JP2005317919A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の半導体レーザ素子を有し、かつ複数の半導体レーザ素子の各電極への配線の自由度が高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。赤色半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の上面の一部にはんだ膜Ｈが形成されている。ｐ電極１２の上面においては、２つのはんだ膜Ｈが所定の間隔Ｌをおいて形成されている。これにより、ｐ電極１２の一部が露出している。また、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２が共通の電極となっている。
【選択図】 図１

Description

本発明は波長の異なる複数の光を出射可能な半導体レーザ装置に関する。

従来より、ＣＤ（コンパクトディスク）／ＣＤ−Ｒ（コンパクトディスク−レコーダブル）ドライブには、光源として波長７８０ｎｍ程度の赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、ＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブには、光源として波長６５０ｎｍ程度の赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。

一方、近年、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を用いて記録および再生可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いたＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤ／ＣＤ−ＲおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。

この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ピックアップ装置を設ける方法、または１つの光ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を設ける方法により、従来のＣＤ、ＤＶＤおよび新しいＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、ＤＶＤドライブの小型化、構成の簡単化および低コスト化が困難となる。

このような部品点数の増加を防止するために、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子とを１チップに集積化した半導体レーザ素子が実用化されている。

赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子はともにＧａＡｓ基板上に形成されるため１チップ化が可能であるが、青紫色半導体レーザ素子はＧａＡｓ基板上に形成されないため、青紫色半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子とともに１チップに集積化することは非常に困難である。

そこで、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を同一チップに形成することによりモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子を作製するとともに、青紫色半導体レーザ素子を別個のチップに形成した後、青紫色半導体レーザ素子のチップとモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子のチップとを積み重ねた構造を有する発光装置が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−２３０５０２号公報

しかしながら、上記の発光装置では、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子の構造上、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子の２つのｎ型基板が共通となっており、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子のｐ側電極が青紫色半導体レーザ素子のｎ型基板上に設けられている。このような構造では、各々の電極に取り付けるワイヤの接続スペースが制限されてしまう。これにより、発光装置の配線が複雑となる。

本発明の目的は、複数の半導体レーザ素子を有し、かつ複数の半導体レーザ素子の各電極への配線の自由度が高い半導体レーザ装置を提供することである。

第１の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の基板上に第１の波長の光を出射する第１の半導体層を有する第１の半導体レーザ素子と、第２の基板上に第２の波長の光を出射する第２の半導体層を有する第２の半導体レーザ素子と、第３の基板上に第３の波長の光を出射する第３の半導体層を有する第３の半導体レーザ素子とを備え、第１、第２および第３の波長のうち少なくとも一の波長は他の波長と異なり、第１の半導体レーザ素子は一面側に第１の電極を有し、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、第１の電極の少なくとも一部が露出するように第１の半導体レーザ素子の一面側に接合されたものである。

その発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が、第１の半導体レーザ素子の第２および第３の半導体レーザ素子との接合面上で露出しているので、第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線を容易に行うことができる。

また、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が、第１の半導体レーザ素子の一面側に接合されているので、第１の半導体レーザ素子の一面と同じ側から第２および第３の半導体レーザ素子への配線を容易に行うことができる。

これにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子への配線の自由度が向上される。

第２および第３の基板の少なくとも一方は第１の基板と異なる材料により形成されてもよい。この場合、互いに材料の異なる基板を備える半導体レーザ素子が一体形成される。

第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との間で露出するように第１の半導体レーザ素子の一面側に接合されてもよい。

この場合、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との間を通じて、第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線が容易に行われる。

第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が、第３の半導体レーザ素子と反対側における第２の半導体レーザ素子の側方、または第２の半導体レーザ素子と反対側における第３の半導体レーザ素子の側方で露出するように第１の半導体レーザ素子の一面側に接合されてもよい。

この場合、第３の半導体レーザ素子と反対側における第２の半導体レーザ素子の側方、または第２の半導体レーザ素子と反対側における第３の半導体レーザ素子の側方から第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線が容易に行われる。

第１の電極は、第１の半導体層に形成され、第２の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第２の電極を有し、第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第３の電極を有してもよい。

また、第１の電極は、第１の基板に形成され、第２の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第２の電極を有し、第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第３の電極を有してもよい。

この場合、第２の半導体レーザ素子の第２の電極が第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に位置し、第３の半導体レーザ素子の第３の電極が第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に位置するので、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の第１、第２および第３の電極への配線を半導体レーザ装置の一方側から行うことができる。したがって、半導体レーザ装置の製造が容易となる。

第２の半導体レーザ素子の第２の電極は第２の基板に形成され、第３の半導体レーザ素子の第３の電極は第３の基板に形成され、第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層が第１の半導体レーザ素子の一面側に接合されてもよい。

この場合、第１の半導体レーザ素子の一面側に、第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層と、第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層とが近接して接合される。

これにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の第１、第２および第３の半導体層が近くに位置し、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の発光点間の間隔が短くなる。それにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の発光点をともに半導体レーザ装置の中心に近づけることができる。その結果、レーザ光を、例えば、レンズ等で集光する場合に第１、第２および第３の半導体レーザ素子の光の出射効率がともに向上する。

第１の半導体レーザ素子は、第１の半導体層または第１の基板に第４の電極をさらに有し、第２の半導体レーザ素子は、第２の半導体層に第５の電極をさらに有し、第３の半導体レーザ素子は、第３の半導体層に第６の電極をさらに有し、第２の半導体レーザ素子の第５の電極および第３の半導体レーザ素子の第６の電極は、第１の半導体レーザ素子の第１の電極に電気的に接続されてもよい。

この場合、第１の半導体レーザ素子の第１の電極に、第２の半導体レーザ素子の第５の電極および第３の半導体レーザ素子の第６の電極が電気的に接続されているので、第１、第２および第３の半導体レーザ素子への配線の数を低減することができる。それにより、半導体レーザ装置の配線が単純になるとともに、配線の手間が少なくなる。

第１の半導体レーザ素子は、第１の半導体層または第１の基板に第４の電極をさらに有し、第２の半導体レーザ素子は、第２の半導体層に第５の電極をさらに有し、第３の半導体レーザ素子は、第３の半導体層に第６の電極をさらに有し、第２の半導体レーザ素子の第５の電極および第３の半導体レーザ素子の第６の電極が、絶縁層を介して第１の半導体レーザ素子の第１の電極に接合され、第１、第５および第６の電極がそれぞれ電気的に分離されてもよい。

この場合、第１、第５および第６の電極がそれぞれ電気的に分離されているので、第１、第５および第６の電極にそれぞれ任意の電圧を与えることができる。したがって、第１、第２および第３の半導体レーザ素子のそれぞれの駆動方式を任意に選択することができる。

第１の半導体レーザ素子は、上段面および下段面からなる段差をさらに有し、第１の半導体レーザ素子の第１の電極は上段面から下段面にわたって形成され、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、第１の半導体レーザ素子の下段面の第１の電極上に接合されてもよい。

第１の半導体層が上段面および下段面を有する場合、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層、第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層が、並ぶように設けられる。これにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の発光点を略直線上に整列させることができる。それにより、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置の設計が容易となる。

第１の基板が上段面および下段面を有する場合でも、第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層が、並ぶように設けられる。これにより、第２および第３の半導体レーザ素子の発光点を略直線上に整列させることができる。それにより、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置の設計が容易となる。

第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、第１の電極の少なくとも一部が露出するように互いに分離されてもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との間で露出する部分に、第１の半導体レーザ素子の一方電極への配線を容易に行うことができる。

第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子は、連結部を含み、連結部により互いに連結され、連結部は、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が露出するように開口を有してもよい。

この場合、連結部の開口を通じて第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線を容易に行うことができる。

また、連結部が第２および第３の基板である場合には、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子との間で連結部が平坦な面を形成する。それにより、半導体レーザ装置の製造時に、連結部へ均一かつ良好なスクライブラインを容易に形成することが可能となる。その結果、平坦で良好なへき開面を得ることができ、良好な共振器端面を得ることができる。

第１の基板は透光性基板であってもよい。この場合、第１の基板が透光性基板であるので、第１の半導体レーザ素子の一面側に第２および第３の半導体レーザ素子を接合する際に第１の基板を通して第２および第３の半導体レーザ素子を目視することができる。それにより、第２および第３の半導体レーザ素子の位置決めが容易になる。その結果、接合位置の調整を正確に行うことができる。したがって、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の発光点の位置精度を向上させることができる。

第１の半導体層は窒化物系半導体からなってもよい。この場合、第１の半導体層が熱伝導率の高い窒化物系半導体からなるので、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層の放熱性が向上する。それにより、第１の半導体レーザ素子の温度特性が向上し、信頼性が向上する。

第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなってもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子は赤色の波長の光を出射することができる。

第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなってもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子は赤外の波長の光を出射することができる。

第２の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、複数の波長の光を出射することができる半導体レーザ装置の製造方法であって、第１の基板上に第１の波長の光を出射する第１の半導体層を形成することにより第１の半導体レーザ素子を作製する工程と、第２の基板上に第２の波長の光を出射する第２の半導体層を形成することにより第２の半導体レーザ素子を作製する工程と、第２の基板上に第３の波長の光を出射する第３の半導体層を形成することにより第３の半導体レーザ素子を作製する工程と、第１の基板または第１の半導体層に第１の電極を形成する工程と、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が露出するように、第１の電極上に第２および第３の半導体レーザ素子を接合する工程とを含み、第１、第２および第３の波長のうち少なくとも一の波長は他の波長と異なるものである。

その発明に係る半導体レーザ装置の製造方法においては、第１の基板上に第１の波長の光を出射する第１の半導体層を形成することにより第１の半導体レーザ素子が作製される。また、第２の基板上に第２の波長の光を出射する第２の半導体層を形成することにより第２の半導体レーザ素子が作製される。さらに、第２の基板上に第３の波長の光を出射する第３の半導体層を形成することにより第３の半導体レーザ素子が作製される。

その後、第１の基板または第１の半導体層に第１の電極が形成され、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が露出するように、第１の電極上に第２および第３の半導体レーザ素子が接合される。

これにより、作製された半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が、第１の半導体レーザ素子の第２および第３の半導体レーザ素子との接合面上で露出しているので、第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線を容易に行うことができる。

また、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が、第１の半導体レーザ素子の第１の電極上に接合されているので、第１の半導体レーザ素子の一面と同じ側から第２および第３の半導体レーザ素子への配線を容易に行うことができる。

その結果、第１、第２および第３の半導体レーザ素子への配線の自由度が向上される。

本発明に係る半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の電極の少なくとも一部が、第１の半導体レーザ素子の第２および第３の半導体レーザ素子との接合面上で露出しているので、第１の半導体レーザ素子の第１の電極への配線を容易に行うことができる。

また、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が、第１の半導体レーザ素子の第１の電極上に接合されているので、第１の半導体レーザ素子の一面と同じ側から第２および第３の半導体レーザ素子への配線を容易に行うことができる。

これにより、第１、第２および第３の半導体レーザ素子への配線の自由度が向上される。

以下、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置について説明する。

（第１の実施の形態）
図１は第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図および模式的断面図である。図１（ａ）に半導体レーザ装置１０００Ａの模式的上面図が示され、図１（ｂ）に図１（ａ）のＡ−Ａ線における半導体レーザ装置１０００Ａの模式的断面図が示されている。

本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａは、波長約４００ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）１、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）２および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）３を備える。

本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子１はＧａＮ基板上に半導体層を形成することにより作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３はＧａＡｓ基板上に半導体層を形成することにより作製される。詳細は後述する。

図１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１において、上面にはｐ電極１２が形成され、下面にはｎ電極１５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。

赤色半導体レーザ素子２の上面にはｎ電極２３が形成され、下面にはｐ電極２２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。

赤外半導体レーザ素子３の上面にはｎ電極３３が形成され、下面にはｐ電極３２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の上面の一部にはんだ膜Ｈが形成されている。なお、図１のｐ電極１２の上面においては、２つのはんだ膜Ｈが所定の間隔Ｌをおいて形成されている。これにより、ｐ電極１２の一部が露出している。

赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ電極１２上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ電極１２上に接合されている。

これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２と青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とが電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２と青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とが電気的に接続される。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２が共通の電極となっている。

図１（ａ）および図１（ｂ）においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に垂直な方向である。

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０における所定の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）１１から波長約４００ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２とｎ電極２３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）２１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２とｎ電極３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）３１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。

図２は図１の半導体レーザ装置１０００Ａをヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。図１の半導体レーザ装置１０００Ａを光ピックアップ装置に用いる場合、図２に示すように、半導体レーザ装置１０００ＡをＣｕ、ＣｕＷまたはＡｌ等の金属からなるヒートシンク５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗｂ，３Ｗｂ，４Ｗａを用いてｐ電極１２，２２，３２およびｎ電極２３，３３，１５の配線を行う。

上述のように、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２は電気的に接続されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２が共通に接続され、アノードコモンの結線が実現される。

青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通のｐ電極１２は、ワイヤ１Ｗにより図示しない駆動回路に接続される。

赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３は、ワイヤ２Ｗｂにより図示しない駆動回路に接続される。また、赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３はワイヤ３Ｗｂにより図示しない駆動回路に接続される。

青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５の配線は、ｎ電極１５をヒートシンク５００の表面に接合することにより行う。これにより、ｎ電極１５とヒートシンク５００の表面とが電気的に接続される。ヒートシンク５００はワイヤ４Ｗａにより図示しない駆動回路に接続される。

ワイヤ１Ｗとワイヤ４Ｗａとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができ、ワイヤ１Ｗとワイヤ２Ｗｂとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができ、ワイヤ１Ｗとワイヤ３Ｗｂとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。

本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａの製造方法について説明する。図３〜図６は第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図３〜図６においても、図１のＸ，Ｙ，Ｚ方向が定義されている。

図３（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１を作製するために、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの一方の面上に積層構造を有する半導体層１ｔを形成する。また、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を青紫色半導体レーザ素子１上に接合するために、ｐ電極１２を形成した後、半導体層１ｔ上の所定の領域（２箇所）に、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈを形成する。

はんだ膜Ｈはｐ電極１２の中央部でＹ方向に離間するように形成されている。ｐ電極１２の中央部にはＸ方向に延びる断面凸状の図示しないリッジ部が形成される。ｐ電極１２のリッジ部の下方には青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が形成される。なお、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は後の工程で形成される。

一方、図３（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を作製するために、ｎ−ＧａＡｓ基板５０の一方の面上にＡｌＧａＡｓからなるエッチングストップ層５１を形成し、エッチングストップ層５１上にｎ−ＧａＡｓコンタクト層５を形成する。

そして、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上にＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造を有する半導体層２ｔおよびＡｌＧａＡｓ系の積層構造を有する半導体層３ｔを互いに離間するように形成する。さらに、半導体層２ｔ上にｐ電極２２を形成し、半導体層３ｔ上にｐ電極３２を形成する。なお、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３，３３は後の工程で形成される。また、図３（ｂ）では図示しないが、半導体層２ｔ，３ｔにも、Ｘ方向に延びる断面凸状のリッジ部が形成されている。

次に、図４（ｃ）に示すように、半導体層１ｔ上のｐ電極１２の所定の領域（はんだ膜Ｈの形成された領域）に、半導体層２ｔ上に形成されたｐ電極２２および半導体層３ｔ上に形成されたｐ電極３２をはんだ膜Ｈを介して接合する。

なお、このとき、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０はともに約３００〜５００μｍ程度の厚みを有する。これにより、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０の取り扱いが容易となり、ｐ電極１２へのｐ電極２２，３２の接合が容易に行われる。

また、青紫色半導体レーザ素子１のｎ−ＧａＮ基板１ｓは透明である。これにより、ｐ電極１２へのｐ電極２２，３２の接合位置をｎ−ＧａＮ基板１ｓを通して目視により確認することができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の位置決めが容易となる。

なお、本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子１の基板はｎ−ＧａＮ基板１ｓに限らず、他の透光性の基板を用いてもよい。この場合、上述のように、青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の位置決めが容易となる。

図４（ｄ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５０をエッチングまたは研磨等により所定の薄さに加工した後、エッチングストップ層５１までエッチングする。

その後、図５（ｅ）に示すように、エッチングストップ層５１が除去された後、半導体層２ｔ，３ｔの上方におけるｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上の領域にｎ電極２３，３３をそれぞれパターニングにより形成する。

図５（ｆ）に示すように、半導体層２ｔおよび半導体層３ｔが形成されていない部分のｎ−ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングにより除去する。これにより、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細は後述する。

そして、図６（ｇ）に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓを研磨により薄くした後、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの下面に、ｎ電極１５を形成する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１が作製される。青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細は後述する。

最後に、上記のように作製された青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をＹ方向にへき開により棒状に分離して、共振器端面を形成する。共振器端面に保護膜を形成した後、チップ状にさらに細かく、Ｘ方向に沿って裁断する。これにより、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａが完成する。

図７に基づいて青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細について作製方法とともに説明する。

図７は青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

青紫色半導体レーザ素子１の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＮ基板１ｓ上に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。

図７（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓ上には、積層構造を有する半導体層１ｔとして、ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層１０４、アンドープＡｌＧａＮキャップ層１０５、アンドープＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。

図７（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層１０４は４つのアンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａと３つのアンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。

ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２およびｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３にはＳｉがドープされている。

また、アンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａのＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。アンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂのＧａ組成は０．９０であり、Ｉｎ組成は０．１０である。ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層１０５のＡｌ組成は０．３０であり、Ｇａ組成は０．７０である。

さらに、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７にはＭｇがドープされている。アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８のＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。

上記の半導体層１ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉは約１．５μｍの幅を有する。

アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８は、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉの上面に形成される。

ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８の上面に、ＳｉＯ₂ からなる絶縁膜４が形成され、アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上に形成された絶縁膜４がエッチングにより除去される。そして、外部に露出したアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ電極１１０が形成される。さらに、ｐ電極１１０の上面および絶縁膜４の上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ電極１２が形成される。

このように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの一面側に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの他面側にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ電極１５が形成される。

この青紫色半導体レーザ素子１では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層１０４の位置に青紫色発光点１１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層１０４が図１のｐｎ接合面１０に相当する。

図８に基づいて赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細について作製方法とともに説明する。

図８は赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤色半導体レーザ素子２はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層２ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層２ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。

図８（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層２ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層２０１、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層２０４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。

図８（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層２０４は２つのアンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａと３つのアンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。

ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｎ−ＧａＡｓ層２０１およびｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２にはＳｉがドープされている。

アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。

また、アンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａのＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。アンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂのＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。

さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７のＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。

ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。

ｐ−コンタクト層２０９は、ｐ−ＧａＩｎＰ層とｐ−ＧａＡｓ層との積層構造を有する。このｐ−ＧａＩｎＰのＧａ組成は０．５であり、Ｉｎ組成は０．５である。

なお、上記したＡｌＧａＩｎＰ系材料の組成は、一般式（Ａｌ_a Ｇａ_b ）_0.5 Ｉｎ_c Ｐ_d で表した時のａがＡｌ組成であり、ｂがＧａ組成であり、ｃがＩｎ組成であり、ｄがＰ組成である。

ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２０６、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９のｐ−ＧａＩｎＰおよびｐ−ＧａＡｓにはＺｎがドープされている。

上記において、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７上へのｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の形成は、ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７の一部（中央部）にのみ行われる。そして、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の上面にｐ−コンタクト層２０９が形成される。

これにより、上記の半導体層２ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９により、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８およびｐ−コンタクト層２０９からなるリッジ部Ｒｉは約２．５μｍの幅を有する。

ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７の上面、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２０８の側面ならびにｐ−コンタクト層２０９の上面および側面に、ＳｉＯ₂ からなる絶縁膜２１０が形成され、ｐ−コンタクト層２０９上に形成された絶縁膜２１０がエッチングにより除去される。そして、外部に露出したｐ−コンタクト層２０９上にＣｒ／Ａｕからなるｐ電極２１１が形成される。さらに、ｐ電極２１１の上面および絶縁膜２１０の上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ電極２２が形成される。

このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層２ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極２３が形成される。

この赤色半導体レーザ素子２では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層２０４の位置に赤色発光点２１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層２０４が図１のｐｎ接合面２０に相当する。

図９に基づいて赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細について作製方法とともに説明する。

図９は赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤外半導体レーザ素子３はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層３ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層３ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。

図９（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層３ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層３０１、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３、ＭＱＷ（多重量子井戸）活性層３０４、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により行われる。

図９（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層３０４は２つのアンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａと３つのアンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。

ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｎ−ＧａＡｓ層３０１およびｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２にはＳｉがドープされている。

アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。また、アンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａのＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。アンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂのＡｌ組成は０．１０であり、Ｇａ組成は０．９０である。アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。

さらに、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０である。

ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。

ｐ−ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層３０６、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９にはＺｎがドープされている。

上記において、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７上へのｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の形成は、ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７の一部（中央部）にのみ行われる。そして、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の上面にｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９が形成される。

これにより、上記の半導体層３ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９により、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉが形成される。ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８およびｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９からなるリッジ部Ｒｉは約２．８μｍの幅を有する。

ｐ−ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層３０７の上面、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層３０８の側面ならびにｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９の上面および側面に、ＳｉＮからなる絶縁膜３１０が形成され、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９上に形成された絶縁膜３１０がエッチングにより除去される。そして、外部に露出したｐ−ＧａＡｓコンタクト層３０９上にＣｒ／Ａｕからなるｐ電極３１１が形成される。さらに、ｐ電極３１１の上面および絶縁膜３１０の上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ電極３２が形成される。

このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層３ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極３３が形成される。

この赤外半導体レーザ素子３では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層３０４の位置に赤外発光点３１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層３０４が図１のｐｎ接合面３０に相当する。

以上、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の少なくとも一部が赤色半導体レーザ素子２と赤外半導体レーザ素子３との間で露出しているので、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２への配線を容易に行うことができる。

また、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２上に接合されているので、青紫色半導体レーザ素子１の一面の同じ側から赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３への配線を容易に行うことができる。

これにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３への配線の自由度が向上される。

本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３が青紫色半導体レーザ素子１との接合部と反対側の面に位置し、赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３が青紫色半導体レーザ素子１との接合部と反対側の面に位置するので、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３への配線を半導体レーザ装置１０００Ａの一方側から行うことができる。したがって、半導体レーザ装置１０００Ａの製造が容易となっている。

また、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２は半導体層１ｔ側の面に形成され、赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５側の面に形成され、赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５側の面に形成され、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ側の面および赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔ側の面が青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２に接合されている。

このように、青紫色半導体レーザ素子１の半導体層１ｔ側の面側に、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ側の面と、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔ側の面とが接合されている。

これにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の半導体層１ｔ，２ｔ，３ｔが近くに位置し、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の発光点間の間隔が短くなる。

それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１をともに半導体レーザ装置１０００Ａの中心に近づけることができる。その結果、レーザ光をレンズ等で集光する場合に青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の光の取り出し効率がともに向上する。

さらに、上記の半導体レーザ装置１０００Ａでは青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２に、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２が電気的に接続されているので、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３への配線の数を低減することができる。それにより、半導体レーザ装置１０００Ａの配線が単純になるとともに、配線の手間が少なくなっている。

本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいて、青紫色半導体レーザ素子１のｎ−ＧａＮ基板１ｓは透光性基板である。これにより、青紫色半導体レーザ素子１の一面側に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を接合する際にｎ−ＧａＮ基板１ｓを通して赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を目視することができる。

それにより、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の位置決めが容易となっている。したがって、接合位置の調整を正確に行うことができる。その結果、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１の位置精度を向上させることができる。

また、青紫色半導体レーザ素子１には、窒化物系半導体からなるｎ−ＧａＮ基板１ｓが用いられている。この場合、ｎ−ＧａＮ基板１ｓが熱伝導率の高い窒化物系半導体からなるので、青紫色半導体レーザ素子１の半導体層１ｔの放熱性が向上する。それにより、青紫色半導体レーザ素子１の温度特性が向上し、信頼性が向上する。

本実施の形態において、半導体レーザ装置１０００Ａは青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を集積することにより作製している。しかしながら、これに限らず、集積される複数の半導体レーザ素子は、他の波長の光を出射する半導体レーザ素子であってもよい。

図２に示すように、本実施の形態では、半導体レーザ装置１０００Ａをヒートシンク５００上に取り付けているが、半導体レーザ装置１０００Ａは、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｓｉもしくはダイヤモンド等の絶縁性材料またはＣｕ、ＣｕＷもしくはＡｌ等の導電性材料からなるヒートシンク上に取り付けられてもよい。

半導体レーザ装置１０００Ａのパッケージとしては、金属製のキャンパッケージまたは樹脂製のフレームパッケージ等を用いてもよく、半導体レーザ装置１０００Ａを収納できるものであればよい。

（第２の実施の形態）
図１０は第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造が異なる。

図１０に示すように、本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１に形成される青紫色発光点１１の一方側（Ｙ方向）に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が並ぶように接合されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２の一端側が露出している。また、上述のように赤色半導体レーザ素子２には赤色発光点２１が形成されており、赤外半導体レーザ素子３には赤外発光点３１が形成されている。

このように、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の外側の領域で青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２を露出させることにより、そのｐ電極１２の露出部分にワイヤを接続することができる。

この場合、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極の配線の自由度が増加する。また、青紫色半導体レーザ素子１上に、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が一体的に作製されたモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子を接合することができる。

また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂによれば、赤色半導体レーザ素子２を中心に配置することができる。それにより、Ｙ方向に青紫色発光点１１、赤色発光点２１、赤外発光点３１の順で発光点を配置することが可能となっている。

さらに、青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置を変更することにより、赤色発光点２１と赤外発光点３１との位置関係を変更することも可能である。

ここで、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂの製造方法について説明する。

図１１〜図１５は第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図１１〜図１５においても、図１のＸ，Ｙ，Ｚ方向が定義されている。

初めに、第１の実施の形態において説明したように、青紫色半導体レーザ素子１を作製するために、ｎ−ＧａＮ基板（ｎ−ＧａＮウェハ）１ｓの一方の面上に積層構造を有する半導体層１ｔおよびｐ電極１２を順に形成する。そして、ｐ電極１２上の所定の領域にはんだ膜Ｈを形成する。図１１に、半導体層１ｔ、ｐ電極１２およびはんだ膜Ｈの形成されたｎ−ＧａＮ基板１ｓの一例が示されている。

図１１においては、半導体層１ｔに２つの青紫色発光点１１が形成されている。ｐ電極１２上では、Ｙ方向における青紫色発光点１１の両側にそれぞれはんだ膜Ｈが、互いに離間するように形成されている。２つの青紫色発光点１１の上部には、それぞれ図示しないリッジ部が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は後の工程で形成される。

なお、図１１はｎ−ＧａＮ基板（ｎ−ＧａＮウェハ）１ｓの一部を抜き出して図示したものである。したがって、実際には、ｎ−ＧａＮ基板（ｎ−ＧａＮウェハ）１ｓ上の半導体層１ｔにさらに複数の青紫色発光点１１が形成されている。

一方、図１２に示すように、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を作製するために、それぞれの素子の共通基板としてｎ−ＧａＡｓ基板（ｎ−ＧａＡｓウェハ）５０を用意する。そこで、ｎ−ＧａＡｓ基板５０の一方の面上にエッチングストップ層５１およびｎ−ＧａＡｓコンタクト層５を順に形成する。

そして、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上にＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造を有する半導体層２ｔおよびＡｌＧａＡｓ系の積層構造を有する半導体層３ｔを互いに離間するように形成する。さらに、半導体層２ｔ上にｐ電極２２を形成し、半導体層３ｔ上にｐ電極３２を形成する。

図１２においては、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に２つの半導体層２ｔおよび２つの半導体層３ｔが形成されている。それにより、それぞれの半導体層２ｔ，３ｔに赤色発光点２１および赤外発光点３１が形成されている。

なお、図１２はｎ−ＧａＡｓ基板（ｎ−ＧａＡｓウェハ）５０、エッチングストップ層５１およびｎ−ＧａＡｓコンタクト層５の一部を抜き出して図示したものである。したがって、実際には、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上にはさらに複数の半導体層２ｔおよび半導体層３ｔが形成されている。それにより、それらの半導体層２ｔにさらに赤色発光点２１が形成され、それらの半導体層３ｔにさらに赤外発光点３１が形成されている。

半導体層２ｔ，３ｔの赤色発光点２１および赤外発光点３１の上部には、それぞれ図示しないリッジ部が形成されている。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３，３３は後の工程で形成される。

次に、図１３に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０の貼り合わせを行う。この貼り合わせは、ｎ−ＧａＮ基板１ｓ上に形成されたはんだ膜Ｈに、ｎ−ＧａＡｓ基板５０上に形成されたｐ電極２２，３２を接合することにより行われる。

その後、ｎ−ＧａＡｓ基板５０をエッチングまたは研磨等により所定の薄さに加工し、エッチングストップ層５１までエッチングする。そして、エッチングストップ層５１を除去し、図１４に示すように、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上の所定の領域にｎ電極２３，３３をそれぞれパターニングにより形成する。

具体的には、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５における半導体層２ｔの形成領域にｎ電極２３を形成し、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５における半導体層３ｔの形成領域にｎ電極３３を形成する。

次に、図１５に示すように、半導体層２ｔおよび半導体層３ｔが形成されていない部分のｎ−ＧａＡｓコンタクト層５をエッチングにより除去する。これにより、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が作製される。

また、ｎ−ＧａＮ基板１ｓを研磨により薄くした後、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの下面に、ｎ電極１５を形成する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１が作製される。

最後に、上記のように作製された青紫色半導体レーザ素子１をＹ方向に沿ってへき開により棒状に分離する。それにより、共振器端面が形成される。その後、共振器端面に保護膜を形成し、Ｘ方向に沿ってチップ状にさらに細かく裁断する。この裁断は、図１５の一点鎖線ＣＴ１を基準とする。これにより、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂが完成する。

上記の製造方法においては、青紫色半導体レーザ素子１のＸ方向に沿った裁断の位置（図１５の一点差線ＣＴ１）を変更してもよい。例えば、図１５の一点差線ＣＴ２を基準として裁断してもよい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置を容易に変更することができる。

（第３の実施の形態）
図１６は第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造が異なる。

図１６に示すように、本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１上の中央部に段差が設けられ、凸状部が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１の凸状部にはｐｎ接合面１０が形成され、青紫色発光点１１が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１の凸状部の両側に延びるｐ電極１２上の所定の領域にはんだ膜Ｈが形成され、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が接合されている。

これにより、青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１の各々が略直線上に位置しているので、半導体レーザ装置１０００Ｃおよび光ピックアップ装置の設計が容易となっている。

（第４の実施の形態）
図１７は第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造が異なる。

図１７に示すように、本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１上の一端部側に段差が設けられ、凸状部が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１の凸状部にはｐｎ接合面１０が形成され、青紫色発光点１１が形成されている。そして、青紫色半導体レーザ素子１の凸状部の一方側（Ｙ方向）に延びるｐ電極１２上の所定の領域にはんだ膜Ｈが形成され、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が接合されている。

これにより、青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１の各々が略直線上に位置しているので、半導体レーザ装置１０００Ｄおよび光ピックアップ装置の設計が容易となっている。

また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄによれば、青紫色半導体レーザ素子１の凸状部の一方側（Ｙ方向）に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が並ぶように接合されている。赤色半導体レーザ素子２には赤色発光点２１が形成されており、赤外半導体レーザ素子３には赤外発光点３１が形成されている。

これにより、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄにおいては、赤色半導体レーザ素子２を中心に配置することができる。それにより、Ｙ方向に青紫色発光点１１、赤色発光点２１、赤外発光点３１の順で発光点を配置することが可能となっている。

また、青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置を変更することにより、赤色発光点２１と赤外発光点３１との位置関係を変更することも可能である。

（第５の実施の形態）
図１８は第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｅは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造が異なる。

図１８に示すように、本実施の形態では、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５上に接合されている。

これにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐｎ接合面１０が赤色半導体レーザ素子２のｐｎ接合面２０および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面３０からＺ方向に離間する。

それにより、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１を赤色発光点２１および赤外発光点３１から離間させることができる。

（第６の実施の形態）
図１９は第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図である。図２０（ａ）は図１９のＡ１−Ａ１線における半導体レーザ装置１０００Ｆの模式的断面図を示し、図２０（ｂ）は図１９のＢ１−Ｂ１線における半導体レーザ装置１０００Ｆの模式的断面図を示す。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｆは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造および製造方法が異なる。

図１９および図２０に示すように、本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１に接合される赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の構造が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと異なる。

赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔと、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔとが連結部ＢＲにより連結されている。赤色半導体レーザ素子２と赤外半導体レーザ素子３との間の領域において、連結部ＢＲに円形状の孔部ＰＨが形成されている。この孔部ＰＨの直径Ｗは、半導体層２ｔ，３ｔの間隔Ｌよりも小さい。

連結部ＢＲは、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔまたは赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔの一部を含んでいてもよい。例えば、連結部ＢＲは赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３において電流の流れを制限する電流狭窄層（例えば、図８および図９の絶縁膜２１０，３１０）であってもよいし、ｐ型のコンタクト層であってもよい。

図２１は図１９および図２０の半導体レーザ装置１０００Ｆをヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。図１９および図２０の半導体レーザ装置１０００Ｆを光ピックアップ装置に用いる場合、図２１に示すように、半導体レーザ装置１０００Ｆをヒートシンク５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗｂ，３Ｗｂ，４Ｗａを用いてｐ電極１２，２２，３２およびｎ電極２３，３３，１５の配線を行う。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。

本実施の形態では、図１９および図２０に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の一方の面に形成されるｐ電極１２が、連結部ＢＲに形成された孔部ＰＨを通じて露出している。

これにより、連結部ＢＲの孔部ＰＨを通じて青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２にワイヤボンディングを行うことができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通のｐ電極１２へのワイヤボンディングが、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３，３３と同じ側から行うことができるので配線の自由度が高くなっている。

なお、本実施の形態において、孔部ＰＨは円形状を有するとしているが、孔部ＰＨの形状は特に限定されない。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３間に形成されるのであれば、孔部ＰＨは正方形状を有してもよいし、三角形状を有してもよい。

（第７の実施の形態）
図２２は第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図である。図２３（ａ）は図２２のＡ２−Ａ２線における半導体レーザ装置１０００Ｇの模式的断面図を示し、図２３（ｂ）は図２２のＢ２−Ｂ２線における半導体レーザ装置１０００Ｇの模式的断面図を示す。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。

第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｇは以下の点で第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと構造および製造方法が異なる。

本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の構造が第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと異なる。

上述のように青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３はリッジ部を有する。図２３では、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉが示されている。

図２２および図２３に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の半導体層１ｔ上にはリッジ部Ｒｉの上面を除き、絶縁膜ＳＵが形成されている。リッジ部Ｒｉおよび絶縁膜ＳＵの上面には、さらに３つのｐ電極１２，１３，１４が互いに分離するように形成されている。

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２はリッジ部Ｒｉの上面を含む領域に形成され、Ｙ方向におけるｐ電極１２の一方側にｐ電極１３が形成され、Ｙ方向におけるｐ電極１２の他方側にｐ電極１４が形成されている。

また、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通の基板（ｎ−ＧａＡｓ基板５０）は分離されていない。それにより、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は間隔Ｌをおいて一体的に形成されている。以下、共通の基板により一体的に形成された赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。

ｎ−ＧａＡｓ基板５０の面上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通のｎ電極２３３が形成されている。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は、共通の基板（ｎ−ＧａＡｓ基板５０）を含む連結部ＢＲにより連結されている。赤色半導体レーザ素子２と、赤外半導体レーザ素子３との間の領域において、連結部ＢＲに複数の孔部ＱＨが設けられている。なお、連結部ＢＲは、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔまたは赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔの一部を含んでもよい。例えば、連結部ＢＲは図８のｎ−ＧａＡｓ層２０１およびｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２または図９のｎ−ＧａＡｓ層３０１およびｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２を含んでもよい。

本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１上に形成されるｐ電極１２，１３，１４が、ｎ−ＧａＡｓ基板５０に形成された複数の孔部ＱＨを通じて外部に露出している。

また、青紫色半導体レーザ素子１においては、絶縁膜ＳＵ上でｐ電極１２，１３，１４が互いに分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、ｐ電極１３に接合される赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２およびｐ電極１４に接合される赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２は、互いに電気的に分離されている。

図２４は、図２２および図２３の半導体レーザ装置１０００Ｇをヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。図２２および図２３の半導体レーザ装置１０００Ｇを光ピックアップ装置に用いる場合、図２４に示すように、半導体レーザ装置１０００Ｇをヒートシンク５００上に取り付ける。そして、ワイヤ１Ｗ，２Ｗａ，２Ｗｂ，３Ｗａを用いてｐ電極１２，２２，３２およびｎ電極２３３，１５の配線を行う。

具体的には、ｎ電極１５がステム５００の上面に接合される。これにより、ｎ電極１５とステム５００とが電気的に接続される。

赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通電極となるｎ電極２３３がワイヤ２Ｗｂによりステム５００の上面に電気的に接続される。

これにより、ステム５００が青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通のｎ電極となり、カソードコモンの結線が実現される。

青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２はワイヤ１Ｗにより図示しない駆動回路に接続される。ワイヤ１Ｗは、半導体レーザ装置１０００Ｇの上方からｎ−ＧａＡｓ基板５０の孔部ＱＨを通じてｐ電極１２に接続されている。

青紫色半導体レーザ素子１上のｐ電極１３はワイヤ２Ｗａにより図示しない駆動回路に接続される。これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２と駆動回路とが電気的に接続される。ワイヤ２Ｗａは、半導体レーザ装置１０００Ｇの上方からｎ−ＧａＡｓ基板５０の孔部ＱＨを通じてｐ電極１３に接続されている。

青紫色半導体レーザ素子１上のｐ電極１４はワイヤ３Ｗａにより図示しない駆動回路に接続される。これにより、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２と駆動回路とが電気的に接続される。ワイヤ３Ｗａは、半導体レーザ装置１０００Ｇの上方からｎ−ＧａＡｓ基板５０の孔部ＱＨを通じてｐ電極１４に接続されている。

ステム５００とワイヤ１Ｗとの間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができ、ステム５００とワイヤ２Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができ、ステム５００とワイヤ３Ｗａとの間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。

上述のように、本実施の形態では、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２、ｐ電極１３に接合される赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２およびｐ電極１４に接合される赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２が、互いに電気的に分離されている。

これにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐ電極１２，２２，３２にそれぞれ任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することができる。

また、青紫色半導体レーザ素子１に形成されるｐ電極１２，１３，１４が、ｎ−ＧａＡｓ基板５０の孔部ＱＨを通じて外部に露出している。

これにより、ｎ−ＧａＡｓ基板５０の孔部ＱＨを通じて青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２，１３，１４にワイヤボンディングを行うことができる。

それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ電極１２，２２，２３へのワイヤボンディングが、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ電極２３３と同じ側から行うことができるので、配線の自由度が高くなっている。

なお、本実施の形態において、孔部ＰＨは円形状を有するとしているが、孔部ＰＨの形状は特に限定されない。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３間に形成されるのであれば、孔部ＰＨは正方形状を有してもよいし、三角形状を有してもよい。

さらに、第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｇの製造時においては、複数の半導体レーザ装置１０００Ｇのへき開工程で良好なスクライブラインを得ることができる。詳細を説明する。

図２５（ａ）に、第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｇの製造時に形成されるスクライブラインの概略図を示す。図２５（ｂ）に、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３間でｎ−ＧａＡｓ基板５０が分離された半導体レーザ装置１０００Ｘの製造時に形成されるスクライブラインの概略図を示す。なお、図２５において、電極の図示は省略する。

複数の半導体レーザ装置１０００Ｇが形成されたｎ−ＧａＮ基板（ｎ−ＧａＮウェハ）１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板（ｎ−ＧａＡｓウェハ）５０のへき開時には、例えば図２５（ａ）のＤ２−Ｄ２線に示されるようにＹ方向に沿ったスクライブラインが形成される。その後、図２５（ａ）のＤ１−Ｄ１線に示されるようにＸ方向に沿ったスクライブラインが形成される。

それにより、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０が棒状にへき開された後、チップ状に裁断され、個々の半導体レーザ装置１０００Ｇが完成する。

この場合、ｎ−ＧａＡｓ基板５０はＤ２−Ｄ２線に示されるスクライブライン上で平坦になっている。それにより、ｎ−ＧａＡｓ基板５０の全体にわたって均一なスクライブラインが容易に形成される。その結果、Ｙ方向に沿うへき開が良好に行われ、平坦なへき開面が得られる。その結果、良好な共振器端面を容易に得ることができる。

なお、図２５（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５０がＤ２−Ｄ２線上で平坦である場合には、Ｄ２−Ｄ２線におけるｎ−ＧａＡｓ基板５０の端部にのみスクライブ傷を形成するだけでも、容易にウェハのへき開を行うことができる。

これに対して、図２５（ｂ）に示すように、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｎ−ＧａＡｓ基板５０が青紫色半導体レーザ素子１上で分離された半導体レーザ装置１０００Ｘ（第１〜第５の実施の形態に対応する）について説明する。

この場合、Ｄ２−Ｄ２線で示されるスクライブラインは凹凸のある面上に形成される。それにより、複数のｎ−ＧａＡｓ基板５０のＹ方向における端部ＴＡに深い傷が入る場合がある。端部ＴＡに深い傷が入る場合には、良好な共振器端面を得ることが容易でない。

また、図２５（ｂ）の半導体レーザ装置１０００Ｘにおいては、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３ごとにｎ−ＧａＡｓ基板５０がＹ方向で分離されているため、分離されたｎ−ＧａＡｓ基板５０の全てにスクライブライン（またはスクライブ傷）を形成しなければ、全ての半導体レーザ装置１０００Ｘのへき開は困難である。

なお、図２５（ｂ）の半導体レーザ装置１０００Ｘの製造時においては、例えば、図５（ｅ）または図１４に示したｎ−ＧａＡｓ基板５０の分離工程の前に予めＹ方向に沿ったスクライブラインをｎ−ＧａＡｓ基板５０に形成することにより、均一かつ良好なスクライブラインを得ることも可能である。しかしながら、スクライブラインの形成された状態でｎ−ＧａＡｓ基板５０に後工程の処理が施されると、後工程（例えば、図５（ｅ）および図５（ｆ）の工程）の処理時にｎ−ＧａＡｓ基板５０が割れやすくなり、歩留まりが低下する。

本実施の形態においては、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通基板であるｎ−ＧａＡｓ基板５０が分離されていない。これにより、ｎ−ＧａＡｓ基板５０に対するスクライブラインまたはスクライブ傷の形成が容易かつ良好に行われる。それにより、複数の半導体レーザ装置１０００Ｇのへき開時に、平坦で良好なへき開面を得ることができる。その結果、良好な共振器端面を得ることができる。

ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０の貼り合わせ後に、ｎ−ＧａＡｓ基板５０はウェットエッチングにより薄型化される。

ここで、ｎ−ＧａＡｓ基板５０はウェットエッチングされやすく、ｎ−ＧａＮ基板１ｓはウェットエッチングされにくい。したがって、ｎ−ＧａＡｓ基板５０のエッチング量を容易に制御することができる。

なお、本実施の形態においては、上記のようにｎ−ＧａＡｓ基板５０のウェットエッチングを行った後、ｎ−ＧａＮ基板１ｓを研磨等により薄型化してもよい。この場合、高い硬度を有するｎ−ＧａＮ基板１ｓがｎ−ＧａＡｓ基板５０よりも薄型化されることにより、半導体レーザ装置１０００Ｇのへき開が容易となる。また、良好なへき開面を得ることができる。

以上、第１〜第７の実施の形態において、ｎ−ＧａＮ基板１ｓは第１の基板に相当し、波長約４００ｎｍのレーザ光は第１の波長の光に相当し、半導体層１ｔは第１の半導体層に相当し、青紫色半導体レーザ素子１は第１の半導体レーザ素子に相当する。

また、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５、ｎ−ＧａＡｓ基板５０，５Ｘは第２の基板に相当し、波長約６５０ｎｍのレーザ光は第２の波長の光に相当し、半導体層２ｔは第２の半導体層に相当し、赤色半導体レーザ素子２は第２の半導体レーザ素子に相当する。

さらに、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５、ｎ−ＧａＡｓ基板５０，５Ｘは第３の基板に相当し、波長約７８０ｎｍのレーザ光は第３の波長の光に相当し、半導体層３ｔは第３の半導体層に相当し、赤外半導体レーザ素子３は第３の半導体レーザ素子に相当する。

また、青紫色半導体レーザ素子１のｐ電極１２は第１の電極に相当し、赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３は第２の電極に相当し、赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３は第３の電極に相当する。

さらに、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は第４の電極に相当し、赤色半導体レーザ素子２のｐ電極２２は第５の電極に相当し、赤外半導体レーザ素子３のｐ電極３２は第６の電極に相当する。

絶縁膜ＳＵは絶縁層に相当し、ｎ−ＧａＡｓ基板５０，５Ｘ、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５および共通の連結部ＢＲは連結部に相当し、孔部ＰＨ，ＱＨは開口に相当する。

本発明に係る半導体レーザ装置は、複数種類の光学記録媒体の記録および再生を行うための光ピックアップ装置、表示装置、光源等に有効に利用できる。

第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図および模式的断面図である。 図１の半導体レーザ装置をヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。 第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的断面図である。 第６の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図である。 図１９のＡ１−Ａ１線およびＢ１−Ｂ１線における半導体レーザ装置の模式的断面図である。 図１９および図２０の半導体レーザ装置をヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。 第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す模式的上面図である。 図２２の半導体レーザ装置のＡ２−Ａ２線およびＢ２−Ｂ２線における模式的断面図である。 図２２および図２３の半導体レーザ装置をヒートシンク上に組み立てた際の模式的断面図である。 第７の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造時に形成されるスクライブラインを説明するための図である。

符号の説明

１ 青紫色半導体レーザ素子
２ 赤色半導体レーザ素子
３ 赤外半導体レーザ素子
１ｓ ｎ−ＧａＮ基板
１ｔ，２ｔ，３ｔ 半導体層
５ ｎ−ＧａＡｓコンタクト層
５０，５Ｘ ｎ−ＧａＡｓ基板
１５，２３，３３ ｎ電極
１２，２２，３２ ｐ電極
ＢＲ 連結部
ＰＨ，ＱＨ 孔部
ＳＵ 絶縁膜

Claims (17)

1. 第１の基板上に第１の波長の光を出射する第１の半導体層を有する第１の半導体レーザ素子と、
   第２の基板上に第２の波長の光を出射する第２の半導体層を有する第２の半導体レーザ素子と、
   第３の基板上に第３の波長の光を出射する第３の半導体層を有する第３の半導体レーザ素子とを備え、
   前記第１、第２および第３の波長のうち少なくとも一の波長は他の波長と異なり、
   前記第１の半導体レーザ素子は一面側に第１の電極を有し、
   前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の電極の少なくとも一部が露出するように前記第１の半導体レーザ素子の前記一面側に接合されたことを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記第２および第３の基板の少なくとも一方は前記第１の基板と異なる材料により形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極の少なくとも一部が前記第２の半導体レーザ素子と前記第３の半導体レーザ素子との間で露出するように前記第１の半導体レーザ素子の前記一面側に接合されたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
4. 前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極の少なくとも一部が、前記第３の半導体レーザ素子と反対側における第２の半導体レーザ素子の側方、または前記第２の半導体レーザ素子と反対側における第３の半導体レーザ素子の側方で露出するように前記第１の半導体レーザ素子の前記一面側に接合されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
5. 前記第１の電極は、前記第１の半導体層に形成され、
   前記第２の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第２の電極を有し、
   前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第３の電極を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
6. 前記第１の電極は、前記第１の基板に形成され、
   前記第２の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第２の電極を有し、
   前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子との接合部と反対側の面に第３の電極を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
7. 前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の電極は前記第２の基板に形成され、前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の電極は前記第３の基板に形成され、
   前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の半導体層および前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の半導体層が前記第１の半導体レーザ素子の前記一面側に接合されることを特徴とする請求項５または６記載の半導体レーザ装置。
8. 前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体層または前記第１の基板に第４の電極をさらに有し、
   前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体層に第５の電極をさらに有し、
   前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体層に第６の電極をさらに有し、
   前記第２の半導体レーザ素子の前記第５の電極および前記第３の半導体レーザ素子の前記第６の電極は、前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極に電気的に接続されたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
9. 前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体層または前記第１の基板に第４の電極をさらに有し、
   前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体層に第５の電極をさらに有し、
   前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体層に第６の電極をさらに有し、
   前記第２の半導体レーザ素子の前記第５の電極および前記第３の半導体レーザ素子の前記第６の電極が、絶縁層を介して前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極に接合され、前記第１、第５および第６の電極がそれぞれ電気的に分離されたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
10. 前記第１の半導体レーザ素子は、上段面および下段面からなる段差をさらに有し、
    前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極は前記上段面から前記下段面にわたって形成され、
    前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体レーザ素子の前記下段面の前記第１の電極上に接合されたことを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
11. 前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、前記第１の電極の少なくとも一部が露出するように互いに分離されたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
12. 前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子は、連結部を含み、前記連結部により互いに連結され、
    前記連結部は、前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極の少なくとも一部が露出するように開口を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
13. 前記第１の基板は透光性基板であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
14. 前記第１の半導体層は窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
15. 前記第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
16. 前記第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
17. 複数の波長の光を出射することができる半導体レーザ装置の製造方法であって、
    第１の基板上に第１の波長の光を出射する第１の半導体層を形成することにより第１の半導体レーザ素子を作製する工程と、
    第２の基板上に第２の波長の光を出射する第２の半導体層を形成することにより第２の半導体レーザ素子を作製する工程と、
    前記第２の基板上に第３の波長の光を出射する第３の半導体層を形成することにより第３の半導体レーザ素子を作製する工程と、
    前記第１の基板または前記第１の半導体層に第１の電極を形成する工程と、
    前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の電極の少なくとも一部が露出するように、前記第１の電極上に前記第２および第３の半導体レーザ素子を接合する工程とを含み、
    前記第１、第２および第３の波長のうち少なくとも一の波長は他の波長と異なることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。

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