JP2012094765A - 半導体レーザ装置および光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数の半導体レーザ素子が搭載される場合に小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、放熱基台４０と、放熱基台４０の上面４０ａ上にＢ２方向に沿って配置されるパッド電極４１、４２および４３と、パッド電極４１、４２および４３の各々の上面に接合されるとともに、Ｂ２方向と交差するＡ１方向にレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０と、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０に対して後方側（Ａ２側）に受光面６０ａが配置されるＰＤ６０とを備える。そして、パッド電極４２は、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置される引き出し用配線部分４２ｂを含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、電極を介して複数の半導体レーザ素子が接合される基台と、受光素子とを備えた半導体レーザ装置および光装置に関する。
従来、電極を介して複数の半導体レーザ素子が接合される基台と、受光素子とを備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
上記特許文献１には、基台と、基台の上面上に所定の方向（横方向）に並んで配置された複数の半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の後方に配置されるとともにレーザ光強度をモニタする受光素子とを備えた半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、基台の上面上に横方向に並ぶように複数の電極が形成されており、各電極の上面に個々の半導体レーザ素子が接合されている。また、各電極には、半導体レーザ素子の接合領域外の部分にワイヤボンド部が設けられている。なお、複数の半導体レーザ素子のうち、横方向の端部（両端部）以外の内側の半導体レーザ素子が接続される電極は、隣接する半導体レーザ素子との間の領域に、ワイヤボンド部が横方向に突出している。
特開２００４−５５７４４号公報
しかしながら、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、横方向の端部（両端部）以外の内側の半導体レーザ素子が接続される電極に対して、隣接する半導体レーザ素子との間の領域に突出するワイヤボンド部が設けられているため、電極同士の配置間隔がワイヤボンド部の幅の分だけ増加する。したがって、このようなワイヤボンド部を有する電極が横方向に繰り返し並べられた場合には、基台の幅が増加するため、半導体レーザ装置が大型化するという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、複数の半導体レーザ素子が搭載される場合に小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。
課題を解決するための手段および発明の効果
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、基台と、基台の上面上に第１方向に沿って配置される複数の電極と、複数の電極の各々の上面に接合されるとともに、第１方向と交差する第２方向にレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、複数の半導体レーザ素子に対して第２方向とは反対の基台の第３方向側に受光面が配置される受光素子とを備え、複数の電極のうちの第１方向に沿った端部以外の位置に配置された電極は、受光素子の受光面上に配置される引き出し用配線部分を含む。
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、複数の電極のうちの第１方向に沿った端部以外の位置に配置された電極が、受光素子の受光面上に配置される引き出し用配線部分を含むことによって、両隣を他の電極に挟まれた内側の電極に対して、この電極と隣接する他の電極との間の領域を使用することなく、後方の受光素子の受光面上を経由して外部に引き出される配線部分を設けることができる。これにより、互いに第１方向に隣接する電極間に、引き出し用の配線部分やワイヤボンディングのためのワイヤボンド部などを設ける必要がないので、配置間隔をより狭めた状態で電極同士を第１方向に沿って配置することができる。この結果、基台の第１方向の幅を小さくすることができるので、複数の半導体レーザ素子が搭載される半導体レーザ装置の小型化を図ることができる。
また、内側の電極が有するワイヤボンド部を、隣接する複数の電極および半導体レーザ素子から遠ざけて形成することができるので、ワイヤボンディング時にも各々の電極へのワイヤボンディングを容易に行うことができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、引き出し用配線部分は、受光素子の受光面上に絶縁膜を介して形成されている。このように構成すれば、受光素子の受光面と引き出し用配線部分との電気的な接触を容易に防止することができる。これにより、半導体レーザ素子への電力供給路と、受光素子への電極供給路とを確実に絶縁分離することができる。
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、引き出し用配線部分を含む電極は、その電極に対応する半導体レーザ素子が接合される素子接合部分をさらに含み、引き出し用配線部分は、素子接合部分の第３方向側の端部のうちの、半導体レーザ素子の第２方向に延びる第１中心線よりも第１方向に隣接する半導体レーザ素子側に寄せられた位置を起点として受光素子の受光面上を第３方向に延びる第１部分を有する。このように構成すれば、平面的に見て、半導体レーザ素子が有する出射端面のうちの第１中心線近傍に形成されるレーザ光出射点と、引き出し用配線部分とが重ならないように配置することができる。これにより、引き出し用配線部分（第１部分）が、レーザ光出射点の後方（第３方向側）に位置する受光素子の受光面（受光領域）を遮ることを容易に抑制することができる。
この場合、好ましくは、第１部分の少なくとも一部は、第１中心線と、第１方向に隣接する半導体レーザ素子の第２方向に延びる第２中心線との間の中間位置に沿って延びる中間線上を第３方向に延びている。このように構成すれば、引き出し用配線部分（第１部分）が、受光素子の受光面のうちの引き出し用配線部分を含む電極に接合される半導体レーザ素子用の受光領域のみならず、第１方向に隣接する半導体レーザ素子用の受光領域を遮ることをも容易に抑制することができる。
上記引き出し用配線部分が第１部分を有する構成において、好ましくは、引き出し用配線部分は、第１部分の第３方向側の端部を起点として第１方向に沿って延びる第２部分をさらに有し、第２部分は、第１方向のうちの第１中心線に対して第１部分が寄せられた方向に沿って受光素子の受光面上を延びている。このように構成すれば、引き出し用配線部分の第２部分を、第１方向のうちの第１中心線に対して第１部分が寄せられた方向とは反対方向に延ばす場合と比較して、第１中心線に対して第１部分が寄せられた方向と同じ方向に延ばすことができるので、配線パターンの行き戻りによるロスが抑制される分、第２部分の長さをより短く設計することができる。
この場合、好ましくは、第２部分は、受光素子の第３方向側の縁部近傍における受光面上に配置されている。このように構成すれば、第２部分を、半導体レーザ素子の後方（第３方向側）に位置する受光素子の受光面（受光領域）から第３方向側に極力遠ざかった位置で第１方向に横切りながら延ばすことができる。これにより、第２部分が受光面（受光領域）を遮ることを極力回避することができる。
この発明の第２の局面による光装置は、第１の局面における半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備える。
この発明の第２の局面による光装置では、上記第１の局面による半導体レーザ装置を備えているので、この半導体レーザ装置において、配置間隔をより狭めた状態で電極同士を第１方向に沿って配置することができる。この結果、半導体レーザ装置の小型化が図られた光装置を得ることができる。
本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置の上面図である。 本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子を放熱基台から取り除いた状態での上面図である。 図１の９１０−９１０線に沿った断面図である。 図１の９２０−９２０線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。 本発明の第１実施形態の第１変形例による３波長半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子を放熱基台から取り除いた状態での上面図である。 本発明の第１実施形態の第２変形例による３波長半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子を放熱基台から取り除いた状態での上面図である。 本発明の第２実施形態による３波長半導体レーザ装置の上面図である。 本発明の第２実施形態による３波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向から見た正面図である。 本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００の構造について説明する。なお、３波長半導体レーザ装置１００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。
本発明の第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００では、図１および図３に示すように、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子１０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子２０と、約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子３０とが、ｎ型Ｓｉからなる平板状の放熱基台４０の上面４０ａ上（Ｃ２側）に固定されている。また、放熱基台４０は、図３に示すように、下面側（Ｃ１側）がＡｕＳｎ半田などの導電性融着層１を介してベース部５０の上面５０ａに接合されている。なお、放熱基台４０は、本発明の「基台」の一例である。また、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０は、それぞれ、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０は、互いに間隔Ｌ１（各々の素子のＡ方向に延びる中心線間のＢ方向の距離）を有して幅方向（Ｂ方向）に隣接している。また、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０は、放熱基台４０の幅方向の一方側（Ｂ１側）から他方側（Ｂ２側）に向かって矢印Ｂ２方向に並んで配置されている。なお、矢印Ｂ２方向は、本発明の「第１方向」の一例である。
なお、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０の各々に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面であり、相対的に小さい方の端面が光反射面である。したがって、レーザ光は、図１の矢印Ａ１方向に出射される。ここで、Ａ１方向とＢ方向とは、互いに直交している。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面は、放熱基台４０の前面４０ｅ（図１参照）から前方（Ａ１側）に所定の距離だけ離間した位置において互いに同一面上に揃えられている。また、各々の半導体レーザ素子の光出射面および光反射面には、製造プロセスにおける端面コート処理により、ＡｌＮ膜やＡｌ２Ｏ３膜などからなる誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。なお、矢印Ａ１方向は、本発明の「第２方向」の一例である。
また、図１に示すように、放熱基台４０の上面４０ａ側のうちの、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０の光反射面の後方（矢印Ａ２方向）側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるフォトダイオード（ＰＤ）６０が配置されている。ＰＤ６０は、放熱基台４０に埋め込まれた状態で作り込まれており、上面４０ａとＰＤ６０のｐ型拡散領域６１（図４参照）となる受光面６０ａとが同一面上に揃えられている。なお、受光面６０ａのうち、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０の各々の後方に対応する位置が、レーザ光の受光領域Ｐ、ＱおよびＲ（一点鎖線で示す）である。そして、上面４０ａおよび受光面６０ａは、共に、ＳｉＯ２からなる透光性を有する絶縁膜６５によって覆われている。したがって、図１では、絶縁膜６５の紙面奥側に配置されているＰＤ６０の外形形状を破線で示している。なお、ＰＤ６０は、本発明の「受光素子」の一例である。また、矢印Ａ２方向は、本発明の「第３方向」の一例である。
絶縁膜６５上には、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０の各々が接合される位置に、Ａｕなどの金属材料からなるパッド電極４１、４２および４３が放熱基台４０とは絶縁された状態で設けられている。また、パッド電極４１、４２および４３は、平面的に見て互いに所定の距離を隔てて配置されることにより互いに絶縁されている。なお、パッド電極４１〜４３は、本発明の「複数の電極」の一例である。また、パッド電極４２は、「端部以外の位置に配置された電極」の一例である。
詳細には、図２に示すように、パッド電極４１は、素子接合部分４１ａが略矩形形状を有するとともに、青紫色半導体レーザ素子１０（図１参照）の側方（Ｂ１側）に突出する引き出し用配線部分４１ｂと、引き出し用配線部分４１ｂに接続されるワイヤボンド部４１ｃとを有している。また、パッド電極４３は、素子接合部分４３ａが略矩形形状を有するとともに、赤外半導体レーザ素子３０（図１参照）の側方（Ｂ２側）に突出する引き出し用配線部分４３ｂと、引き出し用配線部分４３ｂに接続されるワイヤボンド部４３ｃとを有している。パッド電極４１と４３とは、幅方向に所定の間隔を隔てて略平行に設けられており、パッド電極４１と４３との間にパッド電極４２の略矩形形状を有する素子接合部分４２ａが配置されている。したがって、素子接合部分４１ａ、４２ａおよび４３ａは、互いにＢ方向に距離Ｌ２を隔てて配置されている。なお、距離Ｌ２は、約４０μｍ以上約５０μｍ以下の範囲に設定されている。
ここで、第１実施形態では、パッド電極４２は、素子接合部分４２ａと、一端が素子接合部分４２ａのＡ２側の端部に接続されるとともにＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置された部分を含む引き出し用配線部分４２ｂと、引き出し用配線部分４２ｂの他端に接続されるとともにＰＤ６０外の領域に配置されたワイヤボンド部４２ｃとを有している。また、引き出し用配線部分４２ｂは、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に形成された絶縁膜６５を介して形成されている。これにより、ｐ型拡散領域６１とパッド電極４２との絶縁が図られている。なお、引き出し用配線部分４２ｂは、本発明の「引き出し用配線部分」の一例である。
また、第１実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂは、素子接合部分４２ａからＡ２方向に延びる幅Ｗ１を有する第１部分４２ｅと、第１部分４２ｅのＡ２側の端部からＢ２方向に延びる幅Ｗ２を有する第２部分４２ｆとを有している。
第１部分４２ｅは、素子接合部分４２ａのＡ２側の端部のうちの、赤色半導体レーザ素子２０の中心線１５０よりも赤外半導体レーザ素子３０に向かってＢ２方向に寄せられた位置を起点として受光面６０ａ上をＡ２方向に延びている。また、第１部分４２ｅは、素子接合部分４２ａとの接続部においてＡ２方向に延びるにしたがって中心線１５０からＢ２方向に斜め方向に延びる屈曲部４２ｇを有している。そして、第１部分４２ｅは、屈曲部４２ｇが中心線１５０と赤外半導体レーザ素子３０の中心線１６０との中間位置に沿って延びる中間線１７０に達した位置から、残りの部分が中間線１７０に沿って受光面６０ａのＡ２側の縁部までＡ２方向に延びている。なお、中心線１５０および１６０は、それぞれ、本発明の「第１中心線」および「第２中心線」の一例である。
また、第２部分４２ｆは、横方向（Ｂ方向）のうちの中心線１５０に対して第１部分４２ｅが寄せられたＢ２方向と同じ方向に沿って受光面６０ａ上を延びている。また、第２部分４２ｆは、受光面６０ａのＡ２側の縁部近傍に沿って配置されている。なお、第２部分４２ｆは、ＰＤ６０外の領域においてＡ１方向に延びた後、ワイヤボンド部４２ｃに接続されている。なお、第１部分４２ｅの幅Ｗ１と、第２部分４２ｆの幅Ｗ２とは、略等しい。この場合、幅Ｗ１およびＷ２は、それぞれ、約２０μｍ以上約３０μｍ以下の範囲に設定されるのが好ましい。幅Ｗ１（Ｗ２）が３０μｍよりも大きい場合には、引き出し用配線部分４２ｂによって遮られる受光面６０ａの面積が増大するので好ましくない。また、幅Ｗ１（Ｗ２）が２０μｍよりも小さい場合には、絶縁膜６５との接触面積が不足して引き出し用配線部分４２ｂが剥れやすくなるので好ましくない。
第１実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂは、図１に示すように、ＰＤ６０の受光領域ＱおよびＲのいずれも遮ることなくＰＤ６０の外側まで引き出されるように構成されている。
また、ＰＤ６０のＡ１側かつＢ１側の隅部に対応する領域の絶縁膜６５上には、ＰＤ６０への給電用ワイヤのワイヤボンド部となるパッド電極４５が設けられている。パッド電極４５は、周囲が絶縁膜６５に取り囲まれた状態で絶縁膜６５を厚み方向（Ｃ方向）に貫通する導通部４５ａを有している。導通部４５ａは、Ａｌなどの金属材料からなり、パッド電極４５は、放熱基台４０上において導通部４５ａを介してｐ型拡散領域６１と導通している。
青紫色半導体レーザ素子１０は、図３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２が形成されている。ｎ型クラッド層１２の下面上には、ＩｎＧａＮからなる量子井戸層（図示せず）とＧａＮからなる障壁層（図示せず）とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する活性層１３が形成されている。また、活性層１３の下面上には、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４が形成されている。
また、幅方向（Ｂ方向）の略中央におけるｐ型クラッド層１４には、Ａ方向に沿ってストライプ状（細長状）に延びるリッジ部（凸部）１５が形成されている。これにより、リッジ部１５の上部（Ｃ２側）の活性層１３の部分に、青紫色半導体レーザ素子１０の発光点が構成されている。また、ｐ型クラッド層１４のリッジ部１５の下面上には、ｐ型クラッド層１４に近い側から順に、Ｐｔ層、Ｐｄ層およびＡｕ層の順に積層されたｐ側オーミック電極１６が形成されている。また、ｐ型クラッド層１４のリッジ部１５以外の下面上と、リッジ部１５の両側面上とには、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層１７が形成されている。また、ｐ側オーミック電極１６の下面上および電流ブロック層１７の下面上には、ｐ側電極１８が形成されている。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面上の略全領域には、ｎ側電極１９が形成されている。
赤色半導体レーザ素子２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の下面上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２２が形成されている。ｎ型クラッド層２２の下面上には、ＧａＩｎＰからなる量子井戸層（図示せず）とＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層（図示せず）とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層２３が形成されている。また、活性層２３の下面上には、ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層２４が形成されている。
また、Ｂ方向の略中央におけるｐ型クラッド層２４には、Ａ方向に沿ってストライプ状に延びるリッジ部２５が形成されている。これにより、リッジ部２５の上部の活性層２３の部分に、赤色半導体レーザ素子２０の発光点が構成されている。また、ｐ型クラッド層２４のリッジ部２５以外の下面上と、リッジ部２５の両側面上とには、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層２７が形成されている。また、リッジ部２５の下面上および電流ブロック層２７の下面上には、ｐ側電極２８が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の上面上の略全領域には、ｎ側電極２９が形成されている。
赤外半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の下面上に、ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層３２が形成されている。ｎ型クラッド層３２の下面上には、Ａｌ組成の低いＡｌＧａＡｓからなる量子井戸層とＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓからなる障壁層とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層３３が形成されている。また、活性層３３の下面上には、ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３４が形成されている。
また、Ｂ方向の略中央におけるｐ型クラッド層３４には、Ａ方向に沿ってストライプ状に延びるリッジ部３５が形成されている。これにより、リッジ部３５の上部の活性層３３の部分に、赤外半導体レーザ素子３０の発光点が構成されている。また、ｐ型クラッド層３４のリッジ部３５以外の下面上と、リッジ部３５の両側面上とには、ＳｉＯ２からなる電流ブロック層３７が形成されている。また、リッジ部３５の下面上および電流ブロック層３７の下面上には、ｐ側電極３８が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上面上の略全領域には、ｎ側電極３９が形成されている。
青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０は、それぞれ、光出射面を前面４０ｅ側に向けて放熱基台４０に対してジャンクションダウン方式で取り付けられている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１８とパッド電極４１とがＡｕＳｎ半田などの導電性融着層２を介して電気的に接続されるとともに、赤色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２８とパッド電極４２とが導電性融着層２を介して電気的に接続されている。また、赤外半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８とパッド電極４３とが導電性融着層２を介して電気的に接続されている。
ワイヤボンド部４１ｃには、Ａｕなどからなる金属線９１の一端が接続されており、他端は、図示しないリード端子（正極側）に接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子１０の基板の上面に形成されているｎ側電極１９には、金属線９２の一端が接続されており、他端は、図示しない負極端子と導通するベース部５０に接続されている。ワイヤボンド部４２ｃには、Ａｕなどからなる金属線９３の一端が接続されており、他端は、図示しないリード端子（正極側）に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子２０の基板の上面に形成されているｎ側電極２９には、金属線９４の一端が接続されており、他端は、ベース部５０に接続されている。ワイヤボンド部４３ｃには、Ａｕなどからなる金属線９５の一端が接続されており、他端は、図示しないリード端子（正極側）に接続されている。また、赤外半導体レーザ素子３０の基板の上面に形成されているｎ側電極３９には、金属線９６の一端が接続されており、他端は、ベース部５０に接続されている。
また、パッド電極４５には、Ａｕなどからなる金属線９７の一端が接続されており、他端は、図示しないリード端子（正極側）に接続されている。これにより、各半導体レーザ素子およびＰＤ６０に対して正極のリード端子から個別に電流を供給することが可能であり、各半導体レーザ素子およびＰＤ６０は、ｎ側電極が共通の端子（負極端子）に接続されている。
次に、図１〜図７を参照して、第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
まず、ＰＤ６０が作り込まれた放熱基台４０（図２参照）を準備する。具体的には、図５に示すように、ｎ型Ｓｉからなるウェハ状態の基板１４０の上面１４０ａのうちの所定の領域に対してイオン注入を行うことによりｐ型拡散領域６１を埋め込み形成する。これにより、受光面６０ａが上面１４０ａと同一面上に揃えられた状態のＰＤ６０を形成する。なお、図５では、ウェハ状態の基板１４０のうち、複数（４個）のＰＤ６０が形成されている部分を示している。
その後、図６に示すように、真空蒸着法などを用いて、上面１４０ａ（図５参照）上にＳｉＯ２からなる絶縁膜６５を所定の厚みに形成する。これにより、ＰＤ６０の受光面６０ａ（図５参照）も絶縁膜６５によって全て覆われる。その後、フォトリソグラフィおよびドライエッチングを用いて、ＰＤ６０の１箇所の隅部（Ａ１側かつＢ１側）近傍に絶縁膜６５を厚み方向（Ｃ方向）に貫通する穴部を形成した後、メッキ法などを用いてＡｌからなる配線材料をこの穴部に埋め込んで導通部４５ａを形成する。
その後、絶縁膜６５上に、金属材料からなる電極層（図示せず）を一様に形成し、さらにこの電極層上にマスク層（図示せず）を形成する。そして、フォトリソグラフィを用いてマスク層をパッド電極４１、４２、４３および４５（図７参照）の形にパターニングするとともに、パターニングされたマスク層をマスクとして下部の電極層をエッチングして除去する。これにより、図７に示すように、余分な電極層が除去された領域以外の絶縁膜６５上に、パッド電極４１、４２、４３および４５の各々が所定の平面形状を有してパターニングされる。この際、素子接合部分４２ａが素子接合部分４１ａと４３ａとの間に配置されるパッド電極４２には、ＰＤ６０の受光面６０ａ上を経由してＰＤ６０外の領域に引き出される引き出し用配線部分４２ｂが形成される。これにより、パッド電極４１〜４３の各々の素子接合部分４１ａ〜４３ａは、横方向（Ｂ方向）に最小限の間隔Ｌ２を隔てた状態で配置される。また、パッド電極４１、４２および４３には、それぞれ、引き出し用配線部分４１ｂ、４２ｂおよび４３ｂを介してワイヤボンド部４１ｃ、４２ｃおよび４３ｃが形成される。また、パッド電極４５の下面のうちの絶縁膜６５の上面と接触しない部分が、導通部４５ａ（図６参照）と接続される。その後、素子接合部分４１ａ、４２ａおよび４３ａの上面（Ｃ２側）に、ペースト状の導電性融着層２（図２参照）を形成する。
この状態で、互いに直交する分離線１９０および１９５に沿って基板１４０をダイシング等により分割することにより、分離された個々の放熱基台４０（図２参照）が形成される。
その後、図３に示すように、所定の製造プロセスを用いて形成した青紫色半導体レーザ素子１０のｐ側電極１８とパッド電極４１とを導電性融着層２を介して接合する。同様に、赤色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２８とパッド電極４２とを導電性融着層２を介して接合するとともに、赤外半導体レーザ素子３０のｐ側電極３８とパッド電極４３とを導電性融着層２を介して接合する。その後、導電性融着層１を介してベース部５０の上面５０ａと放熱基台４０の下面とを接合する。
その後、図１に示すように、金属線９１を用いてワイヤボンド部４１ｃとリード端子（図示せず）とを接続する。また、金属線９３を用いてワイヤボンド部４２ｃとリード端子（図示せず）とを接続する。また、金属線９５を用いてワイヤボンド部４３ｃとリード端子（図示せず）とを接続する。また、金属線９７を用いてパッド電極４５とリード端子（図示せず）とを接続する。また、金属線９２を用いて青紫色半導体レーザ素子１０のｎ側電極１９とベース部５０（図３参照）とを接続する。また、金属線９４を用いて赤色半導体レーザ素子２０のｎ側電極２９とベース部５０とを接続する。また、金属線９６を用いて赤外半導体レーザ素子３０のｎ側電極３９とベース部５０とを接続する。このようにして、３波長半導体レーザ装置１００が形成される。
第１実施形態では、上記のように、パッド電極４２が、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置される引き出し用配線部分４２ｂを含むことによって、両隣をパッド電極４１および４３に挟まれた内側のパッド電極４２に対して、パッド電極４２とパッド電極４１または４３との間の領域（図１の間隔Ｌ２を有する領域）を使用することなく、後方のＰＤ６０の受光面６０ａ上を経由してＰＤ６０の側方に引き出される配線部分を設けることができる。これにより、互いにＢ方向に隣接するパッド電極間に、引き出し用の配線部分やワイヤボンディングのためのワイヤボンド部などを設ける必要がないので、配置間隔Ｌ２をより狭めた状態でパッド電極４１〜４３をＢ方向に沿って配置することができる。この結果、放熱基台４０のＢ方向の幅を小さくすることができるので、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０が搭載される３波長半導体レーザ装置１００の小型化を図ることができる。
また、第１実施形態では、パッド電極４２が、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置される引き出し用配線部分４２ｂを含むことによって、パッド電極４２を、パッド電極４２と隣接するパッド電極４１または４３との間の領域（図１の間隔Ｌ２を有する領域）を使用することなく、後方のＰＤ６０の受光面６０ａ上を経由して容易にＰＤ６０の側方に引き出すことができる。ここで、パッド電極４２からの引き出し配線パターンとして、ＰＤ６０以外の領域のたとえば隣接するパッド電極４１または４３の下部領域または上部領域を交差させる配線パターンが挙げられる。また、Ａ方向に延びるパッド電極４１または４３の一部を切除することにより確保した領域を使用してパッド電極４２を外部に引き出す配線パターンなども考えられる。しかしながら、いずれの場合においても、パッド電極４１または青紫色半導体レーザ素子１０、または、パッド電極４３または赤外半導体レーザ素子３０の下部を横切る必要があるため、絶縁手段を別途設ける必要がある。また、これにより放熱基台４０上にパターニングされる複数の電極部材同士の層構造がより複雑となる。一方、第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００では、受光面６０ａ上の領域を有効に利用して引き出し用配線部分４２ｂを設ける分、引き出し用配線部分４２ｂと、パッド電極４１または青紫色半導体レーザ素子１０、または、パッド電極４３または赤外半導体レーザ素子３０との平面的な交差を避けることができるので、製造プロセス上、パッド電極４１〜４３のパターニングを容易に行うことができる。また、パッド電極４２が有するワイヤボンド部４２ｃを、隣接するパッド電極４１および４３や青紫色半導体レーザ素子１０および赤外半導体レーザ素子３０から遠ざけて形成することができるので、ワイヤボンディング時にもワイヤボンド部４１ｃ〜４３ｃへのワイヤボンディングを容易に行うことができる。
また、第１実施形態では、放熱基台４０の上面４０ａ上にＳｉＯ２を用いて絶縁膜６５を形成している。そして、引き出し用配線部分４２ｂは、ＰＤ６０の受光面６０ａを覆う絶縁膜６５を介して形成されている。これにより、ＰＤ６０のｐ型拡散領域６１と引き出し用配線部分４２ｂとの電気的な接触を容易に防止することができる。この結果、赤色半導体レーザ素子２０への電力供給路と、ＰＤ６０への電極供給路とを確実に分離することができる。また、絶縁膜６５は透光性を有するので、ｐ型拡散領域６１と引き出し用配線部分４２ｂとの絶縁を図る絶縁膜６５を用いて受光面６０ａ全体を覆うように構成しても、モニタ用のレーザ光を、受光領域Ｐ、ＱおよＲに確実に入射させることができる。
また、第１実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂは、素子接合部分４２ａのＡ２側の端部のうちの、赤色半導体レーザ素子２０の中心線１５０よりもＢ２側に隣接する赤外半導体レーザ素子３０に寄せられた位置を起点としてＰＤ６０の受光面６０ａ上をＡ２方向に延びる第１部分４２ｅを有している。これにより、平面的に見て、赤色半導体レーザ素子２０が有する出射端面のうちの中心線１５０近傍に形成されるレーザ光出射点と、引き出し用配線部分４２ｂの第１部分４２ｅとが重ならないように配置することができる。これにより、第１部分４２ｅが、レーザ光出射点の後方（Ａ２側）に位置するＰＤ６０の受光領域Ｑ（図１参照）を遮ることを容易に抑制することができる。
また、第１実施形態では、第１部分４２ｅは、素子接合部分４２ａとの接続部においてＡ２方向に延びるにしたがって中心線１５０からＢ２方向に斜め方向に延びる屈曲部４２ｇを有している。つまり、第１部分４２ｅを、素子接合部分４２ａから真横にＢ２方向に延ばして中間線１７０に達した後、中間線１７０上をＡ２方向に延びるように構成する場合と比較して、屈曲部４２ｇを設ける分、素子接合部分４２ａから突出する第１部分４２ｅと隣接する素子接合部分４３ａとをＢ方向に離間させることができる。これにより、半導体レーザ素子の接合時に、素子接合部分４２ａ上に塗布された導電性融着層２（図２参照）が溶融した場合であっても、第１部分４２ｅからはみ出して素子接合部分４３ａに流れ出て行くことを容易に抑制することができる。この結果、素子接合時におけるパッド電極間のショート（短絡）を極力抑制することができる。
また、第１実施形態では、第１部分４２ｅの一部は、中心線１５０と、Ｂ２側に隣接する赤外半導体レーザ素子３０のＡ方向に延びる中心線１６０との間の中間位置に沿って延びる中間線１７０上をＡ２方向に延びている。これにより、第１部分４２ｅが、ＰＤ６０の受光面６０ａのうちの赤色半導体レーザ素子２０用の受光領域Ｑのみならず、Ｂ２側に隣接する赤外半導体レーザ素子３０用の受光領域Ｒ（図１参照）を遮ることをも容易に抑制することができる。
また、第１実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂは、第１部分４２ｅのＡ２側の端部を起点としてＢ方向に沿って延びる第２部分４２ｆを有し、第２部分４２ｆは、Ｂ方向のうちの中心線１５０に対して第１部分４２ｅが寄せられたＢ２方向に沿ってＰＤ６０の受光面６０ａ上を延びている。これにより、引き出し用配線部分４２ｂの第２部分４２ｆを、Ｂ方向のうちの中心線１５０に対して第１部分４２ｅが寄せられたＢ２方向とは反対のＢ１方向に延ばす場合と比較して、中心線１５０に対して第１部分４２ｅが寄せられたＢ２方向と同じ方向に延ばすことができるので、配線パターンの行き戻りによるロスが抑制される分、第２部分４２ｆの長さをより短く設計することができる。また、第２部分４２ｆは、赤色半導体レーザ素子２０の受光領域Ｑの後方（Ａ２側）を横切らないので、受光領域Ｑが第２部分４２ｆによって遮られることを容易に回避することができる。
また、第１実施形態では、第２部分４２ｆは、ＰＤ６０のＡ２側の縁部近傍における受光面６０ａ上に配置されている。これにより、第２部分４２ｆを、赤外半導体レーザ素子３０の後方（Ａ２側）に位置するＰＤ６０の受光面６０ａからＡ２方向に極力遠ざかった位置でＢ２方向に横切りながら延ばすことができる。これにより、第２部分４２ｆが前方（Ａ１側）の受光領域Ｒを遮ることを極力回避することができる。
また、第１実施形態では、第１部分４２ｅの幅Ｗ１と、第２部分４２ｆの幅Ｗ２とを略等しく構成している。これにより、引き出し用配線部分４２ｂの強度が延びる方向に沿って略一様になるので、引き出し用配線部分４２ｂが絶縁膜６５から剥離したり、引き出し用配線部分４２ｂが断線すること容易に抑制することができる。
（第１実施形態の第１変形例）
次に、第１実施形態の第１変形例について説明する。この第１実施形態の第１変形例による３波長半導体レーザ装置１０５では、図８に示すように、引き出し用配線部分７２ｂの第１部分７２ｅに第１実施形態のような屈曲部４２ｇを設けていない。したがって、パッド電極７２の引き出し用配線部分７２ｂは、幅Ｗ３を有する第１部分７２ｅが、素子接合部分４２ａとの接続部からＡ２方向に直線状に延びた後、受光面６０ａのＡ２側の縁部を起点として幅Ｗ４を有する第２部分７２ｆがＢ２方向に延びるようにパターニングされている。ここで、第１部分７２ｅの幅Ｗ３は、第１部分４２ｅの幅Ｗ１（図１参照）よりも小さいのが好ましいが、約２０μｍ以上とするのが好ましい。また、第２部分７２ｆの幅Ｗ４は、第２部分４２ｆ（図１参照）の幅Ｗ２と略同じでもよいし、第１部分７２ｅの幅Ｗ３と略等しくてもよい。なお、パッド電極７２は、「端部以外の位置に配置された電極」の一例である。
なお、第１実施形態の第１変形例による３波長半導体レーザ装置１０５のその他の構成は、第１実施形態と同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、第１実施形態の第１変形例による３波長半導体レーザ装置１０５の製造プロセスについては、第１実施形態の屈曲部４２ｇを設けずにパッド電極７２を形成する点を除いて、第１実施形態における製造プロセスと略同様である。
第１実施形態の第１変形例では、上記のように、引き出し用配線部分７２ｂをＡ２方向に直線状に延びる第１部分７２ｅと、Ｂ２方向に直線状に延びる第２部分７２ｆとによって構成しているので、より簡素な配線パターンによって引き出し用配線部分７２ｂを形成することができる。なお、第１実施形態の第１変形例のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
（第１実施形態の第２変形例）
次に、第１実施形態の第２変形例について説明する。この第１実施形態の第２変形例による３波長半導体レーザ装置１１０では、図９に示すように、引き出し用配線部分８２ｂの第２部分８２ｆを、受光面６０ａのＡ２側の縁部よりも内側（Ａ１側）に配置している。したがって、引き出し用配線部分８２ｂは、第１実施形態の第１部分４２ｅや第１実施形態の第１変形例の第１部分７２ｅよりもＡ方向の長さが短い第１部分８２ｅと、第２部分８２ｆとによって構成されている。なお、第２部分８２ｆが配置されるＡ方向の位置は、赤外半導体レーザ素子３０の光反射面から出射されるレーザ光を受光する受光領域Ｒを極力遮らない範囲の位置であるのが好ましい。なお、第１実施形態の第２変形例による３波長半導体レーザ装置１１０のその他の構成は、第１実施形態と同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
また、第１実施形態の第２変形例による３波長半導体レーザ装置１１０の製造プロセスについては、第１実施形態の第１変形例の第１部分７２ｅよりもＡ方向の長さを短くして第１部分８２ｅをパターニングする点を除いて、第１実施形態の第１変形例における製造プロセスと略同様である。また、第１実施形態の第２変形例の効果は、上記第１実施形態の第１変形例と同様である。
（第２実施形態）
次に、図１０および図１１を参照して、第２実施形態について説明する。この第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００では、第１実施形態の赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０の代わりに、赤色半導体レーザ素子２２０および赤外半導体レーザ素子２３０からなる２波長半導体レーザ素子２５０を用いている。なお、３波長半導体レーザ装置２００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例である。また、図中において、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付している。
まず、図２、図１０および図１１を参照して、本発明の第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００の構造について説明する。
第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００は、放熱基台４０と、青紫色半導体レーザ素子２１０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子２２０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子２３０が共通のｎ型ＧａＡｓ基板２５１上にモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子２５０と、ベース部５０とを備えている。なお、青紫色半導体レーザ素子２１０、赤色半導体レーザ素子２２０および赤外半導体レーザ素子２３０は、それぞれ、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
赤色半導体レーザ素子２２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面上の一方側（Ｂ１側）に形成されているとともに、赤外半導体レーザ素子２３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面上の他方側（Ｂ２側）に形成されている。また、赤色半導体レーザ素子２２０と赤外半導体レーザ素子２３０とは、Ｂ方向の略中央に形成された溝部２５２により所定の距離を隔てて配置されている。なお、赤色半導体レーザ素子２２０と赤外半導体レーザ素子２３０とが共通のｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面上に形成されるので、赤色半導体レーザ素子２２０と赤外半導体レーザ素子２３０との互いに対向する側端部（溝部２５２の内側面）同士がＢ方向に隣接しやすい。したがって、図１１に示すように、赤色半導体レーザ素子２２０が接合されるパッド電極４２の素子接合部分４２ａと赤外半導体レーザ素子２３０が接合されるパッド電極４３の素子接合部分４３ａとのＢ方向の隙間の距離Ｌ３は、上記第１実施形態の距離Ｌ２（図２参照）よりも大きい。これにより、素子接合時に溶融した導電性融着層２によって素子接合部分４２ａと４３ａとがショートすることをより抑制している。
赤色半導体レーザ素子２２０では、ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面上のＢ１側に、ｎ型クラッド層２２と、活性層２３と、ｐ型クラッド層２４と、電流ブロック層２７と、ｐ側電極２８とが形成されている。また、リッジ部２２５は、赤色半導体レーザ素子２２０の素子幅方向の中央部（図１０の中心線１５０）よりも青紫色半導体レーザ素子２１０側（Ｂ１側）に寄せられた領域に形成されている。
また、赤外半導体レーザ素子２３０では、ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面上のＢ２側に、ｎ型クラッド層３２と、活性層３３と、ｐ型クラッド層３４と、電流ブロック層３７と、ｐ側電極３８とが形成されている。また、リッジ部２３５は、赤外半導体レーザ素子２３０の素子幅方向の中央部（図１０の中心線１６０）よりも青紫色半導体レーザ素子２１０側（Ｂ１側）に寄せられた領域に形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の上面上の略全領域に、共通のｎ側電極２５９が形成されている。
また、ｐ側電極２８および３８と放熱基台４０の上面側とが各々接合されることにより、２波長半導体レーザ素子２５０は、活性層２３および３３をｎ型ＧａＡｓ基板２５１よりも放熱基台４０側（Ｃ１側）に近づけて、ジャンクションダウン方式で接合されている。
また、青紫色半導体レーザ素子２１０のリッジ部２１５は、青紫色半導体レーザ素子２１０の素子幅方向（Ｂ方向）の中央部よりも２波長半導体レーザ素子２５０側（Ｂ２側）に寄せられた領域に形成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子２１０および２波長半導体レーザ素子２５０は、各々のレーザ素子の発光点が３波長半導体レーザ装置２００の幅方向の中央部に集められている。
また、ｎ側電極２５９には、金属線２９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線２９１の他端は、ベース部５０に接続されている。なお、第２実施形態による３波長半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００と同様である。
３波長半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、第１実施形態と同様の製造プロセスを用いて形成された放熱基台４０に、青紫色半導体レーザ素子２１０および２波長半導体レーザ素子２５０を接合する点と、金属線２９１を用いて２波長半導体レーザ素子２５０のｎ側電極２５９とベース部５０とを接続する点とを除いて、第１実施形態の製造プロセスと同様である。
第２実施形態では、上記のように、３波長半導体レーザ装置２００が、青紫色半導体レーザ素子２１０と、赤色半導体レーザ素子２２０および赤外半導体レーザ素子２３０がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子２５０とを備える場合においても、放熱基台４０のＢ方向の幅を小さくすることができるので、３波長半導体レーザ装置２００の小型化を図ることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
（第３実施形態）
次に、図１および図１２を参照して、本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置３００について説明する。なお、光ピックアップ装置３００は、本発明の「光装置」の一例である。
本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置３００は、図１２に示すように、第１実施形態による３波長半導体レーザ装置１００（図１参照）が搭載されたキャン型の半導体レーザ装置３１０と、半導体レーザ装置３１０から出射されたレーザ光を調整する光学系３２０と、レーザ光を受光する光検出部３３０とを備えている。
また、光学系３２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６および光軸補正素子３２７を有している。
ＰＢＳ３２１は、半導体レーザ装置３１０から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク３４０から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ３２２は、ＰＢＳ３２１を透過した半導体レーザ装置３１０からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ３２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、半導体レーザ装置３１０から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
λ／４板３２４は、コリメータレンズ３２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板３２４は光ディスク３４０から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、半導体レーザ装置３１０から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク３４０から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ３２１によって略全反射される。対物レンズ３２５は、λ／４板３２４を透過したレーザ光を光ディスク３４０の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ３２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により移動可能にされている。
また、ＰＢＳ３２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ３２６、光軸補正素子３２７および光検出部３３０が配置されている。シリンドリカルレンズ３２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子３２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ３２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部３３０の検出領域上で一致するように配置されている。
また、光検出部３３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。このようにして、半導体レーザ装置３１０を備えた光ピックアップ装置３００が構成されている。
光ピックアップ装置３００では、半導体レーザ装置３１０は、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０（図１参照）から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能に構成されている。また、半導体レーザ装置３１０から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ３２１、コリメータレンズ３２２、ビームエキスパンダ３２３、λ／４板３２４、対物レンズ３２５、シリンドリカルレンズ３２６および光軸補正素子３２７により調節された後、光検出部３３０の検出領域上に照射される。
ここで、光ディスク３４０に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク３４０の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部３３０から出力される再生信号を得ることができる。また、光ディスク３４０に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク３４０にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク３４０の記録層に情報を記録することができる。このようにして、半導体レーザ装置３１０を備えた光ピックアップ装置３００を用いて、光ディスク３４０への記録および再生を行うことができる。
第３実施形態では、上記のように、光ピックアップ装置３００には、上記第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００を備えた半導体レーザ装置３１０が搭載されているので、半導体レーザ装置３１０の小型化が図られた光ピックアップ装置３００を得ることができる。なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂが第１部分４２ｅと第２部分４２ｆとを有する例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第２部分４２ｆを設けることなく第１部分４２ｅが受光面６０ａ上をＡ２方向に直線状に跨いでＰＤ６０の後方（Ａ２側）まで引き出されるように構成してもよい。この変形例のように構成すれば、赤外半導体レーザ素子３０の受光領域Ｑが遮られることをより確実に回避することができる。
また、上記第１〜第３実施形態では、第２部分４２ｆがＰＤ６０のＡ２側の縁部近傍における受光面６０ａ上に配置されている例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第２部分４２ｆがＰＤ６０のＡ２側の縁部よりも外側（Ａ２側）をＢ２方向に延びた状態でワイヤボンド部４２ｃに接続されていてもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、引き出し用配線部分４２ｂの第１部分４２ｅが赤外半導体レーザ素子３０に寄せられた位置（Ｂ２側）に配置され、かつ、第２部分４２ｆが第１部分４２ｅの端部からさらにＢ２方向に延びる例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、第１部分４２ｅが青紫色半導体レーザ素子１０に寄せられた位置（Ｂ１側）に配置され、かつ、第２部分４２ｆがさらにＢ１方向に延びるように構成してもよい。
また、上記第１〜第３実施形態では、放熱基台４０上に３つの半導体レーザ素子をＢ方向に並べて配置した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、４つ以上の複数の半導体レーザ素子をＢ方向に並べて配置してもよい。この場合、両端の半導体レーザ素子以外の内側の半導体レーザ素子に接続される複数のパッド電極が、本発明の「引き出し用配線部分」を含む。ここで、各々のパッド電極に設けられる本発明の「引き出し用配線部分」を、ＰＤ６０をＡ２方向に直線状に跨ぐ「第１部分」のみにより形成してもよいし、「第１部分」と受光面６０ａ上で平面的に折り曲げられてＰＤ６０のＢ方向の外部に引き出される「第２部分」とを有するように形成してもよい。また、「第１部分」のみからなるパッド電極と、「第１部分」および「第２部分」を有するパッド電極とを混在させて配置してもよい。受光面６０ａ上を跨ぐ各パッド電極の配線パターンは、放熱基台４０上に配置される半導体レーザ素子の個数、ＰＤ６０の受光面６０ａの大きさおよびワイヤボンド部の位置などから適宜決定されうる。
なお、「第２部分」を形成する際、そのパッド電極のＢ１側に隣接するパッド電極からＢ１側の端部のパッド電極までのパッド電極の個数ｎ１（たとえば３つ）と、そのパッド電極のＢ２側に隣接するパッド電極からＢ２側の端部のパッド電極までのパッド電極の個数ｎ２（たとえば５つ）とを比較して、より少ない個数（＝ｎ１）を有する側（Ｂ１側）へ「第２部分」を引き出すように「引き出し用配線部分」を形成するのが好ましい。この変形例のように構成すれば、「第２部分」によって受光領域（受光面）の後方をＢ方向（第１方向）に横切られる半導体レーザ素子の個数を極力減らすことができるので、「第２部分」に遮られる受光領域が増えることを回避することができる。なお、上記した個数がｎ１＝ｎ２となる位置に配置されたパッド電極については、「第２部分」をＢ１側またはＢ２側のいずれの方向に引き出しても構わない。
また、上記第１〜第３実施形態では、放熱基台４０の上面４０ａ上にＳｉＯ２を用いて絶縁膜６５を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、絶縁性を有する材料であれば、ＳｉＯ２以外の材料を用いてＰＤ６０のｐ型拡散領域６１と引き出し用配線部分４２ｂとの絶縁を図るための絶縁膜を形成してもよい。なお、引き出し用配線部分４２ｂが配置される領域以外の受光面６０ａは、絶縁膜に覆われていてもよいし、絶縁膜に覆われていなくてもよい。
また、上記第１および第２実施形態における製造プロセスでは、所定の形状のマスクパターンをマスクとしてパッド電極４１、４２および４３をパターニングしたが、本発明はこれに限られない。本発明では、絶縁膜６５上の所定の位置にパッド電極４１、４２および４３の各々の平面形状に形成された開口部を有するレジストパターンを形成した後、開口部から露出する絶縁膜６５の部分に電極層を形成し、その後、レジストパターンを除去するというリフトオフ工程を用いてパッド電極４１〜４３および４５をパターニングしてもよい。
また、上記第１実施形態では、３波長半導体レーザ装置１００を、青紫色半導体レーザ素子１０と赤色半導体レーザ素子２０と赤外半導体レーザ素子３０とによって構成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、窒化物系半導体からなる緑色半導体レーザ素子および青色半導体レーザ素子と、赤色半導体レーザ素子２０とを用いて本発明の「半導体レーザ装置」をＲＧＢ３波長半導体レーザ装置として構成してもよい。
また、上記第１および第２実施形態では、放熱基台４０上においてＢ１側からＢ２側に向かって青紫色半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子の順に並べて配置した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、上記と異なる順序で３つの半導体レーザ素子を配置してもよい。たとえば、青紫色半導体レーザ素子の両側に赤色半導体レーザ素子と赤外半導体レーザ素子とをそれぞれ配置してもよい。この場合、各々の半導体レーザ素子を単独で配置してもよいし、上記第２実施形態のように、１つの青紫色半導体レーザ素子と、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子が一体的に形成された２波長半導体レーザ素子とを用いてもよい。２波長半導体レーザ素子を用いる場合、溝部２５２（図１１参照）の幅をＢ方向に拡張して、拡張された溝部に対応する部分のｎ型ＧａＡｓ基板２５１が青紫色半導体レーザ素子の上方（Ｃ２側）を跨ぐように構成してもよい。この場合、青紫色半導体レーザ素子の高さ（厚み）あるいは２波長半導体レーザ素子の溝部の深さを適宜調整することにより、青紫色半導体レーザ素子上に２波長半導体レーザ素子を平面的に重ねることが可能である。また、青紫色半導体レーザ素子のｎ側電極は、専用の金属線を用いてベース部５０に接続してもよい。あるいは、２波長半導体レーザ素子を基台に接合する際に、先に接合されている青紫色半導体レーザ素子のｎ側半導体層を導電性融着層を介して溝部の底面（ｎ型ＧａＡｓ基板２５１の下面）に同時に接合してもよい。これにより、各々の半導体レーザ素子のｎ側半導体層を、共通の１本の金属線を介してベース部５０に接続することができる。
また、上記第１〜第３実施形態では、各々の半導体レーザ素子をジャンクションダウン方式で放熱基台４０に接合した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、各々の半導体レーザ素子をジャンクションアップ方式で放熱基台４０に接合してもよい。この場合、各半導体レーザ素子のレーザ光出射点は、ジャンクションダウン方式の場合よりも上方（受光面６０ａから上方に遠ざかる方向）に位置するので、図１に示す受光領域Ｐ、ＱおよびＲをより後方（Ａ２側）の位置まで広く確保する必要がある。したがって、第１および第２実施形態で示した引き出し用配線部分４２ｂのように、第２部分４２ｆは、受光面６０ａのＡ２側の縁部近傍に沿って配置されるのが好ましい。あるいは、ＰＤ６０のＡ２側の縁部よりも外側（Ａ２側）に配置されるのがより好ましい。
また、上記第１〜第３実施形態では、ＳｉＯ２を用いて電流ブロック層２７および３７を形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。たとえば、ＳｉＮなどの他の絶縁性材料や、ＡｌＩｎＰやＡｌＧａＮなどの半導体材料を用いて電流ブロック層を形成してもよい。
また、上記第３実施形態では、３波長半導体レーザ装置１００をキャン型の半導体レーザ装置４１０に搭載した例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、平板状の平面構造を有するフレーム型のパッケージに上記第１実施形態の３波長半導体レーザ装置１００を搭載してもよいし、上記第２実施形態の３波長半導体レーザ装置２００を搭載してもよい。
また、上記第３実施形態では、本発明の「半導体レーザ装置」を備えた光ピックアップ装置３００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置や、プロジェクタ装置などの光装置に適用してもよい。
１０、２１０ 青紫色半導体レーザ素子（第１半導体レーザ素子）
２０、２２０ 赤色半導体レーザ素子（第２半導体レーザ素子）
３０、２３０ 赤外半導体レーザ素子（第３半導体レーザ素子）
４０ 放熱基台（基台）
４０ａ 上面
４１、４３ パッド電極（複数の電極）
４２、７２、８２ パッド電極（複数の電極、端部以外の位置に配置された電極）
４２ａ 素子接合部分
４２ｂ、７２ｂ、８２ｂ 引き出し用配線部分
４２ｅ、７２ｅ、８２ｅ 第１部分
４２ｆ、７２ｆ、８２ｆ 第２部分
６０ ＰＤ（受光素子）
６０ａ 受光面
６５ 絶縁膜
１００、１０５、１１０、２００ ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
１５０ 中心線（第１中心線）
１６０ 中心線（第２中心線）
１７０ 中間線
３００ 光ピックアップ装置（光装置）
３１０ 半導体レーザ装置
３２０ 光学系

Claims (7)

  1. 基台と、
    前記基台の上面上に第１方向に沿って配置される複数の電極と、
    前記複数の電極の各々の上面に接合されるとともに、前記第１方向と交差する第２方向にレーザ光を出射する複数の半導体レーザ素子と、
    前記複数の半導体レーザ素子に対して前記第２方向とは反対の前記基台の第３方向側に受光面が配置される受光素子とを備え、
    前記複数の電極のうちの前記第１方向に沿った端部以外の位置に配置された電極は、前記受光素子の受光面上に配置される引き出し用配線部分を含む、半導体レーザ装置。
  2. 前記引き出し用配線部分は、前記受光素子の前記受光面上に絶縁膜を介して形成されている、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
  3. 前記引き出し用配線部分を含む前記電極は、前記電極に対応する半導体レーザ素子が接合される素子接合部分をさらに含み、
    前記引き出し用配線部分は、前記素子接合部分の前記第３方向側の端部のうちの、前記半導体レーザ素子の前記第２方向に延びる第１中心線よりも前記第１方向に隣接する半導体レーザ素子側に寄せられた位置を起点として前記受光素子の受光面上を前記第３方向に延びる第１部分を有する、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
  4. 前記第１部分の少なくとも一部は、前記第１中心線と、前記第１方向に隣接する半導体レーザ素子の前記第２方向に延びる第２中心線との間の中間位置に沿って延びる中間線上を前記第３方向に延びている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
  5. 前記引き出し用配線部分は、前記第１部分の前記第３方向側の端部を起点として前記第１方向に沿って延びる第２部分をさらに有し、
    前記第２部分は、前記第１方向のうちの前記第１中心線に対して前記第１部分が寄せられた方向に沿って前記受光素子の受光面上を延びている、請求項３または４に記載の半導体レーザ装置。
  6. 前記第２部分は、前記受光素子の前記第３方向側の縁部近傍における前記受光面上に配置されている、請求項５に記載の半導体レーザ装置。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置と、
    前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備える、光装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101492321B1 (ko) 2013-03-15 2015-02-11 (주)큐에스아이 서브마운트형 포토다이오드를 구비한 리드 프레임 타입 레이저다이오드 모듈
JP2017103271A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 フォトンリサーチ株式会社 半導体レーザー光源モジュール、レーザー光源装置、半導体レーザー光源モジュールの製造方法、及びレーザー光源装置の製造方法
JP2019087656A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 三菱電機株式会社 光モジュールおよびその製造方法
US11309681B2 (en) 2019-01-31 2022-04-19 Nichia Corporation Mount member and light emitting device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012033733A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および光装置
JP6842246B2 (ja) 2016-05-26 2021-03-17 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
US10374386B1 (en) * 2018-06-07 2019-08-06 Finisar Corporation Chip on carrier
CN112688159A (zh) * 2021-03-19 2021-04-20 武汉仟目激光有限公司 基于双波长的半导体激光器芯片封装

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6449291A (en) * 1987-08-19 1989-02-23 Nec Corp Array-type semiconductor laser device
JPH02165436A (ja) * 1988-12-19 1990-06-26 Rohm Co Ltd レーザダイオードユニットの取り付け方法
JP2001250255A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Sony Corp 光学装置及び光ディスク装置
WO2005039001A1 (ja) * 2003-10-15 2005-04-28 Sanyo Electric Co., Ltd ２ビーム半導体レーザ装置
JP2009027149A (ja) * 2007-06-18 2009-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3759081B2 (ja) 2002-07-18 2006-03-22 Ｎｅｃ化合物デバイス株式会社 半導体レーザ装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6449291A (en) * 1987-08-19 1989-02-23 Nec Corp Array-type semiconductor laser device
JPH02165436A (ja) * 1988-12-19 1990-06-26 Rohm Co Ltd レーザダイオードユニットの取り付け方法
JP2001250255A (ja) * 2000-03-02 2001-09-14 Sony Corp 光学装置及び光ディスク装置
WO2005039001A1 (ja) * 2003-10-15 2005-04-28 Sanyo Electric Co., Ltd ２ビーム半導体レーザ装置
JP2009027149A (ja) * 2007-06-18 2009-02-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101492321B1 (ko) 2013-03-15 2015-02-11 (주)큐에스아이 서브마운트형 포토다이오드를 구비한 리드 프레임 타입 레이저다이오드 모듈
JP2017103271A (ja) * 2015-11-30 2017-06-08 フォトンリサーチ株式会社 半導体レーザー光源モジュール、レーザー光源装置、半導体レーザー光源モジュールの製造方法、及びレーザー光源装置の製造方法
JP2019087656A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 三菱電機株式会社 光モジュールおよびその製造方法
US11309681B2 (en) 2019-01-31 2022-04-19 Nichia Corporation Mount member and light emitting device
US20220209497A1 (en) 2019-01-31 2022-06-30 Nichia Corporation Light emitting device
US11784461B2 (en) 2019-01-31 2023-10-10 Nichia Corporation Light emitting device

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