JP2007059755A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハから個別の撮像素子サイズに加工された半導体チップ13を形成し、この半導体チップ13の光電変換素子15への光入射側である他方の面131bを除いたデバイス形成側の一方の面131aと半導体チップ13の周囲側面に相当するシリコン層131の周囲側面131c及び配線層132の周囲側面132cを半導体チップ13ごとに機械的強度維持用の支持層19で覆う構造にした。
【選択図】 図1
Description
従来の固体撮像装置に使用されるSOI構造の半導体基板1は、図10に示すように、ベース用シリコン基板2と、このベース用シリコン基板2上に酸化膜(SiO2)3を介して積層されたシリコン層4とから構成される。
このような半導体基板1のシリコン層4には、その表面側に信号電荷を電気信号に変換して出力するMOSトランジスタなどのデバイス5が形成されるとともに、その表面と反対の他方の面(酸化膜3側)から表面に達するようにフォトダイオード6が形成されている。また、シリコン層4の表面にはデバイス5に対して配線を行う配線層7が形成されている。
しかる後、可視光の入射側であるシリコン層4の表面には、フォトダイオード6と正対する部位を除いた領域に形成した反射防止膜9Aと、フォトダイオード6と対向する反射防止膜9Aの表面上にカラーフィルタ9Bを介して積層したマイクロレンズ9Cがそれぞれ設けられる。そして、支持用半導体基板8を含むシリコン層4を図11(B)に示す破線の位置でダイシングすることにより、図12に示すような裏面照射型の固体撮像装置9を構成する。
また、SOI構造の半導体基板のように半導体基板1と支持用半導体基板8を貼り合わせる接着層には半導体基板との熱膨張係数差による半導体基板の歪みの抑制や強い密着性及び耐熱性や耐薬品性を同時に満たす材料がない。このため、薄膜化した半導体基板の表面に精度良くパターニングを形成することや半導体基板の表面側に膜質のよい絶縁膜などを形成することが困難であった。しかも、半導体基板が2枚必要であることからコスト高にもなっていた。
以下、本発明にかかる固体撮像装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。
図1は本発明の実施の形態1における固体撮像装置の断面図、図2は本発明の実施の形態1における固体撮像装置の製造過程を示す断面図、図3は本発明の実施の形態1における固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
前記半導体チップ13は、光電変換素子及び能動素子(デバイス)が形成されるシリコン層131と、このシリコン層131の一方の面131aに形成され前記能動素子(デバイス)の配線を行う配線層132とを有している。そして、図示省略の前記能動素子(デバイス)はシリコン層131の一方の面131a側に形成され、さらに、前記光電変換素子15はシリコン層131の一方の面131aから該一方の面131aと反対の他方の面131bに向けて延在するように形成されている。また、シリコン層131には、その一方の面131aに形成された能動素子(デバイス)を含む回路パターンとの位置合せを行うためのアライメントマーク17が形成されている。
まず、単位画素が行列状に配列されてなる撮像素子をマトリクス状に形成した半導体基板(シリコンウエハ)を撮像素子ごとにダイシングして分割し、個別の半導体チップ13を用意しておく。
次に、所望の表面積を有する樹脂系材料からなる平板状の台座27を図示省略の製造装置にセットし、しかる後、図2(A)に示すように、台座27上に半導体チップ13をそのシリコン層131の他方の面131bが台座27の上面と対向されるようにして台座27上に所望間隔離して複数個マトリクス状に配列し、かつ接着層29により台座27上に接着する(工程11)。
次に、図2(C)に示すように、台座27を研削などにより除去した後、半導体チップ13の光入射側であるシリコン層131の他方の面131b側を支持層形成用材料191,192ごと光電変換素子15が前記他方の面131bに露出されるレベルである破線に示す位置までウェットエッチングなどの手段により研削して、半導体チップ13のシリコン層131を薄膜化する(工程13)。さらに、そのエッチング表面はCMP(化学機械研磨)により平坦化される。この時の光電変換素子15の厚さ、すなわちシリコン層131の厚さは10μm以下であり、これは可視光を電気信号に変換する時にカラーの分光バランスを最適にするためである。
次に、本発明の実施の形態2における固体撮像装置及びその製造方法について図4〜図6を参照して説明する。
図4は本発明の実施の形態2における固体撮像装置の断面図、図5は本発明の実施の形態2における固体撮像装置の製造過程を示す断面図、図6は本発明の実施の形態2における固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
前記半導体チップ43は、光電変換素子及び能動素子(デバイス)が形成されるシリコン層431と、このシリコン層431の一方の面431aに形成され前記能動素子(デバイス)の配線を行う配線層432とを有している。そして、図示省略の前記能動素子(デバイス)はシリコン層431の一方の面431a側に形成され、さらに、前記光電変換素子45はシリコン層431の一方の面431aから該一方の面431aと反対の他方の面431bに向けて延在するように形成されている。また、シリコン層431には、その一方の面431aに形成された能動素子(デバイス)を含む回路パターンとの位置合せを行うためのアライメントマーク47が形成されている。
まず、単位画素が行列状に配列されてなる撮像素子をマトリクス状に形成した半導体基板(シリコンウエハ)を撮像素子ごとにダイシングして分割された半導体チップ43を用意しておく。
前記半導体チップ43の支持層41は、半導体チップ43の体積より大きく、かつ半導体チップ43を埋没状態に収容する収容部411を所望間隔離して複数個マトリクス状に形成してなる支持部材412を含んで構成される。この支持部材412を予め用意しておく。
次に、前記支持部材412を図示省略の製造装置にセットし、しかる後、図5(A)に示すように、支持部材412の収容部411内に半導体チップ43を、その配線層432の下面432aが収容部411の底面と対向されるように挿入し、かつ接着層59により収容部411の底面に接着する(工程21)。
次に、図5(C)に示すように、半導体チップ43の光入射側であるシリコン層431の他方の面431b側を充填材57および支持部材412ごと光電変換素子45が前記他方の面431bに露出されるレベルである破線に示す位置まで研削して、半導体チップ43のシリコン層431を薄膜化する(工程23)。さらに、そのエッチング表面はCMP(化学機械研磨)により平坦化される。この時の光電変換素子45の厚さ、すなわちシリコン層431の厚さは10μm以下であり、これは可視光を電気信号に変換する時にカラーの分光バランスを最適にするためである。
次に、本発明の実施の形態3における固体撮像装置及びその製造方法について図7〜図9を参照して説明する。
図7は本発明の実施の形態3における固体撮像装置の断面図、図8は本発明の実施の形態3における固体撮像装置の製造過程を示す断面図、図9は本発明の実施の形態3における固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
また、半導体基板601の他方の面601bには反射防止膜63が形成され、さらに、この反射防止膜63上には光電変換素子61に対応して色フィルタ65及びマイクロレンズ67が設けられている。
まず、図8(A)に示すように、ウエハレベルのn型シリコンからなる半導体基板601の一方の面601aに素子分離やゲート電極を形成するとともに、イオン打ち込みにより論理素子や能動素子等のデバイス及びに光電変換素子(フォトダイオード)61を通常のイメージセンサと同一の工程で形成する。さらに、半導体基板601の一方の面601aには、層間膜を介して金属配線を多層にした配線層603を形成し、この配線層603の上面にSiO2からなる絶縁膜69を形成する。また、半導体基板601の他方の面601bにSiO2からなるエッチングストップ層71を介してシリコン、有機膜などからなる基板支持材73を数百μmの厚さに形成する(工程31)。
次いで、図8(C)に示すように、支持層605の表面に耐ウェットエッチング(例えば、フッ硝酸)の特性を持つ保護膜(例えば、パッシベーション膜:P−SiN)75を形成する(工程33)。
また、従来のようにデバイス及び光電変換素子が形成される半導体基板の他に支持用の半導体基板が不要になるため、低コスト化できる効果がある。
また、半導体基板にSOI基板を用いた場合、薄膜化のためBOX層(SiO2)を除去する工程が必要であるため、耐フッ酸性を持つ保護膜を有する構造を持つことが望ましい。
Claims (18)
- 一方の面にデバイスが形成され、前記一方の面から該一方の面と反対の他方の面に向けて延在するように光電変換素子が形成されている半導体基板を個別の撮像素子サイズに加工してなる半導体チップを有し、
前記一方の面及び前記他方の面を除いた前記半導体チップの周囲側面と前記一方の面が前記半導体チップの機械的強度を維持できる厚さの支持層で覆われている、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記他方の面を研削して前記半導体チップを薄膜化したことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記他方の面を研削して前記半導体チップを薄膜化し、前記研削された他方の面に前記光電変換素子に対応して色フィルタ及びマイクロレンズが設けられていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記半導体チップの前記一方の面に前記デバイスの配線を行う配線層が設けられていることを特徴とする請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記半導体チップの前記他方の面から前記一方の面に向けて延在するアライメントマークが形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 一方の面にデバイスが形成され、前記一方の面から該一方の面と反対の他方の面に向けて延在するように光電変換素子が形成されている半導体基板を有し、
前記半導体基板の一方の面に前記デバイスの配線を行う配線層が設けられ、
前記配線層の表面に前記半導体基板の機械的強度を維持する支持層が設けられている、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体チップの前記他方の面を研削して前記半導体チップを薄膜化し、前記研削された他方の面に前記光電変換素子に対応して色フィルタ及びマイクロレンズが設けられていることを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
- 前記支持層は、アモルファスシリコン、多結晶シリコンその他の低温成膜層もしくは樹脂材料の塗布層であることを特徴とする請求項1または6記載の固体撮像装置。
- 一方の面にデバイスが形成され、前記一方の面から該一方の面と反対の他方の面に向けて延在するように光電変換素子が形成されている半導体基板を個別の撮像素子サイズに加工してなる半導体チップと、前記半導体チップの前記一方の面に設けられ前記デバイスの配線を行う配線層とを有する固体撮像装置の製造方法であって、
平坦な上面を有する台座を有し、
前記半導体チップを該半導体チップの他方の面が前記台座の上面と対向されるようにして前記台座上に所望間隔離して複数個マトリクス状に配列し接着する工程と、
前記各半導体チップ間に形成される隙間を支持層形成用材料で埋め込むとともに前記半導体チップの一方の面及び前記台座の上面上に臨む前記半導体チップの周囲側面を支持層形成用材料で所望の厚さに覆って一体化する工程と、
前記台座を研削して取り除いた後に前記半導体チップの他方の面側を前記支持層形成用材料ごと前記光電変換素子が前記他方の面に露出する位置まで研削して前記半導体チップを薄膜化する工程と、
前記研削された他方の面に前記光電変換素子に対応して色フィルタ及びマイクロレンズを形成する工程と、
前記一体化された半導体チップを1チップごとにダイシングして分離する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記支持層形成用材料が樹脂材であることを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記台座上に配列された半導体チップは接着層を介して前記台座上に固着されることを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。
- 一方の面にデバイスが形成され、前記一方の面から該一方の面と反対の他方の面に向けて延在するように光電変換素子が形成されている半導体基板を個別の撮像素子サイズに加工してなる半導体チップと、前記半導体チップの前記一方の面に設けられ前記デバイスの配線を行う配線層とを有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体チップを埋没状態に収容する収容部を所望間隔離して複数個マトリクス状に形成してなる支持部材を有し、
前記半導体チップを該半導体チップの一方の面が前記収容部の底面と対向されるようにして前記支持部材の各収容部内に挿着する工程と、
前記各収容部内に挿着された半導体チップの周囲側面と該周囲側面と対向する前記収容部の内周面との間に形成される空間を充填材で埋め込むとともに前記収容部の開口に臨む前記半導体チップの他方の面を充填材で覆って前記支持部材と一体化する工程と、
前記半導体チップの他方の面側を前記支持部材および前記充填材ごと前記光電変換素子が前記他方の面に露出する位置まで研削して前記半導体チップを薄膜化する工程と、
前記研削された他方の面に前記光電変換素子に対応して色フィルタ及びマイクロレンズを形成する工程と、
前記一体化された半導体チップを1チップごとにダイシングして分離する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記収容部内に挿着される半導体チップは接着層を介して前記収容部の底面に固着されることを特徴とする請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記充填材は樹脂系材料であることを特徴とする請求項12記載の固体撮像装置の製造方法。
- 一方の面にデバイスが形成され、前記一方の面から該一方の面と反対の他方の面に向けて延在するように光電変換素子が形成されている半導体基板を用いた固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の一方の面に前記デバイスの配線を行う配線層を形成する工程と、
前記配線層の表面に前記半導体基板の機械的強度を維持する支持層を形成する工程と、
前記他方の面側を前記光電変換素子が前記他方の面に露出する位置まで研削して前記半導体基板を薄膜化する工程と、
前記研削された他方の面に前記光電変換素子に対応して色フィルタ及びマイクロレンズを形成する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記半導体基板を薄膜化する工程がウェットエッチングである場合、前記支持層の表面が保護膜で覆われていることを特徴とする請求項15記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記半導体基板がシリコン基板またはSOI基板であることを特徴とする請求項15記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記支持層は、アモルファスシリコン、多結晶シリコンその他の低温成膜層もしくは樹脂材料の塗布層であることを特徴とする請求項15記載の固体撮像装置の製造方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258474A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sony Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2009168742A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sony Corp | 分光センサ、固体撮像素子及び撮像装置 |
EP2105954A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-09-30 | Sumco Corporation | Wafer for backside illumination type solid imaging device, production method thereof and backside illumination solid imaging device |
EP2124251A1 (en) | 2008-05-20 | 2009-11-25 | SUMCO Corporation | Wafer for backside illumination type solid imaging device, production method thereof and backside illumination solid imaging device |
US7960249B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-06-14 | Sumco Corporation | Method for producing wafer for backside illumination type solid imaging device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5566471U (ja) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | ||
JP2001118967A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子のパッケージ構造 |
JP2004022928A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2005501422A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-13 | アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム | 薄化前に接触孔が開けられるカラー画像センサの製造方法 |
JP2005051080A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型光検出素子及びその製造方法 |
JP2005191492A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5566471U (ja) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | ||
JP2001118967A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子のパッケージ構造 |
JP2005501422A (ja) * | 2001-08-31 | 2005-01-13 | アトメル グルノーブル ソシエテ アノニム | 薄化前に接触孔が開けられるカラー画像センサの製造方法 |
JP2004022928A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP2005051080A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-02-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 裏面入射型光検出素子及びその製造方法 |
JP2005191492A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008258474A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Sony Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2009168742A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sony Corp | 分光センサ、固体撮像素子及び撮像装置 |
EP2105954A1 (en) | 2008-03-25 | 2009-09-30 | Sumco Corporation | Wafer for backside illumination type solid imaging device, production method thereof and backside illumination solid imaging device |
EP2124251A1 (en) | 2008-05-20 | 2009-11-25 | SUMCO Corporation | Wafer for backside illumination type solid imaging device, production method thereof and backside illumination solid imaging device |
US7960249B2 (en) | 2008-09-05 | 2011-06-14 | Sumco Corporation | Method for producing wafer for backside illumination type solid imaging device |
TWI387102B (zh) * | 2008-09-05 | 2013-02-21 | Sumco Corp | 背側照明式固態成像裝置用之晶圓的製造方法 |
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