CN1677783A - 半导体激光装置 - Google Patents

半导体激光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1677783A
CN1677783A CNA2005100588419A CN200510058841A CN1677783A CN 1677783 A CN1677783 A CN 1677783A CN A2005100588419 A CNA2005100588419 A CN A2005100588419A CN 200510058841 A CN200510058841 A CN 200510058841A CN 1677783 A CN1677783 A CN 1677783A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
laser device
electrode
semiconductor
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100588419A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100461564C (zh
Inventor
别所靖之
畑雅幸
井上大二朗
山口勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of CN1677783A publication Critical patent/CN1677783A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100461564C publication Critical patent/CN100461564C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

在蓝紫色半导体激光元件的上面形成p电极，在其下面形成n电极。在红色半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在红外半导体激光元件的上面形成n电极，在其下面形成p电极。在蓝紫色半导体激光元件的p电极的上面的一部分上形成焊锡膜。在p电极的上面，以规定的间隔形成两个焊锡膜。由此，p电极的一部分露出。再者，蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件以及红外半导体激光元件的p电极成为共用的电极。

Description

半导体激光装置
技术区域
本发明涉及一种可以射出波长不同的多种光的半导体激光装置。
背景技术
目前，在CD(compact disk)/CD-R(compact disk recordable)驱动器中，作为光源可以使用射出波长780nm左右的红外光的半导体激光元件(红外半导体激光元件)。再者，在现有的DVD(digital versatiledisk)驱动器中，作为光源可以使用射出波长650nm左右的红色光的半导体激光元件(红色半导体激光元件)。
另一方面，近年来正在开发一种使用波长405nm左右的蓝紫色光并可以记录以及再现的DVD。为了这样的DVD的记录或再现，也同时开发一种使用射出波长405nm左右的蓝紫色光的半导体激光元件(蓝紫色半导体激光元件)的DVD驱动器。在该DVD驱动器中，需要对于现有的CD/CD-R以及DVD的互换性。
这时，利用在DVD驱动器中设置分别射出红外光、红色光以及蓝紫色光的多种光拾波装置的方法、或在一个光拾波装置内设置红外半导体激光元件、红色半导体激光元件以及蓝紫色半导体激光元件的方法，实现对现有的CD、DVD以及新DVD的互换性。但是，在这些方法中，因为导致部件的个数增加，所以难以实现DVD驱动器的小型化、构成的简单化以及低成本化。
为了防止这样的部件个数的增加，将红外半导体激光元件和红色半导体激光元件集成化在一个芯片上的半导体激光元件正在实用化。
因为红外半导体激光元件以及红色半导体激光元件都在GaAs基板上形成，所以可以实现一个芯片化；但因为蓝紫色半导体激光元件没有在GaAs基板上形成，所以非常难以将蓝紫色半导体激光元件与红外半导体激光元件和红色半导体激光元件一同集成化在一个芯片上。
因此，提出了具有如下构造的发光装置，即，通过在同一芯片上形成红外半导体激光元件以及红色半导体激光元件，制作单片式红色/红外半导体激光元件，同时，在别的芯片上形成蓝紫色半导体激光元件后，层叠蓝紫色半导体激光元件的芯片和单片式红色/红外半导体激光元件的芯片(例如参照特开2001-230502号公报)。
但是，在上述发光装置中，在单片式红色/红外半导体激光元件的构造上，红色半导体激光元件以及红外半导体激光元件的两个n型基板是共用的，在蓝紫色半导体激光元件的n型基板上设置红外半导体激光元件以及红色半导体激光元件的p侧电极。在这样的构造中，安装在各个电极上的导线的连接空间受到限制。由此，发光装置的配线变得复杂起来。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有多个半导体激光元件且对多个半导体激光元件的各电极的配线的自由度高的半导体激光装置。
本发明的一局面的半导体激光装置包括：在第一基板上具有射出第一波长的光的第一半导体层的第一半导体激光元件、和在第二基板上具有射出第二波长的光的第二半导体层的第二半导体激光元件、和在第三基板上具有射出第三波长的光的第三半导体层的第三半导体激光元件，第一、第二以及第三的波长中至少一种波长与其它波长不同，第一半导体激光元件在一面侧具有第一电极，第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件以第一电极的至少一部分露出的方式接合在第一半导体激光元件的一面侧上。
在该半导体激光装置中，因为第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出在第一半导体激光元件和第二以及第三半导体激光元件的接合面上，所以可以容易地对第一半导体激光元件的第一电极进行配线。
再者，因为第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件接合在第一半导体激光元件的一面侧上，所以从与第一半导体激光元件的一面侧相同的一侧可以容易地向第二以及第三半导体激光元件进行配线。
由此，提高了第一、第二以及第三半导体激光元件的配线的自由度。
第二以及第三基板的至少一方可以由与第一基板不同的材料形成。这时，一体形成具有材料互不相同的基板的半导体激光元件。
第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件可以以第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出在第二半导体激光元件和第三半导体激光元件之间的方式接合在第一半导体激光元件一面侧上。
这时，容易地通过第二半导体激光元件和第三半导体激光元件之间，进行向第一半导体激光元件的第一电极的配线。
第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件可以以第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出在与第三半导体激光元件相反侧的第二半导体激光元件的侧方、或与第二半导体激光元件相反侧的第三半导体激光元件的侧方的方式连接在第一半导体激光元件的一面侧上。
这时，从与第三半导体激光元件相反侧的第二半导体激光元件的侧方、或与第二半导体激光元件相反侧的第三半导体激光元件的侧方可以容易地向第一半导体激光元件的第一电极上进行配线。
第一电极在第一半导体层上形成，第二半导体激光元件可以在与第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第二电极，第三半导体激光元件可以在与第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第三电极。
再者，第一电极在第一基板上形成，第二半导体激光元件可以在与第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第二电极，第三半导体激光元件可以在与第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第三电极。
这时，因为第二半导体激光元件的第二电极位于与第一半导体激光元件的接合部的反对侧的面上，第三半导体激光元件的第三电极位于与第一半导体激光元件的接合部的反对侧的面上，所以从半导体激光装置的一方侧可以向第一、第二以及第三半导体激光元件的第一、第二以及第三电极进行配线。因此，可容易地制造半导体激光装置。
第二半导体激光元件的第二电极在第二基板上形成，第三半导体激光元件的第三电极在第三基板上形成，第二半导体激光元件的第二半导体层以及第三半导体激光元件的第三半导体层可以接合在第一半导体激光元件的一面侧上。
这时，第二半导体激光元件的第二半导体层和第三半导体激光元件的第三半导体层接近并接合在第一半导体激光元件的一面侧上。
由此，第一、第二以及第三半导体激光元件的第一、第二以及第三半导体层的位置接近，第一、第二以及第三半导体激光元件的发光点间的间隔变短。由此，第一、第二以及第三半导体激光元件的发光点都可以接近半导体激光装置的中心。其结果是：例如用透镜集光激光时，均可提高第一、第二以及第三半导体激光元件的光的射出效率。
第一半导体激光元件还在第一半导体层或第一基板上具有第四电极，第二半导体激光元件还在第二半导体层上具有第五电极，第三半导体激光元件还在第三半导体层上具有第六电极，第二半导体激光元件的第五电极以及第三半导体激光元件的第六电极也可以电连接在第一半导体激光元件的第一电极上。
这时，因为第二半导体激光元件的第五电极以及第三半导体激光元件的第六电极电连接在第一半导体激光元件的第一电极上，所以可以降低向第一、第二以及第三半导体激光元件的配线的数目。由此，半导体激光装置的配线变简单的同时，配线的工夫就变少。
第一半导体激光元件在第一半导体层或第一基板上还具有第四电极，第二半导体激光元件在第二半导体层上还具有第五电极，第三半导体激光元件在第三半导体层上还具有第六电极，第二半导体激光元件的第五电极以及第三半导体激光元件的第六电极通过绝缘层接合在第一半导体激光元件的第一电极上，第一、第五以及第六电极也可以分别电分离。
这时，因为第一、第五以及第六电极分别电分离，所以可以分别赋予第一、第五以及第六电极任意的电压。因此，可以任意分别选择第一、第二以及第三半导体激光元件的驱动方式。
第一半导体激光元件还具有由上段面以及下段面形成的段差，第一半导体激光元件的第一电极由上段面经过下段面形成，第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件也可以接合在第一半导体激光元件的下段面的第一电极上。
当第一半导体层具有上段面以及下段面时，第一半导体激光元件的第一半导体层、第二半导体激光元件的第二半导体层以及第三半导体激光元件的第三半导体层以并列的方式设置。由此，第一、第二以及第三半导体激光元件的发光点可以大约排列在直线上。由此，可以容易地设置半导体激光装置以及光拾波器装置。
即使在第一基板具有上段面以及下段面的情况下，第二半导体激光元件的第二半导体层以及第三半导体激光元件的第三半导体层也以并列的方式设置。由此，第二以及第三半导体激光元件的发光点可以大约排列在直线上。由此，可以容易地设计半导体激光装置以及光拾波器装置。
第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件也可以以第一电极的至少一部分露出的方式相互分离。这时，在第二半导体激光元件和第三半导体激光元件之间露出的部分上，可以容易地向第一半导体激光元件的一方电极进行配线。
第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件具有连接部，通过连接部相互连接，连接部也可以以第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出的方式具有开口。
这时，穿过连接部的开口，可以容易地向第一半导体激光元件的第一电极进行配线。
再者，在连接部是第二以及第三基板的情况下，在第二半导体激光元件和第三半导体激光元件之间，连接部形成平坦的面。由此，在制造半导体激光装置时，对连接部可以容易地形成均匀且良好的划线，结果，可以得到良好的劈开面，可以得到良好的共振器端面。
第一基板也可以是透光性基板。这时，因为第一基板是透光性基板，在将第二以及第三半导体激光元件接合在第一半导体激光元件的一面侧上时，通过第一基板可以目视第二以及第三半导体激光元件。由此，可以容易地决定第二以及第三半导体激光元件的位置。其结果是可以正确地调整接合位置。因此，可以提高第一、第二以及第三半导体激光元件的发光点的位置精度。
第一半导体层也可以由氮化物系半导体构成。这时，因为第一半导体层由热传导率高的氮化物系半导体构成，所以提高了第一半导体激光元件的第一半导体层的放热性。由此，提高了第一半导体激光元件的温度特性且提高了信赖性。
第二半导体层也可以由镓铟磷系半导体构成。这时，第二半导体激光元件可以射出红色波长的光。
第三半导体层也可以由镓砷系半导体构成。这时，第二半导体激光元件可以射出红外波长的光。
本发明的其它局面的半导体激光装置的制造方法是可以射出多种波长的光的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括：通过在第一基板上形成射出第一波长的光的第一半导体层而制作第一半导体激光元件的工序；和，通过在第二基板上形成射出第二波长的光的第二半导体层而制作第二半导体激光元件的工序；和，通过在第二基板上形成射出第三波长的光的第三半导体层而制作第三半导体激光元件的工序；和，在第一基板或第一半导体层上形成第一电极的工序；和，以第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出的方式将第二以及第三半导体激光元件接合在第一电极上的工序，第一、第二以及第三波长中的至少一种波长与同其它波长不同。
在该半导体激光装置的制造方法中，通过在第一基板上形成射出第一波长的光的第一半导体层而制作第一半导体激光元件。再者，通过在第二基板上形成射出第二波长的光的第二半导体层而制作第二半导体激光元件。而且，通过在第二基板上形成射出第三波长的光的第三半导体层而制作第三半导体激光元件。
然后，在第一基板或第一半导体层上形成第一电极，以第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出的方式，将第二以及第三半导体激光元件接合在第一电极上。
由此，所制作的半导体激光装置因为第一半导体激光元件的第一电极的至少一部分露出在第一半导体激光元件的第二以及第三半导体激光元件的接合面上，所以可以容易地进行向第一半导体激光元件的第一电极上的配线。
再者，因为第二半导体激光元件以及第三半导体激光元件接合在第一半导体激光元件的第一电极上，所以从与第一半导体激光元件的一面相同的一侧可以容易地进行向第二以及第三半导体激光元件上进行配线。
其结果是提高了第一、第二以及第三半导体激光元件的配线的自由度。
附图说明
图1是表示第一实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图以及示意剖面图。
图2是在散热片上组装图1的半导体激光装置时的示意剖面图。
图3是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图4是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图5是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图6是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图7是用于详细说明蓝紫色半导体激光元件1的构造的示意剖面图。
图8是用于详细说明红色半导体激光元件2的构造的示意剖面图。
图9是用于详细说明红外半导体激光元件3的构造的示意剖面图。
图10是表示第二实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。
图11是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图12是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图13是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图14是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图15是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。
图16是表示第三实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。
图17是表示第四实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。
图18是表示第五实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。
图19是表示第六实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图。
图20是图19的A1-A1线以及B1-B1线的半导体激光装置的示意剖面图。
图21是在散热片上组装图19以及图20的半导体激光装置时的示意剖面图。
图22是表示第七实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图。
图23是图22的半导体激光装置的A2-A2线以及B2-B2线的示意剖面图。
图24是在散热片上组装图22以及图23的半导体激光装置时的示意剖面图。
图25是用于说明在制造第七实施方式的半导体激光装置时所形成的划线(scribe line)的图。
具体实施方式
以下，说明本发明的一实施方式的半导体激光装置。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图以及示意剖面图。图1(a)表示半导体激光装置1000A的示意俯视图，图1(b)表示图1(a)的A-A线的半导体激光装置1000A的示意剖面图。
本实施方式的半导体激光装置1000A包括：射出波长约400nm的激光的半导体激光元件(以下称为“蓝紫色半导体激光元件”)1、射出波长约650nm的激光的半导体激光元件(以下称为“红色半导体激光元件”)2以及射出波长约780nm的激光的半导体激光元件(以下称为“红外半导体激光元件”)3。
在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1通过在GaN基板上形成半导体层而制作。红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3通过在GaAs基板上形成半导体层而制作。详细的制作在后面叙述。
如图1所示，在蓝紫色半导体激光元件1的上面形成p电极12，在其下面形成n电极15。在蓝紫色半导体激光元件1上形成作为p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面10。
在红色半导体激光元件2的上面形成n电极23，在其下面形成p电极22。在红色半导体激光元件2上形成作为p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面20。
在红外半导体激光元件3的上面形成n电极33，在其下面形成p电极32。在红外半导体激光元件3上形成p型半导体和n型半导体的接合面的pn接合面30。
在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12上面的一部分上形成焊锡膜H。另外，在图1的p电极12的上面，以规定的间隔L形成两个焊锡膜H。由此，p电极12的一部分露出。
红色半导体激光元件2的p电极22通过焊锡膜H接合在p电极12上。再者，红外半导体激光元件3的p电极32通过焊锡膜H接合在p电极12上。
由此，红色半导体激光元件2的p电极22和蓝紫色半导体激光元件1的p电极12电连接，红外半导体激光元件3的p电极32和蓝紫色半导体激光元件1的p电极12电连接。由此，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、红色半导体激光元件2的p电极22以及红外半导体激光元件3的p电极32成为共用的电极。
在图1(a)以及图1(b)中，用箭头X、Y、Z表示的相互垂直的三方向为X方向、Y方向以及Z方向。X方向以及Y方向是平行于蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30的方向。Z是垂直于蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30的方向。
通过将电压施加在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12和n电极15之间，波长约400nm的激光从pn接合面10的规定区域(以下称为“蓝紫发光点”)11射向X方向。
通过将电压施加在红色半导体激光元件2的p电极22和n电极23之间，波长约650nm的激光从pn接合面20的规定区域(以下称为“红色发光点”)21射向X方向。
通过将电压施加在红外半导体激光元件3的p电极32和n电极33之间，波长约780nm的激光从pn接合面30的规定区域(以下称为“红外发光点”)31射向X方向。
图2是将图1的半导体激光装置1000A组装在散热片上时的示意剖面图。当光拾波装置使用图1的半导体激光元件1000A时，如图2所示，将半导体激光装置1000A安装在由Cu、CuW或Al等金属构成的散热片500上。然后使用导线1W、2Wb、3Wb、4Wa，进行p电极12、22、32以及n电极23、33、15的配线。
如上述那样，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、红色半导体激光元件2的p电极22以及红外半导体激光元件3的p电极32电连接。由此，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、红色半导体元件2的p电极22以及红外半导体激光元件3的p电极32共用连接，从而实现阳极通用的接线。
蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3共用的p电极12通过导线1W连接在没有图示的驱动电路上。
红色半导体激光元件2的n电极23通过导线2Wb连接在没有图示的驱动电路上。再者，红外半导体激光元件3的n电极33通过导线3Wb连接在没有图示的驱动电路上。
蓝紫色半导体激光元件1的n电极15的配线通过将n电极15接合在散热片500的表面上来进行。由此，n电极15和散热片500的表面电连接。散热片500通过导线4Wa连接在没有图示的驱动电路上。
通过将电压施加在导线1W和导线4Wa之间，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1；通过将电压施加在导线1W和导线2Wb之间，可以驱动红色半导体激光元件2；通过将电压施加在导线1W和导线3Wb之间，可以驱动红外半导体激光元件3。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
说明本实施方式的半导体激光装置1000A的制造方法。图3～图6表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。在图3～图6中，定义图1的X、Y、Z方向。
如图3(a)所示，为了制作蓝紫色半导体激光元件1，在n-GaN基板1s的一方的面上形成具有层积构造的半导体层1t。再者，为了将红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3接合在蓝紫色半导体激光元件1上，在形成p电极12后，在半导体层1t上的规定区域(两个地方)上形成由Au-Sn构成的焊锡膜H。
焊锡膜H在p电极12的中央部以在Y方向隔开的方式形成。在p电极12的中央部形成沿X方向延伸的剖面凸状的没有图示的脊部。在p电极12的脊部的下方形成蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11。另外，蓝紫色半导体激光元件1的n电极15在后面的工序中形成。
另一方面，如图3(b)所示，为了制作红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3，在n-GaAs基板50的一方的面上形成由AlGaAs构成的蚀刻停止层51，蚀刻停止层51上形成n-GaAs接触层5。
然后，在n-GaAs接触层5上以相互隔开的方式形成具有AlGaInP系的层积构造的半导体层2t以及具有AlGaAs系的层积构造的半导体层3t。而且，在半导体层2t上形成p电极22，在半导体层3t上形成p电极32。另外，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的n电极23、33在后面的工序中形成。再者，在图3(b)中没有图示，但在半导体层2t、3t上形成沿X方向延伸的剖面凸状的脊部。
接着，如图4(c)所示，在半导体层1t上的p电极12的规定区域(形成焊锡膜H的区域)内，通过焊锡膜H接合在半导体层2t上形成的p电极22以及在半导体层3t上形成的p电极32。
另外，这时，n-GaN基板1s以及n-GaAs基板50都具有300～500μm左右的厚度。由此，n-GaN基板1s以及n-GaAs基板50的操作容易，p电极22、32容易接合在p电极12上。
再者，蓝紫色半导体激光元件1的n-GaN基板1s是透明的。由此，由目视穿过n-GaN基板1s可以确认p电极12上的p电极22、32的接合位置。由此，容易决定在蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的位置。
另外，在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1的基板并不限于n-GaN基板1s，也可以使用其它透光性的基板。这时，如上述那样，容易决定在蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的位置。
如图4(d)所示，通过蚀刻或研磨等将n-GaAs基板50加工到规定的薄度后，蚀刻到蚀刻停止层51。
然后，如图5(e)所示，除去蚀刻停止层51后，分别通过图案形成，在半导体层2t、3t上方的n-GaAs接触层5上的区域形成n电极23、33。
如图5(f)所示，通过蚀刻除去没有形成半导体层2t以及半导体层3t的部分的n-GaAs接触层5。由此，制作红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的详细构造在后面叙述。
然后，如图6(g)所示，通过研磨使n-GaN基板1s变薄后，在n-GaN基板1s的下面形成n电极15。由此，制作蓝紫色半导体激光元件1。蓝紫色半导体激光元件1的详细构造在后面叙述。
最后，沿Y方向劈开，将如上述那样制作的蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3分离成棒状，形成共振器端面。在共振器端面上形成保护膜后，进一步变细到芯片状，沿X方向切断。由此，完成本实施方式的半导体激光装置1000A。
基于图7，说明蓝紫色半导体激光元件1的详细构造以及制作方法。
图7是用于说明蓝紫色半导体激光元件1的详细构造的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样，定义X方向、Y方向以及Z方向。
在制造蓝紫色半导体激光元件1时，如上述那样，在n-GaN基板1s上形成具有层积构造的半导体层1t。
如图7(a)所示，在n-GaN基板1s上，依次形成n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102、n-GaN导光层103、MQW(多重量子阱)活性层104、未掺杂AlGaN盖层105、未掺杂GaN导光层106、p-AlGaN包覆层107以及未掺杂GaInN接触层108，作为具有层积构造的半导体层1t。这些各层的形成例如利用MOCVD法(有机金属化学气相沉积法)形成。
如图7(b)所示，MQW活性层104具有四个未掺杂GaInN阻挡层104a和三个未掺杂GaInN阱层104b交互层积的构造。
这里，例如n-AlGaN包覆层102的Al组成为0.15，Ga的组成为0.85。在n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102以及n-GaN导光层103中掺杂有Si。
再者，未掺杂GaInN阻挡层104a的Ga组成为0.95，In组成为0.05。未掺杂GaInN阱层104b的Ga组成为0.90，In组成为0.10。p-AlGaN盖层105的Al组成为0.30，Ga组成为0.70。
而且，p-AlGaN包覆层107的Al组成为O.15，Ga组成为0.85。p-AlGaN包覆层107上掺杂有Mg。未掺杂GaInN接触层108的Ga组成为0.95，In组成为0.05。
在上述半导体层1t中，在p-AlGaN包覆层107上形成沿X方向延伸的条状的脊部Ri。p-AlGaN包覆层107的脊部Ri具有约1.5μm的宽度。
未掺杂GaInN接触层108在p-AlGaN包覆层107的脊部Ri的上面形成。
在p-AlGaN包覆层107以及未掺杂GaInN接触层108的上面形成由SiO2构成的绝缘膜4，利用蚀刻除去在未掺杂GaInN接触层108上形成的绝缘膜4。然后，在露到外部的未掺杂GaInN接触层108上形成由Pd/Pt/Au构成的p电极110。而且，以覆盖p电极110的上面以及绝缘膜4的上面的方式，利用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法形成p电极12。
这样，在n-GaN基板1s的一面侧上形成具有层积构造的半导体层1t。而且，在n-GaN基板1s的另一面侧上形成由Ti//Pt/Au构成的n电极15。
在该蓝紫色半导体激光元件1中，在脊部Ri下方的MQW活性层104的位置上形成蓝紫色发光点11。另外，在本例中，MQW活性层104相当于图1的pn接合面10。
基于图8，说明红色半导体激光元件2的详细构造和制作方法。
图8是用于说明红色半导体激光元件2的详细构造的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样，定义X方向、Y方向以及Z方向。再者，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层2t制作红色半导体激光元件2，但在以下的说明中，代替n-GaAs接触层5而在n-GaAs基板5X上形成半导体层2t。该n-GaAs基板5X上掺杂有Si。
如图8(a)所示，在n-GaAs基板5X上，依次形成n-GaAs层201、n-AlGaInP包覆层202、未掺杂AlGaInP导光层203、MQW(多重量子阱)活性层204、未掺杂AlGaInP导光层205、p-AlGaInP第一包覆层206、p-InGaP蚀刻停止层207、p-AlGaInP第二包覆层208以及p-接触层209，作为具有层积构造的半导体层2t。这些各层的形成例如利用MOCVD法(有机金属化学气相沉积法)形成。
如图8(b)所示，MQW活性层204具有两个未掺杂AlGaInP阻挡层204a和三个未掺杂InGaP阱层204b交互层积的构造。
这里，例如n-AlGaInP包覆层202的Al组成为0.70，Ga的组成为0.30，In组成为0.50，P组成为0.50。在n-GaAs层201以及n-AlGaInP包覆层202中掺杂有Si。
未掺杂AlGaInP导光层203的Al组成为0.50，Ga的组成为0.50，In组成为0.50，P组成为0.50。
再者，未掺杂AlGaInP阻挡层204a的Al组成为0.50，Ga组成为0.50，In组成为0.50，P组成为0.50。未掺杂InGaP阱层204b的In组成为0.50，Ga组成为0.50。未掺杂AlGaInP导光层205的Al组成为0.50，Ga组成为0.50，In组成为0.50，P组成为0.50。
而且，p-AlGaInP第一包覆层206的Al组成为0.70，Ga组成为0.30，In组成为0.50，P组成为0.50。p-InGaP蚀刻停止层207的In组成为0.50，Ga组成为0.50。
p-AlGaInP第二包覆层208的Al组成为0.70，Ga组成为0.30，In组成为0.50，P组成为0.50。
p-接触层209具有p-GaInP层和p-GaAs层的层积构造。该p-GaInP层的Ga组成为0.5，In组成为0.5。
另外，上述的AlGaInP系材料的组成用通式(AlaGab)0.5IncPd表示时的a为Al组成，b为Ga组成，c为In组成，d为P组成。
p-AlGaInP第一包覆层206、p-InGaP蚀刻停止层207、p-AlGaInP第二包覆层208以及p-接触层209的p-GaInP以及p-GaAs上掺杂有Zn。
在上述中，在p-InGaP蚀刻停止层207上的p-AlGaInP第二包覆层208的形成只在p-InGaP蚀刻停止层207的一部分(中央部)上形成。因此，在p-AlGaInP第二包覆层208的上面形成p接触层208。
由此，在上述半导体层2t中，通过p-AlGaInP第二包覆层208以及p-接触层209形成沿X方向延伸的条状的脊部Ri。由p-AlGaInP第二包覆层208以及p-接触层209形成的脊部Ri具有约2.5μm的宽度。
在p-InGaP蚀刻停止层207上面、p-AlGaInP第二包覆层208的侧面和p-接触层209的上面以及侧面上形成由SiO2构成的绝缘膜210。利用蚀刻除去在p-接触层209上形成的绝缘膜210。然后，在露到外部的p-接触层209上形成由Cr/Au构成的p电极211。而且，以覆盖p电极211的上面以及绝缘膜210的上面的方式，利用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法形成p电极22。
这样，在n-GaAs基板5X的一面侧上形成具有层积构造的半导体层2t。而且，在n-GaAs基板5X的其它面侧上形成由AuGe/Ni/Au构成的n电极23。
在该红色半导体激光元件2中，在脊部Ri下方的MQW活性层204的位置上形成红色发光点21。另外，在本例中，MQW活性层204相当于图1的pn接合面20。
基于图9，说明红外半导体激光元件3的详细构造和制作方法。
图9是用于说明红外半导体激光元件3的详细构造的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样，定义X方向、Y方向以及Z方向。再者，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层3t制作红外半导体激光元件3，但在以下的说明中，代替n-GaAs接触层5而在n-GaAs基板5X上形成半导体层3t。该n-GaAs基板5X上掺杂有Si。
如图9(a)所示，在n-GaAs基板5X上，依次形成n-GaAs层301、n-AlGaAs包覆层302、未掺杂AlGaAs导光层303、MQW(多重量子阱)活性层304、未掺杂AlGaAs导光层305、p-AlGaAs第一包覆层306、p-InGaAs蚀刻停止层307、p-AlGaAs第二包覆层308以及p-GaAs接触层309，作为具有层积构造的半导体层3t。这些各层的形成例如利用MOCVD法(有机金属化学气相沉积法)形成。
如图9(b)所示，MQW活性层304具有两个未掺杂AlGaAs阻挡层304a和三个未掺杂AlGaAs阱层304b交互层积的构造。
这里，例如n-AlGaAs包覆层302的Al组成为0.45，Ga的组成为0.55。在n-GaAs层301以及n-AlGaAs包覆层302中掺杂有Si。
未掺杂AlGaAs导光层303的Al组成为0.35，Ga的组成为0.65。再者，未掺杂AlGaAs阻挡层304a的Al组成为0.35，Ga组成为0.65。未掺杂AlGaAs阱层304b的Al组成为0.10，Ga组成为0.90。未掺杂AlGaAs导光层305的Al组成为0.35，Ga组成为0.65。
而且，p-AlGaAs第一包覆层306的Al组成为0.45，Ga组成为0.55。p-InGaAs蚀刻停止层307的Al组成为0.70，Ga组成为0.30。
p-AlGaAs第二包覆层308的Al组成为0.45，Ga组成为0.55。
p-AlGaAs第一包覆层306、p-AlGaAs蚀刻停止层307、p-AlGaAs第二包覆层308以及p-GaAs接触层309中掺杂有Zn。
在上述中，在p-AlGaAs蚀刻停止层307上的p-AlGaAs第二包覆层308的形成只在p-AlGaAs蚀刻停止层307的一部分(中央部)上形成。然后，在p-AlGaAs第二包覆层308上面形成p-GaAs接触层309。
由此，在上述半导体层3t中，通过p-AlGaAs第二包覆层308以及p-GaAs接触层309形成沿X方向延伸的条状的脊部Ri。由p-AlGaAs第二包覆层308以及p-GaAs接触层309形成的脊部Ri具有约2.8μm的宽度。
在p-AlGaAs蚀刻停止层307上面、p-AlGaAs第二包覆层308的侧面和p-GaAs接触层309的上面以及侧面上形成由SiN构成的绝缘膜310。利用蚀刻除去在p-GaAs接触层309上形成的绝缘膜310。然后，在露到外部的p-GaAs接触层309上形成由Cr/Au构成的p电极311。而且，以覆盖p电极311的上面以及绝缘膜310的上面的方式，利用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法形成p电极32。
这样，在n-GaAs基板5X的一面侧上形成具有层积构造的半导体层3t。而且，在n-GaAs基板5X的其它面侧上形成由AuGe/Ni/Au构成的n电极33。
在该红外半导体激光元件3中，在脊部Ri下方的MQW活性层304的位置上形成红外发光点31。另外，在本例中，MQW活性层304相当于图1的pn接合面30。
以上，在本实施方式的半导体激光装置1000A中，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12的至少一部分露出红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3之间，所以可以容易进行对蓝紫色半导体激光元件1的p电极12的配线。
再者，因为红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3接合在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12上，所以从蓝紫色半导体激光元件1的一面的相同侧，可以容易地进行对红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配线。
由此，可以提高蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配线的自由度。
在本实施方式的半导体激光装置1000A中，红色半导体激光元件2的n电极23位于与蓝紫色半导体激光元件1的接合部的相反侧的面上，红外半导体激光元件3的n电极33位于与蓝紫色半导体激光元件1的接合部的反对侧的面上，所以从半导体激光装置1000A的一方侧可以进行对蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、红色半导体激光元件2的n电极23以及红外半导体激光元件3的n电极33的配线。因此，容易制造半导体激光装置1000A。
再者，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12在半导体层1t侧的面上形成，红色半导体激光元件2的n电极23在n-GaAs接触层5侧的面上形成，红外半导体激光元件3的n电极33在n-GaAs接触层5侧的面上形成，红色半导体激光元件2的半导体层2t侧的面以及红外半导体激光元件3的半导体层3t侧的面接合在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12上。
这样，红色半导体激光元件2的半导体层2t侧的面和红外半导体激光元件3的半导体层3t侧的面接合在蓝紫色半导体激光元件1的半导体层1t上。
由此，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的半导体层1t、2t、3t的位置接近，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的发光点间的间隔变短。
由此，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的蓝紫色发光点11、红色发光点21以及红外发光点31都接近于半导体激光装置1000A的中心。其结果是：在用透镜集光激光时，均可提高蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的光取出效率。
而且，在上述半导体激光装置1000A中，因为将红色半导体激光元件2的p电极22以及红外半导体激光元件3的p电极32电连接在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12上，所以可以降低对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配线数。由此，在半导体激光装置1000A的配线变单纯的同时，配线的工夫就变少。
在本实施方式的半导体激光装置1000A中，蓝紫色半导体激光元件1的n-GaN基板1s是透光性基板。由此，在将红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3接合在蓝紫色半导体激光元件1的一面侧上时，透过n-GaN基板1s可以目视红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
由此，可以容易地决定红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的位置。因此，可以正确地调整接合位置。其结果是可以提高蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的蓝紫色发光点11、红色发光点21以及红外发光点31的位置精度。
再者，在蓝紫色半导体激光元件1中使用由氮化物系半导体构成的n-GaN基板1s。这时，因为n-GaN基板1s由热传导率高的氮化物系半导体构成，所以提高了蓝紫色半导体激光元件1的半导体层1t的放热性。由此，提高了蓝紫色半导体激光元件1的温度特性且提高了信赖性。
在本实施方式中，通过集成蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3制作半导体激光装置1000A。但是，并不限定于此，集成的多个半导体激光元件也可以是射出其它波长的光的半导体激光元件。
如图2所示，在本实施方式中，将半导体激光装置1000A安装在散热片500上，但半导体激光装置1000A也可以安装在由AlN、SiC、Si或金刚石等绝缘性材料、或Cu、CuW或Al等导电性材料构成的散热片上。
就半导体激光装置1000A的装箱(package)而言，即可以使用金属制的罐状装箱或树脂制的框架式装箱等，又可以使用能收纳半导体激光装置1000A的装箱。
(第二实施方式)
图10是用于说明第二实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样，定义X方向、Y方向以及Z方向。
第二实施方式的半导体激光装置1000B在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造不同。
如图10所示，在本实施方式中，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3以并列的方式接合于在蓝紫色半导体激光元件1上形成的蓝紫色发光点11的一方侧(Y方向)。由此，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12一端侧露出。再者，如上述那样，在红色半导体激光元件2上形成红色发光点21，在红外半导体激光元件3上形成红外发光点31。
这样，在红外半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的外侧的区域内，通过使蓝紫色半导体激光元件1的p电极12露出，可以将导线连接在该p电极12的露出部分上。
这时，增加了蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的p电极的配线的自由度。再者，可以将一体制作红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的单片式红色/红外半导体激光元件接合在蓝紫色半导体激光元件1上。
再者，利用本实施方式的半导体激光装置1000B，可以将红色半导体激光元件2配置在中心。由此，可以将发光点以蓝紫色发光点11、红色发光点21、红外发光点31的顺序配置在Y方向上。
而且，通过改变蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配置，也可以改变红色发光点21和红外发光点31的位置关系。
这里，说明第二实施方式的半导体激光装置1000B的制造方法。
图11～图15是表示第二实施方式的半导体激光装置的制造方法的一实例的示意工序剖面图。在图11～图15中，定义图1的X、Y、Z方向。
首先，如在第一实施方式说明的那样为了制作蓝紫色半导体激光元件1，在n-GaN基板(n-GaN单晶片)1s的一方的面上依次形成具有层积构造的半导体层1t以及p电极12。然后，在p电极12上的规定区域内形成焊锡膜H。图11是表示半导体层1t、p电极12以及焊锡膜H形成的n-GaN基板1s的一实例。
在图11中，在半导体层1t上形成两个蓝紫色发光点11。在p电极12上，在Y方向的蓝紫色发光点11的两侧以相互隔开的方式分别形成焊锡膜H。在两个蓝紫色发光点11的上部，分别形成没有图示的脊部。蓝紫色半导体激光元件1的n电极15在后面的工序中形成。
另外，图11表示拔出n-GaN基板(n-GaN单晶片)1s的一部分的图示。因此，实际上，在n-GaN基板(n-GaN单晶片)1s上的半导体层1t上还形成多个蓝紫色发光点11。
另一方面，如图12所示，为了制作红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3，准备n-GaAs基板(n-GaAs单晶片)50作为各个元件的共用基板。因此，在n-GaAs基板50的另一方的面上依次形成蚀刻停止层51以及n-GaAs接触层5。
然后，在n-GaAs接触层5以相互隔开的方式形成具有AlGaInP系的层积构造的半导体层2t以及具有AlGaAs系层积构造的半导体层3t。而且，在半导体层2t上形成p电极22，在半导体层3t上形成p电极32。
在图12中，在n-GaAs接触层5上形成两个半导体层2t以及两个半导体层3t。由此，分别在半导体层2t、3t上形成红色发光点21以及红外发光点31。
另外，图12表示拔出n-GaAs基板(n-GaAs单晶片)50、蚀刻停止层51以及n-GaAs接触层5的一部分的图示。因此，实际上，在n-GaAs接触层5上还形成多个半导体层2t以及半导体层3t。由此，在这些半导体层2t上还形成红色发光点21，在这些半导体层3t上还形成红外发光点31。
在半导体层2t、3t的红色发光点21以及红外发光点31的上部，分别形成没有图示的脊部。红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的n电极23、33在后面的工序中形成。
接着，如图13所示，贴合n-GaN基板1s以及n-GaAs基板50。该贴合是通过将在n-GaAs基板50上形成的p电极22、32接合于在n-GaN基板1s上形成的焊锡膜H上而进行的。
然后，通过蚀刻或研磨等将n-GaAs基板50加工成规定的薄度，蚀刻到蚀刻停止层51。然后，除去蚀刻停止层51，如图14所示，在n-GaAs接触层5上的规定区域内利用图案形成分别形成n电极23、33。
具体地，在n-GaAs接触层5的半导体层2t的形成区域内形成n电极23，在n-GaAs接触层5的半导体层3t的形成区域内形成n电极33。
接着，如图15所示，通过蚀刻除去没有形成半导体层2t以及半导体层3t的部分的n-GaAs接触层5。由此，制作红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
再者，通过研磨使n-GaN基板1s变薄后，在n-GaN基板1s的下面形成n电极15。由此，制作蓝紫色半导体激光元件1。
最后，沿Y方向劈开，将如上述那样制作的蓝紫色半导体激光元件1分离成棒状。由此，形成共振器端面。然后，在共振器端面上形成保护膜，沿X方向进一步变细，切断成芯片状。该切断以图15的虚线CT1为基准。由此，完成本实施方式的半导体激光装置1000B。
在上述的制造方法中，也可以改变沿蓝紫色半导体激光元件1的X方向的切断位置(图15的虚线CT1)。例如，也可以将图15的虚线CT2作为基准切断。这时，可以容易地改变蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配置。
(第三实施方式)
图16是用于说明第三实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样定义X方向、Y方向以及Z方向。
第三实施方式的半导体激光装置1000C在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造不同。
如图16所示，在本实施方式中，在蓝紫色半导体激光元件1上的中央部设有段差，形成凸状部。在蓝紫色半导体激光元件1的凸状部上形成pn接合面10，形成蓝紫色发光点11。在蓝紫色半导体激光元件1的凸状部的两侧延伸的p电极12上的规定区域内形成焊锡膜H，接合红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
由此，因为蓝紫色发光点11、红色发光点21以及红外发光点31的各个均大致位于直线上，所以容易设计半导体激光装置1000C以及光拾波装置。
(第四实施方式)
图17是用于说明第四实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样定义X方向、Y方向以及Z方向。
第四实施方式的半导体激光装置1000D在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造不同。
如图17所示，在本实施方式中，在蓝紫色半导体激光元件1上的一端部侧设有段差，形成凸状部。在蓝紫色半导体激光元件1的凸状部上形成pn接合面10，形成蓝紫色发光点11。然后，在蓝紫色半导体激光元件1的凸状部的一方侧(Y方向)延伸的p电极12上的规定区域内形成焊锡膜H，接合红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
由此，因为蓝紫色发光点11、红色发光点21以及红外发光点31均大致位于直线上，所以容易设计半导体激光装置1000D以及光拾波装置。
再者，利用本实施方式的半导体激光装置1000D，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3以并列的方式接合在蓝紫色半导体激光元件1的凸状部的一方侧(Y方向)。在红色半导体激光元件2上形成红色发光点21，在红外半导体激光元件3上形成红外发光点31。
由此，在本实施方式的半导体激光装置1000D中，可以将红色半导体激光元件2配置在中心。由此，可以将发光点以蓝紫色发光点11、红色发光点21、红外发光点31的顺序配置在Y方向上。
再者，通过改变蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的配置，也可以改变红色发光点21和红外发光点31的位置关系。
(第五实施方式)
图18是用于说明第五实施方式的半导体激光装置的一实例的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样定义X方向、Y方向以及Z方向。
第五实施方式的半导体激光装置1000E在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造不同。
如图18所示，在本实施方式中，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3接合在蓝紫色半导体激光元件1的n电极15上。
由此，蓝紫色半导体激光元件1的pn接合面10在Z方向隔开于红色半导体激光元件2的pn接合面20以及红外半导体激光元件3的pn接合面30。
由此，可以使蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11与红色发光点21以及红外发光点31隔开。
(第六实施方式)
图19是表示第六实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图。图20(a)是图19的A1-A1线的半导体激光装置1000F的示意剖面图，图20(b)是图19的B1-B1线的半导体激光装置1000F的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样，定义X方向、Y方向以及Z方向。
第六实施方式的半导体激光装置1000F在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造以及制造方法不同。
如图19以及图20所示，在本实施方式中，接合于蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的构造与第一实施方式的半导体激光装置1000A不同。
红色半导体激光元件2的半导体层2t和红外半导体激光元件3的半导体层3t通过连接部BR连接。在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3之间的区域内，在连接部BR上形成圆状的孔部PH。该孔部PH的直径W比半导体层2t、3t的间隔L小。
连接部BR也可以含有红色半导体激光元件2的半导体层2t或红外半导体激光元件3的半导体层3t的一部分。例如，连接部BR既可以是在红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3中限制电流流动的电流狭窄层(例如图8以及图9的绝缘膜210、310)，也可以是p型的接触层。
图21是在散热片上组装图19以及图20的半导体激光装置1000F时的示意剖面图。当将图19以及图20的半导体激光装置1000F使用于光拾波装置上时，如图21所示，将半导体激光装置1000F安装在散热片500上。然后，使用导线1W、2Wb、3Wb、4Wa，配线p电极12、22、32以及n电极23、33、15。由此，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
在本实施方式中，如图19以及图20所示，在蓝紫色半导体激光元件1的一方的面上形成的p电极12穿过在连接部BR上形成的孔部PH而露出来。
由此，穿过连接部BR的孔部PH，可以将导线结合在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12上。由此，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的共用的p电极12的导线结合可以从与红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的n电极23、33相同侧进行结合，所以提高了配线的自由度。
另外，在本实施方式中，孔部PH为圆形状，但孔部PH的形状并不特别受限定。只要在红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3之间形成，孔部PH既可以具有正方形状，也可以具有三角形状。
(第七实施方式)
图22是表示第七实施方式的半导体激光装置的一实例的示意俯视图。图23(a)是图22的A2-A2线的半导体激光装置1000G的示意剖面图，图23(b)是图22的B2-B2线的半导体激光装置1000G的示意剖面图。在以下的说明中，与图1一样定义X方向、Y方向以及Z方向。
第七实施方式的半导体激光装置1000G在以下的方面与第一实施方式的半导体激光装置1000A的构造以及制造方法不同。
在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的构造与第一实施方式的半导体激光装置1000A不同。
如上述那样，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3具有脊部。图23表示出了蓝紫色半导体激光元件1的脊部Ri。
如图22以及图23所示，在蓝紫色半导体激光元件1的半导体层1t上除去脊部Ri的上面外，形成绝缘膜SU。在脊部Ri以及绝缘膜SU的上面，还以相互分离的方式形成三个p电极12、13、14。
蓝紫色半导体激光元件1的p电极12在含有脊部Ri的上面的区域内形成，在Y方向的p电极12的一方侧形成p电极13，在Y方向的p电极12的另一侧形成p电极14。
再者，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的共用的基板(n-GaAs基板50)没有被分离。由此，以间隔L一体地形成红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。以下，将通过共用的基板一体地形成的红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3称为“单片式红色/红外半导体激光元件”。
在n-GaAs基板50的面上形成红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3共用的n电极233。红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3通过含有共用的基板(n-GaAs基板50)的连接部BR连接。在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3之间的区域内，在连接部BR上设置有多个孔部QH。另外，连接部BR也可以含有红色半导体激光元件2的半导体层2t或红外半导体激光元件3的半导体层3t的一部分。例如，连接部BR也可以含有图8的n-GaAs层201以及n-AlGaInP包覆层202或图9的n-GaAs层301以及n-AlGaAs包覆层302。
在本实施方式中，在蓝紫色半导体激光元件1上形成的p电极12、13、14穿过在n-GaAs基板50上形成的多个孔部QH而露出外部。
再者，在蓝紫色半导体激光元件1中，在绝缘膜SU上，p电极12、1 3、14相互分离。由此，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、接合于p电极13的红色半导体激光元件2的p电极22以及接合于p电极14的红外半导体激光元件3的p电极32相互电分离。
图24是将图22以及图23的半导体激光装置1000G组装在散热片上时的示意剖面图。当将图22以及图23的半导体激光装置1000G使用于光拾波装置上时，如图24所示，将半导体激光装置1000G安装在散热片500上。然后，使用导线1W、2Wa、2Wb、3Wa，进行p电极12、22、32以及n电极233、15的配线。
具体地，n电极15被接合在管座(stem)500的上面。由此，n电极15和管座500电连接。
成为红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的共用电极的n电极233通过导线2Wb电连接在管座500上面。
由此，管座500成为蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的共用的n电极，实现阳极通用的结线。
蓝紫色半导体激光元件1的p电极12通过导线1W连接在没有图示的驱动电路上。导线1W从半导体激光装置1000G的上方穿过n-GaAs基板50的孔部QH并与p电极12连接。
蓝紫色半导体激光元件1的p电极13通过导线2Wa连接在没有图示的驱动电路上。由此，红色半导体激光元件2的p电极22和驱动电路电连接。导线2Wa从半导体激光装置1000G的上方穿过n-GaAs基板50的孔部QH并与p电极13连接。
蓝紫色半导体激光元件1的p电极14通过导线3Wa连接在没有图示的驱动电路上。由此，红外半导体激光元件3的p电极32和驱动电路电连接。导线3Wa从半导体激光装置1000G的上方穿过n-GaAs基板50的孔部QH并与p电极14连接。
通过将电压施加在管座500和导线1W之间，可以驱动蓝紫色半导体激光元件1，通过将电压施加在管座500和导线2Wa之间，可以驱动红色半导体激光元件2，通过将电压施加在管座500和导线3Wa之间，可以驱动红外半导体激光元件3。这样，可以分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3。
如上述的那样，在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、接合于p电极13的红色半导体激光元件2的p电极22以及接合于p电极14的红外半导体激光元件3的p电极32相互电分离。
由此，可以将任意的电压分别施加在蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的p电极12、22、32上。因此，可以任意地选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的驱动方式。
再者，在蓝紫色半导体激光元件1上形成的p电极12、13、14穿过n-GaAs基板50的孔部QH而露出外部。
由此，穿过n-GaAs基板50的孔部QH，可以将导线结合在蓝紫色半导体激光元件1的p电极12、13、14上。
由此，与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的各自的p电极12、22、23的导线结合可以从与红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的n电极233相同侧来进行，所以提高了配线的自由度。
另外，在本实施方式中，孔部PH为圆形状，但孔部PH的形状并不特别受限定。只要在红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3之间形成，孔部PH既可以具有正方形状，也可以具有三角形状。
而且，在制造第七实施方式的半导体激光装置1000G时，在多个半导体激光装置1000G的劈开工序中可以得到良好的划线。以下详细地进行说明。
图25(a)表示在制造第七实施方式的半导体激光装置1000G时所形成的划线的概略图。图25(b)表示在在红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3之间，制造分离n-GaAs基板50后的半导体激光装置1000X时所形成的划线的概略图。另外，在图25中，省略电极的图示。
在形成多个半导体激光装置1000G的n-GaN基板(n-GaN单晶片)1s以及n-GaAs基板(n-GaAs单晶片)50的劈开时，例如形成如图25(a)的D2-D2线所示的沿Y方向的划线。然后，形成如图25(a)的D1-D1线所示的沿X方向的划线。
由此，n-GaN基板1s以及n-GaAs基板50被劈成棒状后，被切断成芯片状，完成了各个半导体激光装置1000G。
这时，n-GaAs基板50在D2-D2线所示的划线上变得平坦。由此，在n-GaAs基板50的全体上，容易形成均匀的划线。其结果是沿Y方向的劈开能良好地进行且得到平坦的劈开面。其结果是可以容易地得到良好的共振器端面。
另外，如图25(a)所示，在n-GaAs基板50在D2-D2线上是平坦的情况下，在D2-D2线的n-GaAs基板50的端部上只形成划线痕，可以容易地劈开基板。
相对于此，如图25(b)所示，说明关于红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的n-GaAs基板50在蓝紫色半导体激光元件1上被分离的半导体激光装置1000X(对应于第一～第五实施方式)。
这时，在具有凹凸的面上形成用D2-D2线表示的划线。由此，有时深痕进入到多个n-GaAs基板50的Y方向的端部TA内。在深痕进入到端部TA的情况下，不容易得到良好的共振器端面。
再者，在图25(b)的半导体激光装置1000X中，因为对每个红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3，n-GaAs基板50在Y方向被分离，所以如果所有被分离的n-GaAs基板50形成划线(或划线痕)，难以全部劈开半导体激光装置1000X。
再者，在制造图25(b)的半导体激光装置1000X时，例如，在在如图5(e)或图14所示的n-GaAs基板50的分离工序前，通过预先在n-GaAs基板50上形成沿Y方向的划线，也可以得到均匀且良好的划线。但是，如果在形成划线的状态下对n-GaAs基板50实施后工序的处理，当处理后工序(例如图5(e)以及图5(f)的工序)时，n-GaAs基板50容易破碎，成品率降低。
在本实施方式中，红色半导体激光元件2以及红外半导体激光元件3的共用基板的n-GaAs基板50没有被分离。由此，容易且良好地形成对n-GaAs基板50的划线或划线痕。由此，当劈开多个半导体激光装置1000G时，可以得到平坦且良好的劈开面。其结果是可以得到良好的共振器端面。
在贴合n-GaN基板1s以及n-GaAs基板50后，n-GaAs基板50通过湿蚀刻而薄型化。
这里，n-GaAs基板50容易被湿蚀刻，而n-GaN基板1s难以被湿蚀刻。因此，可以容易地控制n-GaAs基板50的蚀刻量。
另外，在本实施方式中，如上述那样，蚀刻n-GaAs基板50后，也可以通过研磨等而使n-GaN基板1s薄型化。这时，具有高硬度的n-GaN基板1s与n-GaAs基板50相比也被薄型化，半导体激光装置1000G的劈开变得容易。再者，可以得到良好的劈开面。
以上，在第一～第七实施方式中，n-GaN基板1s相当地第一基板，波长约400nm的激光相当于第一波长的光，半导体层1t相当于第一半导体层，蓝紫色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件。
再者，n-GaAs基板接触层5、n-GaAs基板50、5X相当于第二基板，波长约650nm的激光相当于第二波长的光，半导体层2t相当于第二半导体层，红色半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件。
而且，n-GaAs基板接触层5、n-GaAs基板50、5X相当于第三基板，波长约780nm的激光相当于第三波长的光，半导体层3t相当于第三半导体层，红外半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件。
再者，蓝紫色半导体激光元件1的p电极12相当于第一电极，红色半导体激光元件2的n电极23相当于第二电极，红外半导体激光元件3的n电极33相当于第三电极。
而且，蓝紫色半导体激光元件1的n电极15相当于第四电极，红色半导体激光元件2的p电极22相当于第五电极，红外半导体激光元件3的p电极32相当于第六电极。
绝缘膜SU相当于绝缘层，n-GaAs基板50、5X、n-GaAs接触层5以及共用的连接部BR相当于连接部，孔部PH、QH相当于开口。

Claims (21)

1.一种半导体激光装置，其特征在于，包括：
在第一基板上具有射出第一波长的光的第一半导体层的第一半导体激光元件、和，
在第二基板上具有射出第二波长的光的第二半导体层的第二半导体激光元件、和，
在第三基板上具有射出第三波长的光的第三半导体层的第三半导体激光元件；
第一、第二以及第三的波长中至少一种波长与其它波长不同；
所述第一半导体激光元件在一面侧具有第一电极，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件以所述第一电极的至少一部分露出的方式接合在所述第一半导体激光元件的所述一面侧上。
2.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二以及第三基板的至少一方由与所述第一基板不同的材料形成。
3.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件以所述第一半导体激光元件的所述第一电极的至少一部分在所述第二半导体激光元件和所述第三半导体激光元件之间露出的方式被接合在所述第一半导体激光元件的所述一面侧上。
4.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件以所述第一半导体激光元件的所述第一电极的至少一部分在与所述第三半导体激光元件相反侧的第二半导体激光元件的侧方、或与所述第二半导体激光元件相反侧的第三半导体激光元件的侧方露出的方式接合在所述第一半导体激光元件的所述一面侧上。
5.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一电极在所述第一半导体层上形成，
所述第二半导体激光元件在与和所述第一半导体激光元件的接合部相反侧的面上具有第二电极，
所述第三半导体激光元件在与所述第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第三电极。
6.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一电极在所述第一基板上形成，
所述第二半导体激光元件在与所述第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第二电极，
所述第三半导体激光元件在与所述第一半导体激光元件的接合部的相反侧的面上具有第三电极。
7.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件的所述第二电极在所述第二基板上形成，所述第三半导体激光元件的所述第三电极在第三基板上形成，
所述第二半导体激光元件的所述第二半导体层以及所述第三半导体激光元件的所述第三半导体层被接合在所述第一半导体激光元件的所述一面侧上。
8.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件还在所述第一半导体层或所述第一基板上具有第四电极，
所述第二半导体激光元件还在所述第二半导体层上具有第五电极，
所述第三半导体激光元件还在所述第三半导体层上具有第六电极，
所述第二半导体激光元件的所述第五电极以及所述第三半导体激光元件的所述第六电极电连接在所述第一半导体激光元件的所述第一电极上。
9.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件在所述第一半导体层或所述第一基板上还具有第四电极，
所述第二半导体激光元件在所述第二半导体层上还具有第五电极，
所述第三半导体激光元件在所述第三半导体层上还具有第六电极，
所述第二半导体激光元件的所述第五电极以及所述第三半导体激光元件的所述第六电极通过绝缘层接合在所述第一半导体激光元件的所述第一电极上，所述第一、第五以及第六电极分别电分离。
10.如权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件还具有由上段面以及下段面形成的段差，
所述第一半导体激光元件的所述第一电极由所述上段面遍及至下段面形成，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件接合在所述第一半导体激光元件的所述下段面的所述第一电极上。
11.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件的所述第二电极在所述第二基板上形成，所述第三半导体激光元件的所述第三电极在第三基板上形成，
所述第二半导体激光元件的所述第二半导体层以及所述第三半导体激光元件的所述第三半导体层被接合在所述第一半导体激光元件的所述一面侧上。
12.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件还在所述第一半导体层或所述第一基板上具有第四电极，
所述第二半导体激光元件还在所述第二半导体层上具有第五电极，
所述第三半导体激光元件还在所述第三半导体层上具有第六电极，
所述第二半导体激光元件的所述第五电极以及所述第三半导体激光元件的所述第六电极电连接在所述第一半导体激光元件的所述第一电极上。
13.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件在所述第一半导体层或所述第一基板上还具有第四电极，
所述第二半导体激光元件在所述第二半导体层上还具有第五电极，
所述第三半导体激光元件在所述第三半导体层上还具有第六电极，
所述第二半导体激光元件的所述第五电极以及所述第三半导体激光元件的所述第六电极通过绝缘层接合在所述第一半导体激光元件的所述第一电极上，所述第一、第五以及第六电极分别电分离。
14.如权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体激光元件还具有由上段面以及下段面形成的段差，
所述第一半导体激光元件的所述第一电极由所述上段面遍及至下段面形成，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件接合在所述第一半导体激光元件的所述下段面的所述第一电极上。
15.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件以所述第一电极的至少一部分露出的方式相互分离。
16.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体激光元件以及所述第三半导体激光元件具有连接部，通过所述连接部相互连接，
所述连接部以所述第一半导体激光元件的所述第一电极的至少一部分露出的方式具有开口。
17.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一基板是透光性基板。
18.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第一半导体层由氮化物系半导体构成。
19.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第二半导体层由镓铟磷系半导体构成。
20.如权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，
所述第三半导体层由镓砷系半导体构成。
21.一种半导体激光装置的制造方法，是可以射出多种波长的光的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括：
通过在第一基板上形成射出第一波长的光的第一半导体层而制作第一半导体激光元件的工序；，
通过在第二基板上形成射出第二波长的光的第二半导体层而制作第二半导体激光元件的工序；
通过在所述第二基板上形成射出第三波长的光的第三半导体层而制作第三半导体激光元件的工序；
在所述第一基板或所述第一半导体层上形成第一电极的工序；和，
以所述第一半导体激光元件的所述第一电极的至少一部分露出的方式将所述第二以及第三半导体激光元件接合在所述第一电极上的工序，
所述第一、第二以及第三波长中的至少一种波长与其它波长不同。
CNB2005100588419A 2004-03-30 2005-03-30 半导体激光装置 Expired - Fee Related CN100461564C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004101487 2004-03-30
JP2004101487 2004-03-30
JP2005043388A JP4660224B2 (ja) 2004-03-30 2005-02-21 半導体レーザ装置
JP2005043388 2005-02-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1677783A true CN1677783A (zh) 2005-10-05
CN100461564C CN100461564C (zh) 2009-02-11

Family

ID=35050156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100588419A Expired - Fee Related CN100461564C (zh) 2004-03-30 2005-03-30 半导体激光装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7773654B2 (zh)
JP (1) JP4660224B2 (zh)
CN (1) CN100461564C (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102035137A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 索尼公司 半导体激光器
CN112544020A (zh) * 2018-08-10 2021-03-23 欧姆龙株式会社 激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置
CN112970120A (zh) * 2018-11-02 2021-06-15 首尔伟傲世有限公司 发光元件

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4568133B2 (ja) * 2004-03-30 2010-10-27 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置および光装置
JP4544892B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-15 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4614715B2 (ja) * 2004-08-31 2011-01-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4930322B2 (ja) 2006-11-10 2012-05-16 ソニー株式会社 半導体発光素子、光ピックアップ装置および情報記録再生装置
US8275013B2 (en) 2007-06-18 2012-09-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
JP2010016095A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010040752A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010056105A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2010067868A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2010109331A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置および表示装置
JP2010153710A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
US8064492B2 (en) 2009-01-26 2011-11-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device and light apparatus
JP2010171285A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP2011014624A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子
JP5488881B2 (ja) * 2009-09-30 2014-05-14 ソニー株式会社 発光装置およびその製造方法
US20110188532A1 (en) * 2010-02-04 2011-08-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor Laser Apparatus
CN105453250A (zh) * 2013-08-08 2016-03-30 夏普株式会社 半导体元件衬底及其制造方法
JP7478947B2 (ja) * 2020-04-13 2024-05-08 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2780981B2 (ja) * 1988-06-27 1998-07-30 三菱電機株式会社 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法
US5228050A (en) 1992-02-03 1993-07-13 Gte Laboratories Incorporated Integrated multiple-wavelength laser array
JPH0846280A (ja) * 1994-07-26 1996-02-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
JPH11112091A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Victor Co Of Japan Ltd 半導体レーザ装置
US6136623A (en) * 1998-05-06 2000-10-24 Xerox Corporation Multiple wavelength laser arrays by flip-chip bonding
JP3685306B2 (ja) * 1999-03-03 2005-08-17 パイオニア株式会社 ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2000294878A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Sharp Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001229570A (ja) 2000-02-09 2001-08-24 Pioneer Electronic Corp 光ピックアップ装置及びレーザダイオードチップ
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001244570A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Sony Corp 半導体レーザ、レーザカプラおよびデータ再生装置、データ記録装置ならびに半導体レーザの製造方法
JP2001332805A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd ２波長レーザーダイオード及びその製造方法
JP2002118331A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Toshiba Corp 集積型半導体発光装置及びその製造方法
JP3844290B2 (ja) * 2001-01-24 2006-11-08 シャープ株式会社 ホログラムレーザおよび光ピックアップ
JP2002232077A (ja) 2001-02-02 2002-08-16 Sony Corp 半導体発光装置およびその製造方法
US7095050B2 (en) * 2002-02-28 2006-08-22 Midwest Research Institute Voltage-matched, monolithic, multi-band-gap devices
JP4219147B2 (ja) 2002-09-25 2009-02-04 シャープ株式会社 多波長レーザ装置
JP2004207479A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2004207480A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2005150692A (ja) 2003-10-21 2005-06-09 Sharp Corp 半導体レーザ装置
JP2006128602A (ja) 2004-03-30 2006-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4583128B2 (ja) * 2004-03-30 2010-11-17 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置
JP4544892B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-15 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP4614715B2 (ja) 2004-08-31 2011-01-19 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置およびその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102035137A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 索尼公司 半导体激光器
CN102035137B (zh) * 2009-09-30 2013-01-09 索尼公司 半导体激光器
CN112544020A (zh) * 2018-08-10 2021-03-23 欧姆龙株式会社 激光二极管阵列器件的制造方法、激光发光电路以及测距装置
CN112970120A (zh) * 2018-11-02 2021-06-15 首尔伟傲世有限公司 发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
CN100461564C (zh) 2009-02-11
US7773654B2 (en) 2010-08-10
US20050220159A1 (en) 2005-10-06
JP2005317919A (ja) 2005-11-10
JP4660224B2 (ja) 2011-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1677783A (zh) 半导体激光装置
CN1677780A (zh) 半导体激光器装置和它的制造方法
CN1534841A (zh) 半导体激光器元件及其制造方法
CN1510807A (zh) 半导体激光装置及其制造方法
CN1838494A (zh) 半导体激光装置和光学拾取装置
CN1677784A (zh) 半导体激光器装置和它的制造方法
CN1251372C (zh) 半导体激光元件及其制造方法
CN1203597C (zh) 氮基半导体激光器件和其生产方法
CN1677782A (zh) 半导体激光装置和光装置
CN1841869A (zh) 半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置
CN1233077C (zh) 半导体元件
CN100352042C (zh) 封装件及其制造方法
CN1210792C (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1645695A (zh) 集成半导体发光元件及其制造方法
CN1841868A (zh) 半导体激光装置
CN1305193C (zh) 多光束半导体激光器
CN1677779A (zh) 集成型半导体激光元件及其制造方法
CN1665085A (zh) 半导体激光元件
CN1866561A (zh) 发光器件封装及其制造方法
CN1551312A (zh) 半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置
CN1624944A (zh) 发光装置
CN1773737A (zh) 半导体发光装置及其制造方法
CN1901302A (zh) 半导体激光装置及其制造方法
CN1578029A (zh) 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法
CN100336274C (zh) 半导体激光器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090211

Termination date: 20140330