JPH11345954A - 半導体基板及びその製造方法 - Google Patents
半導体基板及びその製造方法Info
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- JPH11345954A JPH11345954A JP10149999A JP14999998A JPH11345954A JP H11345954 A JPH11345954 A JP H11345954A JP 10149999 A JP10149999 A JP 10149999A JP 14999998 A JP14999998 A JP 14999998A JP H11345954 A JPH11345954 A JP H11345954A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＩウェーハの製造工程においてだけでは
なくデバイス製造工程においても発生する反りを低減
し、且つゲッタリング能力を高くした半導体基板及びそ
の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 活性層部１とベースウェーハ部２との間
に埋め込み酸化膜３を有するＳＯＩウェーハにおいて、
ベースウェーハ２の裏面に背面酸化膜４とその背面酸化
膜の表面にゲッタリング能力及び反り応力緩和能力を併
せ持つ保護層５を形成した。
なくデバイス製造工程においても発生する反りを低減
し、且つゲッタリング能力を高くした半導体基板及びそ
の製造方法を提供することにある。 【解決手段】 活性層部１とベースウェーハ部２との間
に埋め込み酸化膜３を有するＳＯＩウェーハにおいて、
ベースウェーハ２の裏面に背面酸化膜４とその背面酸化
膜の表面にゲッタリング能力及び反り応力緩和能力を併
せ持つ保護層５を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板及びその
製造方法に関する。詳しくは、活性層（半導体層）、酸
化膜（絶縁膜）、ベースウェーハ（支持基板）が順次形
成されたＳＯＩウェーハ及びその製造法に関し、ＳＯＩ
ウェーハの製造工程においてだけではなくデバイス製造
工程においても発生する反りを低減し、且つゲッタリン
グ能力を向上した半導体基板及びその製造方法に関す
る。
製造方法に関する。詳しくは、活性層（半導体層）、酸
化膜（絶縁膜）、ベースウェーハ（支持基板）が順次形
成されたＳＯＩウェーハ及びその製造法に関し、ＳＯＩ
ウェーハの製造工程においてだけではなくデバイス製造
工程においても発生する反りを低減し、且つゲッタリン
グ能力を向上した半導体基板及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】活性層（半導体層）、埋め込み酸化膜
（絶縁膜）、ベースウェーハ（支持基板）が順次形成さ
れたＳＯＩウェーハは、一般的に活性層やベースウェー
ハとしてシリコン単結晶が使用され、酸化膜としてシリ
コン酸化膜が使用されるが、各々の熱収縮率の違いに基
づく残留応力が蓄積され、この残留応力はベースウェー
ハの口径、厚さ、酸化膜の厚さに依存している。そし
て、ＳＯＩウェーハはこの残留応力によって変形し、活
性層を上側に向けた場合該ＳＯＩウェーハは活性層側に
凸に反ってしまう。
（絶縁膜）、ベースウェーハ（支持基板）が順次形成さ
れたＳＯＩウェーハは、一般的に活性層やベースウェー
ハとしてシリコン単結晶が使用され、酸化膜としてシリ
コン酸化膜が使用されるが、各々の熱収縮率の違いに基
づく残留応力が蓄積され、この残留応力はベースウェー
ハの口径、厚さ、酸化膜の厚さに依存している。そし
て、ＳＯＩウェーハはこの残留応力によって変形し、活
性層を上側に向けた場合該ＳＯＩウェーハは活性層側に
凸に反ってしまう。
【０００３】このＳＯＩウェーハの反りは、ウェーハに
デバイスを形成する過程において、特に露光工程（デバ
イスパターンのパターニング工程）においてパターンダ
レ（焦点ボケ）を発生し、問題視されている。又、デバ
イス製造装置や検査装置の自動搬送系の支持アームにウ
ェーハを吸着できなくなるといった問題も発生する。こ
のＳＯＩウェーハの反りを抑える方法として、ベースウ
ェーハの背面に酸化膜を形成して平坦にする方法（特公
平６−８０６２４号公報）が提案されている。
デバイスを形成する過程において、特に露光工程（デバ
イスパターンのパターニング工程）においてパターンダ
レ（焦点ボケ）を発生し、問題視されている。又、デバ
イス製造装置や検査装置の自動搬送系の支持アームにウ
ェーハを吸着できなくなるといった問題も発生する。こ
のＳＯＩウェーハの反りを抑える方法として、ベースウ
ェーハの背面に酸化膜を形成して平坦にする方法（特公
平６−８０６２４号公報）が提案されている。
【０００４】実際の反り量について、ベースウェーハと
活性層との間に配置される埋め込み酸化膜（ＢＯＸ膜）
の厚さによる依存性について調査した結果を以下に説明
する。調査に使用したＳＯＩウェーハは、25μｍ狙いで
結合面が凹面になる様にスライスしたベースウェーハを
使用し、そのベースウェーハと活性層との間に配置され
るＢＯＸ膜を0.5、1.0、2.0μｍの３種類とし、ベース
ウェーハの背面の酸化膜（以下、背面酸化膜と言う）の
厚さを全て1.0μｍとしたもので、活性層を形成するボ
ンドウェーハはフローティング・ゾーン法（ＦＺ法）と
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により製造されたウェー
ハを用意した。前記したＢＯＸ膜の厚さが異なり、背面
酸化膜の厚さが同じである３種類のＳＯＩウェーハの反
りは、図７の□，○印に示すように−40μｍ（凹面）か
ら＋30μｍ（凸面）程度の間でＢＯＸ膜の膜厚に比例し
て依存し、活性層を形成するボンドウェーハがＦＺ法に
より製造されたものかＣＺ法により製造されたものかは
無関係であることが分かる。これは、ＢＯＸ膜の熱膨張
率が1.6×10-7／℃、シリコン（Ｓｉ）の熱膨張率が2.5
×10-6／℃であり、シリコンの方が約15倍も大きいこと
に関係する。このため、室温においてはシリコンは引っ
張り応力が働いた状態で縮もうとし、酸化膜は圧縮応力
が働いた状態で伸びようとし、その結果凸面側に反って
しまうものである。尚、図７においてＦＺ法によるボン
ドウェーハは□印、ＣＺ法によるボンドウェーハは○印
で表してある。そして、上記した反りを抑えるためにベ
ースウェーハの裏面に背面酸化膜が形成されているが、
ＢＯＸ膜の膜厚が大きいところでより応力が大きいこと
が分かる。
活性層との間に配置される埋め込み酸化膜（ＢＯＸ膜）
の厚さによる依存性について調査した結果を以下に説明
する。調査に使用したＳＯＩウェーハは、25μｍ狙いで
結合面が凹面になる様にスライスしたベースウェーハを
使用し、そのベースウェーハと活性層との間に配置され
るＢＯＸ膜を0.5、1.0、2.0μｍの３種類とし、ベース
ウェーハの背面の酸化膜（以下、背面酸化膜と言う）の
厚さを全て1.0μｍとしたもので、活性層を形成するボ
ンドウェーハはフローティング・ゾーン法（ＦＺ法）と
チョクラルスキー法（ＣＺ法）により製造されたウェー
ハを用意した。前記したＢＯＸ膜の厚さが異なり、背面
酸化膜の厚さが同じである３種類のＳＯＩウェーハの反
りは、図７の□，○印に示すように−40μｍ（凹面）か
ら＋30μｍ（凸面）程度の間でＢＯＸ膜の膜厚に比例し
て依存し、活性層を形成するボンドウェーハがＦＺ法に
より製造されたものかＣＺ法により製造されたものかは
無関係であることが分かる。これは、ＢＯＸ膜の熱膨張
率が1.6×10-7／℃、シリコン（Ｓｉ）の熱膨張率が2.5
×10-6／℃であり、シリコンの方が約15倍も大きいこと
に関係する。このため、室温においてはシリコンは引っ
張り応力が働いた状態で縮もうとし、酸化膜は圧縮応力
が働いた状態で伸びようとし、その結果凸面側に反って
しまうものである。尚、図７においてＦＺ法によるボン
ドウェーハは□印、ＣＺ法によるボンドウェーハは○印
で表してある。そして、上記した反りを抑えるためにベ
ースウェーハの裏面に背面酸化膜が形成されているが、
ＢＯＸ膜の膜厚が大きいところでより応力が大きいこと
が分かる。
【０００５】更に、上記した３種類のＳＯＩウェーハに
酸化処理（1000℃，90分，パイロ酸化；膜厚400nm）を
施し、その後該酸化膜を除去すると、背面酸化膜（1.0
μm）もある程度除去されて薄くなり、その結果ＳＯＩ
ウェーハの反りは図７に■印、●印で示すように+30μ
ｍから+100μｍ程度の間でより凸面側に反りを発生し
た。尚、図７中の■印はＦＺ法によるボンドウェーハ
（□印）に酸化を行い、その後酸化膜を除去したウェー
ハを表し、●印はＣＺ法によるボンドウェーハ（○印）
に酸化を行い、その後酸化膜を除去したウェーハを表
す。
酸化処理（1000℃，90分，パイロ酸化；膜厚400nm）を
施し、その後該酸化膜を除去すると、背面酸化膜（1.0
μm）もある程度除去されて薄くなり、その結果ＳＯＩ
ウェーハの反りは図７に■印、●印で示すように+30μ
ｍから+100μｍ程度の間でより凸面側に反りを発生し
た。尚、図７中の■印はＦＺ法によるボンドウェーハ
（□印）に酸化を行い、その後酸化膜を除去したウェー
ハを表し、●印はＣＺ法によるボンドウェーハ（○印）
に酸化を行い、その後酸化膜を除去したウェーハを表
す。
【０００６】又、ベースウェーハの背面に背面酸化膜が
形成されていないＳＯＩウェーハについて同様に反りの
発生を調べた結果、図８に示すように＋25μｍから＋11
0μｍ程度の間でＢＯＸ膜の膜厚に依存して凸面側に反
った。尚、図８に示す印は図７に示したと同じ印のもの
は同じ種類のウェーハを示す。
形成されていないＳＯＩウェーハについて同様に反りの
発生を調べた結果、図８に示すように＋25μｍから＋11
0μｍ程度の間でＢＯＸ膜の膜厚に依存して凸面側に反
った。尚、図８に示す印は図７に示したと同じ印のもの
は同じ種類のウェーハを示す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにベースウ
ェーハの背面に形成する背面酸化膜の厚さを調整するこ
とにより反りのない平坦なＳＯＩウェーハを得ることが
可能となった。しかしながら、ＳＯＩウェーハ上にデバ
イスを形成する過程において、酸化膜形成やその酸化膜
をエッチングするための弗酸、弗化アンモン等を用いた
工程が必須であり、この工程が何回か繰り返されること
で背面酸化膜もこのエッチングによって徐々に除去さ
れ、上述したように反りが大きくなっていく。その結
果、パターニング工程でパターンダレ（焦点ボケ）が発
生して高精度のデバイス形成が出来なくなったり、デバ
イス製造装置や検査装置の自動搬送系の支持アームにウ
ェーハを吸着できなくなるという問題点を有する。
ェーハの背面に形成する背面酸化膜の厚さを調整するこ
とにより反りのない平坦なＳＯＩウェーハを得ることが
可能となった。しかしながら、ＳＯＩウェーハ上にデバ
イスを形成する過程において、酸化膜形成やその酸化膜
をエッチングするための弗酸、弗化アンモン等を用いた
工程が必須であり、この工程が何回か繰り返されること
で背面酸化膜もこのエッチングによって徐々に除去さ
れ、上述したように反りが大きくなっていく。その結
果、パターニング工程でパターンダレ（焦点ボケ）が発
生して高精度のデバイス形成が出来なくなったり、デバ
イス製造装置や検査装置の自動搬送系の支持アームにウ
ェーハを吸着できなくなるという問題点を有する。
【０００８】又、活性層シリコン中に混入した重金属不
純物（例えば、Fe，Cu，Au，Cr，Ni等）は、ＢＯＸ膜が
あるためにベースウェーハ側にゲッタリングされる効果
は期待できなかった。この重金属不純物は、ＳＯＩウェ
ーハを作製する過程でもＢＯＸ膜近傍の歪みに起因して
活性層のシリコン中に残留する虞れがあり、更にデバイ
スを作製していく工程でも混入し、その累積した重金属
不純物はデバイスの動作不良を引き起こすといった問題
点を有する。尚、上述した従来のＳＯＩウェーハのゲッ
タリング効果を電気特性で表し、良品率に表したものを
図６に示す。その電気特性とは、ＭＯＳキャパシタを作
製して酸化膜の絶縁破壊耐圧（ＴＺＤＢ特性）測定を行
ったものであり、これによりシリコンの完全性を評価す
ることができる。尚、作製したＭＯＳキャパシタは、リ
ンドープポリシリコンゲート電極で、ゲート面積８m
m2、ゲート酸化膜50nmであり、ＴＺＤＢ特性測定は、ス
テップ電圧−１Ｖ／0.5sec，判定電流値８×10-5アンペ
アで行った。そして、ＳＯＩウェーハの形成直後にＭＯ
Ｓキャパシタを作製した時の結果を従来例１とし、ＳＯ
Ｉウェーハにデバイス製造時に受ける熱処理を模擬的に
施したシミュレーション熱処理後に酸化膜を除去してＭ
ＯＳキャパシタを作製した時の結果を従来例２とする。
図６から明らかなように、従来例１の良品率が活性層シ
リコンの結晶特性を表しているが、熱処理を施した従来
例２の良品率は活性層がＦＺ法、ＣＺ法によるウェーハ
を問わずに低下しており、このことからゲッタリング効
果が期待できないことが理解される。図６中の従来例１
及び従来例２の□印はボンドウェーハがＦＺ法によるウ
ェーハを示し、○印はボンドウェーハがＣＺ法によるウ
ェーハを示す。
純物（例えば、Fe，Cu，Au，Cr，Ni等）は、ＢＯＸ膜が
あるためにベースウェーハ側にゲッタリングされる効果
は期待できなかった。この重金属不純物は、ＳＯＩウェ
ーハを作製する過程でもＢＯＸ膜近傍の歪みに起因して
活性層のシリコン中に残留する虞れがあり、更にデバイ
スを作製していく工程でも混入し、その累積した重金属
不純物はデバイスの動作不良を引き起こすといった問題
点を有する。尚、上述した従来のＳＯＩウェーハのゲッ
タリング効果を電気特性で表し、良品率に表したものを
図６に示す。その電気特性とは、ＭＯＳキャパシタを作
製して酸化膜の絶縁破壊耐圧（ＴＺＤＢ特性）測定を行
ったものであり、これによりシリコンの完全性を評価す
ることができる。尚、作製したＭＯＳキャパシタは、リ
ンドープポリシリコンゲート電極で、ゲート面積８m
m2、ゲート酸化膜50nmであり、ＴＺＤＢ特性測定は、ス
テップ電圧−１Ｖ／0.5sec，判定電流値８×10-5アンペ
アで行った。そして、ＳＯＩウェーハの形成直後にＭＯ
Ｓキャパシタを作製した時の結果を従来例１とし、ＳＯ
Ｉウェーハにデバイス製造時に受ける熱処理を模擬的に
施したシミュレーション熱処理後に酸化膜を除去してＭ
ＯＳキャパシタを作製した時の結果を従来例２とする。
図６から明らかなように、従来例１の良品率が活性層シ
リコンの結晶特性を表しているが、熱処理を施した従来
例２の良品率は活性層がＦＺ法、ＣＺ法によるウェーハ
を問わずに低下しており、このことからゲッタリング効
果が期待できないことが理解される。図６中の従来例１
及び従来例２の□印はボンドウェーハがＦＺ法によるウ
ェーハを示し、○印はボンドウェーハがＣＺ法によるウ
ェーハを示す。
【０００９】本発明は上述した従来の技術が有する問題
点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
ＳＯＩウェーハの製造工程においてだけではなくデバイ
ス製造工程においても発生する反りを低減し、且つゲッ
タリング能力を高くした半導体基板及びその製造方法を
提供することにある。
点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
ＳＯＩウェーハの製造工程においてだけではなくデバイ
ス製造工程においても発生する反りを低減し、且つゲッ
タリング能力を高くした半導体基板及びその製造方法を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明が講じた技術的手段は、デバイスが形成され
る活性層部と、その活性層部を支持するベースウェーハ
部と、活性層部とベースウェーハ部との間に埋め込み酸
化膜を有するＳＯＩウェーハにおいて、ベースウェーハ
の裏面に背面酸化膜とその背面酸化膜の表面にゲッタリ
ング能力及び反り応力緩和能力を併せ持つ保護層を形成
したことを特徴とする。又、上記のゲッタリング能力を
有する保護層（ゲッタリング層）は、活性層部と埋め込
み酸化膜との間に介在形成してもよい。上記保護層及び
ゲッタリング層を形成する膜としてはポリシリコンやア
モルファスシリコン、シリコン窒化膜等が挙げられる
が、ポリシリコンがウェーハ加工上好適である。尚、こ
の保護層を構成する膜は酸化及びエッチングにより除去
されるので、デバイス工程終了時まで残存する厚さに形
成することが必要である。即ち、デバイス工程における
酸化並びにエッチングにより除去される厚さ分を予め算
出しておき、その除去される厚さ以上に保護層の厚さを
形成するようにする。
めに本発明が講じた技術的手段は、デバイスが形成され
る活性層部と、その活性層部を支持するベースウェーハ
部と、活性層部とベースウェーハ部との間に埋め込み酸
化膜を有するＳＯＩウェーハにおいて、ベースウェーハ
の裏面に背面酸化膜とその背面酸化膜の表面にゲッタリ
ング能力及び反り応力緩和能力を併せ持つ保護層を形成
したことを特徴とする。又、上記のゲッタリング能力を
有する保護層（ゲッタリング層）は、活性層部と埋め込
み酸化膜との間に介在形成してもよい。上記保護層及び
ゲッタリング層を形成する膜としてはポリシリコンやア
モルファスシリコン、シリコン窒化膜等が挙げられる
が、ポリシリコンがウェーハ加工上好適である。尚、こ
の保護層を構成する膜は酸化及びエッチングにより除去
されるので、デバイス工程終了時まで残存する厚さに形
成することが必要である。即ち、デバイス工程における
酸化並びにエッチングにより除去される厚さ分を予め算
出しておき、その除去される厚さ以上に保護層の厚さを
形成するようにする。
【００１１】そして、上記した半導体基板を製造する方
法としては、ボンドウェーハと、ベースウェーハを酸化
膜を介して室温で貼り合わせ、この貼り合わせウェーハ
を酸化雰囲気で熱処理してベースウェーハの外表面に背
面酸化膜を形成し、しかる後前記ボンドウェーハ側を研
削研磨して活性層を形成し、その後貼り合わせウェーハ
を保護層で覆い、次いでボンドウェーハ側の保護層を除
去すると共に、研磨して所定厚さの活性層を得ることを
特徴とする。
法としては、ボンドウェーハと、ベースウェーハを酸化
膜を介して室温で貼り合わせ、この貼り合わせウェーハ
を酸化雰囲気で熱処理してベースウェーハの外表面に背
面酸化膜を形成し、しかる後前記ボンドウェーハ側を研
削研磨して活性層を形成し、その後貼り合わせウェーハ
を保護層で覆い、次いでボンドウェーハ側の保護層を除
去すると共に、研磨して所定厚さの活性層を得ることを
特徴とする。
【００１２】又、活性層と埋め込み酸化膜との間に前記
活性層のゲッタリング能力を有するゲッタリング層が形
成された半導体基板を製造する方法は、活性層の支持基
板となるベースウェーハの外周に酸化膜とゲッタリング
層（保護層）を順次積層形成し、このベースウェーハ
に、酸化されていないボンドウェーハを貼り合わせ、次
にボンドウェーハを研削研磨により所定の厚さに薄膜化
して活性層を得ることを特徴とする。
活性層のゲッタリング能力を有するゲッタリング層が形
成された半導体基板を製造する方法は、活性層の支持基
板となるベースウェーハの外周に酸化膜とゲッタリング
層（保護層）を順次積層形成し、このベースウェーハ
に、酸化されていないボンドウェーハを貼り合わせ、次
にボンドウェーハを研削研磨により所定の厚さに薄膜化
して活性層を得ることを特徴とする。
【００１３】上記した請求項１の手段によれば、ベース
ウェーハの背面に背面酸化膜及びその背面酸化膜を覆う
保護層が形成されていることで、デバイス工程における
エッチングによって背面酸化膜が除去されるのを防止で
き、それにより背面酸化膜の膜厚が保持されウェーハの
反り抑制効果が維持される。そして、保護層はＳＯＩウ
ェーハ製作工程において混入した活性層中の残留金属不
純物の除去、即ちゲッタリング効果を高めることができ
る。又、請求項２の手段によれば、上記保護層はボンド
ウェーハ側を研削・研磨して活性層を形成した後、保護
層を形成する膜の堆積を行って形成するため、研削・研
磨時に活性層中に混入した金属不純物を、保護層の堆積
時にゲッタリングすることが出来る。請求項３の手段に
よれば、請求項１による作用に加えて、活性層と酸化膜
との間に介在形成される保護層は活性層直下に存在する
ので活性層中に混入する金属不純物をより効果的にゲッ
タリングすることができる。そして、その保護層を請求
項４の手段によって形成することで、活性層の基になる
ボンドウェーハに混入する金属不純物を除去できる。因
って、高いゲッタリング効果が得られる。又、請求項５
及び請求項６の手段によれば、上述したＳＯＩウェーハ
の製造工程においてだけではなくデバイス製造工程にお
いても発生する反り防止の効果とゲッタリング効果を確
保することができる。
ウェーハの背面に背面酸化膜及びその背面酸化膜を覆う
保護層が形成されていることで、デバイス工程における
エッチングによって背面酸化膜が除去されるのを防止で
き、それにより背面酸化膜の膜厚が保持されウェーハの
反り抑制効果が維持される。そして、保護層はＳＯＩウ
ェーハ製作工程において混入した活性層中の残留金属不
純物の除去、即ちゲッタリング効果を高めることができ
る。又、請求項２の手段によれば、上記保護層はボンド
ウェーハ側を研削・研磨して活性層を形成した後、保護
層を形成する膜の堆積を行って形成するため、研削・研
磨時に活性層中に混入した金属不純物を、保護層の堆積
時にゲッタリングすることが出来る。請求項３の手段に
よれば、請求項１による作用に加えて、活性層と酸化膜
との間に介在形成される保護層は活性層直下に存在する
ので活性層中に混入する金属不純物をより効果的にゲッ
タリングすることができる。そして、その保護層を請求
項４の手段によって形成することで、活性層の基になる
ボンドウェーハに混入する金属不純物を除去できる。因
って、高いゲッタリング効果が得られる。又、請求項５
及び請求項６の手段によれば、上述したＳＯＩウェーハ
の製造工程においてだけではなくデバイス製造工程にお
いても発生する反り防止の効果とゲッタリング効果を確
保することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例
を図面に基づいて説明する。図１は請求項１に係る半導
体基板の実施の形態を示し、図中、Ａは半導体基板で、
デバイスが形成される活性層部１と、その活性層部１を
支持するベースウェーハ２と、活性層部１とベースウェ
ーハ２との間に埋め込み酸化膜３が介在されたＳＯＩウ
ェーハにおいて、前記ベースウェーハ２の裏面（下面）
に背面酸化膜４とその背面酸化膜４の表面にゲッタリン
グ能力並びに反り応力緩和能力を併せ持つ保護層５が形
成されている。そして、背面酸化膜４の表面を覆う保護
層５としてはポリシリコン、アモルファスシリコン、シ
リコン窒化膜等が挙げられるが、ポリシリコンがウェー
ハ加工上好適である。
を図面に基づいて説明する。図１は請求項１に係る半導
体基板の実施の形態を示し、図中、Ａは半導体基板で、
デバイスが形成される活性層部１と、その活性層部１を
支持するベースウェーハ２と、活性層部１とベースウェ
ーハ２との間に埋め込み酸化膜３が介在されたＳＯＩウ
ェーハにおいて、前記ベースウェーハ２の裏面（下面）
に背面酸化膜４とその背面酸化膜４の表面にゲッタリン
グ能力並びに反り応力緩和能力を併せ持つ保護層５が形
成されている。そして、背面酸化膜４の表面を覆う保護
層５としてはポリシリコン、アモルファスシリコン、シ
リコン窒化膜等が挙げられるが、ポリシリコンがウェー
ハ加工上好適である。
【００１５】図２は上記した半導体基板Ａを製造する工
程を示し、シリコン単結晶からなり必要な厚さに酸化さ
れた酸化膜３を有するボンドウェーハ11と、シリコン単
結晶からなり酸化されていないベースウェーハ12を室温
で貼り合わせ、ボンドウェーハ11とベースウェーハ12と
の間に埋め込み酸化膜３を介在形成する。次に、この貼
り合わせウェーハを酸化性雰囲気で熱処理してベースウ
ェーハ12の外表面に背面酸化膜４を形成し、しかる後前
記ボンドウェーハ11側を目的の活性層部の厚さよりも若
干厚い状態まで研削・研磨する。そして、この貼り合わ
せウェーハの外周にポリシリコンの保護層５を堆積形成
し、最後にベースウェーハ12側の保護層は残した状態で
ボンドウェーハ側の保護層５を除去し、且つ該ボンドウ
ェーハ側を要求される厚さまで研磨して所定厚さの活性
層１を得る。尚、図２では、酸化膜を有するボンドウェ
ーハと酸化膜のないベースウェーハの貼り合わせを示し
ているが、ベースウェーハのみに酸化膜を形成して貼り
合わせたり、両方共に酸化膜を形成して貼り合わせても
よい。
程を示し、シリコン単結晶からなり必要な厚さに酸化さ
れた酸化膜３を有するボンドウェーハ11と、シリコン単
結晶からなり酸化されていないベースウェーハ12を室温
で貼り合わせ、ボンドウェーハ11とベースウェーハ12と
の間に埋め込み酸化膜３を介在形成する。次に、この貼
り合わせウェーハを酸化性雰囲気で熱処理してベースウ
ェーハ12の外表面に背面酸化膜４を形成し、しかる後前
記ボンドウェーハ11側を目的の活性層部の厚さよりも若
干厚い状態まで研削・研磨する。そして、この貼り合わ
せウェーハの外周にポリシリコンの保護層５を堆積形成
し、最後にベースウェーハ12側の保護層は残した状態で
ボンドウェーハ側の保護層５を除去し、且つ該ボンドウ
ェーハ側を要求される厚さまで研磨して所定厚さの活性
層１を得る。尚、図２では、酸化膜を有するボンドウェ
ーハと酸化膜のないベースウェーハの貼り合わせを示し
ているが、ベースウェーハのみに酸化膜を形成して貼り
合わせたり、両方共に酸化膜を形成して貼り合わせても
よい。
【００１６】図３は請求項３に係る半導体基板の実施の
形態を示し、図中、Ａ’は半導体基板で、デバイスが形
成される活性層部１’と、その活性層部１’を支持する
ベースウェーハ２’と、活性層部１’とベースウェーハ
２’との間に埋め込み酸化膜３’が介在されたＳＯＩウ
ェーハにおいて、前記活性層部１’と埋め込み酸化膜
３’との間に該活性層部１’のゲッタリング能力を有す
るゲッタリング層６を設け、ベースウェーハ２’の裏面
（下面）には背面酸化膜４’とその背面酸化膜４’の表
面にゲッタリング能力並びに反り応力緩和能力を併せ持
つ保護層５’が形成されている。
形態を示し、図中、Ａ’は半導体基板で、デバイスが形
成される活性層部１’と、その活性層部１’を支持する
ベースウェーハ２’と、活性層部１’とベースウェーハ
２’との間に埋め込み酸化膜３’が介在されたＳＯＩウ
ェーハにおいて、前記活性層部１’と埋め込み酸化膜
３’との間に該活性層部１’のゲッタリング能力を有す
るゲッタリング層６を設け、ベースウェーハ２’の裏面
（下面）には背面酸化膜４’とその背面酸化膜４’の表
面にゲッタリング能力並びに反り応力緩和能力を併せ持
つ保護層５’が形成されている。
【００１７】図４は上記した半導体基板Ａ’を製造する
工程を示し、シリコン単結晶からなる２枚のウェーハを
酸化膜を介して接合し、研削又は／エッチング等を行う
ことにより活性層部となるウェーハを薄膜化してＳＯＩ
ウェーハを製造するにあたり、活性層の支持基板となる
ベースウェーハ12’の外周に酸化膜13’（埋め込み酸化
膜３’、背面酸化膜４’）とポリシリコンの保護層15’
（ゲッタリング層）を順次積層形成し、このベースウェ
ーハに、活性層部となる酸化されていないボンドウェー
ハ11’を貼り合わせ、次にボンドウェーハ11’側を研削
・研磨により所定の厚さに薄膜化して活性層１’を得
る。尚、ボンドウェーハに酸化膜を形成してからベース
ウェーハと貼り合わせてもよい。この場合、酸化膜とポ
リシリコンの保護層との貼り合わせとなるため、より完
全な結合が可能となる。
工程を示し、シリコン単結晶からなる２枚のウェーハを
酸化膜を介して接合し、研削又は／エッチング等を行う
ことにより活性層部となるウェーハを薄膜化してＳＯＩ
ウェーハを製造するにあたり、活性層の支持基板となる
ベースウェーハ12’の外周に酸化膜13’（埋め込み酸化
膜３’、背面酸化膜４’）とポリシリコンの保護層15’
（ゲッタリング層）を順次積層形成し、このベースウェ
ーハに、活性層部となる酸化されていないボンドウェー
ハ11’を貼り合わせ、次にボンドウェーハ11’側を研削
・研磨により所定の厚さに薄膜化して活性層１’を得
る。尚、ボンドウェーハに酸化膜を形成してからベース
ウェーハと貼り合わせてもよい。この場合、酸化膜とポ
リシリコンの保護層との貼り合わせとなるため、より完
全な結合が可能となる。
【００１８】上述した図１に示した半導体基板Ａにおけ
る保護層５、及び図３に示した半導体基板Ａ’における
保護層５’の膜厚は、デバイス工程における酸化並びに
エッチングにより除去されるので予め除去される厚さを
算出しておき、その除去される厚さ以上の膜厚に形成す
る。
る保護層５、及び図３に示した半導体基板Ａ’における
保護層５’の膜厚は、デバイス工程における酸化並びに
エッチングにより除去されるので予め除去される厚さを
算出しておき、その除去される厚さ以上の膜厚に形成す
る。
【００１９】以上の如く構成した半導体基板Ａ，Ａ’は
反り応力を低減するためにベースウェーハの裏面に形成
した背面酸化膜の表面に保護層５，５’を形成したもの
で、保護層を形成したＳＯＩウェーハの反りについて
は、図５に示すようにＳＯＩウェーハ形成直後の測定で
−15μｍ（凹面）程度、酸化処理（1000℃，90分，パイ
ロ酸化，膜厚400nm）後その酸化膜を除去した段階で測
定した値は＋15μｍ（凸面）程度となり、反りの推移が
従来の結果（図７）と比べて最も小さいことが明らかで
ある。尚、図５における酸化処理前のウェーハは□印，
○印で、酸化処理後その酸化膜を除去した同ウェーハを
■印，●印で表し、□印，■印はボンドウェーハがＦＺ
法によるもの、○印，●印はボンドウェーハがＣＺ法に
よるものを表す。
反り応力を低減するためにベースウェーハの裏面に形成
した背面酸化膜の表面に保護層５，５’を形成したもの
で、保護層を形成したＳＯＩウェーハの反りについて
は、図５に示すようにＳＯＩウェーハ形成直後の測定で
−15μｍ（凹面）程度、酸化処理（1000℃，90分，パイ
ロ酸化，膜厚400nm）後その酸化膜を除去した段階で測
定した値は＋15μｍ（凸面）程度となり、反りの推移が
従来の結果（図７）と比べて最も小さいことが明らかで
ある。尚、図５における酸化処理前のウェーハは□印，
○印で、酸化処理後その酸化膜を除去した同ウェーハを
■印，●印で表し、□印，■印はボンドウェーハがＦＺ
法によるもの、○印，●印はボンドウェーハがＣＺ法に
よるものを表す。
【００２０】又、本発明の背面酸化膜４’の表面に保護
層５’を、活性層１’と埋め込み酸化膜３’との間にゲ
ッタリング層６を形成した図３に示したＳＯＩウェーハ
（本発明１）は、図６に示すようにＭＯＳキャパシタに
よるＴＺＤＢ特性には特に問題はないことを確認してい
るが、これにデバイス工程と同じ熱処理を模擬的に施し
たシミュレーション熱処理後のＭＯＳキャパシタ（本発
明２）のＴＺＤＢ特性による歩留まり（良品率）が本発
明１と殆ど変わらず安定していることが理解される。
尚、図６の本発明１と本発明２における□印はボンドウ
ェーハがＦＺ法によるものを示し、○印はボンドウェー
ハがＣＺ法によるものを表す。
層５’を、活性層１’と埋め込み酸化膜３’との間にゲ
ッタリング層６を形成した図３に示したＳＯＩウェーハ
（本発明１）は、図６に示すようにＭＯＳキャパシタに
よるＴＺＤＢ特性には特に問題はないことを確認してい
るが、これにデバイス工程と同じ熱処理を模擬的に施し
たシミュレーション熱処理後のＭＯＳキャパシタ（本発
明２）のＴＺＤＢ特性による歩留まり（良品率）が本発
明１と殆ど変わらず安定していることが理解される。
尚、図６の本発明１と本発明２における□印はボンドウ
ェーハがＦＺ法によるものを示し、○印はボンドウェー
ハがＣＺ法によるものを表す。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体基板は請求項１及び請求
項３に記載の構成により、酸化・エッチングを繰り返し
ても背面酸化膜が無くならないので、デバイス工程終了
時までウェーハの反りを防止することが出来る。又、デ
バイス工程においてだけではなくＳＯＩウェーハ作製工
程においてもゲッタリング効果が期待される。又、請求
項２に記載の製造方法によれば、結合熱処理や研削・研
磨時に活性層中に混入した重金属不純物を、保護層の堆
積時にゲッタリングすることが出来る。しかも、保護層
の堆積はボンドウェーハ側を研削・研磨してから行うた
め、その保護層を形成する工程時にウェーハを保持する
ために使用するウェーハボートとして別途溝幅の異なる
ウェーハボートを用意することなく、通常の溝幅を有し
たウェーハボートを使用できるという利点を有する。
項３に記載の構成により、酸化・エッチングを繰り返し
ても背面酸化膜が無くならないので、デバイス工程終了
時までウェーハの反りを防止することが出来る。又、デ
バイス工程においてだけではなくＳＯＩウェーハ作製工
程においてもゲッタリング効果が期待される。又、請求
項２に記載の製造方法によれば、結合熱処理や研削・研
磨時に活性層中に混入した重金属不純物を、保護層の堆
積時にゲッタリングすることが出来る。しかも、保護層
の堆積はボンドウェーハ側を研削・研磨してから行うた
め、その保護層を形成する工程時にウェーハを保持する
ために使用するウェーハボートとして別途溝幅の異なる
ウェーハボートを用意することなく、通常の溝幅を有し
たウェーハボートを使用できるという利点を有する。
【００２２】更に、請求項４に記載の製造方法によれ
ば、ＳＯＩウェーハを作製する過程で活性層となるボン
ドウェーハに混入する重金属不純物の除去（ゲッタリン
グ）を効果的に行うことが出来る。又、請求項５及び請
求項６の構成により、上記した反り防止効果とゲッタリ
ング効果を維持確保することができる。
ば、ＳＯＩウェーハを作製する過程で活性層となるボン
ドウェーハに混入する重金属不純物の除去（ゲッタリン
グ）を効果的に行うことが出来る。又、請求項５及び請
求項６の構成により、上記した反り防止効果とゲッタリ
ング効果を維持確保することができる。
【図１】 本発明の係る半導体基板の実施の形態の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 図１に示した半導体基板の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図３】 本発明に係る半導体基板の他の実施の形態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】 図３に示した半導体基板の製造方法を示す工
程図である。
程図である。
【図５】 本発明に係る半導体基板における酸化・エッ
チング前後の反りを示す図である。
チング前後の反りを示す図である。
【図６】 本発明に係る半導体基板及び従来品夫々を用
いたデバイスの良品率（歩留まり）を示す図である。
いたデバイスの良品率（歩留まり）を示す図である。
【図７】 従来品における酸化・エッチング前後の反り
を示す図である。
を示す図である。
【図８】 背面酸化膜の無い従来品における反りを示す
図である。
図である。
Ａ，Ａ’…半導体基板 １，１’…活性層 ２，２’…ベースウェーハ ３，３’…埋
め込み酸化膜 ４，４’…背面酸化膜 ５，５’…保
護層 ６…ゲッタリング層
め込み酸化膜 ４，４’…背面酸化膜 ５，５’…保
護層 ６…ゲッタリング層
Claims (6)
- 【請求項１】 デバイスが形成される活性層部と、その
活性層部を支持するベースウェーハ部と、活性層部とベ
ースウェーハ部との間に埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ
ウェーハにおいて、ベースウェーハの裏面に背面酸化膜
とその背面酸化膜の表面にゲッタリング能力及び反り応
力緩和能力を併せ持つ保護層を形成したことを特徴とす
る半導体基板。 - 【請求項２】 ボンドウェーハとベースウェーハを酸化
膜を介して室温で貼り合わせ、この貼り合わせウェーハ
を酸化性雰囲気で熱処理した後前記ボンドウェーハ側を
研削研磨して活性層を形成し、その後貼り合わせウェー
ハを保護層で覆い、次いでボンドウェーハ側の保護層を
除去すると共に、研磨して所定厚さの活性層を得ること
を特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項３】 デバイスが形成される活性層部と、その
活性層部を支持するベースウェーハ部と、活性層部とベ
ースウェーハ部との間に埋め込み酸化膜を有するＳＯＩ
ウェーハにおいて、活性層部と埋め込み酸化膜との間に
該活性層部のゲッタリング能力を有するゲッタリング層
を設け、ベースウェーハの裏面には背面酸化膜とその背
面酸化膜の表面にゲッタリング能力及び反り応力緩和能
力を併せ持つ保護層を形成したことを特徴とする半導体
基板。 - 【請求項４】 活性層の支持基板となるベースウェーハ
の外周に酸化膜と保護層を順次積層形成し、このベース
ウェーハにボンドウェーハを貼り合わせ、次にボンドウ
ェーハを研削研磨により所定の厚さに薄膜化して活性層
を得ることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 【請求項５】 デバイス工程における酸化並びにエッチ
ングにより除去される厚さ以上の保護層を有することを
特徴とする請求項１又は請求項３記載の半導体基板。 - 【請求項６】 上記保護層の厚さを、デバイス工程にお
ける酸化並びにエッチングにより除去される保護層の厚
さを予め算出しておき、その除去される厚さ以上の保護
層を形成することを特徴とする請求項２又は請求項４記
載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10149999A JPH11345954A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10149999A JPH11345954A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345954A true JPH11345954A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15487265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10149999A Pending JPH11345954A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345954A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149487A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウェーハのシリコン酸化膜形成方法 |
| JP2013509697A (ja) * | 2009-10-30 | 2013-03-14 | ソイテック | 半導体・オン・絶縁体型構造における応力の分布を制御するための方法およびこの方法に関連した構造 |
| CN103560136A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-05 | 上海新傲科技股份有限公司 | 低翘曲度的半导体衬底及其制备方法 |
| CN103560106A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-05 | 上海新傲科技股份有限公司 | 低翘曲度的半导体衬底的制备方法 |
| JP2015026683A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN108140541A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-06-08 | 信越化学工业株式会社 | SiC复合基板的制造方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10149999A patent/JPH11345954A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149487A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Ｓｏｉウェーハのシリコン酸化膜形成方法 |
| US8053334B2 (en) | 2007-05-29 | 2011-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for forming silicon oxide film of SOI wafer |
| JP2013509697A (ja) * | 2009-10-30 | 2013-03-14 | ソイテック | 半導体・オン・絶縁体型構造における応力の分布を制御するための方法およびこの方法に関連した構造 |
| JP2015026683A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN103560136A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-05 | 上海新傲科技股份有限公司 | 低翘曲度的半导体衬底及其制备方法 |
| CN103560106A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-05 | 上海新傲科技股份有限公司 | 低翘曲度的半导体衬底的制备方法 |
| CN108140541A (zh) * | 2015-09-15 | 2018-06-08 | 信越化学工业株式会社 | SiC复合基板的制造方法 |
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