JP2008294213A - 半導体素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】青紫色半導体レーザ素子100においては、窒化物系半導体層10からなる半導体素子構造10Uの一対の側面が、Ge基板42からなる基板部分42Uの一対の側面のそれぞれ内側に位置する。これにより、半導体素子構造10Uの一対の側面と直交する方向において、半導体素子構造10Uの一対の側面と基板部分42Uとの一対の側面とがそれぞれ所定の距離離間する。また、基板部分42U上で、基板部分42Uの一対の側面と半導体素子構造10Uの一対の側面との間の領域には、電流ブロック層21が形成されている。
【選択図】図5
Description
本実施の形態においては、半導体素子の一例として、波長約400nmのレーザ光を出射する半導体レーザ素子(以下、青紫色半導体レーザ素子と略記する)およびその製造方法を説明する。
図1〜図4は、第1の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子の製造方法を説明するための模式的工程図である。
まず、窒化物系半導体層10の形成について説明する。初めに、図1(a)に示すように、円形状を有するGaN(窒化ガリウム)基板50を用意する。
一方、図2(d)に示すように、Ge基板42を用意する。Ge基板42は、図1(a)のGaN基板50と同じ直径の円形状を有する。このGe基板42の一面上にコンタクト電極41を形成する。さらに、コンタクト電極41上に、融着層30を形成する。
次に、図2(e)に示すように、図1(b)の窒化物系半導体層10と図2(d)のGe基板42とを熱圧着により貼り合わせる。
次に、図2(f)に示すように、窒化物系半導体層10とGe基板42とが貼り合わされた積層体に、GaN基板50側からレーザ光LAを照射する。これにより、GaN基板50の一面に形成された剥離層51がレーザアブレーションにより分解され、窒化物系半導体層10からGaN基板50が分離される(図2(f)点線矢印参照)。
GaN基板50の分離後、図3(g)に示すように、窒化物系半導体層10の一面上に、電極19および絶縁層22を所定のパターンで形成する。なお、本実施の形態においては、絶縁層22としてSiO2膜を形成する。
また、窒化物系半導体層10が形成されていない側のGe基板42の露出する他面上に裏面電極43を形成する。
続いて、図3(h)に示すように、レーザスクライブまたはダイヤモンドポイントスクライブにより、リッジ部Riに直交するスクライブラインSSに沿って複数のスクライブ傷を形成する。そして、スクライブ傷に沿ってGe基板42をへき開により棒状に分離する。
図5(a),(b)は、第1の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子を示す模式的断面図および上面図である。この青紫色半導体レーザ素子100においては、電極19と裏面電極43との間に電圧が印加されることにより、活性層12におけるリッジ部Riの上方の領域(発光点)LSから波長約400nmのレーザ光が出射される。
(3−a)
本実施の形態では、リッジ部Riに平行なスクライブ傷の形成前に、素子間領域の窒化物系半導体層10が除去される。これにより、スクライブ傷の形成時に窒化物系半導体層10をスクライブにより分離する必要がなくなる。
本実施の形態では、リッジ部Riに直交する方向において、窒化物系半導体層10の露出する側面と融着層30の露出する側面とが距離D離間する。
(4−a)
本実施の形態では、窒化物系半導体層10を成長させるための窒化物系半導体基板としてGaN基板50を用いているが、窒化物系半導体基板の代わりに、α−SiC基板、GaAs基板、GaP基板、InP基板、Si基板、サファイア基板、スピネル基板、またはLiAlO3基板等の異種基板を用いてもよい。なお、結晶性に優れたAlGaInN系の半導体層を得るためには、窒化物系半導体基板を用いることが好ましい。
剥離層51の材料としては、窒化物系半導体層10と比較して低い融点または沸点を有する材料を用いてもよいし、窒化物系半導体層10と比較して分解しやすい材料を用いてもよい。また、窒化物系半導体層10と比較して溶解しやすい材料を用いてもよいし、窒化物系半導体層10と比較して反応しやすい材料を用いてもよい。
活性層12は、単層構造を有してもよいし、SQW(単一量子井戸)構造またはMQW(多重量子井戸)構造を有してもよい。
第1の半導体層11は、活性層12のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第1クラッド層を含む。
第2の半導体層13は、活性層12のバンドギャップエネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有する第2クラッド層を含む。
窒化物系半導体層10には、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)、In(インジウム)、Tl(タリウム)およびB(ホウ素)のうち少なくとも一つを含む13族元素の窒化物を用いることができる。具体的には、窒化物系半導体層10として、AlN、InN、BN、TlN、GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaNまたはこれらの混晶からなる窒化物系半導体を用いることができる。あるいは、窒化物系半導体層10の代わりにAlGaAs系、GaInAs系、AlGaInP系、AlGaInNAs系、AlGaSb系、AlGaInAsP系、MgZnSSe系、またはZnO系の半導体層を用いてもよい。
本実施の形態では、窒化物系半導体層10のための支持基板として導電性を有するGe基板42を用いたが、支持基板は導電性を有してもよいし、絶縁性を有してもよい。
電流ブロック層21の材料として、Si3N4(窒化ケイ素)等の他の絶縁材料を用いてもよい。絶縁層22の材料として、Si3N4等の他の絶縁材料を用いてもよい。
本実施の形態においては、半導体素子の一例として、波長約400nmの光を出射する発光ダイオード(以下、青紫色LEDと略記する)を説明する。
本実施の形態に係る青紫色LEDの製造方法について、第1の実施の形態に係る青紫色半導体レーザ素子100の製造方法と異なる点を説明する。図6〜図8は、第2の実施の形態に係る青紫色LEDの製造方法を説明するための模式的工程図である。
まず、第1の実施の形態と同様に、GaN基板50を用意し、用意したGaN基板50上に剥離層51、第1の半導体層11、活性層12、および第2の半導体層13を例えばMOCVD法(有機金属化学気相成長法)により順に成長させる。
一方、第1の実施の形態と同様に、Ge基板42を用意し、そのGe基板42の一面上にコンタクト電極41を形成する。さらに、コンタクト電極41上に、融着層30を形成する。
その後、図7(d)に示すように、レーザ光を剥離層51に照射することにより窒化物系半導体層10からGaN基板50を分離し、窒化物系半導体層10の一面上に、透光性の電極19および絶縁層22を所定のパターンで形成する。
また、窒化物系半導体層10が形成されていない側のGe基板42の露出する他面上に裏面電極43を形成する。
ここで、矩形の突出部Jとその周囲の一定幅の部分とを含む領域を素子領域と呼ぶ。素子領域は、各突出部Jの上方の電極19と、その周囲の一定幅の絶縁層22の部分とを含む。また、複数の素子領域の間に一定幅を有する格子状の領域(以下、素子間領域と呼ぶ)を設定する。
図9は、第2の実施の形態に係る青紫色LEDを示す模式的断面図および上面図である。この青紫色LED200においては、電極19と裏面電極43との間に電圧が印加されることにより、活性層12から波長約400nmの光が放射状に出射される。
(3−a)
本実施の形態においては、スクライブ傷の形成前に、素子領域の窒化物系半導体層10が全て除去される。これにより、スクライブ傷の形成時に窒化物系半導体層10をスクライブにより分離する必要がなくなる。
本実施の形態では、窒化物系半導体層10の側面(外周面)がGe基板42の側面(外周面)の内側に位置する。これにより、窒化物系半導体層10の側面と融着層30の露出する側面とが距離D離間する。
本実施の形態に係る青紫色LED200の各構成要素にも、第1の実施の形態において説明した具体例および変形例を適用することができる。
(1)実施例
本発明者は、第1または第2の実施の形態に示す半導体素子の製造方法により、以下に示す実施例1〜3の半導体素子を作製し、作製された半導体素子を動作させることにより、歩留まりの確認を行った。
本発明者は、実施例1の半導体素子として、第1の実施の形態で説明した製造方法により、図5の青紫色半導体レーザ素子100を作製した。実施例1の青紫色半導体レーザ素子100の製造時には、ダイヤモンドポイントスクライブによりGe基板42にスクライブ傷を形成した。
本発明者は、実施例2の半導体素子として、第1の実施の形態で説明した製造方法により、図5の青紫色半導体レーザ素子100を作製した。実施例2の青紫色半導体レーザ素子100の製造時には、レーザスクライブによりGe基板42にスクライブ傷を形成した。
本発明者は、実施例3の半導体素子として、第2の実施の形態で説明した製造方法により、図9の青紫色LED200を作製した。実施例3の青紫色LED200の製造時には、レーザスクライブによりGe基板42にスクライブ傷を形成した。
本発明者は、以下に示す方法で比較例1〜3の半導体素子を作製し、作製した半導体素子を動作させることにより、歩留まりの確認を行った。
本発明者は、比較例1の半導体素子として、Ge基板42へのスクライブ傷の形成前に素子領域の窒化物系半導体層10を除去しない以外は、実施例1の青紫色半導体レーザ素子100と同じ製造方法により、比較例1の青紫色半導体レーザ素子を作製した。
本発明者は、比較例2の半導体素子として、Ge基板42へのスクライブ傷の形成前に素子領域の窒化物系半導体層10を除去しない以外は、実施例2の青紫色半導体レーザ素子100と同じ製造方法により、比較例2の青紫色半導体レーザ素子を作製した。
本発明者は、比較例3の半導体素子として、Ge基板42へのスクライブ傷の形成前に素子領域間の窒化物系半導体層10を除去しない以外は、実施例3の青紫色LED200と同じ製造方法により、比較例3の青紫色LEDを作製した。
(3−a)
実施例1と比較例1とを比較すると、実施例1の青紫色半導体レーザ素子100の歩留まりは、比較例1の青紫色半導体レーザ素子の歩留まりよりも高い。これにより、スクライブ傷の形成前に予め素子領域間の窒化物系半導体層10を除去することにより、半導体素子の歩留まりが向上することが明らかとなった。
実施例2と比較例2とを比較すると、実施例2の青紫色半導体レーザ素子100の歩留まりは、比較例2の青紫色半導体レーザ素子の歩留まりよりも高い。これにより、スクライブ傷の形成前に予め素子領域間の窒化物系半導体層10を除去することにより、半導体素子の歩留まりが向上することが明らかとなった。
実施例3と比較例3とを比較すると、実施例3の青紫色LED200の歩留まりは、比較例3の青紫色LEDの歩留まりよりも高い。これにより、スクライブ傷の形成前に予め素子領域間の窒化物系半導体層10を除去することにより、半導体素子の歩留まりが向上することが明らかとなった。
実施例1と実施例2とを比較すると、実施例2の青紫色半導体レーザ素子100の歩留まりは、実施例1の青紫色半導体レーザ素子100の歩留まりよりも高い。これは、レーザスクライブを行う際に窒化物系半導体層10に与えられる衝撃が、ダイヤモンドポイントスクライブを行う際に窒化物系半導体層10に与えられる衝撃よりも小さいためであると考えられる。
本発明は、半導体レーザ素子およびLEDに限らず、トランジスタ、ダイオード、受光素子等の種々の半導体素子に適用することができる。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
10 窒化物系半導体層
42U 基板部分
42 Ge基板
21 電流ブロック層
23 絶縁層
30 融着層
12 活性層
50 GaN基板
100 青紫色半導体レーザ素子
200 青紫色LED
Claims (7)
- 支持面および一対の第1の側面を有する支持基板と、
前記支持基板の前記支持面上に設けられるとともに、前記支持基板の前記一対の第1の側面よりもそれぞれ内側に位置する一対の第2の側面を有する半導体層と、
前記支持基板の前記一対の第1の側面と、前記半導体層の前記一対の第2の側面との間における前記支持面の領域を覆うように形成される絶縁層とを備えたことを特徴とする半導体素子。 - 前記支持基板と前記半導体層との間に形成される融着層をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載の半導体素子。
- 前記半導体層は、光を発生する発光層を含むことを特徴とする請求項1または2記載の半導体素子。
- 前記発光層は、レーザ発振を行う共振器を有することを特徴とする請求項3記載の半導体素子。
- 前記支持基板は、前記一対の第1の側面と交差する一対の第3の側面をさらに有し、
前記半導体層は、前記一対の第2の側面と交差しかつ前記支持基板の前記一対の第3の側面よりもそれぞれ内側に位置する一対の第4の側面をさらに有し、
前記絶縁層は、前記支持基板の前記一対の第3の側面と前記半導体層の一対の第4の側面との間における前記支持面の領域を覆うように形成されたことを特徴とする請求項3記載の半導体素子。 - 前記半導体層は、窒化物系半導体を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体素子。
- 成長用基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の所定領域上に絶縁層を形成する工程と、
前記成長用基板と、前記半導体層を支持するための支持基板とを前記絶縁層を介して貼り合わせる工程と、
前記半導体層から前記成長用基板を分離する工程と、
前記絶縁層が露出するように前記半導体層の一部領域を除去することにより前記半導体層を各々が一対の第2の側面を有する複数の半導体素子構造に分割する工程と、
前記複数の半導体素子構造の間で前記支持基板を切断することにより前記支持基板をそれぞれ一対の第1の側面を有する複数の基板部分に分割する工程とを備え、
前記支持基板を分割する工程は、各半導体素子構造の前記一対の第2の側面が各基板部分の前記一対の第1の側面よりもそれぞれ内側に位置するとともに前記絶縁層が各基板部分の前記一対の第1の側面と各半導体素子構造の前記一対の第2の側面との間の領域を覆うように前記支持基板を切断することを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
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