JPH05275300A - 半導体ウェーハの貼合わせ方法 - Google Patents
半導体ウェーハの貼合わせ方法Info
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- JPH05275300A JPH05275300A JP10224492A JP10224492A JPH05275300A JP H05275300 A JPH05275300 A JP H05275300A JP 10224492 A JP10224492 A JP 10224492A JP 10224492 A JP10224492 A JP 10224492A JP H05275300 A JPH05275300 A JP H05275300A
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- Japan
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- bonding
- point
- wafers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＳＯＩ基板等の貼合わせウェーハの貼合わせ
方法において、接合界面にバブル、ボイド等の気泡やス
ワール等の結晶性歪を発生しない半導体ウェーハの貼合
わせ方法を提供する。 【構成】 図１に示すように、第１のウェーハおよび第
２のウェーハの少なくとも一方を凸状に撓ませて、ウェ
ーハ同士をその周縁部の一点で合致させ、この一点を開
始点とし、中心点を通る対極点へ向って貼合わせを進行
する。
方法において、接合界面にバブル、ボイド等の気泡やス
ワール等の結晶性歪を発生しない半導体ウェーハの貼合
わせ方法を提供する。 【構成】 図１に示すように、第１のウェーハおよび第
２のウェーハの少なくとも一方を凸状に撓ませて、ウェ
ーハ同士をその周縁部の一点で合致させ、この一点を開
始点とし、中心点を通る対極点へ向って貼合わせを進行
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＳＯＩウェーハなどの半
導体ウェーハにおいて、その貼合わせ界面に結晶性歪等
の微視的な欠陥を生じない半導体ウェーハの貼合わせ方
法に関する。
導体ウェーハにおいて、その貼合わせ界面に結晶性歪等
の微視的な欠陥を生じない半導体ウェーハの貼合わせ方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁物の上にシリコン単結晶を成長させ
たＳＯＩ構造は、その高耐圧性、高速性等により次世代
の半導体デバイス用基板として従来より注目されている
が、近年、大面積で結晶欠陥がなく、かつ、比抵抗や酸
素濃度等も自由に制御することができるＳＯＩ構造がウ
ェーハ貼合わせ法により比較的容易に得られるようにな
ってきた。この貼合わせにより作製されるＳＯＩウェー
ハは、酸素をイオン注入によりシリコン単結晶基板の表
面から数μｍの位置に帯状に打ち込み、その後の熱処理
により酸素原子を再配列させてＳｉＯ2層を形成するＳ
ＩＭＯＸ法（Ｓｅｐａｒａｔａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭ
ｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）、及び予め付与したＳ
ｉＯ2上に数μｍ厚の多結晶シリコンを気相成長させ、
その後レーザーにより溶融して単結晶化させるＺＭＲ法
（Ｚｏｎｅ Ｍｅｌｔｉｎｇ Ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉ
ｚａｔｉｏｎ）などに比較して、デバイス作製領域の結
晶性が良いこと、熱酸化した側の界面をデバイス側に用
いることによりＳｉ−ＳｉＯ 2界面が安定であること、
量産のための設備が廉価であること等の利点を有してい
る。
たＳＯＩ構造は、その高耐圧性、高速性等により次世代
の半導体デバイス用基板として従来より注目されている
が、近年、大面積で結晶欠陥がなく、かつ、比抵抗や酸
素濃度等も自由に制御することができるＳＯＩ構造がウ
ェーハ貼合わせ法により比較的容易に得られるようにな
ってきた。この貼合わせにより作製されるＳＯＩウェー
ハは、酸素をイオン注入によりシリコン単結晶基板の表
面から数μｍの位置に帯状に打ち込み、その後の熱処理
により酸素原子を再配列させてＳｉＯ2層を形成するＳ
ＩＭＯＸ法（Ｓｅｐａｒａｔａｔｉｏｎ ｂｙ ＩＭ
ｐｌａｎｔｅｄ ＯＸｙｇｅｎ）、及び予め付与したＳ
ｉＯ2上に数μｍ厚の多結晶シリコンを気相成長させ、
その後レーザーにより溶融して単結晶化させるＺＭＲ法
（Ｚｏｎｅ Ｍｅｌｔｉｎｇ Ｒｅｃｒｙｓｔａｌｌｉ
ｚａｔｉｏｎ）などに比較して、デバイス作製領域の結
晶性が良いこと、熱酸化した側の界面をデバイス側に用
いることによりＳｉ−ＳｉＯ 2界面が安定であること、
量産のための設備が廉価であること等の利点を有してい
る。
【０００３】しかし、このようなＳＯＩウェーハを得る
際の貼合わせ工程が、親水性付与のための洗浄の直後に
行われるために、接合前の２枚の半導体ウェーハの表面
に残留しているシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）、水素イオ
ン等が接合界面に取り込まれて、貼合わせ後の熱処理に
より反応して気泡を形成してしまい、ボイド（バブル）
等の欠陥が生じやすい。さらに、これらの比較的大きな
欠陥の他に、貼合わせの際の密着力のむら等によって接
合界面に生ずる微視的な結晶性歪みも特にデバイス作製
側をサブミクロンレベルまで薄く研磨した場合にデバイ
スの電気的特性を著しく劣化させるので、その発生を防
止しなければならない。そのために、接合界面における
各種欠陥の発生を抑止する種々の貼合わせ方法が試みら
れている。
際の貼合わせ工程が、親水性付与のための洗浄の直後に
行われるために、接合前の２枚の半導体ウェーハの表面
に残留しているシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）、水素イオ
ン等が接合界面に取り込まれて、貼合わせ後の熱処理に
より反応して気泡を形成してしまい、ボイド（バブル）
等の欠陥が生じやすい。さらに、これらの比較的大きな
欠陥の他に、貼合わせの際の密着力のむら等によって接
合界面に生ずる微視的な結晶性歪みも特にデバイス作製
側をサブミクロンレベルまで薄く研磨した場合にデバイ
スの電気的特性を著しく劣化させるので、その発生を防
止しなければならない。そのために、接合界面における
各種欠陥の発生を抑止する種々の貼合わせ方法が試みら
れている。
【０００４】例えば、特開昭６１−１４５８３９号公
報、特開昭６３−１９８０７号公報、特開昭６４−４０
１３号公報、特開平１−１６９９１７号公報、特開平２
−５６９１８号公報等には、図５に示すように、一方の
半導体ウェーハ１をその接合面の中央部が周辺部に対し
て突出したいわゆる凸状にこれをたわませ、その中心点
３を接合の開始点として他方の半導体ウェーハ２の接合
面に接触させて貼合わせを行う方法が開示されている。
また、特開平１−１２２１４２号公報には、接触面に沿
う方向に応力を印加しながら貼合わせを行う方法、特開
平２−１３５７２２号公報には、少なくとも一方の主面
に基体に対し収縮応力または引張応力を生ぜしめる膜を
形成して貼合わせる方法、特開平２−２６７９５１号公
報には、２枚のウェーハの両側から同一の圧力を印加し
て貼合わせる方法、特開平３−８４９１９号公報には、
２枚のウェーハに接着後に両者を包む大気を減圧する方
法、特開平３−９４４１６号公報には、接合面と反対の
面の酸化膜を除去して曲面を形成してから貼合わせを行
う方法等が開示されている。
報、特開昭６３−１９８０７号公報、特開昭６４−４０
１３号公報、特開平１−１６９９１７号公報、特開平２
−５６９１８号公報等には、図５に示すように、一方の
半導体ウェーハ１をその接合面の中央部が周辺部に対し
て突出したいわゆる凸状にこれをたわませ、その中心点
３を接合の開始点として他方の半導体ウェーハ２の接合
面に接触させて貼合わせを行う方法が開示されている。
また、特開平１−１２２１４２号公報には、接触面に沿
う方向に応力を印加しながら貼合わせを行う方法、特開
平２−１３５７２２号公報には、少なくとも一方の主面
に基体に対し収縮応力または引張応力を生ぜしめる膜を
形成して貼合わせる方法、特開平２−２６７９５１号公
報には、２枚のウェーハの両側から同一の圧力を印加し
て貼合わせる方法、特開平３−８４９１９号公報には、
２枚のウェーハに接着後に両者を包む大気を減圧する方
法、特開平３−９４４１６号公報には、接合面と反対の
面の酸化膜を除去して曲面を形成してから貼合わせを行
う方法等が開示されている。
【０００５】そして、特開昭６２−７１２１５号公報、
特開昭６３−９９２２号公報、特開平１−１３２１１２
号公報、特開平１−１８３８０７号公報等には、これら
の貼合わせ方法を実施するための種々の接合装置が提案
されている。
特開昭６３−９９２２号公報、特開平１−１３２１１２
号公報、特開平１−１８３８０７号公報等には、これら
の貼合わせ方法を実施するための種々の接合装置が提案
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の接合方法、接合装置を用いれば、先に述べたウェーハ
接合面でのボイド等の比較的大きな欠陥の発生は抑制す
ることができるが、微視的な結晶性歪の発生を抑えるこ
とは困難である。特に、これらの方法が、凸状にたまわ
せたウェーハの接合面の中心点から接合を開始するた
め、中心点を起点として周辺へ等間隔で広がっていくよ
うな同心円状の結晶性歪が発生し易いという問題点を有
していた。
の接合方法、接合装置を用いれば、先に述べたウェーハ
接合面でのボイド等の比較的大きな欠陥の発生は抑制す
ることができるが、微視的な結晶性歪の発生を抑えるこ
とは困難である。特に、これらの方法が、凸状にたまわ
せたウェーハの接合面の中心点から接合を開始するた
め、中心点を起点として周辺へ等間隔で広がっていくよ
うな同心円状の結晶性歪が発生し易いという問題点を有
していた。
【０００７】そこで、本発明は、同心円状の結晶性歪が
発生しないウェーハの貼合わせ方法を提供することを、
その目的としている。
発生しないウェーハの貼合わせ方法を提供することを、
その目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような問題点は下記
の本発明により解決される。すなわち、第１のウェーハ
および第２のウェーハのうちの少なくとも一方を凸形の
おわん状に湾曲変形させながらそれらの接合面同士を重
ね合わせる半導体ウェーハの貼合わせ方法において、上
記第１のウェーハの周辺部の一点と第２のウェーハの周
辺部の一点とを合致させて接合開始点とし、これらのウ
ェーハの接合面の中心点を挟んでこの接合開始点の反対
側の対極点を接合終了点として、この接合開始点から接
合終了点に向かって順次接合を進行させるものである。
の本発明により解決される。すなわち、第１のウェーハ
および第２のウェーハのうちの少なくとも一方を凸形の
おわん状に湾曲変形させながらそれらの接合面同士を重
ね合わせる半導体ウェーハの貼合わせ方法において、上
記第１のウェーハの周辺部の一点と第２のウェーハの周
辺部の一点とを合致させて接合開始点とし、これらのウ
ェーハの接合面の中心点を挟んでこの接合開始点の反対
側の対極点を接合終了点として、この接合開始点から接
合終了点に向かって順次接合を進行させるものである。
【０００９】
【作用】本発明においては貼合わせの開始点をウェーハ
周辺部の一点とする。貼合わせはこの開始点を起点とし
て順次径方向に連続的に進行させる。そして、直径方向
の反対側の周辺部の対極点を貼合わせの終了点とする。
本方法によれば、従来の方法と同様の原理で２枚のウェ
ーハ間に残留していたガスが、その接合が進行するにし
たがって貼合わせの終了方向に向かって排出される。こ
の結果、接合界面での気泡等の比較的大きな欠陥を完全
に防止できる。そして、この接合開始点がウェーハの周
縁部に存在するので、接着のメカニズムが変化し、界面
の応力が緩和されるため、接合開始点を起点として従来
発生していた同心円状の微視的な結晶性歪の発生を完全
に抑えることができる。
周辺部の一点とする。貼合わせはこの開始点を起点とし
て順次径方向に連続的に進行させる。そして、直径方向
の反対側の周辺部の対極点を貼合わせの終了点とする。
本方法によれば、従来の方法と同様の原理で２枚のウェ
ーハ間に残留していたガスが、その接合が進行するにし
たがって貼合わせの終了方向に向かって排出される。こ
の結果、接合界面での気泡等の比較的大きな欠陥を完全
に防止できる。そして、この接合開始点がウェーハの周
縁部に存在するので、接着のメカニズムが変化し、界面
の応力が緩和されるため、接合開始点を起点として従来
発生していた同心円状の微視的な結晶性歪の発生を完全
に抑えることができる。
【００１０】以下、本発明の具体的構成について詳述す
る。本発明の貼合わせ方法が適用される例えば熱酸化膜
を介在させて２枚のシリコンウェーハを貼合わせて接合
したＳＯＩウェーハは、デバイス作製領域の結晶性が良
いこと、熱酸化した側の界面が安定であること、量産が
容易であること等の理由で幅広い用途が期待されてい
る。このＳＯＩウェーハの貼合わせは通常、まず、親水
性処理した２枚のシリコンウェーハを直接重ね合わせ、
水素結合やファン・デル・ワールス力等により結合させ
る。ウェーハ表面に親水性を持たせるための洗浄として
は、ＳＣ−１洗浄（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ／Ｈ2Ｏ2の混合液
を８０℃に加熱して洗浄する方法）が頻繁に用いられ
る。次いで、この重ね合わせたウェーハに１０００℃以
上の高温で熱処理を行い、その結合を完全なものにす
る。最後に、平面研削、研磨、あるいは、エッチング等
によりウェーハのデバイスを作製する側の面を所望の厚
さとなるまで加工するものである。この貼合わせ工程の
諸条件が不十分な場合にはその接合界面に前述のような
欠陥が生じる場合がある。
る。本発明の貼合わせ方法が適用される例えば熱酸化膜
を介在させて２枚のシリコンウェーハを貼合わせて接合
したＳＯＩウェーハは、デバイス作製領域の結晶性が良
いこと、熱酸化した側の界面が安定であること、量産が
容易であること等の理由で幅広い用途が期待されてい
る。このＳＯＩウェーハの貼合わせは通常、まず、親水
性処理した２枚のシリコンウェーハを直接重ね合わせ、
水素結合やファン・デル・ワールス力等により結合させ
る。ウェーハ表面に親水性を持たせるための洗浄として
は、ＳＣ−１洗浄（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ／Ｈ2Ｏ2の混合液
を８０℃に加熱して洗浄する方法）が頻繁に用いられ
る。次いで、この重ね合わせたウェーハに１０００℃以
上の高温で熱処理を行い、その結合を完全なものにす
る。最後に、平面研削、研磨、あるいは、エッチング等
によりウェーハのデバイスを作製する側の面を所望の厚
さとなるまで加工するものである。この貼合わせ工程の
諸条件が不十分な場合にはその接合界面に前述のような
欠陥が生じる場合がある。
【００１１】本発明においては、この欠陥の発生を防止
するために、２枚のウェーハの少なくとも一方をたわま
せる。図１に示すように、非変形状態の第１のウェーハ
１に対して第２のウェーハ２をたわませて、それらの周
縁部の一点３を開始点として第１のウェーハ１と第２の
ウェーハ２との接合を行うものである。この際の撓み角
度には特に制限はなく、貼合わせ工程に有利な撓み角を
選定すればよい。また接合開始点３は特にオリエンテー
ションフラット位置である必要はなく、周縁部の任意の
点から接合を開始することができる。ここで、第２のウ
ェーハの厚みは１００μｍ〜９００μｍとすることが好
ましい。この範囲未満では強度が不足し、この範囲以上
では撓みが不十分となる。本発明の他の態様では、第１
のウェーハである活性層を撓ませて、２枚の撓ませたウ
ェーハ同士を接合してもよい。この場合には、２枚のウ
ェーハが相似状態で貼合わされるので微視的な結晶性歪
の発生の防止がより効果的となることが期待できる。
するために、２枚のウェーハの少なくとも一方をたわま
せる。図１に示すように、非変形状態の第１のウェーハ
１に対して第２のウェーハ２をたわませて、それらの周
縁部の一点３を開始点として第１のウェーハ１と第２の
ウェーハ２との接合を行うものである。この際の撓み角
度には特に制限はなく、貼合わせ工程に有利な撓み角を
選定すればよい。また接合開始点３は特にオリエンテー
ションフラット位置である必要はなく、周縁部の任意の
点から接合を開始することができる。ここで、第２のウ
ェーハの厚みは１００μｍ〜９００μｍとすることが好
ましい。この範囲未満では強度が不足し、この範囲以上
では撓みが不十分となる。本発明の他の態様では、第１
のウェーハである活性層を撓ませて、２枚の撓ませたウ
ェーハ同士を接合してもよい。この場合には、２枚のウ
ェーハが相似状態で貼合わされるので微視的な結晶性歪
の発生の防止がより効果的となることが期待できる。
【００１２】本発明の方法においては、貼合わせ工程は
以下の治具を使用して行われる。図２には、この治具２
１を示している。この治具２１は、同図（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、例えばテフロン製の円盤状であっ
て、その半径方向の外側位置には円周方向に沿って等間
隔に配列するように真空吸引用の孔２２を形成してい
る。その上面にウェーハを載置して孔２２より真空吸引
を行うことにより、ウェーハの周縁部を変形させるもの
である。なお、接合ウェーハに結晶性歪が存在しないこ
とは、Ｘ線トポグラフィ法にて確認することができる。
この測定法にサーマルウェーブ信号測定およびライフタ
イム測定による欠陥層の評価法を併用するならば、より
確実に欠陥層が存在しないことを確認することができ
る。
以下の治具を使用して行われる。図２には、この治具２
１を示している。この治具２１は、同図（Ａ）および
（Ｂ）に示すように、例えばテフロン製の円盤状であっ
て、その半径方向の外側位置には円周方向に沿って等間
隔に配列するように真空吸引用の孔２２を形成してい
る。その上面にウェーハを載置して孔２２より真空吸引
を行うことにより、ウェーハの周縁部を変形させるもの
である。なお、接合ウェーハに結晶性歪が存在しないこ
とは、Ｘ線トポグラフィ法にて確認することができる。
この測定法にサーマルウェーブ信号測定およびライフタ
イム測定による欠陥層の評価法を併用するならば、より
確実に欠陥層が存在しないことを確認することができ
る。
【００１３】以上の本発明に係る半導体ウェーハの貼合
わせ方法は、第１および第２のウェーハの間に接合の際
に巻き込まれる気泡が存在せず、しかも、同心円状の歪
みが発生する際の起点となる接合開始点がウェーハ周縁
部に存在するため微視的な結晶性歪の発生を効果的に防
止することができる。なお、第１のウェーハと第２のウ
ェーハを減圧状態で貼合わせを行うならば、本発明の効
果をより高めることができる。
わせ方法は、第１および第２のウェーハの間に接合の際
に巻き込まれる気泡が存在せず、しかも、同心円状の歪
みが発生する際の起点となる接合開始点がウェーハ周縁
部に存在するため微視的な結晶性歪の発生を効果的に防
止することができる。なお、第１のウェーハと第２のウ
ェーハを減圧状態で貼合わせを行うならば、本発明の効
果をより高めることができる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例について詳述する。そ
の表面を鏡面研磨したＰ型、（１００）、口径５イン
チ、厚さ６２０μｍ、比抵抗３Ω・ｃｍ、酸素濃度［Ｏ
ｉ］＜１．５×１０18ｃｍ-3（旧ＡＳＴＭ）の２枚のシ
リコンウェーハを準備する。これらの２枚のシリコンウ
ェーハを室温で重ね合わせて本発明の方法で貼合わせ
た。次いで、１１００℃、１２０ｍｉｎの熱処理により
２枚のシリコンウェーハを一体化して貼合わせウェーハ
Ａを得た。また、これとは別に比較品として、通常の貼
合わせ方法（接合面の中心部を接合開始点とした方法）
によるウェーハＢを得た。サンプル数は各々１０枚とし
た。
の表面を鏡面研磨したＰ型、（１００）、口径５イン
チ、厚さ６２０μｍ、比抵抗３Ω・ｃｍ、酸素濃度［Ｏ
ｉ］＜１．５×１０18ｃｍ-3（旧ＡＳＴＭ）の２枚のシ
リコンウェーハを準備する。これらの２枚のシリコンウ
ェーハを室温で重ね合わせて本発明の方法で貼合わせ
た。次いで、１１００℃、１２０ｍｉｎの熱処理により
２枚のシリコンウェーハを一体化して貼合わせウェーハ
Ａを得た。また、これとは別に比較品として、通常の貼
合わせ方法（接合面の中心部を接合開始点とした方法）
によるウェーハＢを得た。サンプル数は各々１０枚とし
た。
【００１５】これらの貼合わせウェーハＡおよびＢを通
常のＸ線トポグラフィ法で評価した。その結果ウェーハ
Ａが１０枚とも同心円状の歪みが認められなかったのに
対し、ウェーハＢでは１０枚中８枚に微視的な結晶性歪
が認められた。図３に歪みのないウェーハＡの、図４に
歪みを生じたウェーハＢのＸ線トポグラフィ法により得
た写真を示す。さらに、サーマルウェーブ信号測定法お
よびライフタイム測定法にて結晶性歪の有無の評価を行
ったところ、同様の結果が得られた。この結果から本発
明の貼合わせ方法が確実に気泡、結晶性歪等の欠陥を防
止し得ることが明らかである。
常のＸ線トポグラフィ法で評価した。その結果ウェーハ
Ａが１０枚とも同心円状の歪みが認められなかったのに
対し、ウェーハＢでは１０枚中８枚に微視的な結晶性歪
が認められた。図３に歪みのないウェーハＡの、図４に
歪みを生じたウェーハＢのＸ線トポグラフィ法により得
た写真を示す。さらに、サーマルウェーブ信号測定法お
よびライフタイム測定法にて結晶性歪の有無の評価を行
ったところ、同様の結果が得られた。この結果から本発
明の貼合わせ方法が確実に気泡、結晶性歪等の欠陥を防
止し得ることが明らかである。
【００１６】
【発明の効果】本発明の半導体ウェーハの貼合わせ方法
は、接合の開始点をウェーハ周縁部の一点とすることで
貼合わせウェーハ界面に発生し易い、あらゆる欠陥の生
成を防止することができる。
は、接合の開始点をウェーハ周縁部の一点とすることで
貼合わせウェーハ界面に発生し易い、あらゆる欠陥の生
成を防止することができる。
【図１】本発明の半導体ウェーハの貼合わせ方法の一例
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図２】本発明の方法において用いられる貼合わせ用治
具の概略図である。
具の概略図である。
【図３】本発明の方法により得られた貼合わせ半導体ウ
ェーハのＸＲＴ写真である。
ェーハのＸＲＴ写真である。
【図４】従来の方法により得られた貼合わせ半導体ウェ
ーハのＸＲＴ写真である。
ーハのＸＲＴ写真である。
【図５】従来の半導体ウェーハの貼合わせ方法の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
１ 第１のウェーハ ２ 第２のウェーハ ３ 貼合わせ開始点
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降屋 久 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内 (72)発明者 新行内 隆之 埼玉県大宮市北袋町一丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 第１のウェーハおよび第２のウェーハの
うちの少なくとも一方を湾曲変形させながらそれらの接
合面同士を重ね合わせる半導体ウェーハの貼合わせ方法
において、 上記第１のウェーハの周辺部の一点と第２のウェーハの
周辺部の一点とを合致させて接合開始点とし、これらの
ウェーハの接合面の中心点を挟んでこの接合開始点の反
対側の対極点を接合終了点として、この接合開始点から
接合終了点に向かって順次接合を進行させることを特徴
とする半導体ウェーハの貼合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224492A JP2846994B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体ウェーハの貼合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10224492A JP2846994B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体ウェーハの貼合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275300A true JPH05275300A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2846994B2 JP2846994B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=14322208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10224492A Expired - Fee Related JP2846994B2 (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体ウェーハの貼合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2846994B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843832A (en) * | 1995-03-01 | 1998-12-01 | Virginia Semiconductor, Inc. | Method of formation of thin bonded ultra-thin wafers |
| JPH11344400A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-12-14 | Fresenius Medical Care Deutsche Gmbh | ２つの膜の気密結合方法 |
| US6455397B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-09-24 | Rona E. Belford | Method of producing strained microelectronic and/or optical integrated and discrete devices |
| US7947570B2 (en) | 2008-01-16 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate |
| JP2011519157A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-06-30 | エス． オー． アイ． テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | 分子結合によるウェハの組み立て方法 |
| JP2011249781A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| WO2013161906A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 並木精密宝石株式会社 | 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子 |
| JP2014042045A (ja) * | 2013-10-04 | 2014-03-06 | Nikon Corp | 接合方法および接合装置 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP10224492A patent/JP2846994B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843832A (en) * | 1995-03-01 | 1998-12-01 | Virginia Semiconductor, Inc. | Method of formation of thin bonded ultra-thin wafers |
| JPH11344400A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-12-14 | Fresenius Medical Care Deutsche Gmbh | ２つの膜の気密結合方法 |
| JP4514246B2 (ja) * | 1998-03-30 | 2010-07-28 | フレゼニウス メディカル ケア ドイッチェランド ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ２つの膜の気密接合方法 |
| US6455397B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-09-24 | Rona E. Belford | Method of producing strained microelectronic and/or optical integrated and discrete devices |
| US8985173B2 (en) | 2008-01-16 | 2015-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate |
| US7947570B2 (en) | 2008-01-16 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor substrate |
| JP2011519157A (ja) * | 2008-05-06 | 2011-06-30 | エス． オー． アイ． テック シリコン オン インシュレーター テクノロジーズ | 分子結合によるウェハの組み立て方法 |
| JP2011249781A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｓｏｉ基板の作製方法 |
| WO2013161906A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 並木精密宝石株式会社 | 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子 |
| EP2843687A4 (en) * | 2012-04-27 | 2015-12-23 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE, COMPOSITE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT |
| JPWO2013161906A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-12-24 | 並木精密宝石株式会社 | 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子 |
| US9455229B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-09-27 | Namiki Seimitsu Houseki Kabushiki Kaisha | Composite substrate manufacturing method, semiconductor element manufacturing method, composite substrate, and semiconductor element |
| JP2014042045A (ja) * | 2013-10-04 | 2014-03-06 | Nikon Corp | 接合方法および接合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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