JP2010258463A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造の容易化、集光特性の向上を図る。
【解決手段】SOI基板310の上部の単結晶シリコン層312内に、光照射面となる単結晶シリコン層312表面から同基板の酸化シリコン層311の方向に光電変換素子320を形成し、単結晶シリコン層312上部に、第1の支持基板330を形成し、ウェーハを反転して、SOI基板310及び酸化シリコン層311を除去し、単結晶シリコン層312の第1の支持基板330と反対側の面に配線層を形成し、配線層上に、第2の支持基板を貼り合わせ、ウェーハを反転して、第1の支持基板330を除去する。
【選択図】図5
【解決手段】SOI基板310の上部の単結晶シリコン層312内に、光照射面となる単結晶シリコン層312表面から同基板の酸化シリコン層311の方向に光電変換素子320を形成し、単結晶シリコン層312上部に、第1の支持基板330を形成し、ウェーハを反転して、SOI基板310及び酸化シリコン層311を除去し、単結晶シリコン層312の第1の支持基板330と反対側の面に配線層を形成し、配線層上に、第2の支持基板を貼り合わせ、ウェーハを反転して、第1の支持基板330を除去する。
【選択図】図5
Description
本発明は、半導体基板の片面に能動素子や配線層を形成するとともに、その裏面側に光電変換素子を配置し、裏面を光電変換素子の受光領域とした裏面照射型の固定撮像素子の製造方法に関するものである。
従来より、例えば2次元配列された多数の画素を有し、各画素毎にフォトダイオードの光電変換素子や画素信号読み出し用の複数のMOSトランジスタを設けたCMOSイメージセンサが提供されている。
そして、このような従来のCMOSイメージセンサにおいて、半導体基板の上面に光電変換素子やMOSトランジスタや各種配線を配置したものが一般的であったが、この場合、光電変換素子の受光領域がMOSトランジスタや配線等を避けるように配置することが必要となるので、半導体基板の上面積や画素数に比較して受光領域の開口率が小さくなる。
そこで、最近は、半導体基板の片面にMOSトランジスタや配線層を形成するとともに、その裏面側に光電変換素子を配置し、裏面を受光領域とした裏面照射型の固定撮像素子が注目されている。
そして、このような従来のCMOSイメージセンサにおいて、半導体基板の上面に光電変換素子やMOSトランジスタや各種配線を配置したものが一般的であったが、この場合、光電変換素子の受光領域がMOSトランジスタや配線等を避けるように配置することが必要となるので、半導体基板の上面積や画素数に比較して受光領域の開口率が小さくなる。
そこで、最近は、半導体基板の片面にMOSトランジスタや配線層を形成するとともに、その裏面側に光電変換素子を配置し、裏面を受光領域とした裏面照射型の固定撮像素子が注目されている。
図8は従来の裏面照射型固体撮像素子の具体例を示す断面図である。
この固体撮像素子は、シリコン基板10に複数のフォトダイオード12を設け、その上面に多層の配線層14を設けたものである。各フォトダイオード12はシリコン基板10の下面(裏面)側から受光する構造となっており、シリコン基板10の下面には大きな凹部16を設けることにより、素子領域が薄く形成され、被写体から照射された光がフォトダイオード12に取り込まれる。なお、凹部16内には不図示のカラーフィルタやマイクロレンズ等の上層物が配置される。
しかしながら、この固体撮像素子では、シリコン基板10の裏面側に凹部16を形成するための研削及びエッチング処理が技術的にも難しく、かつ極めて長時間を要することから、実用化が困難であるという問題がある。
そこで、シリコン酸化膜で補強した薄い平板状のシリコン基板にフォトダイオードを設け、上述のような凹部を設ける必要をなくした構造の固体撮像素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。
この固体撮像素子は、シリコン基板10に複数のフォトダイオード12を設け、その上面に多層の配線層14を設けたものである。各フォトダイオード12はシリコン基板10の下面(裏面)側から受光する構造となっており、シリコン基板10の下面には大きな凹部16を設けることにより、素子領域が薄く形成され、被写体から照射された光がフォトダイオード12に取り込まれる。なお、凹部16内には不図示のカラーフィルタやマイクロレンズ等の上層物が配置される。
しかしながら、この固体撮像素子では、シリコン基板10の裏面側に凹部16を形成するための研削及びエッチング処理が技術的にも難しく、かつ極めて長時間を要することから、実用化が困難であるという問題がある。
そこで、シリコン酸化膜で補強した薄い平板状のシリコン基板にフォトダイオードを設け、上述のような凹部を設ける必要をなくした構造の固体撮像素子が提案されている(例えば特許文献1参照)。
しかしながら、上記従来の固体撮像素子では、フォトダイオードを設けたシリコン基板の裏面に厚いシリコン酸化膜を有する構造であるため、フォトダイオードに入射する光の一部がシリコン酸化膜によって吸収され、フォトダイオードへの集光特性が低下するという問題があった。
そこで本発明は、製造が容易で集光特性に優れた固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
そこで本発明は、製造が容易で集光特性に優れた固体撮像素子の製造方法を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像素子の製造方法は、以下の工程を有する。まず、SOI基板の上部の単結晶シリコン層内に、光照射面となる前記単結晶シリコン層表面から同基板の酸化シリコン層の方向に光電変換素子を形成する。次に、単結晶シリコン層上部に、第1の支持基板を形成する。次に、ウェーハを反転して、SOI基板及び酸化シリコン層を除去する。次に、単結晶シリコン層の第1の支持基板と反対側の面に配線層を形成する。次に、配線層上に、第2の支持基板を貼り合わせる。次に、ウェーハを反転して、第1の支持基板を除去する。
本発明による固体撮像素子の製造方法によれば、SOI基板上部に形成された単結晶シリコン層を薄膜化し、この単結晶シリコン層内に光電変換素子を形成した後、その上に配線層を形成し、さらにSOI基板の酸化シリコン層を単結晶シリコン層から除去するようにしたことから、煩雑な工程を要することなく薄膜化したシリコン層内に容易に光電変換素子を形成でき、かつ、膜厚の大きい酸化膜を光電変換素子の受光部上に残すことなく固体撮像素子を完成でき、集光効率のよい固体撮像素子を作成できる効果がある。
また本発明で形成される固体撮像素子は、支持基板によって機械的に補強された薄膜平板状の単結晶シリコン層内に光電変換素子を有し、その受光部上に薄い層間絶縁膜を介してカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを有する構造により、膜厚の大きい酸化膜を光電変換素子の受光部上に設けることなくマイクロレンズを近接配置でき、集光効率のよい固体撮像素子を提供できる効果がある。
また本発明で形成される固体撮像素子は、支持基板によって機械的に補強された薄膜平板状の単結晶シリコン層内に光電変換素子を有し、その受光部上に薄い層間絶縁膜を介してカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを有する構造により、膜厚の大きい酸化膜を光電変換素子の受光部上に設けることなくマイクロレンズを近接配置でき、集光効率のよい固体撮像素子を提供できる効果がある。
本発明の実施の形態は、酸化シリコン基板と単結晶シリコン基板の2層基板を作製し、この2層基板のシリコン基板を全面エッチング等によって薄型化し、厚さが5μm程度のシリコン基板とした後、このシリコン基板内にフォトダイオード等の素子を形成する。そして、そのシリコン基板の上部に多層配線層、シリコン酸化膜、支持シリコン基板を貼り合わせて機械的強度を向上させた後、最初の酸化シリコン基板を除去する。この後、シリコン基板の上(裏面側)に、層間絶縁膜、カラーフィルタ、及びオンチップマイクロレンズを形成し、固体撮像素子を完成する。
[参考例]
図1は参考例による固体撮像素子の構造を示す断面図である。
図示のように、本例の固体撮像素子は、支持シリコン基板110の片面(裏面)側に反射防止膜等の2層のシリコン酸化膜120を介して多層配線層130が設けられ、この多層配線層130に薄い平板状のシリコン基板140が積層され、このシリコン基板140に複数の光電変換素子(フォトダイオード)150が形成されている。
各フォトダイオード150は、シリコン基板140の裏面側を受光部として形成されており、さらに、このシリコン基板140の裏面側には層間絶縁膜160を介してカラーフィルタ170及びオンチップマイクロレンズ180が設けられている。
このような固体撮像素子では、フォトダイオード150の受光部が薄い層間絶縁膜160を介してカラーフィルタ170及びオンチップマイクロレンズ180に接しており、上述した特許文献1による従来例に比較して絶縁膜が薄い分だけ高い集光効率を実現したものとなっている。
図1は参考例による固体撮像素子の構造を示す断面図である。
図示のように、本例の固体撮像素子は、支持シリコン基板110の片面(裏面)側に反射防止膜等の2層のシリコン酸化膜120を介して多層配線層130が設けられ、この多層配線層130に薄い平板状のシリコン基板140が積層され、このシリコン基板140に複数の光電変換素子(フォトダイオード)150が形成されている。
各フォトダイオード150は、シリコン基板140の裏面側を受光部として形成されており、さらに、このシリコン基板140の裏面側には層間絶縁膜160を介してカラーフィルタ170及びオンチップマイクロレンズ180が設けられている。
このような固体撮像素子では、フォトダイオード150の受光部が薄い層間絶縁膜160を介してカラーフィルタ170及びオンチップマイクロレンズ180に接しており、上述した特許文献1による従来例に比較して絶縁膜が薄い分だけ高い集光効率を実現したものとなっている。
次に、本例の固体撮像素子の製造方法について説明する。
図2は本例の固体撮像素子の基本的な製造工程を示す断面図である。
まず、図2(A)において、酸化シリコン基板141と単結晶シリコン基板142の2層からなる基板を作製する。この2層基板は、各基板を貼り合わせたものや、もしくは図示の例のように、石英基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させたSOI基板を用いるものとする。
次に、図2(B)において、シリコン基板142を全面エッチング等によって薄型化し、厚さが5μm程度のシリコン基板140とする。
続いて、図2(C)に示すように、シリコン基板140内にフォトダイオード150等の素子を形成する。この場合、フォトダイオード150の受光部を酸化シリコン基板141側に向けて形成する。
そして、そのシリコン基板140の上部に多層配線層130を形成し、その上部に、図2(D)に示すように、2層のシリコン酸化膜120を介して支持シリコン基板110を貼り合わせて機械的強度を向上させた後、研削、エッチングまたはそれらを併用することによって裏面側の酸化シリコン基板(石英基板)141を除去する。
この後、図1に示したように、シリコン基板140の上(裏面側)に、上述した薄い層間絶縁膜160、カラーフィルタ170、及びオンチップマイクロレンズ180を形成し、固体撮像素子を完成する。
図2は本例の固体撮像素子の基本的な製造工程を示す断面図である。
まず、図2(A)において、酸化シリコン基板141と単結晶シリコン基板142の2層からなる基板を作製する。この2層基板は、各基板を貼り合わせたものや、もしくは図示の例のように、石英基板上に単結晶シリコンをエピタキシャル成長させたSOI基板を用いるものとする。
次に、図2(B)において、シリコン基板142を全面エッチング等によって薄型化し、厚さが5μm程度のシリコン基板140とする。
続いて、図2(C)に示すように、シリコン基板140内にフォトダイオード150等の素子を形成する。この場合、フォトダイオード150の受光部を酸化シリコン基板141側に向けて形成する。
そして、そのシリコン基板140の上部に多層配線層130を形成し、その上部に、図2(D)に示すように、2層のシリコン酸化膜120を介して支持シリコン基板110を貼り合わせて機械的強度を向上させた後、研削、エッチングまたはそれらを併用することによって裏面側の酸化シリコン基板(石英基板)141を除去する。
この後、図1に示したように、シリコン基板140の上(裏面側)に、上述した薄い層間絶縁膜160、カラーフィルタ170、及びオンチップマイクロレンズ180を形成し、固体撮像素子を完成する。
以上のような本参考例の固体撮像素子は、シリコン基板140内に形成したフォトダイオード150の受光部とオンチップマイクロレンズ180が薄い層間絶縁膜160及びカラーフィルタ170を介して近接して配置されるので、上述した特許文献1の従来例に比較して集光効率を改善でき、また、図8に示した従来例のように凹部を設ける必要がなく、容易に作成できる効果がある。
また、従来はシリコン基板中にフォトダイオードを形成して基板表面をエッチングやポリッシングで所望の厚さに薄膜化することは極めて困難であったが、本実施例では、上述のように酸化シリコン基板141上に5μm程度のシリコン基板140を形成してフォトダイオード150を形成し、その後、酸化シリコン基板141を完全に除去する方法であることから、フォトダイオード150の受光部上のシリコン層を容易かつ高精度に所望の厚さに薄膜化することができる。
また、従来はシリコン基板中にフォトダイオードを形成して基板表面をエッチングやポリッシングで所望の厚さに薄膜化することは極めて困難であったが、本実施例では、上述のように酸化シリコン基板141上に5μm程度のシリコン基板140を形成してフォトダイオード150を形成し、その後、酸化シリコン基板141を完全に除去する方法であることから、フォトダイオード150の受光部上のシリコン層を容易かつ高精度に所望の厚さに薄膜化することができる。
次に、本発明の参考例としてさらに具体的な固体撮像素子の製造工程を説明する。
図3及び図4は本例による固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
図示の例は、1回の貼り合わせ工程を有する例であり、まず、図3(A)でSOI基板210上のシリコン層211の上層に、酸化シリコン層212、及びシリコン層213を形成する。そして、図3(B)でシリコン層213にフォトダイオード220を形成し、図3(C)に示すように、その上に多層配線層230を形成する。
この後、図3(D)に示すように、多層配線層230の上に支持基板240を例えば熱可塑性樹脂やSOG、金属接合等を用いた低温貼り合わせによって設け、図4(E)及び(F)に示すように、ウェーハを反転して裏面側のSOI基板210、シリコン層211及び酸化シリコン層212をエッチング等によって除去し、シリコン層213を露呈させる。そして、図4(G)に示すように、このシリコン層213の上に反射防止膜や電極パッド等を形成し、その上にカラーフィルタやオンチップレンズ等を形成していく。
図3及び図4は本例による固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
図示の例は、1回の貼り合わせ工程を有する例であり、まず、図3(A)でSOI基板210上のシリコン層211の上層に、酸化シリコン層212、及びシリコン層213を形成する。そして、図3(B)でシリコン層213にフォトダイオード220を形成し、図3(C)に示すように、その上に多層配線層230を形成する。
この後、図3(D)に示すように、多層配線層230の上に支持基板240を例えば熱可塑性樹脂やSOG、金属接合等を用いた低温貼り合わせによって設け、図4(E)及び(F)に示すように、ウェーハを反転して裏面側のSOI基板210、シリコン層211及び酸化シリコン層212をエッチング等によって除去し、シリコン層213を露呈させる。そして、図4(G)に示すように、このシリコン層213の上に反射防止膜や電極パッド等を形成し、その上にカラーフィルタやオンチップレンズ等を形成していく。
次に、本発明の実施例1として具体的な固体撮像素子の製造工程を説明する。
図5及び図6は本実施例による固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
図示の例は、2回の貼り合わせ工程を有する例であり、まず、図5(A)でSOI基板310上に酸化シリコン層311、シリコン層312を形成する。そして、図5(B)でシリコン層312にフォトダイオード320を形成し、図5(C)に示すように、その上に酸化シリコン層331を設けた第1の支持基板330を高温貼り付け等によって接合する。
次に、図5(D)及び図6(E)に示すようにウェーハを反転し、SOI基板310及び酸化シリコン層311を分離する。そして、図6(F)に示すように、シリコン層312上に多層配線層340を形成後、さらに図6(G)でその上に酸化シリコン層351を設けた第2の支持基板350を貼り合わせる。
そして、図7(H)で再度ウェーハを反転し、図7(I)で第1の支持基板330及び酸化シリコン層331をエッチング等によって除去し、図7(J)に示すように、シリコン層312を露呈させる。そして、このシリコン層312の上に反射防止膜や電極パッド等を形成し、その上にカラーフィルタやオンチップレンズ等を形成していく。
図5及び図6は本実施例による固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
図示の例は、2回の貼り合わせ工程を有する例であり、まず、図5(A)でSOI基板310上に酸化シリコン層311、シリコン層312を形成する。そして、図5(B)でシリコン層312にフォトダイオード320を形成し、図5(C)に示すように、その上に酸化シリコン層331を設けた第1の支持基板330を高温貼り付け等によって接合する。
次に、図5(D)及び図6(E)に示すようにウェーハを反転し、SOI基板310及び酸化シリコン層311を分離する。そして、図6(F)に示すように、シリコン層312上に多層配線層340を形成後、さらに図6(G)でその上に酸化シリコン層351を設けた第2の支持基板350を貼り合わせる。
そして、図7(H)で再度ウェーハを反転し、図7(I)で第1の支持基板330及び酸化シリコン層331をエッチング等によって除去し、図7(J)に示すように、シリコン層312を露呈させる。そして、このシリコン層312の上に反射防止膜や電極パッド等を形成し、その上にカラーフィルタやオンチップレンズ等を形成していく。
110……支持シリコン基板、120……シリコン酸化膜、130……多層配線層、14
0……シリコン基板、150……光電変換素子(フォトダイオード)、160……層間絶
縁膜、170……カラーフィルタ、180……オンチップマイクロレンズ。
0……シリコン基板、150……光電変換素子(フォトダイオード)、160……層間絶
縁膜、170……カラーフィルタ、180……オンチップマイクロレンズ。
Claims (5)
- SOI基板の上部の単結晶シリコン層内に、光照射面となる前記単結晶シリコン層表面から同基板の酸化シリコン層の方向に光電変換素子を形成する工程と、
前記単結晶シリコン層上部に、第1の支持基板を形成する工程と、
ウェーハを反転して、前記SOI基板及び酸化シリコン層を除去する工程と、
前記単結晶シリコン層の前記第1の支持基板と反対側の面に配線層を形成する工程と、
前記配線層上に、第2の支持基板を貼り合わせる工程と、
ウェーハを反転して、前記第1の支持基板を除去する工程と、
を有することを特徴とする個体撮像装置の製造方法。 - 前記光電変換素子は、前記単結晶シリコン層内において、前記単結晶シリコン層表面側に形成される領域とその下層に形成される領域とにより、T字状に形成されている
請求項1に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1のシリコン基板の表面には、第1の酸化シリコン層が設けられており、前記単結晶シリコン層上部に第1の支持基板を貼り合わせる工程では、前記第1の酸化シリコン層側が前記単結晶シリコン層側となるように、前記単結晶シリコン層上部に、前記第1の酸化シリコン層が設けられた第1の支持基板を貼り合わせる
請求項1又は2に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第2のシリコン基板の表面には、第2の酸化シリコン層が設けられており、前記配線層上に第2の支持基板を貼り合わせる工程では、前記第2の酸化シリコン層側が、前記配線層側となるように、前記配線層上に、前記第2の酸化シリコン層が設けられた第2の支持基板を貼り合わせる
請求項1〜3のいずれか一項に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1の支持基板を前記単結晶シリコン層から除去した後、前記単結晶シリコン層上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜上にカラーフィルタ及びオンチップマイクロレンズを設ける工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の個体撮像装置の製造方法。
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