JP2007234725A - 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子20が形成された第1半導体層11と、前記固体撮像素子を制御するロジック回路40が形成されたもので前記第1半導体層11と異なる結晶方位を有する第2半導体層31とを備え、前記第1半導体層11と前記第2半導体層31とが前記第1半導体層11と前記第2半導体層31との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている。
【選択図】図1
Description
Claims (10)
- 固体撮像素子が形成された第1半導体層と、
前記固体撮像素子を制御するロジック回路が形成されたもので前記第1半導体層と異なる結晶方位を有する第2半導体層とを備え、
前記第1半導体層と前記第2半導体層とが前記第1半導体層と前記第2半導体層との双方の内部応力を打ち消すように張り合わされている
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1半導体層は前記固体撮像素子が形成されている側とは反対側が除去加工されて薄膜化されている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1半導体層は前記固体撮像素子が形成される面の結晶方位が(100)のシリコン層からなり、
前記第2半導体層は前記ロジック回路が形成される面の結晶方位が(110)のシリコン層からなる
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とは、
前記第1半導体層に形成された前記固体撮像素子を被覆する第1層間絶縁膜に形成された第1電極と、
前記第2半導体層に形成された前記ロジック回路を被覆する第2層間絶縁膜に形成された第2電極との接合によって張り合わされている
ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記第1電極および前記第2電極は銅からなる
ことを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置。 - 第1半導体層に固体撮像素子を形成する工程と、
前記第1半導体層と異なる結晶方位を有する第2半導体層に前記固体撮像素子を制御するロジック回路を形成する工程と、
前記第1半導体層と前記第2半導体層の双方の内部応力を打ち消すように前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせる工程と
を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせた後、前記第1半導体層の前記固体撮像素子が形成されている側とは反対側を除去加工して薄膜化する工程
を備えたことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1半導体層は前記固体撮像素子が形成される面の結晶方位が(100)のシリコン層からなり、
前記第2半導体層は前記ロジック回路が形成される面の結晶方位が(110)のシリコン層からなる
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記固体撮像素子を形成する際に前記固体撮像素子を被覆する第1層間絶縁膜を形成するとともに該第1層間絶縁膜に第1電極を形成し、
前記ロジック回路を形成する際に前記ロジック回路を被覆する第2層間絶縁膜を形成するとともに該第2層間絶縁膜に第2電極を形成し、
前記第1電極と前記第2電極とを接合させることによって前記第1層間絶縁膜および前記第2層間絶縁膜を介して前記第1半導体層と前記第2半導体層とを張り合わせる
ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1電極および前記第2電極を銅で形成する
ことを特徴とする請求項9記載の固体撮像装置の製造方法。
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---|---|
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225778A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 撮像装置 |
JP2011049241A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
EP2302905A1 (en) | 2009-08-28 | 2011-03-30 | Sony Corporation | Imaging device and camera system |
JP2011524633A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-09-01 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 背面照射型イメージセンサ及びその製造方法 |
JP2012019148A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法 |
CN102623465A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 索尼公司 | 固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子装置 |
JP2012204501A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置、電子デバイス、及び、半導体装置の製造方法 |
WO2013108657A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015146434A (ja) * | 2015-03-05 | 2015-08-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US9397131B2 (en) | 2010-06-30 | 2016-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus having electrical connection portions with lengths extending in first direction longer than in second direction |
JP2017005262A (ja) * | 2016-08-24 | 2017-01-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US10388632B2 (en) | 2017-06-14 | 2019-08-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US20210091133A1 (en) | 2009-03-19 | 2021-03-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2021051320A (ja) * | 2016-08-29 | 2021-04-01 | 株式会社ニコン | 積層装置、薄化装置、露光装置、制御装置、プログラム、積層体の製造方法、及び装置 |
JP2021103792A (ja) * | 2009-03-19 | 2021-07-15 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267804A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Ube Ind Ltd | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 |
JPH1197320A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Nec Corp | Soi基板の製造方法 |
WO2003041174A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Mitsumasa Koyanagi | Capteur d'images a semi-conducteur et procede de fabrication associe |
WO2004019411A1 (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | フォトダイオードアレイ、その製造方法、及び放射線検出器 |
JP2004356536A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006041429A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーユニットおよびその製造方法 |
-
2006
- 2006-02-28 JP JP2006051894A patent/JP4915107B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06267804A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Ube Ind Ltd | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 |
JPH1197320A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Nec Corp | Soi基板の製造方法 |
WO2003041174A1 (fr) * | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Mitsumasa Koyanagi | Capteur d'images a semi-conducteur et procede de fabrication associe |
WO2004019411A1 (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | フォトダイオードアレイ、その製造方法、及び放射線検出器 |
JP2004356536A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006041429A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Dainippon Printing Co Ltd | センサーユニットおよびその製造方法 |
Cited By (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8969194B2 (en) | 2008-06-11 | 2015-03-03 | Intellectual Ventures Ii Llc | Backside illuminated image sensor and manufacturing method thereof |
JP2014116615A (ja) * | 2008-06-11 | 2014-06-26 | Intellectual Venturesii Llc | 背面照射型イメージセンサ及びその製造方法 |
US8564135B2 (en) | 2008-06-11 | 2013-10-22 | Intellectual Ventures Ii Llc | Backside illuminated sensor and manufacturing method thereof |
JP2011524633A (ja) * | 2008-06-11 | 2011-09-01 | クロステック・キャピタル,リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 背面照射型イメージセンサ及びその製造方法 |
US11764243B2 (en) | 2009-03-19 | 2023-09-19 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
US20210091133A1 (en) | 2009-03-19 | 2021-03-25 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
JP2021103792A (ja) * | 2009-03-19 | 2021-07-15 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP2022036098A (ja) * | 2009-03-19 | 2022-03-04 | ソニーグループ株式会社 | 半導体装置、及び、電子機器 |
JP2010225778A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toshiba Corp | 撮像装置 |
CN101997017A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-03-30 | 株式会社东芝 | 固体摄像装置及其制造方法 |
US8435823B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-05-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
US9276024B2 (en) | 2009-08-25 | 2016-03-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
US9876041B2 (en) | 2009-08-25 | 2018-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
JP2011049241A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US9055247B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-06-09 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US9794501B2 (en) | 2009-08-28 | 2017-10-17 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US8842206B2 (en) | 2009-08-28 | 2014-09-23 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US10506185B2 (en) | 2009-08-28 | 2019-12-10 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US10841518B2 (en) | 2009-08-28 | 2020-11-17 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US8488034B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-07-16 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US10341589B2 (en) | 2009-08-28 | 2019-07-02 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
US10075660B2 (en) | 2009-08-28 | 2018-09-11 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
EP2302905A1 (en) | 2009-08-28 | 2011-03-30 | Sony Corporation | Imaging device and camera system |
US9374541B2 (en) | 2009-08-28 | 2016-06-21 | Sony Corporation | Imaging device and camera system including sense circuits to make binary decision |
CN102006427A (zh) * | 2009-08-28 | 2011-04-06 | 索尼公司 | 成像器件和相机系统 |
US9397131B2 (en) | 2010-06-30 | 2016-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus having electrical connection portions with lengths extending in first direction longer than in second direction |
US10497734B2 (en) | 2010-06-30 | 2019-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging apparatus |
JP2012019148A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Canon Inc | 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法 |
US11545519B2 (en) | 2010-07-09 | 2023-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Member for solid-state image pickup device and method for manufacturing solid-state image pickup device |
US8766389B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-07-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic device |
US9911870B2 (en) | 2011-01-25 | 2018-03-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic device |
CN102623465A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-08-01 | 索尼公司 | 固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子装置 |
US10847661B2 (en) | 2011-01-25 | 2020-11-24 | Sony Corproation | Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic device |
US10411143B2 (en) | 2011-01-25 | 2019-09-10 | Sony Corporation | Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic device |
US9379006B2 (en) | 2011-03-24 | 2016-06-28 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus |
JP2012204501A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Sony Corp | 半導体装置、電子デバイス、及び、半導体装置の製造方法 |
US8664763B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, electronic device, and method of manufacturing semiconductor apparatus |
WO2013108657A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2013-07-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9941326B2 (en) | 2012-01-17 | 2018-04-10 | Sony Corporation | Method of manufacturing an image sensor by joining a pixel circuit substrate and a logic circuit substrate and thereafter thinning the pixel circuit substrate |
US9263496B2 (en) | 2012-01-17 | 2016-02-16 | Sony Corporation | Method of manufacturing an image sensor by joining a pixel circuit substrate and a logic circuit substrate and thereafter thinning the pixel circuit substrate |
JPWO2013108657A1 (ja) * | 2012-01-17 | 2015-12-10 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015146434A (ja) * | 2015-03-05 | 2015-08-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2017005262A (ja) * | 2016-08-24 | 2017-01-05 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2021051320A (ja) * | 2016-08-29 | 2021-04-01 | 株式会社ニコン | 積層装置、薄化装置、露光装置、制御装置、プログラム、積層体の製造方法、及び装置 |
US10388632B2 (en) | 2017-06-14 | 2019-08-20 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4915107B2 (ja) | 2012-04-11 |
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