JP6115566B2 - 導波路結合msm型フォトダイオード - Google Patents
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Description
従って、高速性を実現するためには、隣接する2つの電極間隔を小さくすると共に、半導体光吸収層の膜厚を小さくし、フォトキャリアの走行時間を短くすることが重要である。
ここで、逆バイアスとは、半導体光吸収層がn型半導体である場合は負の電圧を設定した状態、また、p型半導体である場合は正の電圧を印加した状態を指す。また、真性半導体の場合は、正・負のいずれかのバイアス印加でも良いが、実際には、不純物濃度を1014/cm3以下程度にすることは極めて困難であるため、通常はn型あるいはp型の導電タイプを示す。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
図1および図2は、本発明の第1実施形態であるMSM型フォトダイオード(導波路結合MSM型フォトダイオード)51の構造例を示している。
図1に示すように、MSM型フォトダイオード51は、隣接する光導波路コア層1と光結合した半導体光吸収層2上に形成されている。光導波路コア層1は、支持基板11に積層された埋め込み酸化層12上に形成されている。また、MSM型フォトダイオード51は、半導体光吸収層2上に間隔をおいて配置されたMSM接合を形成したフォトダイオードである。間隔をおいて配置されたMSM電極3,4のうち、光入射側(入力光信号5側)に配置されたMSM電極3に逆バイアスが印加されるように、電圧設定されている。
以下、本明細書では、配置された複数のMSM電極のうち、最も光入射側に配置された1つのMSM電極を「MSM電極(1)」と記載する。また、MSM型フォトダイオードが複数ある場合は、例えば1番目のMSM型フォトダイオードに配置された複数のMSM電極のうち、最も光入射側に配置された1つのMSM電極を「MSM電極(1−1)」と記載し、2番目のMSM型フォトダイオードに配置された複数のMSM電極のうち、最も光入射側に配置された1つのMSM電極を「MSM電極(1−2)」と記載する。
図3および図4は、本発明の第2実施形態であるMSM型フォトダイオード52の構造例を示している。なお、以下で説明する第2〜第4の実施形態のMSM型フォトダイオードの構成要素において、第1実施形態のMSM型フォトダイオード51と同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
図5および図6は、第3実施形態であるMSM型フォトダイオード53の構造例を示している。
MSM型フォトダイオード53においては、光入射側に配置されたMSM電極(1)3と隣接するMSM電極4との間隔が、他の隣接するMSM電極4間の間隔に対して小さくなるように、MSM電極3,4が形成されている。MSM電極(1)3と隣接するMSM電極との間隔を小さくすることにより、光結合によるフォトキャリア発生領域における内部電場強度が大きくなり、受信感度および周波数帯域が改善される。
MSM型フォトダイオード54においては、半導体光吸収層2と光導波路コア層1が支持基板(図示略)に対して水平方向に隣接して光結合しており、MSM電極(1)に逆バイアスが印加されるように、電圧設定されている。このような素子構造により、光結合によるフォトキャリア発生領域における内部電場強度が大きくなり、受信感度および周波数帯域が改善される。
光インタコネクションモジュール67は、図11に示すように、本発明の導波路結合MSM型フォトダイオード17が形成されたフォトダイオード/光源搭載ボード(Si基板)28と、フォトダイオード/光源搭載ボード28上に導波路結合MSM型フォトダイオード17とモノリシックに形成されたLSI電子回路とを備えている。このLSI電子回路には、光インタコネクションモジュール67の光源であるVCSEL光源18、光源変調用電気配線層22、フォトダイオード用電気配線層23等が含まれる。
光信号入力ファイバー25からの光信号は、凹面鏡27と図示略のグレーティング・カップラーにより導波路結合MSM型フォトダイオード17に照射される。導波路結合MSM型フォトダイオード17に当接するフォトダイオード用電気配線層23は、LSIのフォトダイオード用電気配線ビア20に電気的に接続されている。そのため、導波路結合MSM型フォトダイオード17で受光した光信号は、電気信号に変換され、LSIに送られる。
本実施形態によれば、導波路結合MSM型フォトダイオード17を備えることにより、光インタコネクションモジュール67の高速応答化を可能にすると共に、製造コストを引き下げることができる。
次いで、本発明の導波路結合MSM型フォトダイオードの製造方法に関して、Geを半導体光吸収層に用いた場合を例として説明する。図12(a)〜(g)は、本発明の第1実施形態である導波路結合MSM型フォトダイオード51の製造方法を示す断面図である。
(実施例1)
図12(a)〜(g)の工程を行い、本発明の第1実施形態である導波路結合MSM型フォトダイオード51を作製した。
本実施例では、光導波路コア層1から半導体光吸収層2に光モードフィールドが最初に移る領域となるMSM電極(1)3に、逆バイアスが印加されるようにバイアス電圧を設定した。これにより、光吸収によりフォトキャリアが最も多く発生する領域と、逆バイアス電圧により内部電場が大きい領域を一致することが可能となり、−3V程度の比較的低いバイアス電圧で、20GHzの高速性と80%程度の高受信効率が得られた。
本発明の第2の実施形態である導波路結合MSM型フォトダイオード52において、光入射側に配置されたMSM電極(1)3のサイズを大きくし、逆バイアスが印加されるようバイアス電圧を設定した。その結果、光結合によるフォトキャリア発生領域において、内部電場強度が大きい領域が拡大され、受信感度および周波数帯域が改善されることを確認した。
本発明の第3の実施形態である導波路結合MSM型フォトダイオード53においては、前述のように光入射側に配置されたMSM電極(1)3と隣接するMSM電極4との間隔を小さくすることにより、光結合によるフォトキャリア発生領域における内部電場強度が大きくなり、受信感度および周波数帯域が改善される。本実施例においては、MSM電極4間の距離を0.8μmとし、光入射側に配置されたMSM電極(1)3と隣接するMSM電極4との間隔を0.6μmとした。これにより、周波数帯域が12GHzから15GHzまで改善されると共に、バイアス電圧が−3Vから−2Vに低減され、高速化と低消費電力化を実現できることを確認した。
本発明の第4の実施形態である導波路結合MSM型フォトダイオード54において、フォトキャリアが非常に多く発生する光入射部のMSM電極(1)3に−5Vの逆バイアスを印加することにより、40GHz程度の高速動作が得られた。このとき、MSM電極間隔を0.5μmとした。
本発明の第5の実施形態であるバランス型差動受光器55において、2つの導波路結合MSM型フォトダイオードが電気的に並列接続されるため、MSM電極(1−1)7とMSM電極(1−2)8に−3Vの逆バイアス電圧を設定した。前述のように、差動受光器においては、一般的に2つのフォトダイオード間の特性差が課題となる。本実施例の導波路結合MSM型フォトダイオードにおいて、2つのフォトダイオードにおける光入射側のMSM電極(1−1)7とMSM電極(1−2)8に印加するバイアス電圧を逆バイアスとなるように設定することにより、周波数特性および受光感度を一致させることが可能となり、良好な差動出力波形が得られた。また、変調器などの他の光アクティブデバイスと集積化した際、同相ノイズ成分が低減され、1Tbps/cm2〜10Tbps/cm2程度の高集積化が可能であることを確認した。
本発明の第6の実施形態であるデュアル型差動受光器56において、光入射側に配置されるMSM電極(1−3)9およびMSM電極(1−4)10に逆バイアスが印加されるように電極配置を行い、−6Vのバイアス電圧を設定した。これにより、2つのフォトダイオードにおける周波数特性が12.3GHzと12.5GHzとほぼ一致し、受光感度も0.8A/W程度と一致させることが可能であった。また、良好な差動出力波形を得られた。さらに、インバータ型トランスインピーダンス回路との組合せにより、10Gpbsの良好なアイパターンが得られた。
本発明の第7の実施形態である光インタコネクションモジュール67では、−5Vの逆バイアス電圧に対し、約40GHzの高速光電気変換動作が確認された。
2 半導体光吸収層
3 MSM電極(1)
4 MSM電極
5 入力光信号
6 差動光信号
7 MSM電極(1−1)
8 MSM電極(1−2)
9 MSM電極(1−3)
10 MSM電極(1−4)
11 支持基板
12 埋め込み酸化層
13 ノンドープ半導体シリコン
14 酸化膜マスク
15 酸化膜クラッド
16 コンタクトホール
17 導波路結合MSM型フォトダイオード
18 VCSEL光源
19 光源および変調用電気配線ビア
20 フォトダイオード用電気配線ビア
21 LSIパッケージ
22 光源変調用電気配線層
23 フォトダイオード用電気配線層
24 光信号出力ファイバー
25 光信号入力ファイバー
26 LSI搭載ボード
27 凹面鏡
28 フォトダイオード/光源搭載ボード
29 端部
51 MSM型フォトダイオード
52 MSM型フォトダイオード
53 MSM型フォトダイオード
54 MSM型フォトダイオード
55 バランス型差動受光器
56 デュアル型差動受光器
67 光インタコネクションモジュール
Claims (14)
- 半導体光吸収層と光導波路コア層が隣接して光結合された構造からなり、前記半導体光吸収層上に間隔をおいて配置されたMSM電極を複数形成したフォトダイオードであり、前記間隔をおいて配置された複数のMSM電極のうち、最も光入射側に配置された前記MSM電極に逆バイアスがかかるように電圧設定され、
前記半導体光吸収層上に間隔をおいて配置された複数のMSM電極のうち最も光入射側に配置された前記MSM電極と前記半導体吸収層の端部との距離が、入射される光波長をλ、前記半導体光吸収層中の光信号電界が感じる実効的な屈折率をn eff とした時、λ/n eff 以下であることを特徴とする導波路結合MSM型フォトダイオード。 - 前記複数のMSM電極のうち最も光入射側に配置されたMSM電極のサイズが、他のMSM電極に対して幅が大きいことを特徴とする請求項1に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記複数のMSM電極のうち最も光入射側に配置されたMSM電極と隣接するMSM電極との間隔が、他の隣接するMSM電極間の間隔に対して小さいことを特徴とする請求項1または2に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記半導体光吸収層と前記光導波路コア層が基板に対して垂直方向に積層されて光結合することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記半導体光吸収層と前記光導波路コア層が基板に対して水平方向に隣接して光結合することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記光導波路コア層が、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、歪シリコン、多結晶シリコン、Si1−xGex(x=0.01〜0.9)、窒化シリコン、酸窒化シリコンからなる群から選択される少なくとも一層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記半導体光吸収層がGe、Si1−xGex(x=0.01〜0.9)、Si、InGaAs、GaN、GaAs、GaInP、InPからなる群から選択される少なくとも一層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記フォトダイオードにおける半導体光吸収層がGe、Si1−xGex(x=0.01〜0.9)の時、ショットキー接合を形成するために、Ge、Si1−xGex(x=0.01〜0.9)上にSi1−yGey(y=0〜0.9)層が積層されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 前記半導体光吸収層上に間隔をおいて配置された前記MSM電極が、アルミニウム、銀、金、銅、タングステン、チタン、窒化チタン、ニッケルから選ばれる少なくとも一層あるいは少なくとも二種類からなる合金層からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオード。
- 二本の光導波路を伝送される差動光信号と、請求項1〜3のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオードが光結合していることを特徴とする光受信回路。
- 前記差動光信号と光結合している前記導波路結合MSM型フォトダイオードがバランス型差動フォトダイオードであることを特徴とする請求項10に記載の光受信回路。
- 前記差動光信号と光結合している前記導波路結合MSM型フォトダイオードがデュアル型差動フォトダイオードであることを特徴とする請求項10に記載の光受信回路。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオードを受光部に備えるLSI上の光配線システム。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の導波路結合MSM型フォトダイオードが形成されたSi基板と、前記Si基板上に前記フォトダイオードとモノリシックに形成されたLSI電子回路とを備える光インタコネクションモジュール。
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