JP2008258474A - 固体撮像装置および撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】色再現性を向上させ、高精細なイメージセンサへの適用を可能とする。
【解決手段】半導体基板11上に複数の光電変換部22と該光電変換部22から選択的に読み出すMOSトランジスタとを含む複数の画素21からなり、前記光電変換部22上に配置された有機光電変換膜42から第1色の信号のみを取り出し、前記光電変換部22上に配列された有機カラーフィルター層44の吸収分光から前記第1色を含まない複数色の信号を取り出すことを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、固体撮像装置および撮像装置に関する。
固体撮像装置である半導体イメージセンサには、入射光を電気信号に変換する光電変換部となる複数画素と、各画素を選択的に読み出すMOSトランジスタとを有するCMOSセンサ、および、入射光を電気信号に変換する光電変換部となる複数画素を有し、シリコン基板内を通して各画素から読み出した信号電荷を電荷転送するCCDがあり、いずれも画素の信号を読み出す半導体デバイスである。近年、CMOSセンサは、低電圧・低消費電力、多機能等の特徴により、携帯電話用のカメラ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラの撮像素子として注目されその使用範囲を拡大している。
一方、カラーイメージセンサとしては、各画素に、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色からなる色フィルターを形成(RGBベイヤー配列が一般的である)し、空間的に色分解する技術が一般的に用いられている。この方式は色フィルターの分光特性を任意に調整することによって、良好な色再現を達成することが可能ではある。しかし、色フィルター自体の光吸収がかなりあり、イメージセンサに入射する光を十分有効に使用できないという、本質的な問題がある。また、空間的な色分離を行うため、イメージセンサの画素を有効に使用できず、緑(G)画素が少ない場合には輝度信号の解像度が低下し、赤(R)や青(B)画素が少ない場合には色信号の解像度が低下したり、色偽信号が発生するといった問題も発生する。
さらに、イメージセンサの小型化、多画素化に伴い、1画素のセルサイズが、最近では2.0μm角以下まで縮小化されてきている。これに伴い、当然、1画素当りの面積および体積が縮小されてきている。その結果として、飽和信号量や感度が低下し、画質の低下を招いている。したがって、セルを縮小せずに、1画素、または2画素〜3画素でR/G/B信号が得られれば、感度や飽和信号量を一定量保持したままで、空間的な輝度やクロマの解像度を維持できることになる。
上記の問題を解決する方法として、最近、有機光電変換膜を用いたイメージセンサが考案されている(例えば、特許文献1:第5図参照。)。特許文献1によれば、青に感度を持つ有機光電変換膜、緑に感度を持つ有機光電変換膜、赤に感度を持つ有機光電変換膜を受光する光に対して、順次積層することで、1画素から、B/G/Rの信号を別々に取り出すことができ、感度向上が図れる。しかし、有機光電変換膜を多層化するのはプロセス上、極めて困難であり、これまでに実現化された報告はない。取り出し電極(通常は金属膜)と有機光電変換膜の加工プロセスの整合性が大きな課題であり、有機光電変換膜にダメージを与えずに電極加工する技術が確立されてないためとされる。
一方、有機光電変換膜は1層で、Siバルク分光で2色を実現する例(例えば、特許文献2:第6図参照、特許文献3:第6図参照。)もあるが、シリコンのバルク中における各波長の光の吸収差を利用した場合、色再現が悪く、一般的な高精細なイメージセンサには使えない。また、バルクから2色を取り出す構造もプロセス的には複雑となりコストアップとなる。
特開2003−234460号公報 特開2005−303266号公報 特開2003−332551号公報
解決しようとする問題点は、シリコンのバルク中における各波長の光の吸収差を利用した場合、色再現が悪く、一般的な高精細なイメージセンサには使えない点である。
本発明は、上記の問題を解決し、色再現性を向上させ、高精細なイメージセンサへの適用を可能にする。
請求項1に係る本発明は、半導体基板上に複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すMOSトランジスタとを含む複数の画素からなり、前記光電変換部上に配置された有機光電変換膜から第1色の信号のみを取り出し、前記光電変換部上に配列された有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第1色を含まない複数色の信号を取り出すことを特徴とする。
請求項1に係る本発明では、有機光電変換膜を1層にすることで、取り出し電極(通常は金属膜)と有機光電変換膜の加工プロセスの整合性の問題は回避でき、第1色を含まない複数色を配列、例えば市松配列にすることで、色再現性の著しい改善が可能となる。
請求項5に係る本発明は、入射光を集光する集光光学部と、前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、光電変換された信号を処理する信号処理部とを備え、前記固体撮像装置は、半導体基板上に複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すMOSトランジスタとを含む複数の画素からなり、前記光電変換部上に配置された有機光電変換膜から第1色の信号のみを取り出し、前記光電変換部上の前記有機光電変換膜上に配列された有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第1色を含まない複数色の信号を取り出すことを特徴とする。
請求項5に係る本発明では、本願発明の固体撮像装置を用いることから、色再現性に優れた固体撮像装置が用いられることになる。
請求項1に係る本発明によれば、本願発明の固体撮像素子を備えていることから、色再現性に優れた撮像装置を提供でき、また、有機光電変換膜と取り出し電極(通常は金属膜)との加工プロセスの整合性の問題が回避できるという利点がある。
請求項5に係る本発明によれば、色再現性に優れている固体撮像装置を用いることができるため、撮像した画像の品質を向上することができるので、高品位な映像を記録できるという利点がある。
本発明の固体撮像装置の一実施の形態(第1実施例)を、図1の概略構成斜視図および図2の配置図によって説明する。図1では、本発明の固体撮像装置の適用する一例として全面開口型CMOSイメージセンサを示した。
図1に示すように、半導体基板11で形成される活性層12には、入射光を電気信号に変換する光電変換部(例えばフォトダイオード)22、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ等のトランジスタ群23(図面ではその一部を図示)等を有する複数の画素部21が形成されている。上記半導体基板11には、例えばシリコン基板を用いる。さらに、各光電変換部22から読み出した信号電荷を処理する信号処理部(図示せず)が形成されている。
上記画素部21の周囲の一部、例えば行方向もしくは列方向の画素部21間には、素子分離領域24が形成されている。
また、上記光電変換部22が形成された半導体基板11の表面側(図面では半導体基板11の下側)には配線層31が形成されている。この配線層31は、配線32とこの配線32を被覆する絶縁膜33からなる。上記配線層31には、支持基板35が形成されている。この支持基板35は、例えばシリコン基板からなる。
さらに、上記固体撮像装置1には、半導体基板11裏面側に光透過性を有する平坦化膜41が形成されている。さらにこの平坦化膜41(図面で上面側)には、有機光電変換膜42が形成され、さらに分離層43を介して有機カラーフィルター層44が形成されている。この有機カラーフィルター層44は、上記光電変換部22に対応させて形成され、例えば、青(Blue)と赤(Red)を取り出すために、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44(44C)とイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44(44Y)を市松模様に配置したものからなる。また、各有機カラーフィルター層44上には、各光電変換部22に入射光を集光させる集光レンズ51が形成されている。
上記有機光電変換膜42の緑(Green)系の色素としては、一例として、ローダミン系色素、フタロシアニン誘導体、キナクリドン、エオシンーY、メラシアニン系色素がある。
上記固体撮像装置1は、緑(Green)を有機光電変換膜42から信号を取り出し、青(Blue)と赤(Red)をシアン(Cyan)とイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44との組合せにて取り出すものである。上記有機光電変換膜42と有機カラーフィルター層44の平面的配置(コーディング)の一例を、図2によって説明する。
図2(1)に示すように、有機光電変換膜42からなる緑(Green)は全画素に配置されている。また、図2(2)に示すように、シアン(Cyan)とイエロー(Yellow)は、いわゆる市松配列となっている。青(Blue)と赤(Red)の分光は、以下の原理で達成する。先ず、図3の分光例に示したように、青(Blue)は、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cでの吸収で赤(Red)成分が除去され、続く、緑(Green)の有機光電変換膜42による吸収によって、緑(Green)成分が除去され、残った青(Blue)成分にて取り出せる。一方、赤(Red)は、イエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yでの吸収で青(Blue)成分が除去され、続く、緑(Green)の有機光電変換膜42による吸収によって緑(Green)成分が除去され、残った赤(Red)成分にて取り出せる。また、光電変換部22に形成されているフォトダイオードを構成するN-領域とP+領域(図示せず)の深さは全画素共通で最適化されれば良い。
以上の構成によって、固体撮像装置1では、緑(Green)、青(Blue)、赤(Red)の分離された色信号を出力することができる。有機光電変換膜42が一層なことから、取り出し電極(通常は金属膜)(図示せず)と有機光電変換膜42の加工プロセスの整合性の問題は回避でき、また、有機カラーフィルター層44を用いたことで、リソグラフィー技術で形成が可能となるため、ドライエッチング加工を用いる必要がなくなり、有機光電変換膜42にダメージを与えることがなくなる。なお、材料の溶着等の懸念がある場合は、図示したように、層間に分離層43を設けることが好ましい。
また、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cとイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yが、いわゆる市松配列となるように配置したことで、空間的な輝度やクロマの解像度はやや落ちるものの、色再現性は著しく改善することが可能となる。
また、上記固体撮像装置1は、原色フィルターのみで色分離を行う固体撮像装置(例えば、前記特許文献3のカラー撮像素子)と比較して、補色の有機カラーフィルター層44とバルク分光を組合せることにより、感度と色再現の両立化を図ることが可能となる。さらに補色分光も図3に示した例に限定されず、シアン(Cyan)とイエロー(Yellow)はより透過率の高い分光のものを用いれば、青(Blue)感度の低下の抑制も可能となる。
さらに、上記第1実施例の固体撮像装置1では、有機光電変換膜42を緑(Green)で形成し、青(Blue)と赤(Red)をシアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cとイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yとの組合せにて取り出す例を示したが、そのほかの組合せでも良い。さらに、3原色とは限らず、中間色での組合せや、4色以上の配列でも構わない。また、全面開口型CMOSイメージセンサに適用した場合を示したが、通常のCMOSイメージセンサにも当然適用できる。また、有機カラーフィルター層44と有機光電変換膜42の上下位置を逆にして形成しても構わない。
次に、本発明の固体撮像装置の一実施の形態(第2実施例)を、図4の概略構成斜視図および前記図2の配置図によって説明する。図4では、本発明の固体撮像装置の適用する一例として全面開口型CMOSイメージセンサを示した。
図4に示すように、半導体基板11で形成される活性層12には、入射光を電気信号に変換する光電変換部(例えばフォトダイオード)22、転送トランジスタ、増幅トランジスタ、リセットトランジスタ等のトランジスタ群23(図面ではその一部を図示)等を有する複数の画素部21が形成されている。上記半導体基板11には、例えばシリコン基板を用いる。さらに、各光電変換部22から読み出した信号電荷を処理する信号処理部(図示せず)が形成されている。
上記画素部21の周囲の一部、例えば行方向もしくは列方向の画素部21間には、素子分離領域24が形成されている。
また、上記光電変換部22が形成された半導体基板11の表面側(図面では半導体基板11の下側)には配線層31が形成されている。この配線層31は、配線32とこの配線24を被覆する絶縁膜33からなる。上記配線層31には、支持基板35が形成されている。この支持基板35は、例えばシリコン基板からなる。
さらに、上記固体撮像装置1には、半導体基板11裏面側に光透過性を有する平坦化膜41が形成されている。さらにこの平坦化膜41(図面で上面側)には、有機光電変換膜42が形成され、さらに分離層43を介して有機カラーフィルター層44が形成されている。この有機カラーフィルター層44は、上記光電変換部22に対応させて形成され、例えば、青(Blue)と赤(Red)を取り出すために、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44(44C)とイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44(44Y)を市松模様に配置したものからなる。また、各有機カラーフィルター層44上には、各光電変換部22に入射光を集光させる集光レンズ51が形成されている。
上記有機光電変換膜42の緑(Green)系の色素としては、一例として、ローダミン系色素、フタロシアニン誘導体、キナクリドン、エオシンーY、メラシアニン系色素がある。
上記固体撮像装置1は、緑(Green)を有機光電変換膜42から信号を取り出し、青(Blue)と赤(Red)をシアン(Cyan)とイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44およびバルク分光との組合せにて取り出すものである。上記有機光電変換膜42と有機カラーフィルター層44の平面的配置(コーディング)の一例を、前記図2によって説明する。
前記図2(1)に示すように、有機光電変換膜42からなる緑(Green)は全画素に配置されている。また、前記図2(2)に示すように、シアン(Cyan)とイエロー(Yellow)は、いわゆる市松配列となっている。青(Blue)と赤(Red)の分光は、以下の原理で達成する。前記図3の分光例に示したように、青(Blue)は、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cでの吸収で赤(Red)成分が除去され、続く、緑(Green)の有機光電変換膜42による吸収によって、緑(Green)成分が除去され、残った青(Blue)成分にて取り出せる。一方、赤(Red)は、イエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yでの吸収で青(Blue)成分が除去され、続く、緑(Green)の有機光電変換膜42による吸収によって緑(Green)成分が除去され、残った赤(Red)成分にて取り出せる。
また、青(Blue)と赤(Red)のバルク分光を達成するために、光電変換部22に形成されているフォトダイオードを構成するN-領域22NとP+領域22Pの深さを変えている。すなわち、青(Blue)は光入射側に近い(光の進入が浅い)領域にN-領域22Nを形成し、青(Blue)光を優先的に光電変換している。そして、深い領域にはP+領域22Pを形成することで、赤(Red)光による光電変換を抑制している。一方、赤(Red)は,光入射側から遠い(光の進入が深い)領域にN-領域22Nを形成し、赤(Red)光を優先的に光電変換している。そして、光入射から近い領域には、深いP+領域22Pを形成して、青(Blue)光による光電変換を抑制している。それぞれの画素における、N-領域22NとP+領域22Pの深さは、波長により最適化も必要である。組合せ的には、P+領域22Pの有機カラーフィルター層44Cの下が青(Blue)画素で、イエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yの下が赤(Red)画素となる。
以上の構成によって、固体撮像装置2では、緑(Green)、青(Blue)、赤(Red)の分離された色信号を出力することができる。有機光電変換膜42が一層なことから、取り出し電極(通常は金属膜)(図示せず)と有機光電変換膜42の加工プロセスの整合性の問題は回避でき、また、有機カラーフィルター層44を用いたことで、リソグラフィー技術で形成が可能となるため、ドライエッチング加工を用いる必要がなくなり、有機光電変換膜42にダメージを与えることがなくなる。なお、材料の溶着等の懸念がある場合は、図示したように、層間に分離層43を設けることが好ましい。
また、シアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cとイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yが、いわゆる市松配列となるように配置したことで、空間的な輝度やクロマの解像度はやや落ちるものの、色再現性は著しく改善することが可能となる。
また、上記固体撮像装置2は、原色フィルターのみで色分離を行う固体撮像装置(例えば、前記特許文献3のカラー撮像素子)と比較して、補色の有機カラーフィルター層44とバルク分光を組合せることにより、感度と色再現の両立化を図ることが可能となる。さらに補色分光も図3に示した例に限定されず、シアン(Cyan)とイエロー(Yellow)はより透過率の高い分光のものを用いれば、青(Blue)感度の低下の抑制も可能となる。
さらに、上記第2実施例の固体撮像装置2では、有機光電変換膜42を緑(Green)で形成し、青(Blue)と赤(Red)をシアン(Cyan)の有機カラーフィルター層44Cとイエロー(Yellow)の有機カラーフィルター層44Yとの組合せにて取り出す例を示したが、そのほかの組合せでも良い。さらに、3原色とは限らず、中間色での組合せや、4色以上の配列でも構わない。また、全面開口型CMOSイメージセンサに適用した場合を示したが、通常のCMOSイメージセンサにも当然適用できる。また、有機カラーフィルター層44と有機光電変換膜42の上下位置を逆にして形成しても構わない。
上記第2実施例の固体撮像装置2において、有機カラーフィルター層44にシアン(Cyan)とイエロー(Yellow)の分光例を示したが、図5(1)に示すように、有機カラーフィルター層44の分光例としては、分光Aの吸収波長特性を有する有機カラーフィルター層44Aと、分光Bの吸収波長特性を有する有機カラーフィルター層44Bとを、市松模様に配置する。また、図5(2)に示すように、有機光電変換膜42には緑(Green)の有機光電変換膜を用いる。
そして理想的には、図6に示すように、上記有機カラーフィルター層44A、44Bがそれぞれ分光A、分光Bとなる分光特性を持つことが望ましい。さらに、この時のバルク分光としては、分光Aの下には青(Blue)感度を持たせ、分光Bの下には赤(Red)感度を持たせる組合せとすることがより好ましい。
また、有機光電変換膜42と有機カラーフィルター層44の組合せとしは、上記第1実施例および第2実施例で説明した以外に、(1)有機光電変換膜42に青(Blew)を用い、有機カラーフィルター層44に緑(Green)と分光Bを用いる。(2)有機光電変換膜42に赤(Red)を用い、有機カラーフィルター層44に緑(Green)と分光Aを用いる。また、色分離を向上させる観点では、上記第1、第2実施例を用いることが望ましい。
上記説明したように、本発明の固体撮像装置1,2は、色再現性を向上させることができ、高精細なイメージセンサへの適用が可能となる。
次に、本発明の撮像装置に係る一実施の形態(実施例)を、図7のブロック図によって説明する。この撮像装置には、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等がある。
図7に示すように、撮像装置100は、撮像部101に固体撮像装置(図示せず)を備えている。この撮像部101の集光側には像を結像させる結像光学系102が備えられ、また、撮像部101には、それを駆動する駆動回路、固体撮像装置で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する信号処理部103が接続されている。また上記信号処理部によって処理された画像信号は画像記憶部(図示せず)によって記憶させることができる。このような撮像装置100において、上記固体撮像素子には、前記実施の形態で説明した固体撮像装置1または固体撮像装置2を用いることができる。
本発明の撮像装置100では、本願発明の固体撮像装置1または固体撮像装置2を用いることから、上記説明したのと同様に、固体撮像装置の垂直方向、もしくは垂直方向および水平方向の画素情報の情報量が低減されるため、高フレーム化ができるという利点がある。
なお、本発明の撮像装置100は、上記構成に限定されることはなく、固体撮像装置を用いる撮像装置であれば如何なる構成のものにも適用することができる。
上記固体撮像装置1、2はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。また、本発明は、固体撮像装置のみではなく、撮像装置にも適用可能である。この場合、撮像装置として、高画質化の効果が得られる。ここで、撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器のことを示す。また「撮像」は、通常のカメラ撮影時における像の撮りこみだけではなく、広義の意味として、指紋検出なども含むものである。
本発明の固体撮像装置の一実施の形態(第1実施例)を示した概略構成斜視図である。 有機カラーフィルター層のカラーコーディングを示した配置図である。 有機カラーフィルター層の分光特性図である。 本発明の固体撮像装置の一実施の形態(第2実施例)を示した概略構成斜視図である。 有機カラーフィルター層のカラーコーディングを示した配置図である。 有機カラーフィルター層の分光特性図である。 本発明の撮像装置に係る一実施の形態(実施例)を示したブロック図である。
符号の説明
1…固体撮像装置、11…半導体基板、21…画素、22…光電変換部、42…有機光電変換膜、44…有機カラーフィルター層

Claims (5)

  1. 半導体基板上に複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すMOSトランジスタとを含む複数の画素からなり、
    前記光電変換部上に配置された有機光電変換膜から第1色の信号のみを取り出し、
    前記光電変換部上に配列された有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第1色を含まない複数色の信号を取り出す
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記有機カラーフィルター層は前記第1色を含まない複数色を市松配列されたものからなる
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 緑色の信号を前記有機光電変換膜で取り出し、
    青色と赤色の信号を前記有機カラーフィルター層に形成されたシアンとイエローの市松配列の別々の画素の吸収分光から取り出す
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 緑色の信号を前記有機光電変換膜で取り出し、
    青色と赤色の信号を前記有機カラーフィルター層に形成されたシアンとイエローの市松配列の別々の画素の吸収分光と、青色と赤色のバルク分光の組合せにて取り出す
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  5. 入射光を集光する集光光学部と、
    前記集光光学部で集光した光を受光して光電変換する固体撮像装置と、
    光電変換された信号を処理する信号処理部とを備え、
    前記固体撮像装置は、
    半導体基板上に複数の光電変換部と該光電変換部から選択的に読み出すMOSトランジスタとを含む複数の画素からなり、
    前記光電変換部上に配置された有機光電変換膜から第1色の信号のみを取り出し、
    前記光電変換部上の前記有機光電変換膜上に配列された有機カラーフィルター層の吸収分光から前記第1色を含まない複数色の信号を取り出す
    ことを特徴とする撮像装置。
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TW097108557A TW200903785A (en) 2007-04-06 2008-03-11 Solid-state image pickup device and imaging apparatus
US12/061,135 US8035708B2 (en) 2007-04-06 2008-04-02 Solid-state imaging device with an organic photoelectric conversion film and imaging apparatus
KR1020080031639A KR20080091023A (ko) 2007-04-06 2008-04-04 고체 촬상 장치 및 촬상 장치
CN2008100911358A CN101281921B (zh) 2007-04-06 2008-04-07 固态成像装置和成像设备

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Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110016393A (ko) * 2009-08-10 2011-02-17 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치
EP2337075A2 (en) 2009-12-21 2011-06-22 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus, method of fabrication and driving method
JP2011238658A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Toshiba Corp 固体撮像装置
CN102401978A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 富士胶片株式会社 摄像装置和移动信息终端
US8350349B2 (en) 2010-02-02 2013-01-08 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing thereof, and electronic apparatus
JP2014023118A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
US8872298B2 (en) 2010-07-01 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit pixel array of an image sensor
KR20140127210A (ko) 2012-01-25 2014-11-03 소니 주식회사 광전 변환 소자, 광전 변환 소자의 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 전자 기기
TWI460849B (zh) * 2009-07-23 2014-11-11 Sony Corp 固態成像器件,及其製造方法,及電子裝置
JP2014215526A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 株式会社ニコン 撮像素子およびカメラ
JP2014222880A (ja) * 2014-06-06 2014-11-27 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
WO2015005234A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 株式会社ニコン 撮像装置
KR20150091889A (ko) * 2014-02-04 2015-08-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 처리 장치
JP2016040823A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサー及びこれを含む電子装置
US9331125B2 (en) 2014-03-19 2016-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device using plasmon resonator filter
US9385148B2 (en) 2012-01-13 2016-07-05 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
CN105810697A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器及其色彩识别方法
WO2016117381A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び、電子機器
JP2016152417A (ja) * 2015-02-16 2016-08-22 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ、及びイメージセンサを含む撮像装置
WO2016181602A1 (en) 2015-05-12 2016-11-17 Sony Corporation Medical imaging apparatus, imaging method, and imaging apparatus
JP2017063198A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 色分離素子を含むイメージセンサ、およびイメージセンサを含む撮像装置
JP2017098533A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ及びこれを含む電子装置
JP2017135753A (ja) * 2017-04-27 2017-08-03 株式会社ニコン 撮像装置
US9826183B2 (en) 2012-03-30 2017-11-21 Nikon Corporation Image-capturing device and image sensor
JP2018033146A (ja) * 2017-09-27 2018-03-01 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
WO2018110317A1 (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日産化学工業株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US10020347B2 (en) 2012-12-07 2018-07-10 Sony Corporation Solid-state image pickup device and electronic apparatus
WO2019116977A1 (ja) 2017-12-15 2019-06-20 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US10388701B2 (en) 2015-08-19 2019-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Stacked image sensor and method of manufacturing the same
WO2019176662A1 (ja) 2018-03-15 2019-09-19 日産化学株式会社 電荷輸送性組成物
JP2020005001A (ja) * 2019-10-01 2020-01-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および撮像装置
US10566358B2 (en) 2017-02-24 2020-02-18 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor and image capturing apparatus
US10770659B2 (en) 2015-11-06 2020-09-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for hole trapping layer of organic photoelectric conversion element
US10998355B2 (en) 2015-05-27 2021-05-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor device and electronic apparatus
WO2021246351A1 (ja) 2020-06-02 2021-12-09 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5353200B2 (ja) * 2008-11-20 2013-11-27 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US9123653B2 (en) 2009-07-23 2015-09-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
JP5556122B2 (ja) * 2009-10-27 2014-07-23 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器
JP2012018951A (ja) 2010-07-06 2012-01-26 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置及び撮像装置
JP2012049289A (ja) * 2010-08-26 2012-03-08 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2012156310A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器
WO2012147302A1 (ja) * 2011-04-28 2012-11-01 パナソニック株式会社 固体撮像装置及びそれを用いたカメラシステム
JP2013030592A (ja) * 2011-07-28 2013-02-07 Sony Corp 光電変換素子及び撮像装置、太陽電池
KR101942423B1 (ko) 2011-09-09 2019-04-12 삼성전자주식회사 광 다이오드
JP2014022448A (ja) * 2012-07-13 2014-02-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2014127545A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Sony Corp 固体撮像素子およびこれを備えた固体撮像装置
KR20140111758A (ko) 2013-03-12 2014-09-22 삼성전자주식회사 이미지 처리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템
KR102083550B1 (ko) 2013-03-15 2020-04-14 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102028124B1 (ko) * 2013-05-24 2019-10-02 삼성전자주식회사 위상차 초점검출 가능한 촬상소자
KR102065633B1 (ko) 2013-08-12 2020-01-13 삼성전자 주식회사 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템
KR102140482B1 (ko) 2013-12-30 2020-08-04 삼성전자주식회사 적층형 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 적층형 이미지 센서
US9362327B2 (en) 2014-01-15 2016-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and electronic device including the same
JP2015170620A (ja) 2014-03-04 2015-09-28 株式会社東芝 固体撮像装置
JP6392542B2 (ja) * 2014-05-08 2018-09-19 オリンパス株式会社 固体撮像装置
KR102328769B1 (ko) 2014-06-20 2021-11-18 삼성전자주식회사 이미지 센서와 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
EP3041060B1 (en) 2014-12-19 2021-06-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor, and electronic device including the same
KR102356696B1 (ko) 2015-07-03 2022-01-26 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR102491494B1 (ko) 2015-09-25 2023-01-20 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR102455528B1 (ko) 2015-11-24 2022-10-14 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102529631B1 (ko) 2015-11-30 2023-05-04 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR102491497B1 (ko) 2015-11-30 2023-01-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
JP2017174936A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 ソニー株式会社 固体撮像素子及び電子機器
KR102557864B1 (ko) 2016-04-06 2023-07-19 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102601055B1 (ko) 2016-05-10 2023-11-09 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US10236461B2 (en) 2016-05-20 2019-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectronic device and image sensor
KR102605375B1 (ko) 2016-06-29 2023-11-22 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
KR102589215B1 (ko) 2016-08-29 2023-10-12 삼성전자주식회사 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US10644073B2 (en) * 2016-12-19 2020-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices including the same
US11145822B2 (en) 2017-10-20 2021-10-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Compound and photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
KR102573162B1 (ko) 2017-12-04 2023-08-30 삼성전자주식회사 플러렌 유도체, 광전 소자 및 이미지 센서
US11107860B2 (en) 2018-02-06 2021-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic image sensors without color filters
KR20190119970A (ko) 2018-04-13 2019-10-23 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 전자 장치
EP3886183B1 (en) * 2018-11-19 2023-06-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Imaging device and imaging system
EP3739641A1 (en) 2019-05-15 2020-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. N-type semiconductor composition, and thin film, organic photoelectric device, image sensor, and electronic device including the same
EP3739643A1 (en) 2019-05-17 2020-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic photoelectric device, image sensor, and electronic device
KR20210000583A (ko) 2019-06-25 2021-01-05 삼성전자주식회사 화합물 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20210012837A (ko) 2019-07-26 2021-02-03 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US11793007B2 (en) 2019-11-05 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric conversion devices and sensors and electronic devices
CN114447006A (zh) * 2020-10-30 2022-05-06 三星电子株式会社 包括分色透镜阵列的图像传感器和包括图像传感器的电子设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031785A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp X−yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
JP2004273952A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd Ccd型カラー固体撮像装置
JP2004281773A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Fuji Film Microdevices Co Ltd Mos型カラー固体撮像装置
JP2005303266A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像素子、その電場印加方法および印加した素子
JP2006073682A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP2007059515A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
JP2007059755A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2007311550A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Fujifilm Corp 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690422B1 (en) * 1999-11-03 2004-02-10 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method and system for field sequential color image capture using color filter array
US7196829B2 (en) * 2002-01-10 2007-03-27 Micron Technology Inc. Digital image system and method for combining sensing and image processing on sensor with two-color photo-detector
JP2003234460A (ja) 2002-02-12 2003-08-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 積層型光導電膜および固体撮像装置
JP4817584B2 (ja) 2002-05-08 2011-11-16 キヤノン株式会社 カラー撮像素子
JP4911445B2 (ja) * 2005-06-29 2012-04-04 富士フイルム株式会社 有機と無機のハイブリッド光電変換素子

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031785A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp X−yアドレス型固体撮像素子およびその製造方法
JP2004273952A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd Ccd型カラー固体撮像装置
JP2004281773A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Fuji Film Microdevices Co Ltd Mos型カラー固体撮像装置
JP2005303266A (ja) * 2004-03-19 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像素子、その電場印加方法および印加した素子
JP2006073682A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール
JP2007059515A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法
JP2007059755A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2007311550A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Fujifilm Corp 光電変換膜積層型カラー固体撮像装置

Cited By (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460849B (zh) * 2009-07-23 2014-11-11 Sony Corp 固態成像器件,及其製造方法,及電子裝置
JP2011040518A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Sony Corp 固体撮像装置とその製造方法および撮像装置
KR20110016393A (ko) * 2009-08-10 2011-02-17 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치
KR101711651B1 (ko) 2009-08-10 2017-03-02 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법 및 촬상 장치
US8670054B2 (en) 2009-08-10 2014-03-11 Sony Corporation Solid-state image pickup device with isolated organic photoelectric conversion film portions, method for manufacturing the same, and image pickup apparatus
EP2337075A2 (en) 2009-12-21 2011-06-22 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus, method of fabrication and driving method
US8704927B2 (en) 2009-12-21 2014-04-22 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus, driving method, and camera
US8350349B2 (en) 2010-02-02 2013-01-08 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing thereof, and electronic apparatus
JP2011238658A (ja) * 2010-05-06 2011-11-24 Toshiba Corp 固体撮像装置
US8872298B2 (en) 2010-07-01 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Unit pixel array of an image sensor
CN102401978A (zh) * 2010-09-07 2012-04-04 富士胶片株式会社 摄像装置和移动信息终端
CN102401978B (zh) * 2010-09-07 2015-10-21 富士胶片株式会社 摄像装置和移动信息终端
US10674102B2 (en) 2012-01-13 2020-06-02 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
US11588991B2 (en) 2012-01-13 2023-02-21 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
US9654709B2 (en) 2012-01-13 2017-05-16 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
US9385148B2 (en) 2012-01-13 2016-07-05 Nikon Corporation Solid-state imaging device and electronic camera
US9276043B2 (en) 2012-01-25 2016-03-01 Sony Corporation Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, solid-state imaging unit, and electronic apparatus
KR20140127210A (ko) 2012-01-25 2014-11-03 소니 주식회사 광전 변환 소자, 광전 변환 소자의 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 전자 기기
US9826183B2 (en) 2012-03-30 2017-11-21 Nikon Corporation Image-capturing device and image sensor
US10389959B2 (en) 2012-03-30 2019-08-20 Nikon Corporation Image-capturing device and image sensor
JP2014023118A (ja) * 2012-07-23 2014-02-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
US10020347B2 (en) 2012-12-07 2018-07-10 Sony Corporation Solid-state image pickup device and electronic apparatus
JP2014215526A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 株式会社ニコン 撮像素子およびカメラ
US10136108B2 (en) 2013-07-08 2018-11-20 Nikon Corporation Imaging device
JP2015015684A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 株式会社ニコン 撮像装置
WO2015005234A1 (ja) * 2013-07-08 2015-01-15 株式会社ニコン 撮像装置
KR20150091889A (ko) * 2014-02-04 2015-08-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이미지 처리 장치
KR102197069B1 (ko) * 2014-02-04 2020-12-30 삼성전자 주식회사 이미지 센서 및 이미지 처리 장치
US9331125B2 (en) 2014-03-19 2016-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device using plasmon resonator filter
JP2014222880A (ja) * 2014-06-06 2014-11-27 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
JP2016040823A (ja) * 2014-08-12 2016-03-24 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサー及びこれを含む電子装置
CN105810697A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 格科微电子(上海)有限公司 图像传感器及其色彩识别方法
US10115752B2 (en) 2015-01-22 2018-10-30 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
WO2016117381A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び、電子機器
US10535687B2 (en) 2015-01-22 2020-01-14 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus
JP2016152417A (ja) * 2015-02-16 2016-08-22 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ、及びイメージセンサを含む撮像装置
WO2016181602A1 (en) 2015-05-12 2016-11-17 Sony Corporation Medical imaging apparatus, imaging method, and imaging apparatus
US10998355B2 (en) 2015-05-27 2021-05-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Semiconductor device and electronic apparatus
US10388701B2 (en) 2015-08-19 2019-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Stacked image sensor and method of manufacturing the same
JP2017063198A (ja) * 2015-09-25 2017-03-30 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 色分離素子を含むイメージセンサ、およびイメージセンサを含む撮像装置
US10770659B2 (en) 2015-11-06 2020-09-08 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for hole trapping layer of organic photoelectric conversion element
JP2017098533A (ja) * 2015-11-18 2017-06-01 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. イメージセンサ及びこれを含む電子装置
JP7125832B2 (ja) 2015-11-18 2022-08-25 三星電子株式会社 イメージセンサ及びこれを含む電子装置
US11563176B2 (en) 2016-12-16 2023-01-24 Nissan Chemical Corporation Composition for hole collecting layer of organic photoelectric conversion element
KR20190092502A (ko) 2016-12-16 2019-08-07 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기광전변환소자의 정공포집층용 조성물
WO2018110317A1 (ja) 2016-12-16 2018-06-21 日産化学工業株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US10566358B2 (en) 2017-02-24 2020-02-18 Canon Kabushiki Kaisha Image sensor and image capturing apparatus
JP2017135753A (ja) * 2017-04-27 2017-08-03 株式会社ニコン 撮像装置
JP2018033146A (ja) * 2017-09-27 2018-03-01 株式会社ニコン 固体撮像装置および電子カメラ
KR20200100110A (ko) 2017-12-15 2020-08-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기 광전 변환 소자의 정공 포집층용 조성물
WO2019116977A1 (ja) 2017-12-15 2019-06-20 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
US11527719B2 (en) 2017-12-15 2022-12-13 Nissan Chemical Corporation Hole collection layer composition for organic photoelectric conversion element
KR20200132914A (ko) 2018-03-15 2020-11-25 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 전하수송성 조성물
WO2019176662A1 (ja) 2018-03-15 2019-09-19 日産化学株式会社 電荷輸送性組成物
JP2020005001A (ja) * 2019-10-01 2020-01-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および撮像装置
WO2021246351A1 (ja) 2020-06-02 2021-12-09 日産化学株式会社 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物
KR20230017812A (ko) 2020-06-02 2023-02-06 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 유기 광전 변환 소자의 정공포집층용 조성물

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