CN1841869A - 半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件上接合单片红色/红外半导体激光元件，蓝紫色半导体激光元件的蓝紫色发光点和红外半导体激光元件的红外发光点的间隔，与红色半导体激光元件的红色发光点和红外发光点的间隔相比非常小，从蓝紫色发光点、红色发光点和红外发光点射出的蓝紫色激光、红色激光和红外激光，通过由偏振光束分离器、准直透镜、光束扩展器、λ/4板、物镜、圆柱透镜、光轴修正元件所构成的光学系统，入射到光盘上之后，都导向光检测器。

Description

半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置
技术领域
本发明涉及一种能够射出波长不同的多个光的半导体激光装置、半导体激光装置的制作方法和光拾取装置。
背景技术
一直以来，在小型光盘(CD)驱动器中，作为光源，能够使用射出波长780nm左右的红外光的半导体激光元件(红外半导体激光元件)。另外，在现有的通用数字光盘(DVD)驱动器中，作为光源，能够使用射出波长650nm左右的红色光的半导体激光元件(红色半导体激光元件)。
另一方面，近些年来，进行了能够使用波长405nm左右的蓝紫色光来记录和再现的DVD的开发。为了这样的DVD的记录和再现，同时也进行了DVD驱动器的开发，该DVD驱动器使用射出波长405nm左右的蓝紫色光的半导体激光元件(蓝紫色半导体激光元件)。在该DVD驱动器中，具有相对于现有的CD和DVD的互换性是必要的。
这种情况下，通过在DVD驱动器中设置分别射出红外光、红色光和蓝紫色光的多个光拾取装置的方法，或，通过在一个光拾取装置内设置红外半导体激光元件、红色半导体激光元件和蓝紫色半导体激光元件的方法，来实现现有的CD、现有的DVD和新的DVD的互换性。但是，利用这些方法导致部件个数的增加，所以，难于实现DVD驱动器的小型化、构成简单化和低成本化。
为了防止这样的部件个数的增加，将红外半导体激光元件和红色半导体激光元件集成到一个芯片中的半导体激光元件已经实用。
由于红外半导体激光元件和红色半导体激光元件都形成在GaAs基板上，所以能够集成在一个芯片中，但是，由于蓝紫色半导体激光元件不形成在GaAs基板上，所以，使蓝紫色半导体激光元件与红外半导体激光元件和红色半导体激光元件同时集成在一个芯片中是非常困难的。
因此，提出了具有如下这样构造的发光装置，通过将红外半导体激光元件和红色半导体激光元件形成在同一个芯片中，来制作单片红色/红外半导体激光元件，同时，将蓝紫色半导体激光元件形成在另外的芯片中，之后，重叠蓝紫色半导体激光元件的芯片和单片红色/红外半导体激光元件的芯片(例如，参照特开2001-230502号公报)。
在将该发光装置安装在光拾取装置内的情况下，该光拾取装置中的蓝紫色半导体激光元件、红外半导体激光元件和红色半导体激光元件的占有空间降低。
但是，在上述这样的发光装置中，各个半导体激光元件的发光点互相离开。因此，内置多个半导体激光元件的光拾取装置，优选设置与各个半导体激光元件对应的光学系统和受光元件。这种情况下，在将从多个半导体激光元件射出的光正确地导向光学记录介质的同时，能够将从光学记录介质反射的光正确地导向受光元件。但是，如果在光拾取装置中设置与各个半导体激光元件对应的光学系统和受光元件，那么，光拾取装置就大型化。
在特开2001-230502号公报中，示出了一个例子，将具有蓝紫色半导体激光元件、红外半导体激光元件和红色半导体激光元件的发光装置，安装在光盘记录再现装置内，该光盘记录再现装置设置有3个半导体激光元件共用的光学系统和共用的受光元件。
但是，从蓝紫色半导体激光元件、红色半导体激光元件和红外半导体激光元件射出的激光的光路不一致。因此，为了进行正确的信号再现、跟踪控制、聚焦控制和倾斜控制，实际上，需要在光盘记录再现装置中设置与3个激光对应的3个受光元件。因此，上述光盘记录再现装置的小型化是困难的。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够将光拾取装置小型化的半导体激光装置及其制造方法。
本发明的其它目的在于提供一种能够小型化的光拾取装置。
(1)本发明的一个方面的半导体激光装置，具有第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，第一半导体激光元件在第一基板上具有第一半导体层，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点，第二半导体激光元件具有第二半导体层，该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，第三半导体激光元件具有第三半导体层，该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的第三发光点，在第一半导体激光元件上层叠第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，使得第二半导体层及第三半导体层与第一半导体层相对向，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离，比第一发光点和第二发光点之间的距离小。
在该半导体激光装置中，从第一半导体激光元件的第一发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光，从第二半导体激光元件的第二发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出与第一波长的自然数倍不同的第二波长的光，从第三半导体激光元件的第三发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的大致自然数倍的第三波长的光。
这里，在第一半导体激光元件上层叠第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，使得第二半导体层及第三半导体层与第一半导体层相对向，而且，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离，比第一发光点和第二发光点之间的距离小。通过这样，在与第一基板的一个面垂直的方向，第一发光点和第三发光点接近。
另外，由于第三波长是第一波长的大致自然数倍，所以将第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与将第三波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用大致相同。
由此，通过将第一和第三波长的光入射到衍射光栅，从而能够将第一和第三波长的光导至光检测器。
另一方面，第二波长与第一波长的自然数倍不同，所以，将第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与将第二波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用不同。通过这样，将第二波长的光入射到衍射光栅，从而能够将第二波长的光导至光检测器。
因此，通过一个光检测器，能够接受第一、第二和第三波长的光。
其结果是，减少了光拾取装置中的光检测器的配置空间，能够将光拾取装置小型化。
(2)第一和第三发光点也可以沿着与第一基板的一个面大致垂直的方向配置。通过这样，第一发光点和第三发光点的距离为最小。
(3)第一半导体层包含沿着与第一方向大致平行的方向延伸的第一谐振器，第二半导体层包含沿着与第一方向大致平行的方向延伸的第二谐振器，第三半导体层包含沿着与第一方向大致平行的方向延伸的第三谐振器，第二谐振器的长度和第三谐振器的长度的至少一个可以比第一谐振器的长度长。
这种情况下，由于第二谐振器的长度和第三谐振器的长度的至少一个比第一谐振器的长度长，所以，在第二谐振器和第三谐振器的至少一个的端面附近产生不与第一半导体层接合的部分。通过这样，减少了第二和第三谐振器的至少一个端面的变形。因此，抑制了第二和第三半导体激光元件的至少一方的恶化，提高了可靠性。
(4)第一半导体激光元件还具有在第一半导体层上所形成的第一电极，第二半导体激光元件还具有在第二半导体层上所形成的第二电极，第三半导体激光元件还具有在第三半导体层上所形成的第三电极，第一电极和第二电极和第三电极也可以相互绝缘。
通过这样，能够对第一、第二和第三电极分别给予任意的电压。因此，能够任意地选择第一、第二和第三半导体激光元件的驱动方式。
(5)第二半导体激光元件还具有第二基板，第二半导体层形成在第二基板上，第三半导体激光元件还具有第三基板，第三半导体层形成在第三基板上，第二基板和第三基板的至少一个可以由与第一基板不同的材料构成。
这种情况下，具有材料互相不同的基板的半导体激光装置一体地形成。
(6)第二和第三基板是共同基板，也可以这样，第二半导体层形成在共同基板的第一区域中，第三半导体层形成在共同基板的第二区域中。
这种情况下，第二半导体激光元件和第三半导体激光元件与共同基板一体化，所以，容易相对第一发光点定位第二和第三发光点。
(7)也可以这样，在与第一基板的一个面大致垂直的方向，从共同基板到第二半导体层的表面的厚度，比从共同基板到第三半导体层的表面的厚度大。
这种情况下，第一基板和第二基板大致平行地层叠。通过这样，能够在第一半导体激光元件上稳定地设置第二和第三半导体激光元件，同时，能够确实地将第二和第三半导体激光元件接合在第一半导体激光元件上。
(8)在与第一基板的一个面大致垂直的方向，第二半导体层的表面也可以比第三半导体层的表面向第一基板侧突出。
这种情况下，第一基板和第二基板大致平行地层叠。通过这样，能够将第二和第三半导体激光元件稳定地设置第一半导体激光元件上，同时，能够将第二和第三半导体激光元件确实地接合到第一半导体激光元件上。
(9)第一半导体层具有与第一方向大致平行地延伸的第一凸部，第三半导体层具有与第一方向大致平行地延伸的第三凸部，在与第一方向垂直且与第一基板的一个面平行的第二方向，第三凸部的宽度可以比第一凸部的宽度大。这种情况下，由于第三凸部的宽度大，所以，能够将第三凸部稳定地配置在第一凸部上。另外，能够防止第三凸部对第一凸部给予局部的应力。通过这样，能够防止第一半导体层的恶化。
(10)第二半导体层具有与第一方向大致平行地延伸的第二凸部，在第二方向，第三凸部的宽度可以比第二凸部的宽度大。这种情况下，由于第三凸部的宽度大，所以，能够将第三凸部稳定地配置在第一凸部上。另外，能够防止第三凸部对第一凸部给予局部的应力。通过这样，能够防止第一半导体层的恶化。此时，第二凸部不与第一凸部接触，所以，第二凸部不对第一凸部给予局部的应力。
(11)还具有组件(package)，该组件收容第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件的同时，具有光的取出窗，也可以配置第一半导体激光元件，使得从第一半导体激光元件的第一发光点射出的第一波长的光通过取出窗的大致中心。
这种情况下，既使将组件绕着组件的中心轴旋转，也能够减少从第一半导体激光元件射出的激光的轴的变化。因此，既使在第一波长的光的强度比第二和第三波长的光的强度弱的情况下，也能够加大第一半导体激光元件的光的取出效率，同时对于组件的中心轴，注意地进行透镜等光学系统和组件的角度调整。其结果是，可容易地进行光学系统的设计。
(12)也可以这样，第一波长的光是蓝紫色光，第二波长的光是红色光，第三波长的光是红外光。这种情况下，能够从一个半导体激光装置射出多个颜色的光。
(13)第一半导体层可以由氮化物系半导体所构成，这种情况下，第一半导体激光元件能够射出蓝紫色光。
(14)第二半导体层也可以由镓铟磷系半导体所构成，这种情况下，第二半导体激光元件能够射出红色光。
(15)第三半导体层也可以由镓砷系半导体所构成，这种情况下，第三半导体激光元件能够射出红外光。
(16)本发明的其它方面的光拾取装置，向光学记录介质照射光，检测从该光学记录介质反馈的光，其中：具有半导体激光装置，半导体激光装置具有第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，第一半导体激光元件在第一基板上具有第一半导体层，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点，第二半导体激光元件具有第二半导体层，该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，第三半导体激光元件具有第三半导体层，该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的发光点，第二半导体激光元件和第三半导体激光元件层叠在第一半导体激光元件上，使得第二半导体层及第三半导体层与第一半导体层相对向，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离，比第一发光点和第二发光点之间的距离小。
在该光拾取装置中，从上述半导体激光装置选择性地射出第一、第二或第三波长的光，这里，根据上述半导体激光装置，能够将第一、第二和第三波长的光导向一个光检测器。因此，不需要在光拾取装置中设置多个光检测器。其结果是，能够减少光拾取装置中的光检测器的配置空间，能够使得光拾取装置小型化。
(17)还可以具有光检测器和光学系统，该光学系统将从半导体激光装置射出的第一、第二或第三波长的光导向光学记录介质，同时，将从光学记录介质反馈的第一、第二或第三波长的光导向光检测器。
这种情况下，从光学记录介质反馈的第一、第二或第三波长的光导向一个光检测器。通过这样，能够减少光拾取装置中的光检测器的配置空间，能够将光拾取装置小型化。
(18)光学系统包含衍射光栅，该衍射光栅透过第一、第二和第三波长的光，使得第一、第二和第三波长的光分别导向光检测器。
这种情况下，从半导体激光装置射出的第一波长的光，通过光学系统导向光学记录介质，从光学记录介质反馈，导向光检测器。另外，从半导体激光装置射出的第二波长的光，通过光学系统导向光学记录介质，从光学记录介质反馈，导向光检测器。此外，从半导体激光装置射出的第三波长的光，通过光学系统导向光学记录介质，从光学记录介质反馈，导向光检测器。
这里，在半导体激光装置中，在第一半导体激光元件上层叠第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，使得第二半导体层及第三半导体层与第一半导体层相对向，而且，在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离，比第一发光点和第二发光点之间的距离小。通过这样，在与第一基板的一个面垂直的方向，第一发光点和第三发光点接近。
另外，第三波长是第一波长的大致自然数倍，所以，第一波长的光透过衍射光栅时的衍射作用与第三波长的光透过衍射光栅时的衍射作用大致相同。
通过这样，第一和第三波长的光透过衍射光栅，由此，能够将第一和第三波长的光导向光检测器。
另一方面，第二波长与第一波长的自然数倍不同，所以，第一波长的光透过衍射光栅时的衍射作用与第二波长的光透过衍射光栅时的衍射作用不同。通过这样，第二波长的光透过衍射光栅，由此，能够将第二波长的光导向光检测器。
因此，能够通过一个光检测器，接受第一、第二和第三波长的光。
其结果是，能够减少光拾取装置中的光检测器的配置空间，能够将光拾取装置小型化。
(19)本发明的另外一个方面的半导体激光装置的制造方法，具有：在第一基板上形成第一半导体层的工序，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点；在第二基板上形成第二半导体层和第三半导体层的工序，该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的第三发光点；在第一半导体层的一个面上贴合第二半导体层的一个面的工序，使得在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离比第一发光点和第二发光点之间的距离小。
在利用该制造方法制造的半导体激光装置中，从第一半导体激光元件的第一发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光，从第二半导体激光元件的第二发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出与第一波长的自然数倍不同的第二波长的光，从第三半导体激光元件的第三发光点沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的大致自然数倍的第三波长的光。
这里，在第一基板上的第一半导体层的一个面上贴合第二基板上的第二半导体层的一个面，使得在与第一方向正交的第一面内，第一发光点和第三发光点之间的距离比第一发光点和第二发光点之间的距离小。通过这样，在与第一基板的一个面垂直的方向，第一发光点和第三发光点接近。
另外，第三波长是第一波长的大致自然数倍，所以，将第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与将第三波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用大致相同。
通过这样，将第一和第三波长的光入射到衍射光栅，由此，能够将第一和第三波长的光导向光检测器。
另一方面，由于第二波长与第一波长的自然数倍不同，所以，将第一波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用与将第二波长的光入射到衍射光栅时的衍射作用不同。通过这样，将第二波长的光入射到衍射光栅，由此，能够将第二波长的光导向光检测器。
因此，能够利用一个光检测器，接受第一、第二和第三波长的光。
其结果是，能够减少光拾取装置中的光检测器的配置空间，能够使得光拾取装置小型化。
另外，第二半导体激光元件和第三半导体激光元件利用第二基板一体化，所以，容易相对第一发光点定位第二和第三发光点。
(20)在与第一基板的一个面垂直的方向，第二半导体层的厚度可以比第三半导体层的厚度大。
这种情况下，第一基板和第二基板大致平行地层叠。通过这样，能够在第一半导体激光元件上稳定地设置第二和第三半导体激光元件，同时，能够确实地在第一半导体激光元件上接合第二和第三半导体激光元件。
(21)在与第一基板的一个面大致垂直的方向，第二半导体层的表面也可以比第三半导体层的表面向第一基板侧突出。
这种情况下，第一基板和第二基板大致平行地层叠。通过这样，能够在第一半导体激光元件上稳定地设置第二和第三半导体激光元件，同时，能够在第一半导体激光元件上确实地接合第二和第三半导体激光元件。
附图说明
图1是表示第一实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图。
图2是图1的A1-A1线的剖面图。
图3是半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图4是半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图5是安装了图1的半导体激光装置的激光用大致圆型壳组件的外观立体图。
图6是表示图5的激光用大致圆型壳组件的卸下盖体的状态的示意性正面图。
图7是表示图5的激光用大致圆型壳组件的卸下盖体的状态的示意性上面图。
图8是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一个例子的示意性工序剖面图。
图9是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一个例子的示意性工序剖面图。
图10是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一个例子的示意性工序剖面图。
图11是表示第一实施方式的半导体激光装置的制造方法的一个例子的示意性工序剖面图。
图12是用于说明蓝紫色半导体激光元件的构造细节的示意性剖面图。
图13是用于说明单片红色/红外半导体激光元件的红色半导体激光元件的构造细节的示意性剖面图。
图14是用于说明单片红色/红外半导体激光元件的红外半导体激光元件的构造细节的示意性剖面图。
图15是表示光拾取装置的构成的图。
图16是表示光拾取装置的构成的其它例子的图。
图17是表示光拾取装置的构成的另外例子的图。
图18是用于说明图17的光拾取装置中的平行平板的光轴修正作用的说明图。
图19是用于说明平行平板的优选倾角a的说明图。
图20是表示光拾取装置的构成的另外例子的图。
图21是用于说明第二实施方式的半导体激光装置的构造的示意性上面图。
图22是表示第三实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图。
图23是图22的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与单片红色/红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图24是图22的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与单片红色/红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图25是表示将图22的半导体激光装置安装到图5的激光用大致圆型壳组件内、卸下盖体的状态的示意性正面图。
图26是表示将图22的半导体激光装置安装到图5的激光用大致圆型壳组件内、卸下盖体504的状态的示意性上面图。
图27是表示第四实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图。
图28是图27的A3-A3线的剖面图。
图29是半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图30是半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的接合面的示意图。
图31是表示将图27、28的半导体激光装置安装到图5的激光用大致圆型壳组件内、卸下盖体的状态的示意性正面图。
图32是表示第五实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图。
图33是图32的A4-A4线的剖面图。
图34是表示将图32、33的半导体激光装置安装到图5的激光用大致圆型壳组件内、卸下盖体的状态的示意性正面图。
具体实施方式
下面，说明本发明实施方式的半导体激光装置和具有该半导体激光装置的光拾取装置。
(1)第一实施方式
本发明的第一实施方式的半导体激光装置，具有：射出波长约405nm的激光的半导体激光元件(下面称为蓝紫色半导体激光元件)；射出波长约650nm的激光的半导体激光元件(下面称为红色半导体激光元件)；射出波长约780nm的激光的半导体激光元件(下面称为红外半导体激光元件)。
(a)半导体激光装置的构造
图1和图2是用于说明第一实施方式的半导体激光装置的构造的示意图。在图1中表示了显示第一实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图，图2表示了图1的A1-A1线的剖面图。另外，图3和图4是图1、2的半导体激光装置中的蓝紫色半导体激光元件与红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的接合面的示意图。
在图1、图2、图3和图4中，将由箭头X、Y、Z所示那样相互正交的3个方向设为X方向、Y方向和Z方向。X方向和Y方向是与后述的蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30平行的方向。Z方向是与蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的pn接合面10、20、30垂直的方向。
如图1和图2所示，在蓝紫色半导体激光元件1的上面，形成沿着X方向延伸的条纹状的凸部T1。该凸部T1位于Y方向的从蓝紫色半导体激光元件1的中心偏离的位置。在凸部T1的侧面和和凸部T1的两侧形成绝缘膜4a，使得覆盖蓝紫色半导体激光元件1的上面。在凸部T1的上面形成p型欧姆电极621。
形成p侧衬垫电极12，使其覆盖p型欧姆电极621的上面和凸部T1周边的绝缘膜4a。在蓝紫色半导体激光元件1的下面形成n电极15。在蓝紫色半导体激光元件1上形成作为p型半导体与n型半导体的接合面的pn接合面10。
在本实施方式中，红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3一体地形成。下面，将一体形成的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3称为单片红色/红外半导体激光元件23X。
在该单片红色/红外半导体激光元件23X中，红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3制作在共同的基板上。后面详细描述。
在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的上面，形成有共同n电极233。在红色半导体激光元件2的下面侧，形成有沿着X方向延伸的条纹状的凸部T2。在红色半导体激光元件2的下面，形成有p侧衬垫电极22。在红色半导体激光元件2上形成作为p型半导体与n型半导体的接合面的pn接合面20。
在红外半导体激光元件3的下面侧，形成有沿着X方向延伸的条纹状的凸部T3。在红外半导体激光元件3的下面，形成有p侧衬垫电极32。在红外半导体激光元件3上形成有作为p型半导体与n型半导体的接合面的pn接合面30。
而且，在本实施方式中，红色半导体激光元件2的Z方向的长度，比红外半导体激光元件3的Z方向的长度长1μm。另外，红色半导体激光元件2的凸部T2的下面侧的半导体层的表面，比红外半导体激光元件3的凸部T3的下面侧的半导体层的表面，在Z方向朝着蓝紫色半导体激光元件1侧突出1μm。关于半导体层在后面描述。另外，在图2中虽然未图示，但在T2、T3上也形成p型欧姆电极。
单片红色/红外半导体激光元件23X接合在蓝紫色半导体激光元件1上，使得在Z方向大致直线上凸部T3和凸部T1相对向。
接着，说明蓝紫色半导体激光元件1与单片红色/红外半导体激光元件23X的接合部。
如图3(a)所示，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，形成有上述的p侧衬垫电极12和p侧衬垫电极13。
P侧衬垫电极12使得沿着蓝紫色半导体激光元件1的凸部T1那样沿着X方向延伸，同时其一部分沿着Y方向延伸。
P侧衬垫电极13在离开p侧衬垫电极12的位置沿着X方向延伸，同时其一部分沿着与p侧衬垫电极12相反的方向延伸。
而且，p侧衬垫电极12、13各自形成为使得在绝缘膜4a上相互离开，所以，p侧衬垫电极12、13各自相互电分离。
如图3(b)所示，在绝缘膜4a和p侧衬垫电极12上形成规定宽度的绝缘膜4b。形成绝缘膜4b，使得沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端露出。在露出的p侧衬垫电极12的一端，焊接用于驱动蓝紫色半导体激光元件1的导线。而且，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端露出宽度约100μm和长度约100μm的区域。
如图4(c)所示，在绝缘膜4a和绝缘膜4b上形成p侧衬垫电极14。P侧衬垫电极14在绝缘膜4a和绝缘膜4b上沿着X方向延伸，同时，其一部分在离开p侧衬垫电极13的位置，与p侧衬垫电极13同样地沿着Y方向延伸。因此，p侧衬垫电极12、13、14各自相互地电分离。
如图4(d)所示，在绝缘膜4a和p侧衬垫电极13、14上以规定的图案形成绝缘膜4c。形成绝缘膜4c使得沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13、14的一端露出。在露出的p侧衬垫电极13和p侧衬垫电极14的一端，分别焊接用于驱动红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的导线。
而且，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13、14的一端露出宽度约100μm和长度约100μm的区域。
另外，形成绝缘膜4c使得p侧衬垫电极13的大致中央部露出。在该p侧衬垫电极13的露出部，形成由Au-Sn构成的焊锡膜H。另外，在p侧衬垫电极14上的规定区域，也形成由Au-Sn所构成的焊锡膜H。
进行单片红色/红外半导体激光元件23X向图2的蓝紫色半导体激光元件1上的接合，使得红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22通过焊锡膜H与p侧衬垫电极13接合，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32通过焊锡膜H与p侧衬垫电极14接合。
通过这样，红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22与p侧衬垫电极13电连接，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32与p侧衬垫电极14电连接。
另外，在上述说明中，在图案化的绝缘膜4c上接合单片红色/红外半导体激光元件23X，所以，防止了红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32和p侧衬垫电极14的接触。
通过在蓝紫色半导体激光元件1的p侧衬垫电极12和n电极15之间施加电压，就从pn接合面10的凸部T1的下方区域(下面称为蓝紫色发光点)11向X方向射出波长约405nm的激光。
通过在红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22(蓝紫色半导体激光元件1上的p侧衬垫电极13)和共同n电极233之间施加电压，就从pn接合面20的规定区域(下面称为红色发光点)21向X方向射出波长约650nm的激光。
通过在红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32(蓝紫色半导体激光元件1上的p侧衬垫电极14)和共同n电极233之间施加电压，就从pn接合面30的规定区域(下面称为红外发光点)31向X方向射出波长约780nm的激光。
在本实施方式中，配置单片红色/红外半导体激光元件23X，使得蓝紫色半导体激光元件1的凸部T1和红外半导体激光元件3的凸部T3相对向。因此，蓝紫色发光点11和红外发光点31之间的距离，比蓝紫色发光点11和红色发光点21之间的距离以及红色发光点21和红外发光点31之间的距离的任何一个都短。
在本实施方式中，Y方向的红色发光点21和红外发光点31之间的间隔，调整到例如约100μm。
Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的宽度是例如约400μm，Y方向的单片红色/红外半导体激光元件23X的宽度，是例如约200μm。
另外，优选蓝紫色发光点11和红外发光点31的间隔是20μm以下。
而且，图2的剖面图沿着Z方向扩大。实际上，Z方向的各发光点的间隔与Y方向的各发光点的间隔相比，非常小。因此，在实际的半导体激光装置1000A中，蓝紫色发光点11和红色发光点21沿着与Y方向平行的轴位于大致直线上。
(b)半导体激光装置的效果
如图1所示，在本实施方式的半导体激光装置1000A中，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13、14的一端，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，通过蓝紫色半导体激光元件1与红色半导体激光元件2及红外半导体激光元件3之间，在Y方向从红色半导体激光元件2的侧面突出、露出。通过这样，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13、14的露出部在X方向在大致直线上排列，所以，能够减少蓝紫色半导体激光元件1的Y方向的宽度。
另外，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13、14的露出部在X方向上在大致直线上排列，通过这样，能够加大Y方向的蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的配置空间。因此，能够加大Y方向的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的宽度。
另外，能够同时地形成p侧衬垫电极12、13，所以能够简化制造工序。
另外，如上述那样，红色半导体激光元件2的Z方向的长度，比红外半导体激光元件3的Z方向的长度长。另外，与红外半导体激光元件3的凸部T3的下面侧的半导体层的表面相比，红色半导体激光元件2的凸部T2的下面侧的半导体层的表面，在Z方向朝着蓝紫色半导体激光元件1侧突出。通过这样，在将单片红色/红外半导体激光元件23X接合在蓝紫色半导体激光元件1上时，能够防止在红外半导体激光元件3和蓝紫色半导体激光元件1的接合面发生大的应力。其结果是，能够降低凸部T1、T3的损伤。此外，能够相对蓝紫色半导体激光元件1大致平行地层叠单片红色/红外半导体激光元件23X。通过这样，能够在蓝紫色半导体激光元件1上确实地接合单片红色/红外半导体激光元件23X。
另外，使得红色半导体激光元件2的Z方向的长度比红外半导体激光元件3的Z方向的长度长，通过这样，能够相对蓝紫色半导体激光元件1大致平行地层叠单片红色/红外半导体激光元件23X。通过这样，能够在蓝紫色半导体激光元件1上以稳定的状态接合单片红色/红外半导体激光元件23X。
(c)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态
图1、2的半导体激光装置1000A安装到激光用组件中。图5是安装了图1的半导体激光装置1000A的激光用大致圆型壳组件的外观立体图。
在图5中，激光用大致圆型壳组件500，具有导电性组件主体503、供电管脚501a、501b、501c、502和盖体504。
在组件主体503中，设置图1、2的半导体激光装置1000A，利用盖体504密封。在盖体504上，设置取出窗504a。取出窗504a由透过激光的材料所构成。另外，供电管脚502与组件主体503机械及电气连接。供电管脚502作为接地端子使用。
向组件主体503的外部延伸的供电管脚501a、501b、501c、502的一端，分别与未图示的驱动电路连接。
下面说明使用安装在激光用大致圆型壳组件500内的半导体激光装置1000A的导线的布线。以下，将从半导体激光元件射出激光的方向作为正面进行说明。
图6是表示图5的激光用大致圆型壳组件500的卸下盖体504的状态的示意性正面图，图7是表示图5的激光用大致圆型壳组件500的卸下盖体504的状态的示意性上面图。而且，在图6中，设置在激光用大致圆型壳组件500中的半导体激光装置1000A由图1的A1-A1线的剖面来表示。在图6和图7中，与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图6所示，在与组件主体503一体化的导电性支持部件505上设置导电性辅助支座505S。支持部件505和辅助支座505S由导电性和热传导性优异的材料所构成。
在辅助支座505S上通过熔接层505H接合半导体激光装置1000A。进行半导体激光装置1000A向辅助支座505S(熔接层505H)的粘结，使得蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于YZ平面中的激光用大致圆型壳组件500的大致中央部，即盖体504的取出窗504a(参照图5)的中央部。
如图6和图7所示，供电管脚501a、501b、501c分别通过绝缘环501z与组件主体503电绝缘。
供电管脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000A的p侧衬垫电极14的一端连接。供电管脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000A的p侧衬垫电极12的一端连接。供电管脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000A的p侧衬垫电极13的一端连接。
另一方面，支持部件505的露出的上面和半导体激光装置1000A的共同n电极233通过导线W4电连接。
这里，支持部件505通过辅助支座505S和熔接层505H电连接。通过这样，供电管脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15、以及红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同n电极233电连接。即，实现了蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同阴极的接线。
通过在供电管脚501b和供电管脚502之间施加电压，能够驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电管脚501a和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红外半导体激光元件3。通过在供电管脚501c和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红色半导体激光元件2。这样，能够分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式的半导体激光装置1000A中，如上述那样，p侧衬垫电极12、13、14各自相互电分离。通过这样，能够对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3各自的p侧衬垫电极12、13、14提供任意的电压。因此，能够任意地选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的驱动方式。
(d)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态下的效果
如上述那样，蓝紫色发光点11和红外发光点31之间的距离，比蓝紫色发光点11和红色发光点21之间的距离以及红色发光点21和红外发光点31之间的距离的任意一个都短。即，从相互接近的位置射出蓝紫色半导体激光元件1的激光和红外半导体激光元件3的激光。
另外，红外半导体激光元件3的激光的波长(约780nm)是蓝紫色半导体激光元件1的激光的波长(约405nm)的大致自然数倍(约2倍)。这种情况下，将蓝紫色半导体激光元件1的激光入射到衍射光栅时的衍射作用，与将红外半导体激光元件3的激光入射到衍射光栅时的衍射作用，大致相同。
另一方面，红色半导体激光元件2的激光的波长(约650nm)与蓝紫色半导体激光元件1的激光的波长的自然数倍不同，所以，将蓝紫色半导体激光元件1的激光入射到衍射光栅时的衍射作用，与将红色半导体激光元件2的激光入射到衍射光栅时的衍射作用，是不同的。
因此，在将蓝紫色半导体激光元件1的激光、红外半导体激光元件3的激光和红色半导体激光元件2的激光入射到衍射光栅的情况下，蓝紫色半导体激光元件1的激光和红外半导体激光元件3的激光，通过衍射光栅以相同的角度衍射。如上述那样，由于蓝紫色半导体激光元件1和红外半导体激光元件3的间隔非常小，所以通过衍射光栅衍射的蓝紫色半导体激光元件1和红外半导体激光元件3的激光的光轴基本一致。
另一方面，蓝紫色半导体激光元件1和红外半导体激光元件3的激光通过衍射光栅以不同于红色半导体激光元件2的激光的光轴的角度来衍射。因此，利用这样的衍射作用的不同，在光检测器上，能够使得由红色半导体激光元件2的激光形成的聚光点位置，与由蓝紫色半导体激光元件1和红外半导体激光元件3的激光形成的聚光点位置一致。
其结果是，能够利用一个光检测器，接受蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的激光。细节在后面描述。
另外，蓝紫色半导体激光元件1的激光强度，比红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的激光强度弱。在本例子中，蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11，位于盖体504的取出窗504a的中央部。通过这样，蓝紫色半导体激光元件1的激光从激光用大致圆型壳组件500的中央射出。
通过这样，既使关于激光用大致圆型壳组件500的中心轴来旋转激光用大致圆型壳组件500，也能够减少从蓝紫色半导体激光元件1射出的激光的轴位置的变化。因此，加大了蓝紫色半导体激光元件1的光取出效率，而且，关于激光用大致圆型壳组件500的中心轴，能够容易地进行透镜等光学系统和激光用大致圆型壳组件500的角度调整。其结果是，可以容易地进行光学系统的设计。
如图6和图7所示，在本例子中，设计红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极13的露出部，使其与红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14的露出部相比，位于距离激光的射出面较远的位置。因此，能够容易地将p侧衬垫电极13同与支持部件505的半导体激光装置设置面相对向的供电管脚501c连接，另外，能够缩短导线W3的长度。
另外，在本例子中，如图7所示，供电管脚501a与供电管脚501c相比向激光的射出面侧突出。这种情况下，与p侧衬垫电极13的露出部相比接近激光的射出面侧的位置所设置的p侧衬垫电极14的露出部、与供电管脚501a能够容易地连接。另外，能够缩短导线W1的长度。
而且，在本例子中，将红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14的露出部，配置在X方向的半导体激光装置1000A的激光的射出面侧，但是，也可以将红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极13的露出部，配置在X方向的半导体激光装置1000A的激光的射出面侧。这种情况下，利用导线连接红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14和供电管脚501c。另外，通过导线连接红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极13和供电管脚501a。
(e)半导体激光装置的制造方法
下面说明本实施方式的半导体激光装置1000A的制造方法。图8～图11是表示第一实施方式的半导体激光装置1000A的制造方法的一个例子的示意性工序剖面图。在图8～图11中，也定义了图1的X、Y、Z的方向。
而且，图8～图11所示的剖面，相当于图1的A1-A1线的剖面。另外，后述的n-GaN基板1s是n-GaN晶片，n-GaAs基板50是n-GaAs晶片。在这些n-GaN晶片和n-GaAs晶片上，分别形成多个蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X。因此，在图8～图11中，图示了这些n-GaN晶片和n-GaAs晶片的一部分。
如图8(a)所示，为了制作蓝紫色半导体激光元件1，在作为第一成长基板的n-GaN基板1s的一个面上，形成具有层叠构造的半导体层1t，在半导体层1t上形成沿着X方向延伸的剖面凸状的脊峰部Ri1。之后，在形成脊峰部Ri1的半导体层1t的上面，形成由SiO2构成的绝缘膜4a。进而，除去脊峰部Ri1的上面的绝缘膜4a，在露出的脊峰部Ri1上形成p型欧姆电极621。
接着，如图8(b)所示，在p型欧姆电极621的上面和脊峰部Ri1的两侧的绝缘膜4a上形成图案，从而形成p侧衬垫电极12、13(参照图3(a))。
接着，如图8(c)所示，在绝缘膜4a上和p侧衬垫电极12上的规定区域形成图案，从而形成绝缘膜4b(参照图3(b))。
接着，如图9(d)所示，在绝缘膜4a上和绝缘膜4b上的规定区域形成图案，从而形成p侧衬垫电极14(参照图4(c))。
接着，如图9(e)所示，在绝缘膜4a和p侧衬垫电极13、14上的规定区域形成图案，从而形成绝缘膜4c(参照图4(d))。
因此，在露出的p侧衬垫电极13的上面和p侧衬垫电极14的规定区域，形成由Au-Sn所构成的焊锡膜H。而且，蓝紫色半导体激光元件1的n电极15利用后面的工序来形成。
另一方面，如图10(f)所示，为了制作单片红色/红外半导体激光元件23X，在作为第二成长基板的n-GaAs基板50的一个面上，形成由AlGaAs所构成的蚀刻停止层51，在蚀刻停止层51上形成n-GaAs接触层5。
然后，在n-GaAs接触层5上使得相互离开地形成AlGaInP系的具有层叠构造的半导体层2t和AlGaAs系的具有层叠构造的半导体层3t。此外，在半导体层2t上形成p侧衬垫电极22，在半导体层3t上形成p侧衬垫电极32。虽在图中省略，但在半导体层2t和p侧衬垫电极22之间以及半导体层3t和p侧衬垫电极32之间，分别形成p型欧姆电极。而且，单片红色/红外半导体激光元件23X的共同n电极233利用后面的工序来形成。
接着，如图10(g)所示，利用焊锡膜H接合在绝缘膜4a上所形成的p侧衬垫电极13和在半导体层2t上所形成的p侧衬垫电极22，同时，利用焊锡膜H接合在绝缘膜4a及绝缘膜4b上所形成的p侧衬垫电极14和在半导体层3t上所形成的p侧衬垫电极32，形成层叠基板。
而且，此时，n-GaN基板1s和n-GaAs基板50同时具有约300～500μm左右的厚度。通过这样，容易进行n-GaN基板1s和n-GaAs基板50的处理，容易进行p侧衬垫电极22、32向p侧衬垫电极13、14的接合。
另外，蓝紫色半导体激光元件1的n-GaN基板1s是透明的。n-GaN基板1s具有通过该n-GaN基板1s能够目视单片红色/红外半导体激光元件23X的透过率和厚度。
通过这样，能够通过n-GaN基板1s利用目视确认p侧衬垫电极22、32向p侧衬垫电极13、14的接合位置。通过这样，可以容易地进行蓝紫色半导体激光元件1上的单片红色/红外半导体激光元件23X(红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3)的定位。
而且，在本实施方式中，蓝紫色半导体激光元件1的基板不限于n-GaN基板1s，也可以使用其它的透光性和导电性的基板。作为其它的透光性基板，例如，能够使用n-ZnO基板。这种情况下，如上述那样，能够容易地进行蓝紫色半导体激光元件1上的单片红色/红外半导体激光元件23X的定位。
这里，利用蚀刻或研磨等将n-GaAs基板50加工到规定的薄度之后，进行蚀刻直到蚀刻停止层51。
例如，n-GaAs基板50，最初研磨n-GaAs基板50直到规定的厚度，之后，通过活性离子蚀刻(Reactive Ion Etching(RIE))等干蚀刻来除去。
然后，进一步除去蚀刻停止层51。例如，使用由氟酸或盐酸所构成的蚀刻液进行湿蚀刻，来除去蚀刻停止层51。
之后，如图11(h)所示，在除去蚀刻停止层51之后，在半导体层2t、3t的上方的n-GaAs接触层5上的区域和其间的规定区域，通过形成图案来形成共同n电极233。
如图11(i)所示，通过干蚀刻除去不形成共同n电极233的部分的n-GaAs接触层5。通过这样，制作成了单片红色/红外半导体激光元件23X(红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3)。红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的构造细节在后面描述。
此外，在利用研磨将n-GaN基板1s变薄之后，在n-GaN基板1s的下面侧，形成n电极15。通过这样，制作成了蓝紫色半导体激光元件1。蓝紫色半导体激光元件1的构造细节在后面描述。
最后，将上述这样制作的由蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X构成的层叠基板，沿着与Y方向平行的多个线劈开，形成谐振器端面。这里，进行沿着Y方向的劈开，使得例如蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X各自的谐振器长度(X方向)为约700μm。
在谐振器端面形成保护膜之后，沿着与X方向平行的多个线裁断，由此，分割成多个半导体激光装置1000A的芯片。沿着X方向的层叠基板的裁断，例如按照图11(i)的点划线CT1进行。
而且，也可以这样，个别地预先制作蓝紫色半导体激光元件1的芯片和单片红色/红外半导体激光元件23X的芯片，将这些芯片相互贴合，由此来制作半导体激光装置1000A。
(f)蓝紫色半导体激光元件的构造
基于图12与制作方法同时说明蓝紫色半导体激光元件1的构造细节。
图12是用于说明蓝紫色半导体激光元件1的构造细节的示意性剖面图。在下面的说明中，与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
在蓝紫色半导体激光元件1的制造时，如上述那样，在n-GaN基板1s上形成具有层叠构造的半导体层1t。
如图12(a)所示，在n-GaN基板1s上，作为具有层叠构造的半导体层1t，顺序形成n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102、n-GaN光引导层103、多重量子阱(MQW)活性层104、非掺杂AlGaN罩层105、非掺杂GaN光引导层106、p-AlGaN包覆层107和非掺杂GaInN接触层108。这些各个层的形成，通过例如有机金属化学气相成长(MOCVD)法来进行。
如图12(b)所示，MQW活性层104具有：4个非掺杂GaInN阻挡层104a和3个非掺杂GaInN阱层104b交互层叠的构造。
这里，例如，n-AlGaN包覆层102的Al组成是0.15，Ga组成是0.85。在n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102和n-GaN光引导层103中掺杂Si。
另外，非掺杂GaInN阻挡层104a的Ga组成是0.95，In组成是0.05。非掺杂GaInN阱层104b的Ga组成是0.90，In组成是0.10。p-AlGaN罩层105的Al组成是0.30，Ga组成是0.70。
此外，p-AlGaN包覆层107的Al组成是0.15，Ga组成是0.85。在p-AlGaN包覆层107中掺杂Mg。非掺杂GaInN接触层108的Ga组成是0.95，In组成是0.05。
上述半导体层lt之中，在p-AlGaN包覆层107上形成沿着X方向延伸的条纹状的脊峰部Ri1。
非掺杂GaInN接触层108形成在p-AlGaN包覆层107的脊峰部Ri1的上面。通过这样，形成由p-AlGaN包覆层107的脊峰部Ri1和非掺杂GaInN接触层108所构成的凸部T1。凸部T1的上部的宽度L1是约1.5μm，脊峰部Ri1的高度H1是约0.3μm。
在p-AlGaN包覆层107和非掺杂GaInN接触层108的上面，形成由SiO2所构成的绝缘膜4a，在非掺杂GaInN接触层108上所形成的绝缘膜4a通过蚀刻来除去。然后，在向外部露出的非掺杂GaInN接触层108上形成由Pd/Pt/Au所构成的p型欧姆电极621。此外，为了覆盖p型欧姆电极621和绝缘膜4a的上面，通过溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法来形成p侧衬垫电极12。而且，这里省略了图1的p侧衬垫电极13、14的说明。
这样，在n-GaN基板1s的一面侧上形成具有层叠构造的半导体层1t。此外，在n-GaN基板1s的另外一面侧上形成由Ti/Pt/Au构成的n电极15。
在该蓝紫色半导体激光元件1中，在脊峰部Ri的下方的MQW活性层104的位置形成蓝紫色发光点11。而且，在本例子中，MQW活性层104相当于图1的pn接合面10。
(g)红色半导体激光元件的构造
基于图13与制作方法一起来说明红色半导体激光元件2的构造细节。
图13是用于说明单片红色/红外半导体激光元件23X的红色半导体激光元件2的构造细节的示意性剖面图。在下面的说明中，与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。另外，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层2t来制作红色半导体激光元件2，但是在下面的说明中，代替n-GaAs接触层5，而是在n-GaAs基板5X上形成半导体层2t。在该n-GaAs基板5X中掺杂Si。
如图13(a)所示，在n-GaAs基板5X上，作为具有层叠构造的半导体层2t，顺序形成n-GaAs层201、n-AlGaInP包覆层202、非掺杂AlGaInP光引导层203、MQW活性层204、非掺杂AlGaInP光引导层205、p-AlGaInP包覆层206和p-接触层207。这些各个层的形成，通过例如MOCVD法进行。
如图13(b)所示，MQW活性层204具有：2个非掺杂AlGaInP阻挡层204a和3个非掺杂InGaP阱层204b交互地层叠的构造。
这里，例如，n-AlGaInP包覆层202的Al组成是0.35，Ga组成是0.15，In组成是0.50。n-GaAs层201和n-AlGaInP包覆层202中掺杂Si。
非掺杂AlGaInP光引导层203的Al组成是0.25，Ga组成是0.25，In组成是0.50。
另外，非掺杂AlGaInP阻挡层204a的Al组成是0.25，Ga组成是0.25，In组成是0.50。非掺杂InGaP阱层204b的In组成是0.25，Ga组成是0.25。非掺杂AlGaInP光引导层205的Al组成是0.25，Ga组成是0.25，In组成是0.50。
此外，p-AlGaInP包覆层206的Al组成是0.35，Ga组成是0.15，In组成是0.50。p-InGaP蚀刻停止层207的In组成是0.50，Ga组成是0.50。
p-接触层207具有p-GaInP层和p-GaAs层的层叠构造。该p-GaInP的Ga组成是0.5，In组成是0.5。
而且，上述的AlGaInP系材料的组成，利用一般式AlaGabIncP表示时的a为Al组成，b为Ga组成，c为In组成。
在p-AlGaInP包覆层206和p-接触层207的p-GaInP和p-GaAs中掺杂Zn。
在上述中，在p-AlGaInP包覆层206上，形成沿着X方向延伸的条纹状的脊峰部Ri2。P-接触层207形成在p-AlGaInP包覆层206的脊峰部Ri2的上面。
为了覆盖p-AlGaInP包覆层206的上面、脊峰部Ri2的侧面和p-接触层207的侧面，形成电流狭窄层208。电流狭窄层208由掺杂了Si的AlGaAs所构成。
在p-接触层207和电流狭窄层208上，形成接触层209。通过这样，形成由p-AlGaInP包覆层206的脊峰部Ri2、p-接触层207、电流狭窄层208和接触层209所构成的凸部T2。接触层209由掺杂了Zn的GaAs所构成。凸部T2的上部宽度L2约是10μm，脊峰部Ri2的高度H2约是1μm。
而且，通过溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法，在接触层209上形成p侧衬垫电极22。
这样，在n-GaAs基板5X的一面侧形成具有层叠构造的半导体层2t。此外，在n-GaAs基板5X的另一个面侧形成由AuGe/Ni/Au构成的n电极23(共同n电极233)。
在该红色半导体激光元件2中，在脊峰部Ri的下方的MQW活性层204的位置形成红色发光点21。而且，在本例子中，MQW活性层204相当于图1的pn接合面20。
(h)红外半导体激光元件的构造
基于图14与制作方法一起来说明红外半导体激光元件3的构造细节。
图14是用于说明单片红色/红外半导体激光元件23X的红外半导体激光元件3的构造细节的示意性剖面图。在下面的说明中，与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。另外，在本实施方式中，通过在n-GaAs接触层5上形成半导体层3t来制作红外半导体激光元件3，但是，在下面的说明中，代替n-GaAs接触层5，在n-GaAs基板5X上形成半导体层3t。在该n-GaAs基板5X中掺杂Si。
如图14(a)所示，在n-GaAs基板5X上，作为具有层叠构造的半导体层3t，顺序形成n-GaAs层301、n-AlGaAs包覆层302、非掺杂AlGaAs光引导层303、MQW活性层304、非掺杂AlGaAs光引导层305、p-AlGaAs包覆层306和p-接触层307。这些各个层的形成，通过例如MOCVD法来进行。
如图14(b)所示，MQW活性层304具有：2个非掺杂AlGaAs阻挡层304a和3个非掺杂AlGaAs阱层304b交互层叠的构造。
这里，例如，n-AlGaAs包覆层302的Al组成是0.45，Ga组成是0.55。在n-GaAs层301和n-AlGaAs包覆层302中掺杂Si。
非掺杂AlGaAs光引导层303的Al组成是0.35，Ga组成是0.65。另外，非掺杂AlGaAs阻挡层304a的Al组成是0.35，Ga组成是0.65。非掺杂AlGaAs阱层304b的Al组成是0.10，Ga组成是0.90。非掺杂AlGaAs光引导层305的Al组成是0.35，Ga组成是0.65。
此外，p-AlGaAs包覆层306的Al组成是0.45，Ga组成是0.55。
在p-AlGaAs包覆层306和p-接触层307中掺杂Zn。
在上述中，在p-AlGaAs包覆层306上，形成沿着X方向延伸的条纹状的脊峰部Ri3。P-接触层307形成在p-AlGaAs包覆层306的脊峰部Ri3的上面。
形成电流狭窄层308，以便覆盖p-AlGaAs包覆层306的上面、脊峰部Ri2的侧面和p-接触层307的侧面的规定区域。电流狭窄层308由掺杂了Si的AlGaAs所构成。
形成罩层309，以便覆盖电流狭窄层308上面和p-接触层307的露出的侧面。通过这样，形成由p-AlGaAs包覆层306的脊峰部Ri3、p-接触层307、电流狭窄层308和罩层309所构成的凸部T3。罩层309由非掺杂GaAs所构成，凸部T3的宽度L3约是15μm，脊峰部Ri3的高度H3是1μm。
通过溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法，在p-接触层307上和罩层309上的规定区域，形成p侧衬垫电极32。
这样，在n-GaAs基板5X的一面侧形成具有层叠构造的半导体层3t。此外，在n-GaAs基板5X的另一面侧形成由AuGe/Ni/Au所构成的n电极33(共同n电极233)。
在该红外半导体激光元件3中，在脊峰部Ri的下方的MQW活性层304的位置形成红外发光点31。而且，在本例子中，MQW活性层304相当于图1的pn接合面30。
这里，在本实施方式中，如上述那样，凸部T3的上部的Y方向的宽度与凸部T1(参照图12)的上部的Y方向的宽度相比要大。这种情况下，在接合蓝紫色半导体激光元件1和红外半导体激光元件3之时，能够将凸部T3稳定地配置在凸部T1上。另外，能够防止凸部T3对凸部T1给予局部的应力。通过这样，能够防止蓝紫色半导体激光元件1的恶化。
另外，在本实施方式中，如上述那样，凸部T3的上部的Y方向宽度比凸部T2的上部的Y方向宽度大。这种情况下，能够将凸部T3更稳定地配置到凸部T1上。另外，能够确实地防止凸部T3对凸部T1给予局部的应力。通过这样，确实地防止蓝紫色半导体激光元件1的恶化。
(i)内置半导体激光装置的光拾取装置的构成。
下面，分别说明本实施方式的内置半导体激光装置的光拾取装置的多个例子。
(i-1a)光拾取装置的第一个例子
图15是表示本实施方式的光拾取装置的构成的图。在下面的说明中，将从半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11射出的波长约405nm的激光称为蓝紫色激光，将从红色发光点21射出的波长约650nm的激光称为红色激光，将从红外发光点31射出的波长约780nm的激光称为红外激光。在图15中，蓝紫色激光和红外激光利用实线来表示，红色激光利用虚线来表示。
如图15所示，光拾取装置900a具有：安装了半导体激光装置1000A的激光用大致圆型壳组件500；偏振光束分离器(下面简称为PBS)902；准直透镜903；光束扩展器904；λ/4板905；物镜906；圆柱透镜907；光轴修正元件908和光检测器909。
在图15中，将利用箭头X、Y、Z所表示那样相互正交的3个方向设为X方向、Y方向和Z方向。
上述的X方向是与作为再现对象的光学记录介质(下面称为光盘)DI正交的方向。另外，Y方向和Z方向，是与光盘DI的一个面平行且相互正交的方向。
对安装了半导体激光装置1000A的激光用大致圆型壳组件500进行配置，使得半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31沿着Y方向排列在大致直线上。另外，如上述那样，蓝紫色发光点11和红外发光点31的间隔，与蓝紫色发光点11和红色发光点21的间隔以及红外发光点31和红色发光点21的间隔相比，非常小。从蓝紫色发光点11、红色发光点21和红外发光点31射出的激光的偏振面互相平行。
如上述那样，半导体激光装置1000A的蓝紫色发光点11，位于激光用大致圆型壳组件500的YZ平面的大致中央部。
在本例子中，由PBS902、准直透镜903、光束扩展器904、λ/4板905以及物镜906所构成的光学系统，沿着从蓝紫色发光点11(激光用大致圆型壳组件500的中央部)向X方向射出的蓝紫色激光的光轴，顺序地配置。即，从PBS902到物镜906的光学系统的光轴，与蓝紫色激光的光轴位置一致。
PBS902全透过从半导体激光装置1000A射出的各个激光，同时，全反射从光盘DI反馈的激光。
准直透镜903将透过PBS902的来自半导体激光装置1000A的蓝紫色激光、红色激光或红外激光变换为平行光。
光束扩展器904由凹透镜、凸透镜和致动器(未图示)所构成。
该致动器根据来自未图示的伺服电路的伺服信号，改变凹透镜和凸透镜的距离。通过这样，修正从半导体激光装置1000A射出的各个激光的波阵面状态。
λ/4板905将利用准直透镜903变换为平行光的直线偏振的激光变换为圆偏振光。另外，λ/4板905将从光盘DI反馈的圆偏振的激光变换为直线偏振光。这种情况下的直线偏振光的偏振方向，与从半导体激光装置1000A射出的激光的直线偏振光的偏振方向正交。通过这样，从光盘DI反馈的激光，通过PBS902基本上全反射。
物镜906将透过λ/4板905的激光会聚到光盘DI的表面(记录层)上。
而且，物镜906根据来自伺服电路的伺服信号(跟踪伺服信号、聚焦伺服信号和倾斜伺服信号)，通过未图示的物镜致动器，能够沿着聚焦方向、跟踪方向和倾斜方向移动。
沿着由PBS902全反射的激光的光轴来配置圆柱透镜907、光轴修正元件908和光检测器909。
圆柱透镜907对入射的激光给予像散作用。光轴修正元件908由衍射光栅所形成。
该光轴修正元件908将透过圆柱透镜907的蓝紫色激光(0次衍射光)和红外激光(0次衍射光)导向光检测器909。
另外，光轴修正元件908衍射透过圆柱透镜907的红色激光，将衍射的红色激光(1次衍射光)导向光检测器909。
这种情况下，定位光轴修正元件908，使得由蓝紫色激光和红外激光在光检测器909的受光面上所形成的聚光点的位置与由红色激光在光检测器909的受光面上所形成的聚光点的位置一致。
光检测器909基于接受的激光的强度分布，输出再现信号。这里，光检测器909具有规定图案的检测区域，使得与再现信号一起得到聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号。通过聚焦误差信号、跟踪误差信号和倾斜误差信号，反馈控制光束扩展器904的致动器和物镜致动器。
(i-1b)第一例子的光拾取装置的效果
如图15所示，在光拾取装置900a中，蓝紫色激光、红外激光或红色激光入射到由衍射光栅形成的光轴修正元件908中。
通常，对于衍射光栅，某一波长的光和该波长的n倍(n是自然数)的波长的光的衍射作用是相同的。即，某一波长的光入射到衍射光栅之情况下的衍射作用与入射该波长的n倍的波长的光时的衍射作用是相同的。
红色激光的波长(约650nm)不是蓝紫色激光的波长(约405nm)和红外激光的波长(约780nm)的n倍(n是自然数)。因此，对于红色激光，光轴修正元件908能够给予与蓝紫色激光和红外激光不同的衍射作用。
而且，Z方向的蓝紫色发光点11和红外发光点31的间隔非常短。因此，在本例子中，蓝紫色激光的光轴和红外激光的光轴能够视为实质上相同。
通过以上所述，光轴修正元件908能够容易地使得由红色激光形成的聚光点位置与由蓝紫色激光和红外激光形成的聚光点位置一致。通过这样，能够利用共同的光检测器909接受蓝紫色激光及红外激光和红色激光。
这样，在本实施方式的光拾取装置900a中，对于蓝紫色激光、红外激光和红色激光，使用共同的光检测器909。通过这样，不需要分别对应蓝紫色激光、红外激光和红色激光设置3个光检测器，所以，实现了光拾取装置900a的小型化。
另外，在半导体激光装置1000A中，蓝紫色发光点11和红外发光点31的间隔非常小，而且红外发光点31和红色发光点21位于与Y方向平行的直线上，所以，蓝紫色发光点11、红外发光点31和红色发光点21沿着Y方向位于大致直线上。通过这样，在将半导体激光装置1000A用于光拾取装置900a中的情况下，容易设计光拾取装置900a。
(i-2a)光拾取装置的第二例子
图16是表示本实施方式的光拾取装置的构成的其它例子的图。
如图16所示，第二例子的光拾取装置900b的构成与第一例子的光拾取装置900a的构成的不同之处，如下所述。
即，代替在圆柱透镜907和光检测器909之间设置光轴修正元件908，在激光用大致圆型壳组件500和PBS902之间，沿着从蓝紫色发光点11向X方向射出的蓝紫色激光的光轴配置该光轴修正元件908。
(i-2b)第二例子的光拾取装置的效果
根据上述构成，从红色发光点21射出的红色激光的光轴，利用光轴修正元件908，与从蓝紫色发光点11射出的蓝紫色激光和从红外发光点31射出的红外激光的光轴匹配。
这样，红色激光从红色发光点21射出后，在上述这样构成的光学系统的最初阶段利用光轴修正元件908修正红色激光的光轴，由此，能够防止在光学系统的中途阶段，红色激光的光轴偏离。
另一方面，在光拾取装置900b中，与光拾取装置900a相比，会产生由光轴修正元件908所导致的红色激光的强度衰减，但是能够抑制相对物镜906的红色激光的光轴的偏差。通过这样，能够抑制光盘DI上的红色激光的光学特性的恶化。
(i-3)光拾取装置的第三例子及其所产生的效果
图17是表示本实施方式的光拾取装置的构成的另外的例子。
如图17所示，第三例子的光拾取装置900c的构成与第一例子的光拾取装置900a的构成的不同之处，如下所述。
即，在PBS902和圆柱透镜907之间还设置平行平板911。
通过设置该平行平板911，如在上述光拾取装置900a中所说明的那样，就不需要视为蓝紫色激光的光轴和红外激光的光轴是相同的，能够将红外激光的光轴与蓝紫色激光的光轴进行匹配。
通过这样，在本例子中，能够将红色激光的光轴和红外激光的光轴同时地与蓝紫色激光的光轴进行匹配。
另外，在本例子中，不使用衍射光栅等光学装置，使用平行平板911，由此，能够避免光学系统的复杂化，同时能够实现低成本。
另外，在本例子中，利用修正而匹配的红外激光入射到光检测器909，由此，提高了红外激光的信号特性。
这里，说明上述平行平板911所产生的光轴的修正作用。
图18是用于说明图17的光拾取装置900c中的平行平板911的光轴的修正作用的说明图。
如图18所示，在将平行平板911的厚度设为t，将与光轴垂直的面和与平行平板911的厚度方向相反的面所形成的角度(下面称为倾角)设为a，将平行平板911的折射率设为n的情况下，以修正后的光轴(下面称为基准光轴)为基准的情况下由平行平板911所导致的光轴的移动量(偏移量)h由下面的公式(1)表示：
h＝t/Cos(ArcSin(Sin(a)/n)).Sin(a)    …(1)
这里，如表1所示，例如作为平行平板911的形成材料，使用基于阿贝数vd是34.6、基准折射率nd是1.64的玻璃材料SF7而得到的折射率n，在将平行平板911的厚度t设为1mm，将倾角a设为45°时，如果基于上述公式(1)计算蓝紫色激光和红外激光的相对基准光轴的偏移量h1、h2，分别由表2所表示。
[表1]
    折射率     厚度t[mm]     倾角a[°]
    Nd     vd
    1.64     34.6     1     45
[表2]
    蓝紫色激光     红外激光
    折射率n      1.673     1.628
偏移量[mm]      h1     h2
     0.780192     0.784994
由上面可知，利用红外激光的偏移量h2相对于蓝紫色激光的偏移量h1之差所表示的应该修正量(下面称为修正量)r约为5μm。因此，利用平行平板911来修正作为修正量的上述约5μm，由此，能够将红外激光的光轴与蓝紫色激光的光轴匹配。
而且，优选的平行平板911的倾角a为60°以下。在下面说明该理由。
图19是用于说明平行平板911的优选倾角a的说明图。
根据光学系统设计上的关系，平行平板911的厚度t是约2mm以下，这是现实的。另外，如图19所示，通常激光的有效直径x1约是4mm以下。
在图19中，将平行平板911的倾角a设为60°的情况下，在激光的光轴方向，平行平板911所占有的空间尺寸x2为10.97mm。另外，准直透镜903的通常焦点距离为10mm～20mm。
这样，如果平行平板911的倾角a大于60°，具有这种情况：在准直透镜903和光检测器909之间设置其它的光学装置或光学部件是困难的。因此，优选平行平板911的倾角a为60°以下，优选平行平板911的厚度t约是2mm以下。而且，这种情况下的上述修正量约是21.1μm，另外，平行平板911的倾角a是45°而且平行平板911的厚度t是2mm时的上述修正量约是10μm。
(i-4)光拾取装置的第四例子及由其所产生的效果
图20是表示本实施方式的光拾取装置的构成的另外其它例子的图。
如图20所示，第四例子的光拾取装置900d的构成与第二例子的光拾取装置900b的构成的不同之处，如下所述。
即，在光拾取装置900d中，代替在PBS902和光束扩展器904之间设置准直透镜903，而在光轴修正元件908和PBS902之间设置准直透镜903。
另外，在光轴修正元件908和PBS902之间所设置的准直透镜903与PBS902之间，设置平行平板911。
在本例子中，利用光轴修正元件908将红色激光的光轴与蓝紫色激光的光轴匹配，利用平行平板911将红外激光的光轴与蓝紫色激光的光轴匹配。通过这样，与上述第二例子的光拾取装置900b的情况不同，通过修正而匹配的红外激光入射到物镜906中。通过这样，与光拾取装置900b相比，提高了光盘DI上的红外激光的光学特性。
另外，在本例子中，通过修正而匹配的红外激光入射到光检测器909中，由此，提高了红外激光的信号特性。
更进一步，在本例子中，将准直透镜903设置在PBS902和光束扩展器904之间，由此，能够防止扩散光或会聚光入射到平行平板911时的像差(像散)。
(j)光拾取装置的其它构成例子
光轴修正元件908和平行平板911也可以设置在从PBS902到物镜906的光学系统中。
而且，在上述光拾取装置900a～900d中，使用像散法来进行聚焦误差信号的生成。另外，使用例如微分相位检测(Differential PhaseDetection(DPD))法来进行跟踪误差信号的生成。
(2)第二实施方式
第二实施方式的半导体激光装置，除了下面的几点，具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的构造。
图21是用于说明第二实施方式的半导体激光装置的构造的示意性上面图。
如图21所示，本实施方式的半导体激光装置1000B，具有蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X。
单片红色/红外半导体激光元件23X，具有红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3，接合在蓝紫色半导体激光元件1上。
单片红色/红外半导体激光元件23X的X方向的长度，比蓝紫色半导体激光元件1的X方向的长度长。
在本实施方式中，例如，沿着X方向延伸的蓝紫色半导体激光元件1的谐振器长度是600μm，沿着X方向延伸的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的谐振器长度是1200μm。
这里，在本实施方式中，如图21所示，蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的激光的射出面大致一致。这种情况下，在单片红色/红外半导体激光元件23X的激光射出面的相反侧，产生不与蓝紫色半导体激光元件1接合的部分。通过这样，降低了红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的激光射出面的相反侧之端面的变形。因此，可抑制红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的恶化。
这样，通过个别地调整各个半导体激光元件的谐振器长度，能够提高各个半导体激光元件的可靠性。
(3)第三实施方式
(a)半导体激光装置的构造和效果
第三实施方式的半导体激光装置，除了下面几点之外，具有与第一实施方式的半导体激光装置1000A相同的构造。
图22是表示第三实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图。另外，图23和图24是图22的半导体激光装置1000C中的蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X的接合面的示意图。而且，本实施方式的半导体激光装置1000C，具有与图1、2同样的蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23X。另外，图22的A2-A2线剖面图与图1的A1-A1线剖面图(参照图2)相同。
如图23(a)所示，本实施方式的半导体激光装置1000C中，在蓝紫色半导体激光元件1的绝缘膜4a上，形成p侧衬垫电极12和p侧衬垫电极13。
P侧衬垫电极12以沿着蓝紫色半导体激光元件1的脊峰部Ri1的方式沿着X方向延伸，同时，其一部分沿着Y方向延伸。
P侧衬垫电极13，在离开p侧衬垫电极12的位置沿着X方向延伸，同时，其一部分沿着与p侧衬垫电极12相反的方向延伸。在沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13的一端，焊接用于驱动红色半导体激光元件2的导线。而且，p侧衬垫电极13，沿着Y方向以宽度约100μm延伸长度约100μm。
而且，形成各个p侧衬垫电极12、13，使得它们在绝缘膜4a上互相离开。通过这样，各个p侧衬垫电极12、13相互电分离。
如图23(b)所示，在绝缘膜4a和p侧衬垫电极12上形成规定宽度的绝缘膜4b。形成绝缘膜4b，使得沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端部露出。在露出的p侧衬垫电极12的一端，焊接用于驱动蓝紫色半导体激光元件1的导线。而且，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端露出宽度约100μm和长度100μm的区域。
如图24(c)所示，在绝缘膜4a和绝缘膜4b上离开p侧衬垫电极13的位置形成p侧衬垫电极14。P侧衬垫电极14在绝缘膜4a和绝缘膜4b上沿着X方向延伸，同时，其一部分与p侧衬垫电极12一样沿着Y方向延伸。这里，p侧衬垫电极12沿着Y方向延伸的部分与p侧衬垫电极14沿着Y方向延伸的部分互相离开，所以，各个p侧衬垫电极12、13、14相互电分离。而且，p侧衬垫电极14沿着Y方向以宽度约100μm延伸长度约100μm。
在沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极14的一端，焊接用于驱动红外半导体激光元件3的导线。
另外，在p侧衬垫电极13和p侧衬垫电极14上，形成由Au-Sn所构成的焊锡膜H。
进行单片红色/红外半导体激光元件23X(参照图2)向蓝紫色半导体激光元件1的接合，使得红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22通过焊锡膜H与p侧衬垫电极13接合，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32通过焊锡膜H与p侧衬垫电极14接合。
通过这样，红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22与p侧衬垫电极13电连接，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32与p侧衬垫电极14电连接。
如以上这样，在本实施方式的半导体激光装置1000C中，p侧衬垫电极12、14的一端在Y方向从红外半导体激光元件3的侧面突出、露出。通过这样，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12、14的露出部在X方向在大致直线上排列，所以，能够加大Y方向的蓝紫色半导体激光元件1上的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的配置空间。因此，能够加大Y方向的红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的宽度。
另外，由于能够同时形成p侧衬垫电极12、13，所以能够简化制造工序。
另外，与第一实施方式不同，由于不在p侧衬垫电极13上形成p侧衬垫电极14，所以不需要在p侧衬垫电极13上形成焊锡膜H，因此能够简化制造工序。
(b)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态
图25是表示将图22的半导体激光装置1000C安装到图5的激光用大致圆型壳组件500内、卸下盖体504的状态的示意性正面图，图26是表示将图22的半导体激光装置1000C安装到图5的激光用大致圆型壳组件500内，卸下盖体504的状态的示意性上面图。在图25和图26中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图25和图26所示，供电管脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000C的p侧衬垫电极13的一端连接。供电管脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000C的p侧衬垫电极14的一端连接。供电管脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000C的p侧衬垫电极12的一端连接。
另一方面，支持部件505的露出的上面和半导体激光装置1000C的共同n电极233利用导线W4电连接。
这里，支持部件505通过辅助支座505S和熔接层505H电连接。通过这样，供电管脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15、以及红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同n电极233电连接。即，实现了蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同阴极的接线。
通过在供电管脚501c和供电管脚502之间施加电压，能够驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电管脚501a和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红色半导体激光元件2。通过在供电管脚501b和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红外半导体激光元件3。这样，能够分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式的半导体激光装置1000C中，如上述那样，p侧衬垫电极12、13、14各自相互电分离。通过这样，能够对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3各自的p侧衬垫电极12、13、14提供任意的电压。因此，能够任意地选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的驱动方式。
(c)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态所产生的效果
在本实施方式中，进行半导体激光装置1000C向辅助支座505S的粘接，使得蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的取出窗504a(参照图5)的中央部。另外，蓝紫色发光点11和红外发光点31设置在接近的位置。因此，在本实施方式中也能够得到与第一实施方式同样的效果。
如图25和图26所示，在本例子中，设置蓝紫色半导体激光元件1的p侧衬垫电极12的露出部，使得与红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14的露出部相比距离激光的射出面远的位置。因此，能够容易地在与支持部件505的半导体激光装置设置面相对向的供电管脚501c上连接p侧衬垫电极12，另外，能够缩短导线3的长度。
在本例子中，将红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14的露出部，配置在X方向的半导体激光装置1000C的激光射出面侧，但是也可以将蓝紫色半导体激光元件1的p侧衬垫电极12配置在半导体激光装置1000C的激光的射出面侧。这种情况下，通过导线连接蓝紫色半导体激光元件1的p侧衬垫电极12和供电管脚501b。另外，利用导线连接红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14和供电管脚501c。
(4)第四实施方式(a)半导体激光装置的构造
图27和图28是用于说明第四实施方式的半导体激光装置的构造的示意图。图27表示了第四实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图，图28表示了图27的A3-A3线剖面图。另外，图29和图30是图27、28的半导体激光装置的蓝紫色半导体激光元件1与红色半导体激光元件2及红外半导体激光元件3的接合面的示意图。
图27～图30也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图27和图28所示，在本实施方式的半导体激光装置1000D中，在蓝紫色半导体激光元件1上，接合一体地形成红外半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的单片红色/红外半导体激光元件23Y。
这里，图27、28的单片红色/红外半导体激光元件23Y，与图1、2的单片红色/红外半导体激光元件23X的构造不同。在图27、28的单片红色/红外半导体激光元件23Y中，在红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3之间形成孔部QH。通过该孔部QH，后述的p侧衬垫电极14的一端向外部露出。
而且，在本实施方式中，与图1、2的半导体激光装置1000A同样地，在蓝紫色半导体激光元件1上接合红外半导体激光元件3，使得在Z方向的大致直线上，蓝紫色半导体激光元件1的脊峰部Ri1和红外半导体激光元件3的脊峰部Ri3相对向。即，蓝紫色发光点11和红外发光点31设置在接近的位置。
下面，说明蓝紫色半导体激光元件和单片红色/红外半导体激光元件23Y的接合部。
如图29(a)所示，p侧衬垫电极12以沿着蓝紫色半导体激光元件1的脊峰部Ri1的方式沿着X方向延伸，同时，其一部分沿着Y方向延伸。
P侧衬垫电极13在离开p侧衬垫电极12的位置沿着X方向延伸，同时，其一部分沿着与p侧衬垫电极12相反的方向延伸。在沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极13的一端焊接用于驱动红色半导体激光元件2的导线。而且，p侧衬垫电极12在Y方向以宽度约100μm延伸长度约100μm。
另外，形成各个p侧衬垫电极12、13，使得在绝缘膜4a上相互离开，所以，p侧衬垫电极12、13各自相互电分离。
如图29(b)所示，在绝缘膜和p侧衬垫电极12上形成规定宽度的绝缘膜4b。形成绝缘膜4b，使得沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端部露出。在露出的p侧衬垫电极12的一端，焊接用于驱动蓝紫色半导体激光元件1的导线。而且，沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极12的一端露出宽度约100μm和长度100μm的区域。
如图30(c)所示，在绝缘膜4a和绝缘膜4b上离开p侧衬垫电极13的位置形成p侧衬垫电极14。P侧衬垫电极14在绝缘膜4a和绝缘膜4b上沿着X方向延伸，同时，其一部分在与p侧衬垫电极12的沿着Y方向延伸的部分相反的方向上在大致直线上延伸。而且，p侧衬垫电极12沿着Y方向以宽度约100μm延伸约长度100μm。另外，p侧衬垫电极14的沿着Y方向延伸的部分离开p侧衬垫电极13。因此，各个p侧衬垫电极12、13、14相互电分离。
在沿着Y方向延伸的p侧衬垫电极14的一端，通过孔部QH来焊接用于驱动红外半导体激光元件3的导线。
另外，在p侧衬垫电极13和p侧衬垫电极14上，形成由Au-Sn所构成的焊锡膜H。
进行单片红色/红外半导体激光元件23Y向蓝紫色半导体激光元件1的接合，使得红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22通过焊锡膜H与p侧衬垫电极13接合，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32通过焊锡膜H与p侧衬垫电极14接合。
通过这样，红色半导体激光元件2的p侧衬垫电极22与p侧衬垫电极13电连接，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极32与p侧衬垫电极14电连接。
如以上这样，在本实施方式的半导体激光装置1000D中，能够同时地形成p侧衬垫电极12、13，所以，能够简化制作工序。
另外，由于不需要在p侧衬垫电极13上形成焊锡膜H，所以能够简化制造工序。
在本实施方式中，Y方向的红色发光点21和红外发光点31之间的间隔，可调整到例如约200μm。
Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的宽度例如是约800μm，Y方向的单片红色/红外半导体激光元件23Y的宽度，例如是约400μm。
另外，优选蓝紫色发光点11和红外发光点31的直径是20μm以下。
(b)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态
图31是表示将图27、28的半导体激光装置1000D安装到图5的激光用大致圆型壳组件500内、卸下盖体504的状态的示意性正面图。而且，在图31中，设置在激光用大致圆型壳组件500中的半导体激光装置1000D由图27的A3-A3线的剖面表示。在图31中，也与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
如图31所示，供电管脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000D的p侧衬垫电极13的一端连接。供电管脚501b通过导线W2与半导体激光装置1000D的p侧衬垫电极12的一端连接。供电管脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000D的p侧衬垫电极14的一端连接。
另一方面，支持部件505的露出的上面和半导体激光装置1000D的共同n电极233利用导线W4电连接。
这里，支持部件505通过辅助支座505S和熔接层505H电连接。通过这样，供电管脚502与蓝紫色半导体激光元件1的n电极15、以及红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同n电极233电连接。即，实现了蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同阴极的接线。
通过在供电管脚501b和供电管脚502之间施加电压，能够驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电管脚501a和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红色半导体激光元件2。通过在供电管脚501c和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红外半导体激光元件3。这样，能够分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
在本实施方式的半导体激光装置1000D中，如上述那样，p侧衬垫电极12、13、14各自相互电分离。通过这样，能够对蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3各自的p侧衬垫电极12、13、14提供任意的电压。因此，能够任意地选择蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的驱动方式。
(c)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态所产生的效果
在本实施方式中，进行半导体激光装置1000D向辅助支座505S的粘接，使得蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的取出窗504a(参照图5)的中央部。另外，蓝紫色发光点11和红外发光点31设置在接近的位置。因此，在本实施方式中也能够得到与第一实施方式同样的效果。
另外，红外半导体激光元件3的p侧衬垫电极14通过孔部QH向外部露出。通过这样，能够通过孔部QH进行向p侧衬垫电极14的导线焊接。其结果是，提高了布线的自由度。
另外，能够将p侧衬垫电极12、13、14的全部设置在光射出面的相反侧，通过这样，在将p侧衬垫电极12、13、14分别与供电管脚501b、501a、501c连接时，能够缩短导线的长度。通过这样，能够提高蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的响应特性。
(5)第五实施方式
(a)半导体激光装置的构造
图32和图33是用于说明第五实施方式的半导体激光装置的构造的示意图。图32是表示第五实施方式的半导体激光装置的一个例子的上面图，图33表示了图32的A4-A4线剖面图。在图32、33中，与图1同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
而且，在本实施方式中，也与图1、图2的半导体激光装置1000A同样地，在蓝紫色半导体激光元件1上接合红外半导体激光元件3，使得在Z方向的大致直线上蓝紫色半导体激光元件1的脊峰部Ri1和红外半导体激光元件3的脊峰部Ri3相对向。即，蓝紫色发光点11和红外发光点31设置在接近的位置。
如图32和图33所示，在本实施方式的半导体激光装置1000E的蓝紫色半导体激光元件1中，形成p侧衬垫电极12，使得覆盖p型欧姆电极621和绝缘膜4a的上面全部。并且，在p侧衬垫电极12上的规定区域形成焊锡膜H。更进一步，在焊锡膜H上接合该红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3一体地形成的单片红色/红外半导体激光元件23Z。
这里，图32、33的单片红色/红外半导体激光元件23Z与图1、2的单片红色/红外半导体激光元件23X构造不同。在本实施方式的单片红色/红外半导体激光元件23Z中，红色半导体激光元件2的半导体层2t(参照图13)和红外半导体激光元件3的半导体层3t(参照图14)通过连接部BR连接。
连接部BR也可以包含红色半导体激光元件2的半导体层2t或红外半导体激光元件3的半导体层3t的一部分。例如，连接部BR也可以是红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3中限制电流的流动的电流狭窄层，也可以是p型接触层。
通过这样，红色半导体激光元件2的半导体层2t、红外半导体激光元件3的半导体层3t和连接部BR具有相互连接的平面。这里，在单片红色/红外半导体激光元件23Z中，在该连接的平面上形成共同p侧衬垫电极232。
在蓝紫色半导体激光元件1上的焊锡膜H上，接合单片红色/红外半导体激光元件23Z的共同p侧衬垫电极232。这里，与图1、2的半导体激光装置1000A同样地，进行蓝紫色半导体激光元件1和单片红色/红外半导体激光元件23Z的接合，使得在Z方向的大致直线上蓝紫色半导体激光元件1的脊峰部Ri1和红外半导体激光元件3的脊峰部Ri3相对向。
在单片红色/红外半导体激光元件23Z的红色半导体激光元件2中，在与共同p侧衬垫电极232相反侧的面上，形成n电极23。另外，在红外半导体激光元件3中，在与共同p侧衬垫电极232相反侧的面上形成n电极33。
在本实施方式中，Y方向的红色发光点21和红外发光点31之间的间隔，调整到例如约40μm。
Y方向的蓝紫色半导体激光元件1的宽度是例如约400μm。Y方向的单片红色/红外半导体激光元件23Y的宽度，是例如约200μm。
(b)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态
图34是表示将图32、33的半导体激光装置1000E安装到图5的激光用大致圆型壳组件500内、卸下盖体504的状态的示意性正面图。而且，在图34中，设置在激光用大致圆型壳组件500中的半导体激光装置1000E由图32的A4-A4线的剖面表示。在图34中，也与图1、2同样地定义X方向、Y方向和Z方向。
在本实施方式中，在激光用大致圆型壳组件500的支持部件505上形成绝缘性的辅助支座505Z。
如图34所示，在绝缘性的辅助支座505Z上通过熔接层505H粘结半导体激光装置1000E。
供电管脚501a通过导线W1与半导体激光装置1000E的n电极23(红色半导体激光元件2的n电极23)连接。供电管脚501b通过导线W2与在辅助支座505Z上露出的熔接层505H连接。供电管脚501c通过导线W3与半导体激光装置1000E的n电极33(红外半导体激光元件3的n电极33)连接。
另一方面，在蓝紫色半导体激光元件1上露出的p侧衬垫电极12和支持部件505通过导线W4电连接。
这里，蓝紫色半导体激光元件1上的p侧衬垫电极12与单片红色/红外半导体激光元件23Z的共同p侧衬垫电极232电连接。通过这样，实现了蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3的共同阴极的接线。
通过在供电管脚501a和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红色半导体激光元件2。通过在供电管脚501b和供电管脚502之间施加电压，能够驱动蓝紫色半导体激光元件1。通过在供电管脚501c和供电管脚502之间施加电压，能够驱动红外半导体激光元件3。这样，能够分别独立地驱动蓝紫色半导体激光元件1、红色半导体激光元件2和红外半导体激光元件3。
(c)半导体激光装置在激光用组件中的安装状态所产生的效果
在本实施方式中，进行半导体激光装置1000E向辅助支座505Z的粘接，使得蓝紫色半导体激光元件1的蓝紫色发光点11位于盖体504的取出窗504a(参照图3)的中央部。另外，蓝紫色发光点11和红外发光点31设置在接近的位置。因此，在本实施方式中也能够得到与第一实施方式同样的效果。
在本实施方式中，在半导体激光装置1000E向激光用大致圆型壳组件500安装时，供电管脚501a～501c通过导线W1～W3与在半导体激光装置1000E的上部露出的n电极23、33和露出的熔接层505H连接。通过这样，对于半导体激光装置1000E，可容易地进行导线W1～W3的连接。
在本实施方式中，也可以这样，个别地预先制作蓝紫色半导体激光元件1的芯片和单片红色/红外半导体激光元件23Y的芯片，将这些芯片相互贴合，由此来制作半导体激光装置1000E。
(6)与权利要求范围的对应关系
在上述实施方式中，X方向相当于第一方向，波长约405nm的激光和蓝紫色激光相当于第一波长的光，蓝紫色发光点11相当于第一发光点，蓝紫色半导体激光元件1相当于第一半导体激光元件，波长约650nm的激光和红色激光相当于第二波长的光，红色发光点21相当于第二发光点，红色半导体激光元件2相当于第二半导体激光元件，波长约780nm的激光和红外激光相当于第三波长的光，红外发光点31相当于第三发光点，红外半导体激光元件3相当于第三半导体激光元件，YZ平面相当于与第一方向正交的第一面。
另外，半导体层1t相当于第一半导体层，p侧衬垫电极12相当于第一电极，半导体层2t相当于第二半导体层，p侧衬垫电极22相当于第二电极，半导体层3t相当于第三半导体层，p侧衬垫电极32相当于第三电极，n-GaN基板1s相当于第一基板，n-GaAS基板50和n-GaAs基板5X相当于第二或第三基板，凸部T1相当于第一凸部，凸部T2相当于第二凸部，凸部T3相当于第三凸部，Y方向相当于第二方向，激光用大致圆型壳组件500相当于组件。
此外，光盘DI相当于光学记录介质，PBS902、准直透镜903、光束扩展器904、λ/4板905、物镜906、圆柱透镜907和光轴修正元件908相当于光学系统，光轴修正元件908相当于衍射光栅。
(7)其它实施方式
在上述第1～第5实施方式中，表示了将半导体激光装置向激光用大致圆型壳组件中安装的例子，但是，本发明不限于此，也能够适用于将半导体激光装置向框架型激光用组件等其它组件中安装的情况。

Claims (21)

1.一种半导体激光装置，包括：第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，
所述第一半导体激光元件在第一基板上具有第一半导体层，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点，
所述第二半导体激光元件具有第二半导体层，该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与所述第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，
所述第三半导体激光元件具有第三半导体层，该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出所述第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的第三发光点，
在所述第一半导体激光元件上层叠所述第二半导体激光元件和所述第三半导体激光元件，使得所述第二半导体层及所述第三半导体层与所述第一半导体层相对向，
在与所述第一方向正交的第一面内，所述第一发光点和所述第三发光点之间的距离，比所述第一发光点和所述第二发光点之间的距离小。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一和第三发光点沿着与所述第一基板的一个面大致垂直的方向配置。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体层包含沿着与所述第一方向大致平行的方向延伸的第一谐振器，
所述第二半导体层包含沿着与所述第一方向大致平行的方向延伸的第二谐振器，
所述第三半导体层包含沿着与所述第一方向大致平行的方向延伸的第三谐振器，
所述第二谐振器的长度和第三谐振器的长度的至少一个比所述第一谐振器的长度长。
4.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体激光元件还具有在所述第一半导体层上所形成的第一电极，
所述第二半导体激光元件还具有在所述第二半导体层上所形成的第二电极，
所述第三半导体激光元件还具有在所述第三半导体层上所形成的第三电极，
所述第一电极和所述第二电极和所述第三电极相互绝缘。
5.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二半导体激光元件还具有第二基板，所述第二半导体层形成在所述第二基板上，所述第三半导体激光元件还具有第三基板，所述第三半导体层形成在所述第三基板上，所述第二基板和所述第三基板的至少一个由与所述第一基板不同的材料所构成。
6.根据权利要求5所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二和第三基板是共同基板，
所述第二半导体层形成在所述共同基板的第一区域中，所述第三半导体层形成在所述共同基板的第二区域中。
7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：
在与所述第一基板的一个面大致垂直的方向，从所述共同基板到所述第二半导体层的表面的厚度，比从所述共同基板到所述第三半导体层的表面的厚度大。
8.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其特征在于：
在与所述第一基板的一个面大致垂直的方向，所述第二半导体层的表面与所述第三半导体层的表面相比，向所述第一基板侧突出。
9.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体层具有与所述第一方向大致平行地延伸的第一凸部，
所述第三半导体层具有与所述第一方向大致平行地延伸的第三凸部，
在与所述第一方向垂直且与第一基板的一个面平行的第二方向，所述第三凸部的宽度比所述第一凸部的宽度大。
10.根据权利要求9所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二半导体层具有与所述第一方向大致平行地延伸的第二凸部，
在所述第二方向，所述第三凸部的宽度比所述第二凸部的宽度大。
11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
还具有组件，该组件收容所述第一半导体激光元件、所述第二半导体激光元件和所述第三半导体激光元件的同时，具有光的取出窗，
配置所述第一半导体激光元件，使得从所述第一半导体激光元件的所述第一发光点射出的第一波长的光通过所述取出窗的大致中心。
12.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一波长的光是蓝紫色光，所述第二波长的光是红色光，所述第三波长的光是红外光。
13.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体层由氮化物系半导体所构成。
14.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第二半导体层由镓铟磷系半导体所构成。
15.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第三半导体层由镓砷系半导体所构成。
16.一种光拾取装置，向光学记录介质照射光，检测从该光学记录介质反馈的光，其特征在于：
具有半导体激光装置，
所述半导体激光装置包括第一半导体激光元件、第二半导体激光元件和第三半导体激光元件，
所述第一半导体激光元件在第一基板上具有第一半导体层，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点，
所述第二半导体激光元件具有第二半导体层，该第二半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出与所述第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，
所述第三半导体激光元件具有第三半导体层，该第三半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出所述第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的发光点，
在所述第一半导体激光元件上层叠所述第二半导体激光元件和所述第三半导体激光元件，使得所述第二半导体层及所述第三半导体层与所述第一半导体层相对向，
在与所述第一方向正交的第一面内，所述第一发光点和所述第三发光点之间的距离，比所述第一发光点和所述第二发光点之间的距离小。
17.根据权利要求16所述的光拾取装置，其特征在于：
还包括光检测器和光学系统，
该光学系统，将从所述半导体激光装置射出的所述第一、第二或第三波长的光导向所述光学记录介质，同时，将从所述光学记录介质反馈的所述第一、第二或第三波长的光导向所述光检测器。
18.根据权利要求17所述的光拾取装置，其特征在于：
所述光学系统包括衍射光栅，该衍射光栅透过所述第一、第二和第三波长的光，使得所述第一、第二和第三波长的光分别导向所述光检测器。
19.一种半导体激光装置的制造方法，其特征在于：
包括：在第一基板上形成第一半导体层的工序，该第一半导体层具有沿着与第一方向大致平行的方向射出第一波长的光的第一发光点；
在第二基板上形成第二半导体层和第三半导体层的工序，该第二半导体层具有沿着与所述第一方向大致平行的方向射出与所述第一波长的自然数倍不同的第二波长的光的第二发光点，该第三半导体层具有沿着与所述第一方向大致平行的方向射出所述第一波长的大致自然数倍的第三波长的光的第三发光点；
在所述第一半导体层的一个面上贴合所述第二半导体层的一个面的工序，使得在与所述第一方向正交的第一面内，所述第一发光点和所述第三发光点之间的距离，比所述第一发光点和所述第二发光点之间的距离小。
20.根据权利要求19所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：在与所述第一基板的一个面垂直的方向，所述第二半导体层的厚度比所述第三半导体层的厚度大。
21.根据权利要求19所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于：在与所述第一基板的一个面大致垂直的方向，所述第二半导体层的表面与所述第三半导体层的表面相比，向所述第一基板侧突出。
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