JP6814798B2 - 固体撮像素子 - Google Patents

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Description

本発明は、二次元イメージセンサ等として用いられる固体撮像素子に関する。
デジタルスチルカメラ、カメラ付きスマートフォン等に用いられる一般的な固体撮像素子は、人間の目に見える可視光領域に感度を有するようにフォトダイオードが設計されている。しかし、近年、可視光領域の画像と、赤外領域の画像との両方を取得可能なイメージセンサが多く提案されている。特に、シリコン基板を用いたセンサの場合、赤外線のシリコンにおける吸収係数は可視光に比べて小さいので、赤外感度を向上するための工夫が提案されている。
例えば、特許文献1には、IR(赤外光)の光電変換を行うフォトダイオード(第3受光部)を、それぞれ可視光及びW(白色)光を光電変換するフォトダイオード(第1受光部及び第2受光部)の下部に延伸して、赤外感度を向上させることが示されている。
特開2009−272620号公報
特許文献1の方法のようにフォトダイオードを延伸すると、赤外線の吸収係数が大きくなるので、赤外感度を向上させることができる。ここで、RGB(赤、緑、青)画素に赤外光受光部を積層した構造の場合、赤外感度を高めるために、一般に赤外線カットフィルタを設けずに使用する。また、固体撮像素子に用いるシリコン基板は、深さ1100nm程度までの領域が全て赤外光に対して感度を有する。従って、赤外光が入射した際、RGBの各画素において、赤外光の大部分は下層の第2受光部にて検出されるが、一部は上層の第1受光部でも検出される。この結果、RGBの各画素の出力には赤外出力が上乗せされてしまい、色再現性が悪化して、不自然な色合いの画像が生成されてしまう。
以上に鑑みて、本開示の目的は、赤外画素を可視画素の下方に延伸した構造であっても、色再現性悪化による画像劣化の起こらない、良好な画像を取得可能な撮像素子を提供することである。
前記の目的を達成するために、本開示の固体撮像素子は、半導体基板の表面近傍に二次元配列された複数の浅層受光部と、当該浅層受光部の下方に二次元配列された深層受光部とを備える。浅層受光部は、可視光及び赤外光を光電変換して信号を出力する可視光画像用受光部と、赤外光を光電変換する赤外光受光部とを含む。赤外光受光部は、可視光画像用受光部が出力する信号を補正して可視光画像用受光部における可視光成分に基づく信号を得るための第1赤外光受光部と、深層受光部と接続されて複層受光部を構成する第2赤外光受光部とを含む。
本開示の固体撮像素子によると、半導体基板の表面近傍に形成された浅層受光部である可視光画像用受光部における可視光成分の信号を得ることができる。これと同時に、浅層受光部の下方に設けられた深層受光部における赤外光成分の信号も得ることができる。従って、赤外光及び可視光による良質な画像を同時に得ることができる。
図1は、本開示の固体撮像素子の基本的な機能を説明する模式図である。 図2は、本開示の第1の実施形態の例示的固体撮像素子について、受光部の二次元配列を示す模式図である。 図3は、図2において8つの受光部を抜き出して示す図である。 図4は、図3のIV-IV線に対応する固体撮像素子の断面を模式的に示す図である。 図5は、図3のV-V線に対応する固体撮像素子の断面を模式的に示す図である。 図6は、図2の固体撮像素子の製造時における注入のレイアウトを示す図である。 図7は、本開示の第2の実施形態の固体撮像素子について、製造時における注入のレイアウトを示す図である。 図8は、図7のVIII-VIII線に対応する固体撮像素子の断面を模式的に示す図である。 図9は、図7のIX-IX線に対応する固体撮像素子の断面を模式的に示す図である。
以下に、本開示の技術の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の固体撮像素子の基本的な機能を説明する模式図である。固体撮像素子は半導体基板を用いて形成されており、その表面近傍に設けられた受光部(浅層受光部)として、赤外光受光部11と、可視光画像用受光部12とを備える。また、これらの浅層受光部よりも下方に、深層受光部13を備える。赤外光受光部11は、可視光18を遮光し、赤外光17を透過するカラーフィルタ14を備える。また、可視光画像用受光部12は、可視光18及び赤外光17を共に透過するカラーフィルタ15を備える。可視光画像用受光部12のカラーフィルタ15は、図1では一種類のみ示しているが、複数の可視光画像用受光部12に対し、可視光については所定の色に対応する波長帯の光のみを透過する複数種類を用いても良い。つまり、カラー画像を取得するために、可視光画像用受光部12はRGB(赤色、緑色、青色)等に対応するカラーフィルタ(赤外光も透過する)のいずれかを備えるようにしてもよい。
可視光18がカラーフィルタ14にて遮光される赤外光受光部11では、入射する赤外光17の一部が吸収され、光電変換されて電荷信号21を出力できる。赤外光17の他の部分は赤外光受光部11では光電変換されずに通過し、その下方の深層受光部13に到達する。
可視光画像用受光部12には、赤外光17及び可視光18が共に入射する。可視光18は可視光画像用受光部12にて光電変換され、且つ、赤外光17の一部も光電変換されるので、可視光画像用受光部12は可視光18と赤外光17の一部とにそれぞれ対応する成分を含む電荷信号22を出力できる。また、赤外光17の他の部分は、赤外光受光部11の場合と同様に可視光画像用受光部12を通過し、その下方の深層受光部13に到達する。
図1に示す例では、可視光画像用受光部12を通過した赤外光17と、赤外光受光部11を通過した赤外光17とが同一の深層受光部13に入射する。従って、深層受光部13はこれらの赤外光17の合計に対応する電荷信号24を出力できる。
以上のように、可視光18はカラーフィルタ14にて遮光されるか又は可視光画像用受光部12にて吸収されるので、深層受光部13には概ね赤外光17のみが入射する。また、浅層受光部(可視光画像用受光部12及び赤外光受光部11)において吸収される赤外光17の割合は比較的小さい。従って、当該固体撮像素子では、深層受光部13が出力する電荷信号24に基づいて良好な赤外光による画像を取得できる。
これに対し、可視光画像用受光部12が出力する電荷信号22は、可視光18の成分と、赤外光17の一部の成分とを含む。従って、電荷信号22に基づいて画像を取得したとすると、赤外光の成分が上乗せされ、色再現性等の悪化した画像となる。ここで、十分に近くに位置している可視光画像用受光部12と赤外光受光部11とについては、入射する赤外光17の強度は類似した値になると考えられる。そこで、可視光画像用受光部12の電荷信号22を赤外光受光部11の電荷信号21によって補正することにより、可視光画像用受光部12における可視光18の成分に相当する電荷信号23を得ることができる。図1では、これを行う信号補正手段16を模式的に示している。単純な例としては電荷信号22から電荷信号21を減算すれば良いが、より適切な補正方法が考えられるのであれば、それを用いても良い
以上により、可視光画像用受光部12には赤外光17も入射するが、その影響を解消して可視光18成分に基づいた画像を取得できる。また、赤外光17を遮光するカラーフィルタを用いないことから、深層受光部13に入射する赤外光17が多くなり、感度に優れた赤外画像を取得することができる。
尚、1つの赤外光受光部11が出力する電荷信号21を用いて、複数の可視光画像用受光部12の電荷信号22を補正しても良い。例えば、それぞれRGBに対応する3つの可視光画像用受光部12及び1つの赤外光受光部11を含む画素が構成されている場合に、同一の画素に含まれる3つの可視光画像用受光部12について、いずれも同じ画素中の1つの赤外光受光部11によって信号を補正しても良い。
(第1の実施形態)
――固体撮像素子の構造――
次に、より具体的な固体撮像素子について、図2〜図4を参照して説明する。図2は例示的固体撮像素子100の受光部の配列について示す図である。
図2に示すように、シリコン等の半導体基板上に受光部が二次元的に配列され、各受光部は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)の可視光と、赤外光(IR)との四色に対応するカラーフィルタのいずれかを備えている。カラーフィルタは、2×2の4つを単位として繰り返す配列のカラーフィルタ層を形成している。IRフィルタは、IR1及びIR2の2つに区別されているが、フィルタ自体の材質等は同じであり、以下に説明する通り、それぞれのフィルタを備える受光部の構成が異なっている。尚、IRフィルタは赤外光を透過し、可視光を遮光する。RGBの各可視光フィルタは、それぞれの色(波長帯)の可視光に加えて、赤外光についても透過する。
図3は、図2における受光部を4×2の8個について抜き出して示す図である。固体撮像素子100は、このような4×2=8の受光部を基本構成とする。
図4及び図5は、図3のVI-VI線及びV-V線に対応する固体撮像素子100の断面を模式的に示す図である。これらの図に示すとおり、固体撮像素子100は、半導体基板130の表面近傍に形成された浅層受光部101(後述の101r、101g、101b、101x及び101yを合わせてこのように呼ぶ)と、その下方に形成された深層受光部102とを有する。
一例としての固体撮像素子100の場合、深層受光部102は、2×4の8つの浅層受光部101の下方に亘って伸びており、且つ、接続部111によってIR2フィルタを有する浅層受光部の1つ(第2赤外光受光部101y)と接続されて、複層受光部103を構成する。
複層受光部103を構成しない他の浅層受光部101のうち、RGBのいずれか1つのカラーフィルタを有するものは、それぞれ可視光画像用受光部101r、101g及び101bを構成する。但し、前記の通りRGBのカラーフィルタは赤外光についても透過する。従って、可視光画像用受光部には赤外光も入射し、その一部が吸収されて光電変換されると共に、赤外光の他の部分は可視光画像用受光部を通過して下方の深層受光部102に吸収される。可視光は、概ね可視光画像用受光部において吸収され、深層受光部102には実質的に入射しない。
更に、複層受光部103を構成しない他の浅層受光部101のうち、IR1フィルタを有するものは、第1赤外光受光部101xを構成する。また、複層受光部103を構成する浅層受光部101を第2赤外光受光部101yとする。IRフィルタ(IR1及びIR2)は可視光を遮光するので、第1赤外光受光部101x及び第2赤外光受光部101yに対する可視光の入射は抑制されている。
浅層受光部101の間には、浅層水平分離部121が設けられている。言い換えると、浅層受光部101は、浅層水平分離部121を間に介して二次元的に配置されている。また、深層受光部102の間には、深層水平分離部122が設けられている。言い換えると、深層受光部102は、深層水平分離部122を間に介して二次元的に配置されている。また、浅層受光部101と、深層受光部102との間には、垂直分離部123が設けられている。これらの各分離部により、受光部同士の間が分離されている。更に、深層受光部102の下方には、深層受光部102とその下方の部分の半導体基板130とを分離する垂直オーバーフローバリア124が設けられている。
以上のレイアウトとしているので、第1赤外光受光部101xと3つの可視光画像用受光部を有するRGB及びIR1の4受光部については、いずれも浅層受光部101のみの構成である。これに対し、第2赤外光受光部101yと3つの可視光画像用受光部を有するRGB及びIR2の4受光部については、第2赤外光受光部101yが深層受光部102と接続されており、他の可視光画像用受光部については浅層受光部101のみの構成である。
――可視光画像及び赤外光画像の取得――
以下、本実施形態の固体撮像素子100による可視光画像及び赤外光画像の取得について説明する。固体撮像素子100において、可視光画像(RGB画像)は浅層受光部101である可視光画像用受光部101r、101g及び101bを用いて取得し、赤外光画像については深層受光部102をその一部とする複層受光部103を用いて取得する。ここで、可視光画像と赤外光画像とを同時に撮像する場合、固体撮像素子100に赤外線が入射するのを防ぐ赤外線カットフィルタを用いずに撮像を行う。この結果、既に述べた通り、可視光画像用受光部において赤外線の一部が吸収され、色再現性等の点で画質が劣化する原因となる。
IRフィルタを有する浅層受光部101のうち、深層受光部102と接続されていない第1赤外光受光部101xは、可視光画像用受光部101r、101g及び101bが出力する信号の赤外光成分を補正するために用いる。つまり、可視光画像用受光部101r、101g及び101bにおいては、所定の色(波長帯)の可視光に加えて赤外線が入射するので、当該受光部では、可視光成分及び赤外光成分を含む電荷が光電変換によって生じる。この際、第1赤外光受光部101xでは、可視光はIRフィルタによって遮光されているので赤外光のみが入射し、赤外光成分の電荷が光電変換によって生じる。
図3に示す8受光部を基本構成とするとき、当該8受光部は互いに十分に近接しており、この中において、各可視光画像用受光部101r、101g及び101bに入射する赤外光の強度は、第1赤外光受光部101xに入射する赤外光の強度により近似できると考えられる。そこで、可視光画像用受光部101r、101g及び101bにて生じる可視光及び赤外光に基づく電荷信号から、第1赤外光受光部101xにて生じる赤外光に基づく電荷信号を減算することにより、可視光成分のみによる電荷信号を得ることができる。従って、赤外線カットフィルタを用いない場合にも、赤外線の影響を排除した良質な可視光画像を取得できる。
また、赤外光画像については、第2赤外光受光部101yを利用する。第2赤外光受光部101yは、接続部111によって深層受光部102と接続され、複層受光部103を構成している。赤外線は、IR1フィルタを透過して第2赤外光受光部101yに入射し、その一部は光電変換されるが、大部分は第2赤外光受光部101yを通過して深層受光部102に入射し、ここで光電変換される。また、可視光画像用受光部及び第1赤外光受光部101xに入射した赤外光についても、一部は当該受光部にて光電変換されるが、大部分は深層受光部102にまで到達し、ここで光電変換される。固体撮像素子100において、深層受光部102は図3に示す8受光部に対応して浅層受光部101の下方に形成されており、この範囲に入射した赤外線を光電変換して電荷信号として出力できる。このように、8受光部に相当する光電変換領域を利用できるので、赤外線の入射に対する感度を高めることができる。当該赤外線の電荷信号は、接続部111及び第2赤外光受光部101yを介して読み出し動作時に読み出される。
以上から、固体撮像素子100によると、可視光画像と赤外光画像とを同時に取得する場合に、赤外線カットフィルタを用いること無しに、可視光画像の色再現性等の劣化を防ぎ、且つ、赤外光画像の感度を高めることができる。
――固体撮像素子の注入レイアウト――
次に、図6を参照して、固体撮像素子100の製造方法のうち注入のレイアウトについて説明する。
図6において、151は、第1赤外光受光部101x及び第2赤外光受光部101yと、可視光画像用受光部101r、101g及び101b(各2つ)を含む8受光部を示している。これらの受光部は、半導体基板130に対してN型不純物を注入することにより形成される。また、これらの各受光部の間を分離するようにP型不純物を注入し、浅層水平分離部121を形成する。
152は、接続部111を形成するための注入のレイアウトである。つまり、IR2フィルタを有する第2赤外光受光部101yの部分のみパターニングしてN型不純物を注入し、接続部111を形成して、第2赤外光受光部101yと深層受光部102とを接続して複層受光部103を形成する。
これに対し、153は、垂直分離部123を形成するための注入のレイアウトである。つまり、第2赤外光受光部101y以外の部分をパターニングしてP型不純物を注入することにより、第2赤外光受光部101y以外では浅層受光部101と深層受光部102との間を分離する。
更に、154は、深層水平分離部122を形成するための注入のレイアウトである。154aは、第2赤外光受光部101yの位置を示している。151の8受光部を単位として囲むようにパターニングし、P型不純物を注入することにより、深層水平分離部122を形成する。これにより、深層水平分離部122は、8つの浅層受光部101に対応する範囲で分離される。
以上のような注入により、本実施形態の固体撮像素子100を形成することができる。
(第2の実施形態)
次に、本開示の第2の実施形態について説明する。
図6等に示すように、第1の実施形態の固体撮像素子100の場合、深層水平分離部122は、8つの浅層受光部101を単位として対応するように、これらの下方に設けられている。また、深層水平分離部122は、第2赤外光受光部101yと接続されている。従って、第2赤外光受光部101yは、深層水平分離部122において偏った位置に配置されている。
この結果、深層受光部102内の位置によって、第2赤外光受光部101yの位置までの距離が大きく異なることになる。例えば、図6の151において左上に示された可視光画像用受光部101b(Bフィルタを有する)の位置は、右下に示された可視光画像用受光部101r(Rフィルタを有する)の位置に比べて、第2赤外光受光部101yの位置までの距離が大幅に大きい。この距離が大きいと、電荷を転送するための距離が長くなるので、転送に関して不利である。例えば、必要な時間内に電荷の転送を完了できず、電荷が残ってしまい、残像不良を起こして画質悪化の原因となるおそれがある。
そこで、本実施形態の固体撮像素子200は、図7、図8及び図9に示す構造を備えている。固体撮像素子200は、浅層受光部101、深層受光部102等を有する点については第1の実施形態の固体撮像素子100と同様である。固体撮像素子200は、浅層受光部101と深層受光部102との平面視でのレイアウト(重なり方)において、固体撮像素子100と異なっている。
図7は、固体撮像素子200の平面視のレイアウトについて示しており、第1の実施形態における図6に対応する。また、図7におけるVIII-VIII線及びIX−IX線におけるも好き的な断面を図8及び図9に示す。
図8及び図9に示す通り、固体撮像素子200の浅層受光部101、浅層水平分離部121、垂直分離部123については、固体撮像素子100と同様である。
これに対し、深層受光部102aは、8つの浅層受光部101に対応する面積を有しているが、第2赤外光受光部101yが中心となるように配置されている(図7の161を参照)。従って、深層水平分離部122aについても、固体撮像素子100とは異なるレイアウトである(図7の154を参照)
この結果、固体撮像素子100の場合(図6の151)に比べると、深層水平分離部122内の位置による第2赤外光受光部101yまでの距離について、大小の違いが少なくなっている。この結果、残像不良等による画質の劣化を抑制することができる。
尚、本実施例でも深層受光部102aは8つの浅層受光部101に対応した長方形状に形成されているが、長方形状である必要はない(例えば正方形状等でも良い)し、必ずしも浅層受光部101の8つに対応する面積である必要もない。
本開示の固体撮像素子は、可視光画像から赤外光成分を除く機能を有し、高画質の可視光画像及び赤外画像を同時に撮像できる固体撮像素子として有用である。
11 赤外光受光部
12 可視光画像用受光部
13 深層受光部
14、15 カラーフィルタ
16 信号補正手段
17 赤外光
18 可視光
21〜24 電荷信号
100 固体撮像素子
101 浅層受光部
101r、101g、101b 可視光画像用受光部
101x 第1赤外光受光部
101y 第2赤外光受光部
102、102a 深層受光部
103 複層受光部
111 接続部
121 浅層水平分離部
122、122a 深層水平分離部
123 垂直分離部
124 垂直オーバーフローバリア
130 半導体基板
200 固体撮像素子

Claims (8)

  1. 半導体基板の表面近傍に二次元配列された複数の浅層受光部と、前記浅層受光部の下方に二次元配列された深層受光部とを備え、
    前記浅層受光部は、可視光及び赤外光を光電変換して信号を出力する可視光画像用受光部と、赤外光を光電変換する赤外光受光部とを含み、
    前記赤外光受光部は、前記可視光画像用受光部が出力する信号を補正して前記可視光画像用受光部における可視光成分に基づく信号を得るための第1赤外光受光部と、前記深層受光部と接続されて複層受光部を構成する第2赤外光受光部とを含み、
    前記第1赤外光受光部は、前記深層受光部とは分離されていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 請求項1の固体撮像素子において、
    前記深層受光部は、隣接する複数の前記浅層受光部の下方に伸びて設けられていることを特徴とする固体撮像素子。
  3. 請求項2の固体撮像素子において、
    前記深層受光部は、隣接する8個の前記浅層受光部に対応して設けられ、当該8個の前記浅層受光部は、前記第1赤外光受光部と、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光に対応する3つの前記可視光画像用受光部とを含む4つの前記浅層受光部、及び、前記第2赤外光受光部と、それぞれ赤色光、緑色光及び青色光に対応する3つの前記可視光画像用受光部とを含む4つの前記浅層受光部、を含むことを特徴とする固体撮像素子。
  4. 請求項2又は3の固体撮像素子において、
    前記深層受光部は、前記第2赤外光受光部が中央に位置するように配置されることを特徴とする固体撮像素子。
  5. 請求項2〜4のいずれか1つの固体撮像素子において、
    前記可視光画像用受光部が出力する可視光成分及び赤外光成分を含む信号から、同じ前記隣接する複数の浅層受光部に含まれる前記第1赤外光受光部が光電変換により出力する信号の赤外成分を減算することにより、当該可視光画像用受光部における可視光成分のみの信号を得る信号補正手段を更に備えることを特徴とする固体撮像素子。
  6. 請求項1〜5のいずれか1つの固体撮像素子において、
    前記浅層受光部にそれぞれ設けられたカラーフィルタを含むカラーフィルタ層を更に備え、
    前記可視光画像用受光部のカラーフィルタは、可視光及び赤外光を共に透過し、
    前記赤外光受光部のカラーフィルタは、可視光を遮光し且つ赤外光を透過することを特徴とする固体撮像素子。
  7. 請求項6の固体撮像素子において、
    前記カラーフィルタ層は、前記可視光画像用受光部に設けられ、赤色光、緑色光及び青色光のいずれか1つ及び赤外光に対応する3種のカラーフィルタと、前記赤外光受光部に設けられ、赤外光に対応するカラーフィルタとの4種を一組のカラーフィルタとして含むことを特徴とする固体撮像素子。
  8. 請求項1〜7のいずれか1つの固体撮像素子において、
    前記浅層受光部は、入射する赤外光の一部を吸収し、
    前記深層受光部は、前記浅層受光部を通過した赤外光を吸収し、
    前記複層受光部は、当該複層受光部を構成する前記第2赤外光受光部及び前記深層受光部にて吸収した赤外光を光電変換して信号を出力することを特徴とする固体撮像素子。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019180898A1 (ja) * 2018-03-23 2021-03-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像素子
US10340408B1 (en) 2018-05-17 2019-07-02 Hi Llc Non-invasive wearable brain interface systems including a headgear and a plurality of self-contained photodetector units configured to removably attach to the headgear
US10158038B1 (en) 2018-05-17 2018-12-18 Hi Llc Fast-gated photodetector architectures comprising dual voltage sources with a switch configuration
WO2019221799A1 (en) 2018-05-17 2019-11-21 Hi Llc Stacked photodetector assemblies
US10420498B1 (en) 2018-06-20 2019-09-24 Hi Llc Spatial and temporal-based diffusive correlation spectroscopy systems and methods
US11213206B2 (en) 2018-07-17 2022-01-04 Hi Llc Non-invasive measurement systems with single-photon counting camera
US11006876B2 (en) 2018-12-21 2021-05-18 Hi Llc Biofeedback for awareness and modulation of mental state using a non-invasive brain interface system and method
JP2022533553A (ja) 2019-05-06 2022-07-25 エイチアイ エルエルシー 時間相関単一光子計数法向けの光検出器アーキテクチャ
US11081611B2 (en) 2019-05-21 2021-08-03 Hi Llc Photodetector architectures for efficient fast-gating comprising a control system controlling a current drawn by an array of photodetectors with a single photon avalanche diode
WO2020247185A1 (en) 2019-06-06 2020-12-10 Hi Llc Photodetector systems with low-power time-to-digital converter architectures
KR20210100412A (ko) 2020-02-06 2021-08-17 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US11771362B2 (en) 2020-02-21 2023-10-03 Hi Llc Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system
US11096620B1 (en) 2020-02-21 2021-08-24 Hi Llc Wearable module assemblies for an optical measurement system
WO2021167876A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Methods and systems for initiating and conducting a customized computer-enabled brain research study
US11883181B2 (en) 2020-02-21 2024-01-30 Hi Llc Multimodal wearable measurement systems and methods
US11630310B2 (en) 2020-02-21 2023-04-18 Hi Llc Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system
US11950879B2 (en) 2020-02-21 2024-04-09 Hi Llc Estimation of source-detector separation in an optical measurement system
US11969259B2 (en) 2020-02-21 2024-04-30 Hi Llc Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members
US11245404B2 (en) 2020-03-20 2022-02-08 Hi Llc Phase lock loop circuit based signal generation in an optical measurement system
WO2021188486A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system
US11864867B2 (en) 2020-03-20 2024-01-09 Hi Llc Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse
US11903676B2 (en) 2020-03-20 2024-02-20 Hi Llc Photodetector calibration of an optical measurement system
WO2021188487A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system
US11877825B2 (en) 2020-03-20 2024-01-23 Hi Llc Device enumeration in an optical measurement system
US11819311B2 (en) 2020-03-20 2023-11-21 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
WO2021188489A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc High density optical measurement systems with minimal number of light sources
US11857348B2 (en) 2020-03-20 2024-01-02 Hi Llc Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7274393B2 (en) * 2003-02-28 2007-09-25 Intel Corporation Four-color mosaic pattern for depth and image capture
US6852565B1 (en) * 2003-07-10 2005-02-08 Galaxcore, Inc. CMOS image sensor with substrate noise barrier
KR100630704B1 (ko) * 2004-10-20 2006-10-02 삼성전자주식회사 비평면 구조의 트랜지스터를 구비한 cmos 이미지 센서및 그 제조 방법
JP2007202107A (ja) * 2005-12-27 2007-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
KR20070115243A (ko) * 2006-06-01 2007-12-05 삼성전자주식회사 이미지 촬상 장치, 및 그 동작 방법
JP4396684B2 (ja) * 2006-10-04 2010-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP5059476B2 (ja) * 2007-04-23 2012-10-24 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置、光測定装置、光検出装置、及び半導体装置の製造方法
KR101475464B1 (ko) * 2008-05-09 2014-12-22 삼성전자 주식회사 적층형 이미지 센서
JP5793688B2 (ja) * 2008-07-11 2015-10-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置
US7915652B2 (en) * 2008-10-24 2011-03-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated infrared and color CMOS imager sensor
US8390047B2 (en) * 2008-11-14 2013-03-05 Faquir Chand Jain Miniaturized implantable sensor platform having multiple devices and sub-chips
KR101648353B1 (ko) * 2009-09-25 2016-08-17 삼성전자 주식회사 거리 센서를 포함하는 이미지 센서
JP5536488B2 (ja) * 2010-02-22 2014-07-02 ローム株式会社 カラー用固体撮像装置
JP2012019113A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Panasonic Corp 固体撮像装置
US8330171B2 (en) * 2010-07-23 2012-12-11 Intel Corporation High speed, wide optical bandwidth, and high efficiency resonant cavity enhanced photo-detector
JP5866768B2 (ja) * 2011-02-16 2016-02-17 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、電子機器
JP5742344B2 (ja) * 2011-03-20 2015-07-01 富士通株式会社 受光素子、光受信器及び光受信モジュール
KR101262507B1 (ko) * 2011-04-11 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이, 픽셀 어레이의 제조방법 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지센서
US8803269B2 (en) * 2011-05-05 2014-08-12 Cisco Technology, Inc. Wafer scale packaging platform for transceivers
US9264676B2 (en) * 2012-01-06 2016-02-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Broadband imager
JP6115566B2 (ja) * 2012-03-30 2017-04-19 日本電気株式会社 導波路結合msm型フォトダイオード
US9052476B2 (en) * 2012-07-04 2015-06-09 Sae Magnetics (H.K.) Ltd. Wafer-level packaged optical subassembly and transceiver module having same
JP5920128B2 (ja) * 2012-09-07 2016-05-18 住友電気工業株式会社 光導波路型受光素子の製造方法および光導波路型受光素子
JP6368115B2 (ja) * 2013-05-10 2018-08-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US9224882B2 (en) * 2013-08-02 2015-12-29 Intel Corporation Low voltage photodetectors

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