JPH1197320A - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
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- JPH1197320A JPH1197320A JP25223197A JP25223197A JPH1197320A JP H1197320 A JPH1197320 A JP H1197320A JP 25223197 A JP25223197 A JP 25223197A JP 25223197 A JP25223197 A JP 25223197A JP H1197320 A JPH1197320 A JP H1197320A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＯＩ基板の反りを低減するとともに、デバイ
ス形成プロセスを通して反りが増大するのを防止する。 【解決手段】ＳＯＩ基板の製造工程において、基板の反
りを矯正するため、裏面に埋め込み酸化膜７と同等厚さ
の酸化膜８を形成する。さらに裏面に形成した酸化膜８
がエッチング工程で除去されるのを防ぐため、保護膜９
を形成し、その後表面の研削・研磨を行いＳＯＩ基板を
完成させる。
ス形成プロセスを通して反りが増大するのを防止する。 【解決手段】ＳＯＩ基板の製造工程において、基板の反
りを矯正するため、裏面に埋め込み酸化膜７と同等厚さ
の酸化膜８を形成する。さらに裏面に形成した酸化膜８
がエッチング工程で除去されるのを防ぐため、保護膜９
を形成し、その後表面の研削・研磨を行いＳＯＩ基板を
完成させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＯＩ基板の製造方
法に関し、特にＳＯＩ基板の反り防止に有効な製造方法
に関する。
法に関し、特にＳＯＩ基板の反り防止に有効な製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウェーハ貼り合わせ技術を用いて作製さ
れるＳｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯ
Ｉ）基板は、埋込絶縁膜（通常は酸化膜）の厚さを、形
成プロセスが許す範囲内で任意に決定することができ、
高耐圧デバイス用には一般に１〜３μｍといった厚さの
埋込酸化膜を有するＳＯＩ基板が使用される。また、例
えば６インチ径のＳＯＩ基板では全体の厚さは６００〜
７００μｍであるが、それに対してＳＯＩ層は厚くても
１０〜２０μｍ程度で全体の厚さと比較して非常に薄
い。このような構造のＳＯＩ基板では、酸化膜とシリコ
ンの熱膨張率の違いから、基板表面と裏面とでの応力の
差が大きくなり、反りが生じてしまう。この反りは、デ
バイスの製造歩留まりを悪くする、あるいは製造装置の
許容量を越えるような場合工程を進められない、といっ
た弊害を引き起こすことになるため、通常は基板裏面
に、ある厚さの酸化膜を形成し反りを緩和している。そ
のような反りを低減する製造方法は、特公平７−９５５
０５号公報（第１の公報）、特開平６−１３５９３号公
報（第２の公報）等に示されている。
れるＳｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯ
Ｉ）基板は、埋込絶縁膜（通常は酸化膜）の厚さを、形
成プロセスが許す範囲内で任意に決定することができ、
高耐圧デバイス用には一般に１〜３μｍといった厚さの
埋込酸化膜を有するＳＯＩ基板が使用される。また、例
えば６インチ径のＳＯＩ基板では全体の厚さは６００〜
７００μｍであるが、それに対してＳＯＩ層は厚くても
１０〜２０μｍ程度で全体の厚さと比較して非常に薄
い。このような構造のＳＯＩ基板では、酸化膜とシリコ
ンの熱膨張率の違いから、基板表面と裏面とでの応力の
差が大きくなり、反りが生じてしまう。この反りは、デ
バイスの製造歩留まりを悪くする、あるいは製造装置の
許容量を越えるような場合工程を進められない、といっ
た弊害を引き起こすことになるため、通常は基板裏面
に、ある厚さの酸化膜を形成し反りを緩和している。そ
のような反りを低減する製造方法は、特公平７−９５５
０５号公報（第１の公報）、特開平６−１３５９３号公
報（第２の公報）等に示されている。
【０００３】図４は第１の従来例として、第１の公報に
より示されたＳＯＩ基板の製造方法の工程順断面図を示
す。まず、図４（ａ）に示すように、単結晶シリコン基
板１を酸化処理して、その片側鏡面に厚さ５００μｍの
酸化膜２を形成する。、次に図４（ｂ）に示すように、
単結晶シリコン基板１に単結晶シリコン基板３を貼り合
わせ、一体化された１枚の基板とする。次に図４（ｃ）
に示すように、一体化された単結晶シリコン基板を酸化
性雰囲気中で約１１００℃の温度で約１２０分間、熱酸
化処理することによって、一体化された単結晶シリコン
基板を強固に接合するとともに、全表面に厚さ約５００
ｎｍの酸化膜４を形成する。次に図４（ｄ）に示すよう
に、単結晶シリコン基板１の表面を研磨し所望の厚さま
で薄膜化し、ＳＯＩ層５を形成する。この時、単結晶シ
リコン基板３の上下面は熱膨張率が等しい同一厚さの酸
化膜によって覆われるため、一体化された単結晶シリコ
ン基板の反りは軽減される。
より示されたＳＯＩ基板の製造方法の工程順断面図を示
す。まず、図４（ａ）に示すように、単結晶シリコン基
板１を酸化処理して、その片側鏡面に厚さ５００μｍの
酸化膜２を形成する。、次に図４（ｂ）に示すように、
単結晶シリコン基板１に単結晶シリコン基板３を貼り合
わせ、一体化された１枚の基板とする。次に図４（ｃ）
に示すように、一体化された単結晶シリコン基板を酸化
性雰囲気中で約１１００℃の温度で約１２０分間、熱酸
化処理することによって、一体化された単結晶シリコン
基板を強固に接合するとともに、全表面に厚さ約５００
ｎｍの酸化膜４を形成する。次に図４（ｄ）に示すよう
に、単結晶シリコン基板１の表面を研磨し所望の厚さま
で薄膜化し、ＳＯＩ層５を形成する。この時、単結晶シ
リコン基板３の上下面は熱膨張率が等しい同一厚さの酸
化膜によって覆われるため、一体化された単結晶シリコ
ン基板の反りは軽減される。
【０００４】次に、図５は第２の従来例として、第２の
公報により示されたＳＯＩ基板の製造方法の工程順断面
図を示す。まず図５（ａ）に示すように、単結晶シリコ
ン基板１に酸化膜２を形成し、続いて図５（ｂ）に示す
ように、ＣＶＤ法により窒化膜６を堆積させる。次に図
５（ｃ）に示すように、単結晶シリコン基板３を貼り合
わせ、１１００℃程度の熱処理を行う。この後、図５
（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板１を研磨して
いき所望の厚さのＳＯＩ層５を残して完成する。このＳ
ＯＩ基板の埋込絶縁膜層における窒化膜６には引っ張り
応力が働き、それは酸化膜２の圧縮応力をうち消す方向
に働くので、ＳＯＩ基板が凸型にそるもを防止する効果
がある。
公報により示されたＳＯＩ基板の製造方法の工程順断面
図を示す。まず図５（ａ）に示すように、単結晶シリコ
ン基板１に酸化膜２を形成し、続いて図５（ｂ）に示す
ように、ＣＶＤ法により窒化膜６を堆積させる。次に図
５（ｃ）に示すように、単結晶シリコン基板３を貼り合
わせ、１１００℃程度の熱処理を行う。この後、図５
（ｄ）に示すように、単結晶シリコン基板１を研磨して
いき所望の厚さのＳＯＩ層５を残して完成する。このＳ
ＯＩ基板の埋込絶縁膜層における窒化膜６には引っ張り
応力が働き、それは酸化膜２の圧縮応力をうち消す方向
に働くので、ＳＯＩ基板が凸型にそるもを防止する効果
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した第１の従来例
では、ＳＯＩ基板裏面の酸化膜４が反りの抑制を果たし
ているが、デバイス形成プロセスにおいて酸化膜エッチ
ングの工程が必ずあるため、この酸化膜４が除去されて
しまい反りが増大する、あるいは、裏面酸化膜が除去さ
れないようにその都度裏面を保護する工程が必要になる
といった問題点があった。
では、ＳＯＩ基板裏面の酸化膜４が反りの抑制を果たし
ているが、デバイス形成プロセスにおいて酸化膜エッチ
ングの工程が必ずあるため、この酸化膜４が除去されて
しまい反りが増大する、あるいは、裏面酸化膜が除去さ
れないようにその都度裏面を保護する工程が必要になる
といった問題点があった。
【０００６】また、第２の従来例では、貼り合わせ界面
が単結晶シリコン（３）と窒化膜６とになるので、一般
的な単結晶シリコンと酸化膜の界面に比べて、ボイドが
発生しやすく量産性に乏しいという問題点があった。
が単結晶シリコン（３）と窒化膜６とになるので、一般
的な単結晶シリコンと酸化膜の界面に比べて、ボイドが
発生しやすく量産性に乏しいという問題点があった。
【０００７】本発明の目的は、これらの問題点を解決
し、基板の反りを低減した埋込絶縁膜層（酸化膜）をも
つＳＯＩ基板の製造方法を提供することにある。
し、基板の反りを低減した埋込絶縁膜層（酸化膜）をも
つＳＯＩ基板の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＯＩ基板の製
造方法の構成は、第１の単結晶シリコン基板を酸化して
その表面に第１の酸化膜を形成する工程と、前記第１の
単結晶シリコン基板の一主面に前記第１の酸化膜を介し
て第２の単結晶シリコン基板の一主面を貼り合わせて１
枚の基板とする工程と、前記貼り合わせた基板の前記第
２の単結晶シリコン基板を他主面側に反り防止用の第２
の酸化膜を形成する工程と、前記第２の酸化膜を多結晶
シリコン膜で覆う工程と、前記貼り合わせた基板の前記
第１の単結晶シリコン基板の他主面側を研削・研磨し所
定の厚さのＳＯＩ層を形成する工程とを有することを特
徴とする。
造方法の構成は、第１の単結晶シリコン基板を酸化して
その表面に第１の酸化膜を形成する工程と、前記第１の
単結晶シリコン基板の一主面に前記第１の酸化膜を介し
て第２の単結晶シリコン基板の一主面を貼り合わせて１
枚の基板とする工程と、前記貼り合わせた基板の前記第
２の単結晶シリコン基板を他主面側に反り防止用の第２
の酸化膜を形成する工程と、前記第２の酸化膜を多結晶
シリコン膜で覆う工程と、前記貼り合わせた基板の前記
第１の単結晶シリコン基板の他主面側を研削・研磨し所
定の厚さのＳＯＩ層を形成する工程とを有することを特
徴とする。
【０００９】本発明において、多結晶シリコン膜の代わ
りに、窒化膜または窒化膜と多結晶シリコン膜を用いて
第２の酸化膜を覆うことができ、又第１の単結晶シリコ
ン基板に第２の単結晶シリコン基板の一主面を貼り合わ
せた後、熱処理をしてその接合強度を上げることができ
る。
りに、窒化膜または窒化膜と多結晶シリコン膜を用いて
第２の酸化膜を覆うことができ、又第１の単結晶シリコ
ン基板に第２の単結晶シリコン基板の一主面を貼り合わ
せた後、熱処理をしてその接合強度を上げることができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
を示す製造工程順断面図である。まず、図１（ａ）に示
すように、単結晶シリコン基板１を熱酸化し酸化膜７を
形成する。この時、酸化膜７は後に貼り合わせ面となる
側だけに形成しても良いが、全面に形成されても構わな
い。また、この酸化膜７の厚さはデバイスの耐圧が高く
なるほど厚くすることが望ましく、例えば２００Ｖ耐圧
のＭＯＳＦＥＴを作り込む場合、０．５μｍ〜１μｍに
する。
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
を示す製造工程順断面図である。まず、図１（ａ）に示
すように、単結晶シリコン基板１を熱酸化し酸化膜７を
形成する。この時、酸化膜７は後に貼り合わせ面となる
側だけに形成しても良いが、全面に形成されても構わな
い。また、この酸化膜７の厚さはデバイスの耐圧が高く
なるほど厚くすることが望ましく、例えば２００Ｖ耐圧
のＭＯＳＦＥＴを作り込む場合、０．５μｍ〜１μｍに
する。
【００１１】次に図１（ｂ）に示すように、単結晶シリ
コン基板１と単結晶シリコン基板３を洗浄後常温で貼り
合わせる。この状態では接合界面は水素結合あるいは、
ファン・デル・ワールス力による弱い結合が保たれてい
るだけであるので、次に図１（ｃ）に示すように熱処理
を行い接合を強固なものにする。この熱処理は、例えば
１１００℃で２時間、酸化性雰囲気中で行うことによ
り、単結晶シリコン基板３は酸化膜８で覆われ、酸化膜
７もいくらか厚みを増し、結局基板全体を酸化膜７，８
で覆うことになる。この熱処理を窒素雰囲気中で行った
場合、単結晶シリコン基板３には酸化膜が形成されない
ので、ＣＶＤ法により酸化膜を堆積させる方法もある。
裏面（単結晶シリコン基板３側の面）に形成された酸化
膜８は、ＳＯＩ層を形成する研磨工程やデバイス形成プ
ロセスにおいての基板の反りを抑える働きをし、その厚
さは単結晶シリコン基板１側に形成した酸化膜７と同等
の厚さであることが望ましい。
コン基板１と単結晶シリコン基板３を洗浄後常温で貼り
合わせる。この状態では接合界面は水素結合あるいは、
ファン・デル・ワールス力による弱い結合が保たれてい
るだけであるので、次に図１（ｃ）に示すように熱処理
を行い接合を強固なものにする。この熱処理は、例えば
１１００℃で２時間、酸化性雰囲気中で行うことによ
り、単結晶シリコン基板３は酸化膜８で覆われ、酸化膜
７もいくらか厚みを増し、結局基板全体を酸化膜７，８
で覆うことになる。この熱処理を窒素雰囲気中で行った
場合、単結晶シリコン基板３には酸化膜が形成されない
ので、ＣＶＤ法により酸化膜を堆積させる方法もある。
裏面（単結晶シリコン基板３側の面）に形成された酸化
膜８は、ＳＯＩ層を形成する研磨工程やデバイス形成プ
ロセスにおいての基板の反りを抑える働きをし、その厚
さは単結晶シリコン基板１側に形成した酸化膜７と同等
の厚さであることが望ましい。
【００１２】従って、次に図１（ｄ）に示すように、酸
化膜８の保護膜として多結晶シリコン膜９をＣＶＤ法な
どにより堆積させる。この多結晶シリコン膜９はデバイ
ス形成プロセスでの酸化膜エッチング工程で裏面の酸化
膜８が除去されるのを防ぐためのものであり、厚さは
０．１〜０．５μｍ程度でよい。次に図１（ｅ）に示す
ように、表面（単結晶シリコン基板１側の面）を研削・
研磨し、所望の厚さ、例えば５μｍ程度のＳＯＩ層５を
形成する。単結晶シリコン基板１に形成した酸化膜７
は、ＳＯＩ層５の側面に残るが、この後ＳＯＩ層５の周
辺部を１〜３ｍｍ程度の幅で研磨、あるいはエッチング
することにより、除去される。
化膜８の保護膜として多結晶シリコン膜９をＣＶＤ法な
どにより堆積させる。この多結晶シリコン膜９はデバイ
ス形成プロセスでの酸化膜エッチング工程で裏面の酸化
膜８が除去されるのを防ぐためのものであり、厚さは
０．１〜０．５μｍ程度でよい。次に図１（ｅ）に示す
ように、表面（単結晶シリコン基板１側の面）を研削・
研磨し、所望の厚さ、例えば５μｍ程度のＳＯＩ層５を
形成する。単結晶シリコン基板１に形成した酸化膜７
は、ＳＯＩ層５の側面に残るが、この後ＳＯＩ層５の周
辺部を１〜３ｍｍ程度の幅で研磨、あるいはエッチング
することにより、除去される。
【００１３】次に、本実施形態において、ＳＯＩ基板の
裏面には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成され
ており、基板の反りは矯正されている。この反り値は、
例えば埋込酸化膜７の厚さが１μｍの場合、裏面酸化膜
８があれば１０〜３０μｍ程度であるが、裏面酸化膜８
がないと１００μｍ程度に増大する。このＳＯＩ基板の
裏面には酸化膜を覆うように多結晶シリコン膜が形成さ
れているため、デバイス形成プロセスにおける酸化膜エ
ッチング工程でＳＯＩ基板裏面の酸化膜が除去されるの
を防ぐことができる。したがってＳＯＩ基板には大きな
反りを生じさせることなくデバイス形成プロセスを進め
ることができる。
裏面には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成され
ており、基板の反りは矯正されている。この反り値は、
例えば埋込酸化膜７の厚さが１μｍの場合、裏面酸化膜
８があれば１０〜３０μｍ程度であるが、裏面酸化膜８
がないと１００μｍ程度に増大する。このＳＯＩ基板の
裏面には酸化膜を覆うように多結晶シリコン膜が形成さ
れているため、デバイス形成プロセスにおける酸化膜エ
ッチング工程でＳＯＩ基板裏面の酸化膜が除去されるの
を防ぐことができる。したがってＳＯＩ基板には大きな
反りを生じさせることなくデバイス形成プロセスを進め
ることができる。
【００１４】図２は本発明の第２の実施の形態を示す製
造工程順断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の
実施形態と同様である。次に図２（ｄ）にしめすように
酸化膜８の保護膜として窒化膜６をＣＶＤ法などにより
堆積させる。この窒化膜６はデバイス形成プロセスでの
酸化膜エッチング工程で裏面の酸化膜８が除去されるの
を防ぐためのものであり、厚さは０．１〜０．３μｍ程
度でよい。次に図２（e）に示す様に、表面（単結晶シ
リコン基板１側の面）を研削・研磨し、所望の厚さのＳ
ＯＩ層５を形成する。
造工程順断面図である。図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の
実施形態と同様である。次に図２（ｄ）にしめすように
酸化膜８の保護膜として窒化膜６をＣＶＤ法などにより
堆積させる。この窒化膜６はデバイス形成プロセスでの
酸化膜エッチング工程で裏面の酸化膜８が除去されるの
を防ぐためのものであり、厚さは０．１〜０．３μｍ程
度でよい。次に図２（e）に示す様に、表面（単結晶シ
リコン基板１側の面）を研削・研磨し、所望の厚さのＳ
ＯＩ層５を形成する。
【００１５】この実施形態において、ＳＯＩ基板の裏面
には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成されてお
り、基板の反りは矯正されている。加えて、このＳＯＩ
基板の裏面には酸化膜を覆うように窒化膜６が形成され
ているため、デバイス形成プロセスにおける酸化膜エッ
チング工程でＳＯＩ基板裏面の酸化膜が除去されるのを
防ぐことができる。従って、ＳＯＩ基板には大きな反り
を生じさせることなくデバイス形成プロセスを進めるこ
とができる。
には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成されてお
り、基板の反りは矯正されている。加えて、このＳＯＩ
基板の裏面には酸化膜を覆うように窒化膜６が形成され
ているため、デバイス形成プロセスにおける酸化膜エッ
チング工程でＳＯＩ基板裏面の酸化膜が除去されるのを
防ぐことができる。従って、ＳＯＩ基板には大きな反り
を生じさせることなくデバイス形成プロセスを進めるこ
とができる。
【００１６】図３は本発明の第３の実施の形態を示す製
造工程断面図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、第１の実
施と同様である。次に図３（ｄ）に示すように酸化膜８
の保護膜として窒化膜６および多結晶シリコン膜９をＣ
ＶＤ法などにより堆積させる。この窒化膜６および多結
晶シリコン膜９をＣＶＤなどにより堆積させる。この窒
化膜６および多結晶シリコン膜９はデバイス形成プロセ
スでの酸化膜エッチング工程で裏面の酸化膜８が除去さ
れるのを防ぐためのものであり、厚さはそれぞれ０．１
〜０．３μｍ程度、０．１〜０．５μｍ程度でよい。次
に図３（ｅ）に示すように、表面（単結晶シリコン基板
１側の面）を研削・研磨し、所望の厚さのＳＯＩ層５を
形成する。
造工程断面図である。図３（ａ）〜（ｃ）は、第１の実
施と同様である。次に図３（ｄ）に示すように酸化膜８
の保護膜として窒化膜６および多結晶シリコン膜９をＣ
ＶＤ法などにより堆積させる。この窒化膜６および多結
晶シリコン膜９をＣＶＤなどにより堆積させる。この窒
化膜６および多結晶シリコン膜９はデバイス形成プロセ
スでの酸化膜エッチング工程で裏面の酸化膜８が除去さ
れるのを防ぐためのものであり、厚さはそれぞれ０．１
〜０．３μｍ程度、０．１〜０．５μｍ程度でよい。次
に図３（ｅ）に示すように、表面（単結晶シリコン基板
１側の面）を研削・研磨し、所望の厚さのＳＯＩ層５を
形成する。
【００１７】この実施の形態において、ＳＯＩ基板の裏
面には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成されて
おり、基板の反りは矯正されている。加えて、このＳＯ
Ｉ基板の裏面には酸化膜８を覆うように窒化膜６および
多結晶シリコン膜９が形成されているため、デバイス形
成プロセスにおける酸化膜エッチング工程でＳＯＩ基板
裏面の酸化膜が除去されるのを防ぐことができる。した
がってＳＯＩ基板には大きな反りを生じさせることなく
デバイス形成プロセスを進めることができる。
面には埋込酸化膜７と同等厚さの酸化膜８が形成されて
おり、基板の反りは矯正されている。加えて、このＳＯ
Ｉ基板の裏面には酸化膜８を覆うように窒化膜６および
多結晶シリコン膜９が形成されているため、デバイス形
成プロセスにおける酸化膜エッチング工程でＳＯＩ基板
裏面の酸化膜が除去されるのを防ぐことができる。した
がってＳＯＩ基板には大きな反りを生じさせることなく
デバイス形成プロセスを進めることができる。
【００１８】上述した各実施形態では、ＳＯＩ基板裏面
の酸化膜を保護する膜が異なるが、デバイス形成プロセ
スにおいて多結晶シリコン形成・多結晶シリコンエッチ
ングの後、酸化膜エッチングがないか極めて少ないよう
な場合、第１の実施の形態が望ましい。また、デバイス
形成プロセスにおいて窒化膜形成・窒化膜エッチングの
後、酸化膜エッチングがないか極めて少ないような場
合、第２の実施の形態が望ましい。さらに、多結晶シリ
コン形成・多結晶シリコンエッチングの後や窒化膜形成
・窒化膜エッチングの後、酸化膜エッチング工程がある
場合、窒化膜、多結晶シリコン膜を任意に重ね合わせる
第３の実施の形態が望ましい。
の酸化膜を保護する膜が異なるが、デバイス形成プロセ
スにおいて多結晶シリコン形成・多結晶シリコンエッチ
ングの後、酸化膜エッチングがないか極めて少ないよう
な場合、第１の実施の形態が望ましい。また、デバイス
形成プロセスにおいて窒化膜形成・窒化膜エッチングの
後、酸化膜エッチングがないか極めて少ないような場
合、第２の実施の形態が望ましい。さらに、多結晶シリ
コン形成・多結晶シリコンエッチングの後や窒化膜形成
・窒化膜エッチングの後、酸化膜エッチング工程がある
場合、窒化膜、多結晶シリコン膜を任意に重ね合わせる
第３の実施の形態が望ましい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、ＳＯＩ基板の反りを矯正する酸化膜およびその酸
化膜が除去されることを防ぐ保護膜（多結晶シリコン
膜、窒化膜など）が裏面に形成されているため、デバイ
ス形成プロセスにおいて、ＳＯＩ基板の反りが大きくな
ることはなく、安定して工程を進めることができるとと
もに、ＳＯＩ基板の平坦性を保つことができるため製造
歩留まりも向上させることができる。
れば、ＳＯＩ基板の反りを矯正する酸化膜およびその酸
化膜が除去されることを防ぐ保護膜（多結晶シリコン
膜、窒化膜など）が裏面に形成されているため、デバイ
ス形成プロセスにおいて、ＳＯＩ基板の反りが大きくな
ることはなく、安定して工程を進めることができるとと
もに、ＳＯＩ基板の平坦性を保つことができるため製造
歩留まりも向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す製造工程順断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示す製造工程順断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示す製造工程順断
面図である。
面図である。
【図４】第１の従来例のＳＯＩ基板の製造工程順断面図
である。
である。
【図５】第２の従来例のＳＯＩ基板の製造工程順断面図
である。
である。
１，３ 単結晶シリコン基板 ２，４ 酸化膜 ５ ＳＯＩ層 ６ 窒化膜 ９ 多結晶シリコン膜
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の単結晶シリコン基板を酸化してそ
の表面に第１の酸化膜を形成する工程と、前記第１の単
結晶シリコン基板の一主面に前記第１の酸化膜を介して
第２の単結晶シリコン基板の一主面を貼り合わせて１枚
の基板とする工程と、前記貼り合わせた基板の前記第２
の単結晶シリコン基板の他主面側に反り防止用の第２の
酸化膜を形成する工程と、前記第２の酸化膜を多結晶シ
リコン膜で覆う工程と、前記貼り合わせた基板の前記第
１の単結晶シリコン基板の他主面側を研削・研磨し所定
の厚さのＳＯＩ層を形成する工程とを有することを特徴
とするＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項２】 多結晶シリコン膜の代わりに、窒化膜を
用いて第２の酸化膜を覆う請求項１記載のＳＯＩ基板の
製造方法。 - 【請求項３】 多結晶シリコン膜の代わりに、窒化膜お
よび多結晶シリコン膜を用いて第２の酸化膜を覆う請求
項１記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４】 第２の酸化膜を覆う窒化膜の上に多結晶
シリコン膜を形成する請求項２記載のＳＯＩ基板の製造
方法。 - 【請求項５】 第１の単結晶シリコン基板に第２の単結
晶シリコン基板の一主面を貼り合わせた後、熱処理をし
てその接合強度を上げる工程を含む請求項１乃至４記載
のＳＯＩ基板の製造方法。
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| JP25223197A JP2927280B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JP25223197A JP2927280B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| JPH1197320A true JPH1197320A (ja) | 1999-04-09 |
| JP2927280B2 JP2927280B2 (ja) | 1999-07-28 |
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| JP (1) | JP2927280B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007234725A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Sony Corp | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
| JP2013098436A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Toyota Motor Corp | Ｓｏｉウェーハ |
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-
1997
- 1997-09-17 JP JP25223197A patent/JP2927280B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
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| JP2013098436A (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-20 | Toyota Motor Corp | Ｓｏｉウェーハ |
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| CN104347381A (zh) * | 2013-07-25 | 2015-02-11 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
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