 :半導体基板
2a :主面
3 :入口
4a~4d:出口
5 :光導波路素子
6a~6d:受光素子
7 :クラッド層
8 :コア層
9 :光吸収層
10 :p型半導体層(半導体層)
11 :アノード電極
12 :カソード電極
13 :アノード端子部
14 :カソード端子部
15,16,17:導電性部材
21,22,23:エッチングマスク
25 :光導波路素子
26 :受光素子
27a,27b:クラッド層
28 :コア層
29 :光吸収層
30 :n型半導体層
31 :p型半導体層
41 :光給電コンバータ
OC :光ファイバケーブル
Claims (2)
- 光ファイバケーブルを介して入射する光を電力に変換する複数の受光素子を有する光給電コンバータにおいて、
前記光ファイバケーブルから入射する光を分岐された複数の光導波路に分配する機能を備えた光導波路素子と、前記光導波路素子の複数の光導波路に対応するように配設され且つアノード電極及びカソード電極を夫々有する複数の受光素子とを備え、
前記複数の受光素子の前記アノード電極及び前記カソード電極に夫々接続された複数の導電性部材によって、前記複数の受光素子が直列、並列又は直並列に接続され、
前記光導波路素子と前記複数の受光素子とが夫々主面側に一体的に形成された1対の半導体基板を有し、
前記光導波路素子の光の入口同士が重なるように且つ複数の受光素子同士が重なるように、前記1対の半導体基板の前記主面側同士を対向状に結合させた ことを特徴とする光給電コンバータ。 - 前記光導波路素子と前記複数の受光素子は、クラッド層上にコア層を有し、
前記複数の受光素子は、前記コア層の上に光吸収層と半導体層を夫々有することを特徴とする請求項1 に記載の光給電コンバータ。
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