JP2006210510A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の半導体発光素子と比較して2つの発光部の並びが逆の第2の半導体発光素子1を、第2パッケージ内で反転して実装させている。この結果、第1の発光装置における2つの発光部の並びと、第2の発光装置における2つの発光部の並びが同一となる。したがって、発光機能としては、実質的に同一の発光装置が製造される。
【選択図】図11
Description
例えば、本実施形態では、パッケージとして、CANパッケージを例に説明したが、CANパッケージ以外のパッケージへの実装にも適用可能である。この場合にも、半導体発光素子1の表裏を反転させて実装することにより、発光装置の光出力側から見た場合に、2種類の半導体発光素子1の発光点の並びを同じにすることができる。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
Claims (4)
- 発振波長の異なる2つの発光部を有する第1の半導体発光素子と、前記第1の半導体発光素子とは2つの前記発光部の並びが逆の第2の半導体発光素子を製造する工程と、
前記第1の半導体発光素子を第1パッケージに実装して、第1の発光装置を製造する工程と、
前記第1の発光装置における2つの前記発光部の並びと同じになるように、前記第2の半導体発光素子を反転させて第2パッケージ内に実装して、第2の発光装置を製造する工程と
を有する発光装置の製造方法。 - 前記第1パッケージおよび前記第2パッケージは、それぞれ第1および第2の半導体発光素子へ電流を供給するための複数の外部端子を有し、
前記第1パッケージおよび前記第2パッケージの外部端子が、同じ配置をもつ
請求項1記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1パッケージおよび前記第2パッケージは、前記半導体発光素子を実装するための内部実装部材を有し、
前記内部実装部材が、光出力側から見て前記第1パッケージと前記第2パッケージとで反転して配置された
請求項1記載の発光装置の製造方法。 - 前記第1の半導体発光素子および前記第2の半導体発光素子を製造する工程は、
基板上に、前記発光部となる活性層を含む第1積層体を堆積させる工程と、
前記第1積層体を選択的にエッチングして、隣り合った2つの前記第1積層体のストライプを複数形成する工程と、
前記基板上および前記第1積層体上に、前記発光部となる活性層を含む第2積層体を堆積させる工程と、
前記第2積層体を選択的にエッチングして、前記第1積層体間の前記基板上に、隣り合った2つの前記第2積層体のストライプを形成する工程と、
隣り合った2つの前記第1積層体のストライプ間、および隣り合った2つの前記第2積層体のストライプ間において前記基板を分断して、前記第1の半導体発光素子および前記第2の半導体発光素子とを製造する工程と
を有する請求項1記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005018369A JP4561381B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 発光装置の製造方法 |
US11/331,398 US7579204B2 (en) | 2005-01-26 | 2006-01-12 | Method of production of semiconductor light emission device and method of production of light emission apparatus |
US12/502,744 US7927896B2 (en) | 2005-01-26 | 2009-07-14 | Method of production of semiconductor light emission device and method of production of light emission apparatus |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210510A true JP2006210510A (ja) | 2006-08-10 |
JP4561381B2 JP4561381B2 (ja) | 2010-10-13 |
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JP2005018369A Expired - Fee Related JP4561381B2 (ja) | 2005-01-26 | 2005-01-26 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4561381B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019140360A (ja) * | 2018-02-15 | 2019-08-22 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
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