JPH05304062A - 接合ウェーハ及びその製造方法 - Google Patents
接合ウェーハ及びその製造方法Info
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- JPH05304062A JPH05304062A JP10725392A JP10725392A JPH05304062A JP H05304062 A JPH05304062 A JP H05304062A JP 10725392 A JP10725392 A JP 10725392A JP 10725392 A JP10725392 A JP 10725392A JP H05304062 A JPH05304062 A JP H05304062A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ウェーハのエッジ部の未結合部分が研削・研磨
加工中に剥がれないようにする。 【構成】ベースウェーハ２のミラー面２Ｍに酸化シリコ
ン膜３を形成し、酸化シリコン膜３が中間層となるよう
にボンドウェーハ１をミラー面１Ｍ側で重ね合わる。所
定温度で加熱して接合一体化させた後、接合一体化され
た２枚のシリコンウェーハ１，２のエッジ部に、ＣＶＤ
法によりポリシリコン４を堆積させることによって、シ
リコンウェーハ１，２のエッジ部における未結合部分１
ａ，２ａの間にポリシリコン４を充填する。
加工中に剥がれないようにする。 【構成】ベースウェーハ２のミラー面２Ｍに酸化シリコ
ン膜３を形成し、酸化シリコン膜３が中間層となるよう
にボンドウェーハ１をミラー面１Ｍ側で重ね合わる。所
定温度で加熱して接合一体化させた後、接合一体化され
た２枚のシリコンウェーハ１，２のエッジ部に、ＣＶＤ
法によりポリシリコン４を堆積させることによって、シ
リコンウェーハ１，２のエッジ部における未結合部分１
ａ，２ａの間にポリシリコン４を充填する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、接合ウェーハ及びその
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、２枚のシ
リコンウェーハを接合一体化して成る接合ウェーハ及び
その製造方法に関するものである。
製造方法に関するものであり、更に詳しくは、２枚のシ
リコンウェーハを接合一体化して成る接合ウェーハ及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ(Si On Insulation)構造のウェー
ハを得る技術としては、サファイア単結晶基板に単結晶
シリコン膜をエピタキシャル成長させる技術やシリコン
基板上に熱酸化膜及び多結晶又はアモルファス状シリコ
ン膜を形成し、エネルギービーム(例えば電子線，レー
ザー光線等)でシリコン膜を単結晶化する技術が知られ
ている(特公昭62-34716号公報等)。しかし、いずれの場
合も実用に耐え得るＳＯＩ構造を得るのは困難である。
ハを得る技術としては、サファイア単結晶基板に単結晶
シリコン膜をエピタキシャル成長させる技術やシリコン
基板上に熱酸化膜及び多結晶又はアモルファス状シリコ
ン膜を形成し、エネルギービーム(例えば電子線，レー
ザー光線等)でシリコン膜を単結晶化する技術が知られ
ている(特公昭62-34716号公報等)。しかし、いずれの場
合も実用に耐え得るＳＯＩ構造を得るのは困難である。
【０００３】そこで、最近、２枚のミラーウェーハの少
なくとも一方を酸化し、得られた酸化膜が中間層となる
ようにして重ね合わせた後、所定温度で加熱接着し、少
なくとも一方のミラーウェーハを平面研削し、研磨・薄
膜化等を行うことによってＳＯＩ構造の接合ウェーハを
製造する方法が注目されている。以下、薄膜化されるウ
ェーハを「ボンドウェーハ」といい、補強材となる他方
のウェーハを「ベースウェーハ」ということにする。
なくとも一方を酸化し、得られた酸化膜が中間層となる
ようにして重ね合わせた後、所定温度で加熱接着し、少
なくとも一方のミラーウェーハを平面研削し、研磨・薄
膜化等を行うことによってＳＯＩ構造の接合ウェーハを
製造する方法が注目されている。以下、薄膜化されるウ
ェーハを「ボンドウェーハ」といい、補強材となる他方
のウェーハを「ベースウェーハ」ということにする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
２枚のミラーウェーハを接着した場合、図２に示すよう
に、ボンドウェーハ１及びベースウェーハ２のエッジ部
に、それぞれ未結合部分１ａ，２ａが生じてしまう。そ
のため、次の工程でボンドウェーハ１を平面研削・研磨
すると、未結合部分が図２(ｂ)に示すように剥がれ、ボ
ンドウェーハ１のエッジ部は、図２(ｃ)に示すように微
小な凹凸が形成された状態となる。ボンドウェーハ１の
エッジ部が剥がれて飛散すると、ボンドウェーハ１の表
面がパーティクル(未結合部分が剥がれてできたシリコ
ン粒子)で汚染されたり、傷つけられたりするといった
問題がある。尚、同図中、３は酸化シリコン膜(SiO2膜)
であり、１Ｍ及び２Ｍは、それぞれボンドウェーハ１及
びベースウェーハ２のミラー面である。
２枚のミラーウェーハを接着した場合、図２に示すよう
に、ボンドウェーハ１及びベースウェーハ２のエッジ部
に、それぞれ未結合部分１ａ，２ａが生じてしまう。そ
のため、次の工程でボンドウェーハ１を平面研削・研磨
すると、未結合部分が図２(ｂ)に示すように剥がれ、ボ
ンドウェーハ１のエッジ部は、図２(ｃ)に示すように微
小な凹凸が形成された状態となる。ボンドウェーハ１の
エッジ部が剥がれて飛散すると、ボンドウェーハ１の表
面がパーティクル(未結合部分が剥がれてできたシリコ
ン粒子)で汚染されたり、傷つけられたりするといった
問題がある。尚、同図中、３は酸化シリコン膜(SiO2膜)
であり、１Ｍ及び２Ｍは、それぞれボンドウェーハ１及
びベースウェーハ２のミラー面である。
【０００５】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であって、エッジ部の未結合部分が剥がれにくい接合ウ
ェーハを提供することを目的とする。また、ウェーハの
未結合部分が研削・研磨加工中に剥がれてパーティクル
が発生するのを防止しうる接合ウェーハの製造方法を提
供することを目的とする。
であって、エッジ部の未結合部分が剥がれにくい接合ウ
ェーハを提供することを目的とする。また、ウェーハの
未結合部分が研削・研磨加工中に剥がれてパーティクル
が発生するのを防止しうる接合ウェーハの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の接合ウェーハは、２枚のシリコンウェーハが酸
化膜を介しミラー面側で接合一体化されて成る接合ウェ
ーハにおいて、前記２枚のシリコンウェーハのエッジ部
における未結合部分の間に補強材料が充填されているこ
とを特徴としている。
本発明の接合ウェーハは、２枚のシリコンウェーハが酸
化膜を介しミラー面側で接合一体化されて成る接合ウェ
ーハにおいて、前記２枚のシリコンウェーハのエッジ部
における未結合部分の間に補強材料が充填されているこ
とを特徴としている。
【０００７】前記補強材料としては、例えばポリシリコ
ン，酸化シリコン，窒化シリコン等を用いることができ
る。
ン，酸化シリコン，窒化シリコン等を用いることができ
る。
【０００８】上記目的を達成するため本発明の接合ウェ
ーハの製造方法は、２枚のシリコンウェーハのうちの少
なくとも一方のシリコンウェーハのミラー面に酸化膜を
形成し、該酸化膜が中間層となるように前記２枚のシリ
コンウェーハをミラー面側で重ね合わせ、所定の温度で
加熱して接合一体化させる接合ウェーハの製造方法にお
いて、前記接合一体化された２枚のシリコンウェーハの
エッジ部における未結合部分の間に補強材料を堆積さ
せ、しかる後一方のシリコンウェーハを研削・研磨して
薄膜化することを特徴としている。
ーハの製造方法は、２枚のシリコンウェーハのうちの少
なくとも一方のシリコンウェーハのミラー面に酸化膜を
形成し、該酸化膜が中間層となるように前記２枚のシリ
コンウェーハをミラー面側で重ね合わせ、所定の温度で
加熱して接合一体化させる接合ウェーハの製造方法にお
いて、前記接合一体化された２枚のシリコンウェーハの
エッジ部における未結合部分の間に補強材料を堆積さ
せ、しかる後一方のシリコンウェーハを研削・研磨して
薄膜化することを特徴としている。
【０００９】前記補強材料は、例えばＣＶＤ(Chemical
Vapor Deposition)法により堆積させることができる。
Vapor Deposition)法により堆積させることができる。
【００１０】
【作用】本発明の構成によると、２枚のシリコンウェー
ハのエッジ部における未結合部分の間に補強材料が充填
されることにより、シリコンウェーハのエッジ部の強度
が向上する。
ハのエッジ部における未結合部分の間に補強材料が充填
されることにより、シリコンウェーハのエッジ部の強度
が向上する。
【００１１】また、本発明の構成によると、例えばＣＶ
Ｄ法により２枚のシリコンウェーハのエッジ部における
未結合部分の間に補強材料を堆積成長させることによ
り、エッジ部における未結合部分が補強材料で埋まって
密着されるため、研削・研磨加工等を行っても未結合部
分が剥がれたりすることがない。
Ｄ法により２枚のシリコンウェーハのエッジ部における
未結合部分の間に補強材料を堆積成長させることによ
り、エッジ部における未結合部分が補強材料で埋まって
密着されるため、研削・研磨加工等を行っても未結合部
分が剥がれたりすることがない。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、図２に示す従来例の各部と同一の部分には同
一の符号を付して詳しい説明を省略する。
する。尚、図２に示す従来例の各部と同一の部分には同
一の符号を付して詳しい説明を省略する。
【００１３】図１は本発明の一実施例を示す接合ウェー
ハの製造工程図である。まず、２枚の単結晶シリコンか
ら成るミラーウェーハを用意する。図１(ａ)に２枚のミ
ラーウェーハのエッジ部を断面的に示す。一方のミラー
ウェーハは半導体素子形成面となるべきボンドウェーハ
１であり、他方のミラーウェーハはその補強材となるべ
きベースウェーハ２である。ベースウェーハ２の表面に
は、予め酸化により酸化シリコン膜(SiO2膜)３を形成し
ておく。尚、酸化シリコン膜３が中間層となるように、
２枚のシリコンウェーハ１，２をミラー面１Ｍ，２Ｍ側
で重ね合わせることができるのであれば、酸化シリコン
膜３は、２枚のシリコンウェーハ１，２のうちの少なく
とも一方のシリコンウェーハのミラー面１Ｍ，２Ｍに形
成されていればよい。
ハの製造工程図である。まず、２枚の単結晶シリコンか
ら成るミラーウェーハを用意する。図１(ａ)に２枚のミ
ラーウェーハのエッジ部を断面的に示す。一方のミラー
ウェーハは半導体素子形成面となるべきボンドウェーハ
１であり、他方のミラーウェーハはその補強材となるべ
きベースウェーハ２である。ベースウェーハ２の表面に
は、予め酸化により酸化シリコン膜(SiO2膜)３を形成し
ておく。尚、酸化シリコン膜３が中間層となるように、
２枚のシリコンウェーハ１，２をミラー面１Ｍ，２Ｍ側
で重ね合わせることができるのであれば、酸化シリコン
膜３は、２枚のシリコンウェーハ１，２のうちの少なく
とも一方のシリコンウェーハのミラー面１Ｍ，２Ｍに形
成されていればよい。
【００１４】次に、このウェーハ１，２同士を酸化膜３
を介してミラー面１Ｍ，２Ｍ側で重ね合わせてＣＶＤ装
置に入れ、所定の温度・時間(例えば、約１１００℃で
３時間)で加熱接着する。
を介してミラー面１Ｍ，２Ｍ側で重ね合わせてＣＶＤ装
置に入れ、所定の温度・時間(例えば、約１１００℃で
３時間)で加熱接着する。
【００１５】そして、接合一体化された２枚のシリコン
ウェーハ１，２のエッジ部に、ポリシリコン４をＣＶＤ
法により堆積成長させる(図１(ｂ))。その結果、同図
(ｂ)に示すように、２枚のシリコンウェーハ１，２のエ
ッジ部における未結合部分１ａ，２ａの間にポリシリコ
ンが補強材料として充填される。
ウェーハ１，２のエッジ部に、ポリシリコン４をＣＶＤ
法により堆積成長させる(図１(ｂ))。その結果、同図
(ｂ)に示すように、２枚のシリコンウェーハ１，２のエ
ッジ部における未結合部分１ａ，２ａの間にポリシリコ
ンが補強材料として充填される。
【００１６】本実施例では、ポリシリコンを補強材料と
して用いているが、これに代え酸化シリコン，窒化シリ
コン等の補強材料を用いても十分な強度及び接着力を得
ることができる。本発明において、ポリシリコンを補強
材料として用いたときは、後述研削・研磨加工を、ボン
ドウェーハの研磨速度と同じレベルで行うことができ、
有利である。また、本発明において、ポリシリコンを用
いた接合ウェーハは、エッチング処理を有効に行い得る
ものである。
して用いているが、これに代え酸化シリコン，窒化シリ
コン等の補強材料を用いても十分な強度及び接着力を得
ることができる。本発明において、ポリシリコンを補強
材料として用いたときは、後述研削・研磨加工を、ボン
ドウェーハの研磨速度と同じレベルで行うことができ、
有利である。また、本発明において、ポリシリコンを用
いた接合ウェーハは、エッチング処理を有効に行い得る
ものである。
【００１７】本実施例では、ＣＶＤ法によりポリシリコ
ン４の堆積を行うが、未結合部分１ａ，２ａの間にポリ
シリコン４が回り込んで堆積し、充填されるような方法
であれば、ＣＶＤ法に限らず採用可能である。
ン４の堆積を行うが、未結合部分１ａ，２ａの間にポリ
シリコン４が回り込んで堆積し、充填されるような方法
であれば、ＣＶＤ法に限らず採用可能である。
【００１８】ついで、平面研削・研磨によって、ボンド
ウェーハ１を背面から所定の厚さに研削・研磨して薄膜
化すると、図１(ｃ)に示す接合ウェーハを得ることがで
きる。ここで、図１(ｂ)中、点線より上の部分は、研削
・研磨により除去される部分を示している。ボンドウェ
ーハ１とベースウェーハ２とのエッジ部の未結合部分
は、ポリシリコン４が埋まり密着されているので、研削
・研磨加工中にボンドウェーハ１の一部が剥がれてパー
ティクルが発生することがなく、よってボンドウェーハ
１表面が汚染されたり傷ついたりすることもない。
ウェーハ１を背面から所定の厚さに研削・研磨して薄膜
化すると、図１(ｃ)に示す接合ウェーハを得ることがで
きる。ここで、図１(ｂ)中、点線より上の部分は、研削
・研磨により除去される部分を示している。ボンドウェ
ーハ１とベースウェーハ２とのエッジ部の未結合部分
は、ポリシリコン４が埋まり密着されているので、研削
・研磨加工中にボンドウェーハ１の一部が剥がれてパー
ティクルが発生することがなく、よってボンドウェーハ
１表面が汚染されたり傷ついたりすることもない。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り本発明の接合ウェーハ
によれば、２枚のシリコンウェーハが酸化膜を介しミラ
ー面側で接合一体化されて成る接合ウェーハにおいて、
前記２枚のシリコンウェーハのエッジ部における未結合
部分の間に補強材料が充填されているため、エッジ部の
未結合部分が剥がれにくい接合ウェーハを実現すること
ができる。
によれば、２枚のシリコンウェーハが酸化膜を介しミラ
ー面側で接合一体化されて成る接合ウェーハにおいて、
前記２枚のシリコンウェーハのエッジ部における未結合
部分の間に補強材料が充填されているため、エッジ部の
未結合部分が剥がれにくい接合ウェーハを実現すること
ができる。
【００２０】また、本発明の接合ウェーハの製造方法に
よれば、２枚のシリコンウェーハのうちの少なくとも一
方のシリコンウェーハのミラー面に酸化膜を形成し、こ
の酸化膜が中間層となるように前記２枚のシリコンウェ
ーハをミラー面側で重ね合わせ、所定の温度で加熱して
接合一体化させる接合ウェーハの製造方法において、前
記接合一体化された２枚のシリコンウェーハのエッジ部
の未結合部分に、例えばＣＶＤ法により、補強材料を堆
積させることにより上記未結合部分が、補強材料によっ
て埋まり密着するため、この結合部分が研削・研磨加工
中に剥がれてパーティクルが発生するのを防止すること
ができる。
よれば、２枚のシリコンウェーハのうちの少なくとも一
方のシリコンウェーハのミラー面に酸化膜を形成し、こ
の酸化膜が中間層となるように前記２枚のシリコンウェ
ーハをミラー面側で重ね合わせ、所定の温度で加熱して
接合一体化させる接合ウェーハの製造方法において、前
記接合一体化された２枚のシリコンウェーハのエッジ部
の未結合部分に、例えばＣＶＤ法により、補強材料を堆
積させることにより上記未結合部分が、補強材料によっ
て埋まり密着するため、この結合部分が研削・研磨加工
中に剥がれてパーティクルが発生するのを防止すること
ができる。
【図１】本発明の実施例の製造工程を示す図。
【図２】従来例を説明するための図。
１ …ボンドウェーハ １ａ …未結合部分 １Ｍ …ミラー面 ２ …ベースウェーハ ２ａ …未結合部分 ２Ｍ …ミラー面 ３ …酸化シリコン膜(SiO2膜) ４ …ポリシリコン
Claims (2)
- 【請求項１】２枚のシリコンウェーハが酸化膜を介しミ
ラー面側で接合一体化されて成る接合ウェーハにおい
て、 前記２枚のシリコンウェーハのエッジ部における未結合
部分の間に補強材料が充填されていることを特徴とする
接合ウェーハ。 - 【請求項２】２枚のシリコンウェーハのうちの少なくと
も一方のシリコンウェーハのミラー面に酸化膜を形成
し、該酸化膜が中間層となるように前記２枚のシリコン
ウェーハをミラー面側で重ね合わせ、所定の温度で加熱
して接合一体化させる接合ウェーハの製造方法におい
て、 前記接合一体化された２枚のシリコンウェーハのエッジ
部における未結合部分の間に補強材料を堆積させ、しか
る後一方のシリコンウェーハを研削・研磨して薄膜化す
ることを特徴とする接合ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10725392A JPH05304062A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 接合ウェーハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10725392A JPH05304062A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 接合ウェーハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304062A true JPH05304062A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14454366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10725392A Pending JPH05304062A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 接合ウェーハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304062A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112530881A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| WO2023026806A1 (ja) | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2023026719A1 (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2023042547A1 (ja) | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| KR20240046827A (ko) | 2021-09-01 | 2024-04-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 방법 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP10725392A patent/JPH05304062A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112530881A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| JP2021048303A (ja) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
| US11621239B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-04-04 | Kioxia Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN112530881B (zh) * | 2019-09-19 | 2024-02-27 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| WO2023026806A1 (ja) | 2021-08-26 | 2023-03-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20240046589A (ko) | 2021-08-26 | 2024-04-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| WO2023026719A1 (ja) | 2021-08-27 | 2023-03-02 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR20240049338A (ko) | 2021-08-27 | 2024-04-16 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR20240046827A (ko) | 2021-09-01 | 2024-04-09 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 방법 |
| WO2023042547A1 (ja) | 2021-09-14 | 2023-03-23 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理方法 |
| KR20240052985A (ko) | 2021-09-14 | 2024-04-23 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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