CN1871755A - 半导体激光装置及制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种激光光束的发光点间隔小的半导体激光装置及其制造方法。具有半导体基板(12a)和激光振荡部(10a)的第1发光元件(1a)和具有激光振荡部(4a)的第2发光元件(2a)使激光振荡部(10a)的脊形波导(8a)和激光振荡部(4a)的脊形波导(5a)相面对，并利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接。与脊形波导(8a)上的欧姆电极层(9a)电连接的导电性布线层(Qa1)和与脊形波导(5a)上的欧姆电极层(6a)电连接的导电性布线层(Qa2)分别延伸到半导体基板(12a)上的绝缘层(11a)，在半导体基板(12a)的底面和激光振荡部(4a)的表面分别形成欧姆电极(Pa1、Pa2)。在向欧姆电极(Pa1)和布线层(Qa1)之间提供驱动电流时，激光振荡部(10a)射出激光光束，在向欧姆电极(Pa2)和布线层(Qa2)之间提供驱动电流时，激光振荡部(4a)射出激光光束。由于利用厚度较小的SOG(3a)固定粘接激光振荡部(4a、10a)，所以能够形成发光点间隔小的半导体激光装置。

Description

半导体激光装置及制造方法
技术领域
本发明涉及射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置及其制造方法。
背景技术
伴随数字再现和宽带的普及，目前面临着大量数字内容充满家庭等的时代，正在寻求信息记录的进一步高密度化。在光盘存储系统中，开始从使用波长780nm的光的容量700MB的CD(CompactDisc)向使用波长650nm的光的容量4.7GB的DVD(DigitalVersatile Disc)推进高密度化。另外，最近使用波长405nm的光实现了容量超过20GB的光盘系统。
在这种高密度记录系统中，需要使此前广泛普及的DVD具有兼容性，所以需要在拾波器上同时安装波长650nm的激光。
在对应多种波长的拾波器中，为了其小型化、轻量化，优选双波长集成激光，但在实现405nm波段的激光的GaN系列半导体和实现650nm波段的激光的AlGaInP系列半导体中，物理性质大不相同，所以不能进行在同一基板上的单片集成。为此，提出了采用混合结构的双波长集成激光(专利文献1：日本特开2001-230502号公报，专利文献2：日本特开2000-252593号公报)。
专利文献1的双波长集成激光通过在支撑基板(所谓衬底)上重叠安装第1发光元件和第2发光元件，实现混合结构的半导体激光装置，所述第1发光元件具有第1基板并射出短波长(例如405nm波段)的激光光束，所述第2发光元件具有第2基板并射出长波长(例如650nm波段)的激光光束。
此处，第1发光元件安装在支撑基板上并使发光部位于第1基板的支撑基板侧，另外，第2发光元件安装在第1发光元件上并使发光部位于第2基板的第1发光元件侧。
专利文献2公开的混合结构的半导体激光装置通过采用使第2激光部的n电极和p电极分别通过熔融金属电贴合在第1激光部的p电极和n电极上，然后去除第1激光部侧的基板的结构，在第1激光部和第2激光部中射出波长不同的激光光束。
发明内容
发明要解决的课题
可是，专利文献1的半导体激光装置如上面所述，采用在支撑基板上重叠安装第1发光元件和第2发光元件的结构，但这种结构的情况下，为了能够向第1发光元件和第2发光元件的重合面注入电流，必须在把各个发光元件制造成独立的半导体芯片后，把芯片化的第1发光元件和第2发光元件重叠安装在支撑基板上。
在把双波长集成激光用作光盘的拾波器用光源时，需要以高精度(小于等于±1μm)控制这两个发光点间隔，但在芯片状态下的定位中，高精度地控制发光点间隔和放射方向是很困难的事情。并且，由于需要对所有的各个芯片进行定位，所以生产效率较差。
并且，专利文献1的半导体激光装置的第1发光元件的发光部被靠近地安装在支撑基板上，第2发光元件的发光部被靠近地安装在设于第1发光元件上的第1基板上。
但是，根据这种结构，在第1发光元件和第2发光元件之间存在厚度较大的第1基板，如上述专利文献1所记载的那样，该第1基板(GaN基板)通常具有约100μm的厚度，所以存在第1发光元件的发光部(发光点的位置)和第2发光元件的发光部(发光点的位置)相隔较远的问题。
为此，例如把该半导体激光装置安装在拾波器上进行信息记录或信息再现时，如果使第1发光部的射出位置(发光点的位置)的光轴与构成拾波器的光学系统的光轴一致，则第2发光部的射出位置大大偏离光学系统的光轴，成为产生像差等的原因。
这种光轴偏离造成的不良影响虽然通过向光拾波器追加棱镜等光学元件可以消除，但会产生部件数量及成本增加等问题。
在专利文献2的半导体激光装置中，由于利用熔融金属分别使第1激光部的p电极和n电极与第2激光部的n电极和p电极电贴合，所以该熔融金属造成的寄生电容增大，存在驱动各个激光部时的响应特性降低的问题。例如，在对CD和DVD等进行信息记录时，如果利用脉冲电流驱动第1激光部或第2激光部，则产生因上述寄生电容的影响而使响应特性降低、难以做到快速控制等问题。
并且，在专利文献2的半导体激光装置中，由于第1激光部的p、n电极与第2激光部的n、p电极分别通过熔融金属电连接，所以在通过熔融金属按顺时针方向向第1激光部提供驱动电力，以使第1激光部发光时，第2激光部成为反向偏置状态，在通过熔融金属按顺时针方向向第2激光部提供驱动电力，以使第2激光部发光时，第1激光部成为反向偏置状态。
因此，在使第1激光部或第2激光部的一方发光时，另一方激光部被赋予反向偏置，产生反方向抗压和反方向漏电流的问题。
本发明就是鉴于上述以往的课题而提出的，其目的在于，提供一种射出波长不同的多个激光光束、并且电特性良好的半导体激光装置及其制造方法。
并且，本发明的目的还在于，提供一种以良好的量产性制造半导体激光装置用的制造方法，该半导体激光装置射出波长不同的多个激光光束，并且其发光点间隔较小，电特性良好，而且机械精度高。
解决课题用的手段
权利要求1所述的发明是射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置，其特征在于，具有层叠于半导体基板上的第1激光振荡部、和以不同于所述第1激光振荡部的波长振荡的第2激光振荡部，所述半导体基板的相反侧的所述第1激光振荡部的面、与距所述第2激光振荡部的发光部较近一侧的面，通过绝缘性粘接层固定粘接起来，所述半导体激光装置具有：第1、第2欧姆电极层，其形成于所述第1、第2激光振荡部的波导上的表面上；第1、第2布线层，其形成于所述第1、第2激光振荡部之间，并且分别与所述第1、第2欧姆电极层电连接。
权利要求2所述的发明的特征在于，在权利要求1所述的半导体激光装置中，从所述第2激光振荡部侧观看时，所述第1激光振荡部或半导体基板部分突出，所述第1、第2布线层在所述突出部分的面上延伸。
权利要求3所述的发明的特征在于，在权利要求1或2所述的半导体激光装置中，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
权利要求4所述的发明的特征在于，在权利要求1～3中的任意一项所述的半导体激光装置中，在所述第1激光振荡部的所述欧姆电极层以外的区域和所述第1布线层之间，形成有由与所述粘接层不同的材质构成的绝缘层。
权利要求5所述的发明的特征在于，在权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置中，所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，所述第1振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，所述第2激光振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
权利要求6所述的发明的特征在于，在权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置中，所述第1振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，所述第2激光振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。
权利要求7所述的发明是射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：通过在半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；通过在支撑基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；去除所述支撑基板以使所述第2薄膜层露出。
权利要求8所述的发明的特征在于，在权利要求7所述的半导体激光装置的制造方法中，所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层、与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层、覆盖包括该波导的规定区域的第1绝缘性粘接层、和第2布线层，所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层、位于所述第2欧姆电极层以外的区域的第2绝缘性粘接层，所述利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第2布线层和所述第2欧姆电极层电连接，使所述第1、第2绝缘性粘接层紧密粘接，从而利用所述绝缘性粘接层进行所述第1、第2中间生成体之间的固定粘接。
权利要求9所述的发明的特征在于，在权利要求7或8所述的半导体激光装置的制造方法中，所述粘接层是SOG(spin onglass)。
权利要求10所述的发明的特征在于，在权利要求7～9的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法中，所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，所述第1薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，所述第2薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
权利要求11所述的发明的特征在于，在权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法中，所述支撑基板是蓝宝石基板或AIN基板，所述使第2薄膜层露出的步骤具有如下步骤：从所述支撑基板的背面向所述支撑基板和第2薄膜层的接合部附近照射光，对所述接合部附近进行加热分解。
权利要求12所述的发明的特征在于，在权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法中，所述光是具有小于等于360nm的波长的激光光束。
权利要求13所述的发明是射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：通过在第1半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；通过在第2半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；去除所述第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出。
权利要求14所述的发明的特征在于，在权利要求13所述的半导体激光装置的制造方法中，所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层、与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层、和第1粘接层，所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层、与所述第2欧姆电极层电连接的第2布线层、和第2粘接层，所述利用粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第1、第2粘接层紧密粘接，从而对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接。
权利要求15所述的发明的特征在于，在权利要求14所述的半导体激光装置的制造方法中，所述制作第1中间生成体的步骤具有如下步骤：在所述第1薄膜层的波导侧的面上形成与覆盖除所述第1欧姆电极层以外的部分的所述粘接层不同材质的绝缘层，在该绝缘层上形成与所述第1欧姆电极层电连接的所述第1布线层。
权利要求16所述的发明的特征在于，在权利要求15所述的半导体激光装置的制造方法中，紧接着所述去除第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出的步骤之后，还具有部分蚀刻所述第2薄膜层和所述粘接层，使所述第1、第2布线层和所述绝缘层部分露出的步骤。
权利要求17所述的发明的特征在于，在权利要求13～16的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法中，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
权利要求18所述的发明的特征在于，在权利要求13～17的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法中，所述第1半导体基板由氮化物系列III-V族化合物半导体构成，该氮化物系列III-V族化合物半导体由V族元素的氮(N)构成，所述第1薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，所述第2半导体基板由III-V族化合物半导体构成，所述第2薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。
附图说明
图1是表示第1实施方式的半导体激光装置的外部结构和纵剖面结构的图。
图2是示意性地表示图1所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图3是进一步示意性地表示图1所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图4是进一步示意性地表示图1所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图5是进一步示意性地表示图1所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图6是表示第1实施方式的半导体激光装置的变形例的结构和制造步骤的立体图。
图7是表示第2实施方式的半导体激光装置的外部结构的图。
图8是示意性地表示图7所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图9是进一步示意性地表示图7所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图10是进一步示意性地表示图7所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
图11是进一步示意性地表示图7所示的半导体激光装置的制造步骤的立体图。
具体实施方式
以下，作为实施发明的最佳方式，参照附图说明第1、第2
实施方式。
(第1实施方式)
参照图1～图5说明第1实施方式的半导体激光装置。
另外，图1(a)是表示该半导体激光装置LDA的外部结构的立体图，图1(b)是表示图1(a)所示的半导体激光装置LDA的纵剖面结构的图，图2～图5是示意性地表示该半导体激光装置LDA的制造步骤的立体图。
在图1(a)、(b)中，该半导体激光装置LDA包括：具有由III-V族化合物半导体(例如GaAs)构成的半导体基板12a的第1发光元件1a；具有绝缘性的SiO2系列的SOG(spin on glass：旋涂玻璃)3a；和第2发光元件2a。第1发光元件1a和第2发光元件2a利用SOG 3a固定粘接成一体，从而实现半导体激光装置LDA。
此处，与第2发光元件2a的形成区域相比，半导体基板12a的占有面积较大，根据这些形成区域和占有区域的大小差异，形成半导体基板12a的突出部分STGa。
第1发光元件1a形成为包括：形成有波导(在本实施方式中为脊形波导)8a的激光振荡部10a；形成于脊形波导8a中的欧姆电极层9a；绝缘覆盖除欧姆电极层9a以外的激光振荡部10a的整个表面和突出部分STGa的绝缘层11a；与欧姆电极层9a电连接，并且延伸到突出部分STGa侧的带状导电性布线层Qa1；与布线层Qa1电连接的形成于突出部分STGa上的电极焊盘Pa31；形成于半导体基板12a的背面侧的欧姆电极层Pa1。
另外，激光振荡部10a形成为包括双异质结(DH)和设于SOG 3a侧的上述脊形波导8a，该双异质结(DH)具有由III-V族化合物半导体(例如AlGaInP系列半导体)构成的应变型量子井结构的活性层和把该活性层夹在中间层叠的两个包覆层，其中，III-V族化合物半导体包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种。
并且，在向欧姆电极层Pa1和电极焊盘Pa31之间提供驱动电流时，该驱动电流通过布线层Qa1和欧姆电极层9a流入脊形波导8a，电流沿着脊形波导8a的带形状流入激光振荡部10a中的活性层，从而产生光。
进而，利用形成于脊形波导8a的长度方向的两端的劈开面(镜面)构成激光谐振器，沿着脊形波导8a产生的光被两端的劈开面(镜面)反射，在活性层中一边重复往复，一边不断地引发载波再耦合，以进行受激发射，由此从劈开面射出规定波长(例如650nm波段)的激光光束。
第2发光元件2a形成为包括：形成有波导(在本实施方式中为脊形波导)5a的激光振荡部4a；形成于脊形波导5a上的欧姆电极层6a；介于除欧姆电极层6a以外的激光振荡部4a和SOG 3a之间的绝缘层7a；与欧姆电极层6a电连接，并且延伸到突出部分STGa侧的带状导电性布线层Qa2；与布线层Qa2电连接的形成于突出部分STGa上的电极焊盘Pa32；形成于激光振荡部4a表面上的欧姆电极层Pa2。
此处，如图所示，SOG 3a以与激光振荡部10a的脊形波导8a侧的面大致相同或略小的尺寸形成于绝缘层11a上，激光振荡部4a以与SOG 3a大致相同的尺寸形成。
另外，激光振荡部4a形成为包括双异质结(DH)和设于SOG 3a侧的上述脊形波导5a，该双异质结(DH)具有由氮化物系列III-V族化合物半导体(GaN系列半导体)构成的多重量子井结构的活性层、和把该活性层夹在中间层叠的两个包覆层，其中，氮化物系列III-V族化合物半导体由V族元素的氮(N)构成。
接着，在向欧姆电极层Pa2和电极焊盘Pa32之间提供驱动电流时，该驱动电流通过布线层Qa2和欧姆电极层6a流入脊形波导5a，电流沿着脊形波导5a的带形状流入激光振荡部4a中的上述活性层，从而产生光。
进而，利用形成于脊形波导5a的长度方向两端的劈开面(镜面)构成激光谐振器，沿着脊形波导5a的带形状产生的光被两端的劈开面(镜面)反射，在活性层中一边重复往复，一边不断地引发载波再耦合，以进行受激发射，由此从劈开面射出规定波长(例如405nm波段)的激光光束。
根据这种结构，该半导体激光装置LDA可以使第1发光元件1a和第2发光元件2a分别独立发光，并且也能够同时发光。
下面，参照图2～图5说明具有这种结构的半导体激光装置LDA的制造步骤。
首先，通过图2(a)～(e)所示的步骤预先制作用于形成第1发光元件1a的中间生成体100，通过图3(a)～(c)所示的步骤预先制作用于形成第2发光元件2a的中间生成体200。
(中间生成体100的第1制造步骤)
关于中间生成体100，首先如图2(a)所示，利用MOCVD法等，在GaAs(001)基板12a上层叠包括组成和膜厚等不同的AlGaInP系列半导体的多个半导体薄膜，从而形成具有应变型量子井结构的活性层和包覆层的AlGaInP系列薄膜层10X。
更具体地讲，层叠图1(b)所示的各层10aa～10ae等以形成激光振荡部10a，但最先在GaAs基板12a上层叠厚约0.5μm的由掺杂了硅(Si)并经过n型化的n型GaAs构成的缓冲层10aa，然后层叠厚约1.2μm的由n型Al0.35Ga0.15In0.5P构成的n型包覆层10ab。
然后，层叠厚约0.05μm的由AlGaInP构成的引导层10g1。
然后，层叠厚约几十纳米的由GaInP和AlGaInP构成的具有应变型量子井结构的活性层10ac，然后层叠厚约0.05μm的由AlGaInP构成的引导层10g2，然后层叠厚约1.2μm的由掺杂了锌(Zn)并经过p型化的Al0.35Ga0.15In0.5P构成的p型包覆层10ad，然后层叠厚约0.05μm的由p型Ga0.51In0.49P构成的通电层10ae，然后层叠厚约0.2μm的由p型GaAs构成的p侧接触层(省略图示)。
(中间生成体100的第2制造步骤)
然后，如图2(b)所示，在AlGaInP系列薄膜层10X上形成沿着<110>方向的多个脊形波导8a，进一步形成欧姆电极层9a。
即，在上述的p侧接触层(省略图示)上形成与沿着<110>方向的多个脊形波导8a(参照图1)的形状一致的掩模，湿式蚀刻从该掩模露出的部分。
并且，进行蚀刻直到p型包覆层10ad成为约0.2μm的厚度为止，从而形成多个带形状的脊形波导8a，接着，去除上述掩模，然后在脊形波导8a上通过蒸镀形成厚约200nm的由铬(Cr)或金(Au)或它们的合金构成的欧姆电极层9a。
(中间生成体100的第3制造步骤)
然后，如图2(c)所示，通过湿式蚀刻略微去除GaAs(001)基板12a的上部，但保留AlGaInP系列薄膜层10X中含有脊形波导8a的规定范围的区域，从而形成多个沿着<110>方向的深约5μm的槽R。
更具体地讲，在含有脊形波导8a的规定范围的区域形成掩模，利用硫酸∶过氧化氢水∶水之比为4∶1∶1的蚀刻液，湿式蚀刻从该掩模露出的部分。
(中间生成体100的第4制造步骤)
然后，在去除上述掩模后，如图2(d)所示，在除欧姆电极层9a以外的AlGaInP系列薄膜层10X和槽R的GaAs基板12a的上表面被覆形成由ZrO2构成的绝缘层11a，然后通过蒸镀使由Au构成的宽度狭小的布线层Qa1在欧姆电极层9a和绝缘层11a上形成为与脊形波导8a的长度方向大致正交，从而使布线层Qa1和欧姆电极层9a电连接，并且延伸到槽R侧。
(中间生成体100的第5制造步骤)
然后，如图2(e)所示，在欧姆电极层9a的上表面和绝缘层11a的除槽R以外的上表面被覆形成SOG 3a。由此，在绝缘层11a上形成尺寸与图1(b)所示的各个激光振荡部10a大致相同或略小的SOG 3a。
然后，在SOG 3a和绝缘层11a上，通过蒸镀形成由Au构成的宽度狭小的布线层Qa2并使其与布线层Qa1大致平行，由此形成经过SOG 3a的表面、侧面以及绝缘层11a上并延伸到槽R侧的布线层Qa2。
以上通过第1～第4制造步骤，最终制得可以形成多个第1发光元件1a的中间生成体100。
(中间生成体200的第1制造步骤)
关于中间生成体200，首先在图3(a)所示的步骤中，使用蓝宝石(0001)基板13a作为支撑基板，利用MOCVD法等，在蓝宝石(0001)基板13a上层叠由组成和膜厚等不同的GaN系列半导体构成的多个半导体薄膜，从而形成具有上述的多重量子井结构的活性层和包覆层的GaN系列薄膜层4X。
更具体地讲，层叠形成图1(b)所示的各层4ab～4ah等以形成激光振荡部4a，但最先在蓝宝石(0001)基板13a上层叠厚约几十纳米的由GaN或AlN构成的缓冲层(省略图示)，然后层叠厚约5～15μm的由掺杂了硅(Si)并经过n型化的n型GaN构成的基底层4ab，然后层叠厚约0.8μm的由n型Al0.08Ga0.92N构成的n型包覆层4ac，然后层叠厚约0.2μm的由n型GaN构成的n型引导层4ad。
然后，层叠厚约几十纳米的具有由组成不同的InxGa1-xN(其中，0≤x)、例如由In0.08Ga0.92N和In0.01Ga0.99N构成的井层和屏蔽层的多重量子井结构的活性层4ae。
然后，层叠厚约0.02μm的由Al0.2Ga0.8N构成的电子壁垒层4af，然后层叠厚约0.2μm的由掺杂了镁(Mg)并经过p型化的p型GaN构成的p型引导层4ag。
然后，层叠厚约0.4μm的由p型Al0.08Ga0.92N构成的p型包覆层4ah，然后层叠厚约0.1μm的由p型GaN构成的p侧接触层(省略图示)。
(中间生成体200的第2制造步骤)
然后，如图3(b)所示，在GaN系列薄膜层4X上形成沿着<1-100>方向的多个脊形波导5a，进而在脊形波导5a上形成欧姆电极层6a。
即，在上述的p侧接触层(省略图示)上形成与沿着<1-100>方向的多个脊形波导5a(参照图1)的形状一致的掩模，通过反应性离子蚀刻(RIE)，蚀刻从该掩模露出的部分。接着，进行蚀刻直到p型引导层4ag成为约0.05μm的厚度为止，从而形成多个带形状的脊形波导5a。
接着，去除上述掩模，然后在脊形波导5a的顶部通过蒸镀形成厚约200nm的由Pd或Au或它们的合金构成的欧姆电极层6a，进而在除欧姆电极层6a以外的区域层叠绝缘层7a。
(中间生成体200的第3制造步骤)
接下来，如图3(c)所示，在绝缘层7a的上表面形成SOG3a，由此最终制得欧姆电极层6a露出，而且可以形成多个第2发光元件2a的中间生成体200。
(半导体激光装置LDA的第1制造步骤)
然后，通过图4和图5所示的步骤，由预先制得的中间生成体100、200制造该半导体激光装置LDA。
首先，如图4(a)所示，使图2(e)和图3(c)所示的最终制得的中间生成体100的脊形波导8a和中间生成体200的脊形波导5a相面对，并且使AlGaInP系列薄膜层10X的劈开面(110)和GaN系列薄膜层4X的劈开面(1-100)一致，从而使中间生成体100的SOG 3a和中间生成体200的SOG 3a紧密接触。
另外，在使上述的SOG 3a紧密接触的状态下，在约550℃下加热，从而将中间生成体100的SOG 3a和中间生成体200的SOG 3a固定粘接成一体，进一步使布线层Qa2和激光振荡部4a侧的欧姆电极层6a电连接，并且把欧姆电极层6a侧的布线层Qa2部分嵌设在SOG 3a中。
(半导体激光装置LDA的第2制造步骤)
然后，如图4(b)所示，利用规定的聚光透镜，把具有小于等于360nm的波长的激光光束、最好是YAG激光的4倍波(波长266nm)聚焦为高能量的光，如为了便于说明而利用多个箭头示出的那样，从蓝宝石基板13a的背面侧照射。
在从蓝宝石基板13a的背面侧照射高能量的光时，波长226nm的光在蓝宝石基板13a中几乎不被吸收而透过，只以微小的渗透深度被GaN吸收。另外，由于在蓝宝石基板13a和GaN之间存在较大的晶格不匹配，所以在它们的接合部附近的GaN上存在极其多的结晶缺陷。因此，被吸收的光几乎被转换为热量，接合部附近被加热成高温，GaN分解成金属镓和氮气。
并且，由于存在槽R，所以面对槽R的GaN系列薄膜层4X的一部分脱落等，形成以槽R为边界划分的多个激光振荡部4a。
此处，所划分的激光振荡部4a(即残留的GaN系列薄膜层4X)和蓝宝石基板13a处于借助金属镓而形成的微弱的接合状态。因此，通过在比镓的熔点温度高的约40℃温度下进行整体加热，将蓝宝石基板13a从激光振荡部4a剥离。
(半导体激光装置LDA的第3制造步骤)
这样剥离蓝宝石基板13a时，如图4(c)所示，以槽R为边界划分的各个激光振荡部4a，通过SOG 3a粘贴在AlGaInP系列薄膜层10X上，形成于槽R上的AlGaInP系列薄膜层10X侧的绝缘层11a和布线层Qa1、Qa2露出。
并且，通过在纯净水中进行超声波清洗，去除上述脱落等的部分，然后在稀盐酸中浸泡约3分钟，从而去除残留于激光振荡部4a的露出面(表面)的金属镓。
(半导体激光装置LDA的第4制造步骤)
然后，如图5(a)所示，通过蒸镀等，在各个激光振荡部4a的露出面(n型GaN的面)上形成由钛(Ti)或Au或它们的合金构成的欧姆电极Pa2，在n型GaAs基板12a的底面上形成由AuGe合金(金和锗的合金)构成的欧姆电极Pa1，并且在延伸到槽R侧的布线层Qa1、Qa2上，通过蒸镀等分别形成独立电连接的金属的电极焊盘Pa31、Pa32。
(半导体激光装置LDA的第5制造步骤)
然后，如图5(b)所示，沿着GaN系列薄膜层4X的劈开面即(1-100)面劈开，从而构成激光谐振器。
另外，在槽R的部分处沿与激光谐振器面垂直的方向进行二次劈开，由此完成具有图1(a)所示的第1、第2发光元件1a、2a、且槽R的部分作为突出部分STGa露出的半导体激光装置LDA。
这样，根据该半导体激光装置LDA，可以形成利用较薄(厚度较小)的SOG 3a固定粘接激光振荡部4a、10a的结构，所以能够减小激光振荡部4a、10a的发光点间隔。换言之，由于形成为利用较薄的SOG 3a固定粘接激光振荡部4a、10a的结构，所以能够缩小激光振荡部4a的活性层和激光振荡部10a的活性层的间隔，能够减小位于激光振荡部4a的活性层的发光点和位于激光振荡部10a的活性层的发光点的发光点间隔。
另外，如图1(a)、(b)所示，n型GaAs基板12a的一部分因上述槽R比激光振荡部4a、10a更向外侧突出，在该突出的部分的上表面隔着绝缘层11a露出地形成有布线层Qa1、Qa2，所以能够容易形成用于提供驱动电流的布线。
并且，激光振荡部4a和10a由于p型半导体侧的欧姆电极层6a、9a只形成于脊形波导5a、8a上，所以寄生电容较小，能够提高这些激光振荡部4a、10a的响应特性、即驱动电流的高频响应特性。
并且，如上所述，布线层Qa1通过SOG 3a和绝缘层11a之间与欧姆电极层6a电连接，布线层Qa2通过SOG 3a中与欧姆电极层9a电连接，所以在向欧姆电极Pa1和电极焊盘Pa31之间提供驱动电流时，可以使第1发光元件1a发光，在向欧姆电极Pa2和电极焊盘Pa32之间提供驱动电流时，可以使第2发光元件2a发光，另外也能够使第1、第2发光元件1a、2a同时发光。
并且，在使第1、第2发光元件1a、2a的一方发光的情况下，也不会产生另一方成为反向偏置状态等问题。
并且，在把该半导体激光装置LDA安装在对CD和DVD及其他存储介质进行信息记录或信息再现的光拾波器上时，由于发光点间隔较小，所以能够把第1、第2发光元件1a、2a的各个发光点都定位于光拾波器的光学系统的光轴附近，可以大幅改善像差等的产生。
另外，根据本实施方式的制造方法，在利用SOG 3a固定粘接可以形成多个第1、第2发光元件1a、2a的中间生成体100、200后，通过劈开和雕合(scribing)等划分为各个半导体激光装置LDA，所以能够在固定粘接中间生成体100、200时一并进行发光元件1a、2a的发光点间隔的最佳化控制，并且能够实现高精度定位。因此，能够实现制造步骤的简化等。
这样，根据本实施方式，能够提供射出波长不同的多个激光光束、并且电特性良好，而且机械精度较高的半导体激光装置LDA，而且能够提供以良好的量产性制造这种半导体激光装置LDA用的制造方法。
另外，说明了利用包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体形成第1发光元件1a的主体部分即激光振荡部10a的情况，但也可以利用II-VI族化合物半导体代替这种III-V族化合物半导体来形成激光振荡部10a。
另外，作为绝缘层7a、11a，也可以利用SiO2、ZrO2、AlN等绝缘材料适当形成。
另外，作为形成GaN系列半导体的基板，也可以使用AlN、AlGaN。
另外，在本实施方式中，使用于流入驱动电流的波导5a、8a形成为脊形波导，但不限于此，也可以是其他结构。另外，也可以省略上述的绝缘层7a。
(变形例)
下面，参照图6说明第1实施方式的变形例。另外，在图6中，利用相同符号表示与图1～图5所示的半导体激光装置LDA相同或相当的部分。
图6(a)是表示本变形例的半导体激光装置LDA的外部结构的立体图，与图1(a)相对应地示出。
图6(b)、(c)是示意性地表示本变形例的半导体激光装置LDA的制造步骤的立体图，图6(b)与图2(e)相对应地示出、图6(c)与图4(c)相对应地示出。
根据图6(a)说明本变形例的半导体激光装置LDA和图1(a)所示的半导体激光装置LDA的结构上的不同之处，首先，在图1(a)的半导体激光装置LDA中，布线层Qa1、Qa2和电极焊盘Pa31、Pa32形成于突出部分STGa的绝缘层11a上，并且位于同一平面上。
对此，在本变形例的半导体激光装置LDA中，一个布线层Qa1和电极焊盘Pa31隔着绝缘层11a形成于第1发光元件1a的半导体基板12a上，另一个布线层Qa2和电极焊盘Pa32形成于在半导体基板12a和绝缘层11a上所形成的台状SOG 3a的表面上。
本变形例的半导体激光装置LDA按照以下叙述的制造步骤制成。
首先，通过参照图2(a)～(e)说明的制造步骤，制作中间生成体100，通过参照图3(a)～(c)说明的制造步骤，制作中间生成体200。
但是，在图1(a)所示的半导体激光装置LDA中，在图2(e)所示的制造步骤(中间生成体100的第5制造步骤)中，只在AlGaInP系列薄膜层10X的除槽R以外的上表面形成SOG 3a，并形成布线层Qa2，由此制得最终的中间生成体100，但在本变形例的半导体激光装置LDA中，如图6(b)所示，在包括槽R在内的整个面上形成SOG 3a，进一步在形成于整个面的SOG 3a的表面上形成布线层Qa2，由此制得最终的中间生成体100。
并且，与图4(a)、(b)所示的制造步骤同样地，通过SOG 3a固定粘接图6(b)的中间生成体100和图3(c)的中间生成体200，利用规定的聚光透镜，把YAG激光的4倍波(波长266nm)聚焦为高能量的光，并从蓝宝石基板13a的背面侧照射，从而使与中间生成体200中的蓝宝石基板13a的界面附近的GaN分解成金属镓和氮气，然后剥离蓝宝石基板13a。
结果，在图1(a)所示的半导体激光装置LDA中，剥离蓝宝石基板13a后的中间生成体形成为图4(c)所示的结构，而在本变形例的半导体激光装置LDA中，剥离蓝宝石基板13a后的中间生成体如图6(c)所示，形成为槽R中的SOG 3a和布线层Qa2露出的结构。
接着，对该槽R内的SOG 3a中的除形成有布线层Qa2的规定区域以外的部分进行蚀刻，从而使布线层Qa1露出。
并且，通过与图5(a)、(b)所示的制造步骤相同的步骤，进行规定劈开等，由此完成图6(a)所示的本变形例的半导体激光装置LDA。
在具有这种结构的本变形例的半导体激光装置LDA中，可以获得与上述图1(a)的半导体激光装置LDA相同的效果。
(第2实施方式)
下面，参照图7～图11说明第2实施方式的半导体激光装置LDB。
另外，图7是表示该半导体激光装置LDB的外部结构的立体图，图8～图11是示意性地表示该半导体激光装置LDB的制造步骤的立体图。
在图7中，该半导体激光装置LDB具有射出规定波长(例如405nm波段)的激光光束的第1发光元件1b、和射出波长比其长(例如650nm波段)的激光光束的第2发光元件2b，第1发光元件1b和第2发光元件2b通过SiO2系列的SOG(spin on glass)3b固定粘接成一体，由此实现半导体激光装置LDB。
此处，与第2发光元件2b的形成区域相比，半导体基板SUB1的专有区域较大，根据这些形成区域和占有区域的大小差异，形成半导体基板SUB1的突出部分STGb。
第1发光元件1b构成为包括：利用V族元素的氮(N)所构成的氮化物系列III-V族化合物半导体(GaN系列半导体)形成的半导体基板SUB1；形成有波导(在本实施方式中为带形状的脊形波导)5b和欧姆电极层6b，并射出上述规定波长的激光光束的第1激光振荡部4b；介于除欧姆电极层6b以外的激光振荡部4b和SOG 3b之间的绝缘层7b；与欧姆电极层6b电连接，并且延伸到突出部分STGb侧的带状导电性布线层Qb1；形成于半导体基板SUB1的底面的欧姆电极Pb1。
此处，激光振荡部4b形成为包括双异质结(DH)和设于SOG3b侧的上述脊形波导5b，该双异质结(DH)具有由氮化物系列III-V族化合物半导体(GaN系列半导体)构成的多重量子井结构的活性层、和把该活性层夹在中间层叠的两个包覆层，其中，氮化物系列III-V族化合物半导体由V族元素的氮(N)构成。
在向露出的布线层Qb1和欧姆电极Pb1之间提供驱动电流时，该驱动电流通过欧姆电极层6b流入脊形波导5b，电流沿着脊形波导5b的带形状流入激光振荡部4b中的上述活性层，从而产生光。
进而，利用形成于脊形波导5b的长度方向两端的劈开面(镜面)构成激光谐振器，沿着脊形波导5b的带形状产生的光被两端的劈开面(镜面)反射，在活性层中一边重复往复，一边不断地引发载波再耦合，以进行受激发射，由此从劈开面射出规定波长(例如405nm波段)的激光光束。
第2发光元件2b构成为包括：具有波导(在本实施方式中为带形状的脊形波导)8b和欧姆电极层9b的激光振荡部10b；介于除欧姆电极层9b以外的激光振荡部10b和SOG 3b之间的绝缘层11b；与欧姆电极层9b电连接，并且延伸到突出部分STGb侧的带状导电性布线层Qb2；形成于激光振荡部10b表面的欧姆电极Pb2。
此处，激光振荡部10b形成为包括双异质结(DH)和上述的脊形波导8b，该双异质结(DH)具有由III-V族化合物半导体(例如AlGaInP系列半导体)构成的应变型量子井结构的活性层、和把该活性层夹在中间层叠的两个包覆层，该III-V族化合物半导体包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种。
另外，具体情况将在后面叙述，但在突出部分STGb侧的绝缘层7b上设有通过加工SOG 3b而形成的台部，导电性布线层Qb2延伸到该台部上，并且成为从外部提供驱动电流的电极。
接着，在向露出的布线层Qb2和欧姆电极层Pb2之间提供驱动电流时，该驱动电流通过欧姆电极层9b流入脊形波导8b，电流沿着脊形波导8b的带形状流入激光振荡部10b中的上述活性层，从而产生光。
进而，利用形成于脊形波导8b的长度方向的两端的劈开面(镜面)构成激光谐振器，沿着脊形波导8b的带形状产生的光被两端的劈开面(镜面)反射，在活性层中一边重复往返，一边不断地引发载波再耦合，以进行受激发射，由此从劈开面射出规定波长(例如650nm波段)的激光光束。
根据这种结构，该半导体激光装置LDA可以使第1发光元件1b和第2发光元件2b分别独立发光，并且也能够同时发光。
下面，参照图8～图11的立体图，说明具有这种结构的半导体激光装置LDB的制造步骤。
首先，通过图8(a)～(e)所示的步骤，预先制作用于形成第1发光元件1b的中间生成体300，通过图9(a)～(e)所示的步骤，预先制作用于形成第2发光元件2b的中间生成体400。
(中间生成体300的第1制造步骤)
关于中间生成体300，首先在图8(a)所示的步骤中，利用MOCVD法等，在GaN系列半导体、更具体讲是n型GaN(0001)半导体基板SUB1上，层叠由组成和膜厚等不同的GaN系列半导体构成的多个半导体薄膜，从而形成与图1(b)所示的各层4ab～4ah等相同的GaN系列薄膜层4X、即具有多重量子井结构的活性层和包覆层的GaN系列薄膜层4X。
即，在半导体基板SUB1上层叠厚约5～15μm的由掺杂了Si并经过n型化的n型GaN构成的基底层，然后层叠厚约0.8μm的由n型Al0.09Ga0.92N构成的n型包覆层，然后层叠厚约0.2μm的由n型GaN构成的n型引导层，然后层叠厚约几十纳米的由多重量子井结构构成的活性层，该多重量子井结构的井层和屏蔽层由In0.08Ga0.92N和In0.01Ga0.99N构成，然后层叠厚约0.02μm的由Al0.2Ga0.8N构成的电子壁垒层，然后层叠厚约0.2μm的由掺杂了Mg并经过p型化的p型GaN构成的p型引导层，然后层叠厚约0.4μm的由p型Al0.08Ga0.92N构成的p型包覆层，然后层叠厚约0.1μm的由p型GaN构成的p侧接触层，由此形成GaN系列薄膜层4X。
(中间生成体300的第2制造步骤)
然后，如图8(b)所示，在GaN系列薄膜层4X上形成多个脊形波导5b，进一步在脊形波导5b上形成欧姆电极层6b。
即，在上述的p侧接触层上沿着<1-100>方向形成与多个脊形波导5b的形状一致的掩模，通过反应性离子蚀刻(RIE)，蚀刻从该掩模露出的部分。
此处，进行蚀刻直到上述p型引导层成为约0.05μm的厚度为止，从而形成多个带形状的脊形波导5b。
接着，在去除上述掩模后，在脊形波导5b上通过蒸镀形成厚约200nm的由Pd或Au或它们的合金构成的欧姆电极层6b。
(中间生成体300的第3制造步骤)
然后，如图8(c)所示，在GaN系列薄膜层4X的除欧姆电极层6b以外的表面上形成由ZrO2构成的绝缘层7b。
(中间生成体300的第4制造步骤)
然后，如图8(d)所示，通过蒸镀，使由Au构成的规定宽度的布线层Qb1在欧姆电极层6b和绝缘层7b上形成为与脊形波导5b的长度方向大致正交。此时，布线层Qb1和欧姆电极层6b电连接。
(中间生成体300的第5制造步骤)
然后，如图8(e)所示，在GaN系列薄膜层4X上的整个表面形成SiO2系列的SOG 3b，由此最终制得中间生成体300。
(中间生成体400的第1制造步骤)
然后，关于中间生成体400，首先如图9(a)所示，在III-V族化合物半导体、更具体讲为n型GaAs(001)半导体基板SUB2的上表面，利用MOCVD法形成由InGaP构成的蚀刻阻止层STP，然后在蚀刻阻止层STP上层叠与图1(b)所示的各层10aa～10ae等相同的AlGaInP系列薄膜层10X，即具有应变型量子井结构的活性层和包覆层的AlGaInP系列薄膜层10X。
即，在半导体基板SUB2的上表面形成蚀刻阻止层STP后，在蚀刻阻止层STP上层叠厚约0.5μm的由掺杂了Si并经过n型化的n型GaAs构成的缓冲层，然后层叠厚约1.2μm的由n型Al0.35Ga0.15In0.5P构成的n型包覆层，然后层叠厚约0.05μm的由AlGaInP构成的n型引导层。
然后，层叠厚约几十纳米的由GaInP和AlGaInP构成的应变型量子井结构的活性层，然后层叠厚约0.05μm的由AlGaInP构成的p型引导层，然后层叠厚约1.2μm的由掺杂了Zn并经过p型化的Al0.35Ga0.15In0.5P构成的p型包覆层，然后层叠厚约0.05μm的由p型Ga0.51In0.49P构成的通电层，然后层叠厚约0.2μm的由p型GaAs构成的p侧接触层，由此形成AlGaInP系列薄膜层10X。
(中间生成体400的第2制造步骤)
然后，如图9(b)所示，在AlGaInP系列薄膜层10X上，以与图8(b)所示的脊形波导5b相同的间隔，形成用于形成沿着<110>方向的多个脊形波导8b的掩模，利用硫酸∶过氧化氢水∶水之比为4∶1∶1的蚀刻液等，湿式蚀刻从该掩模露出的部分。
此处，进行蚀刻直到p型包覆层成为约0.2μm的厚度为止，从而形成多个带形状的脊形波导8b。
然后去除上述掩模，在脊形波导8b上形成由Cr或Au或它们的合金构成的欧姆电极层9b。
(中间生成体400的第3制造步骤)
然后，在AlGaInP系列薄膜层10X的除欧姆电极层9b以外的表面上形成SiO2的绝缘层11b。
(中间生成体400的第4制造步骤)
然后，如图9(d)所示，通过蒸镀，使由Au构成的规定宽度的布线层Qb2在欧姆电极层9b和绝缘层11b上形成为与脊形波导8b的长度方向大致正交。此时，布线层Qb2和欧姆电极层9b电连接。
(中间生成体400的第5制造步骤)
然后，如图9(e)所示，在AlGaInP系列薄膜层10X上的整个表面形成SiO2系列的SOG 3b，由此最终制得中间生成体400。
(半导体激光装置LDB的第1制造步骤)
然后，通过图10和图11所示的步骤，由预先制得的中间生成体300、400制造该半导体激光装置LDB。
首先，如图10(a)所示，使图8(e)和图9(e)所示的最终制得的中间生成体300、400的脊形波导5b、8b相面对，并且使GaN系列薄膜层4X的劈开面(1-100)和AlGaInP系列薄膜层10X的劈开面(110)一致，从而使中间生成体300的SOG 3a和中间生成体400的SOG 3a紧密接触。
另外，在使上述的SOG 3a紧密接触的状态下，在约550℃下加热，从而将中间生成体300的SOG 3a和中间生成体400的SOG 3a固定粘接成一体，并且把形成于中间生成体400上的布线层Qb2嵌设在SOG 3a中。
(半导体激光装置LDB的第2制造步骤)
然后，如图10(b)所示，利用硫酸∶过氧化氢水∶水之比为4∶1∶1的蚀刻液，湿式蚀刻n型GaAs半导体基板SUB2，从而将其去除，然后利用盐酸∶水之比为1∶1的蚀刻液，蚀刻通过该湿式蚀刻而露出的蚀刻阻止层STP，从而将其去除，使AlGaInP系列薄膜层10X露出。
即，使在上述的中间生成体400的第1制造步骤中说明的由n型GaAs构成的缓冲层露出。
(半导体激光装置LDB的第3制造步骤)
然后，如图10(c)所示，在应该形成激光振荡部10b的区域形成掩模，湿式蚀刻AlGaInP系列薄膜层10X中的从该掩模露出的部分。
由此，形成图示的多个激光振荡部10b，并且使各个激光振荡部10b之间的绝缘层11b露出。
(半导体激光装置LDB的第4制造步骤)
然后，如图11(a)所示，使用CF4气体，对上述露出的绝缘层11b和SOG 3b实施干式蚀刻，从而使布线层Qb1和Qb2露出，并形成台状的SOG 3b。
即，在利用CF4气体进行干式蚀刻时，SiO2的绝缘层11b被蚀刻，Au的布线层Qb1和Qb2未被蚀刻，另外SiO2系列的SOG 3b中的位于布线层Qb2下侧的部分除外的部分被蚀刻。结果，如图11(a)所示，台状的SOG 3b残留，该台状的SOG 3b上的布线层Qb2和利用ZrO2形成的绝缘层7b上的布线层Qb1残留。
这样，只利用CF4气体进行干式蚀刻，即可使需要布线的布线层Qb1、Qb2露出，由于该露出，可以去除不需要的部分，所以能够简化制造步骤。
(半导体激光装置LDB的第5制造步骤)
然后，如图11(b)所示，在激光振荡部10b的露出面(表面)，在由AuGe合金构成的欧姆电极Pb2、n型GaN的半导体基板SUB1的底面，通过蒸镀等形成由Ti或Au或它们的合金构成的欧姆电极Pb1，然后沿着GaN系列薄膜层4X的劈开面即(1-100)面劈开，从而构成激光谐振器。
进而，在布线层Qb1、Qb2露出的部分处沿与激光振荡器面垂直的方向进行二次劈开，由此完成具有图7所示的第1、第2发光元件1b、2b的半导体激光装置LDB。
这样，根据该半导体激光装置LDB，可以形成利用较薄(厚度较小)的SOG 3b固定粘接激光振荡部4b、10b的结构，所以能够减小激光振荡部4b、10b的发光点间隔。换言之，由于形成为利用较薄的SOG 3b固定粘接激光振荡部4b、10b的结构，所以能够缩小激光振荡部4b的活性层和激光振荡部10b的活性层的间隔，能够减小位于激光振荡部4b的活性层上的发光点和位于激光振荡部10b的活性层上的发光点的发光点间隔。
并且，激光振荡部4b和10b由于p型半导体侧的欧姆电极层6a、9a只形成于脊形波导5a、8a上，所以寄生电容较小，能够提高这些激光振荡部4a、10a的响应特性、即驱动电流的高频响应特性。
并且，激光振荡部4b、10b通过SOG 3b被电分离开，所以能够分别独立发光，而且也可以同时发光。并且在使第1、第2发光元件1b、2b的一方发光的情况下，也不会产生另一方成为反向偏置状态等问题。
并且，在把该半导体激光装置LDB安装在对CD和DVD及其他存储介质进行信息记录或信息再现的光拾波器上时，由于发光点间隔较小，所以能够把第1、第2发光元件1b、2b的各自发光点都定位于光拾波器的光学系统的光轴附近，可以大幅改善像差等的产生。
并且，根据本实施方式的制造方法，在利用SOG 3b固定粘接可以形成多个第1、第2发光元件1b、2b的中间生成体300、400后，通过劈开和雕合等划分为各个半导体激光装置LDB，所以能够在固定粘接中间生成体300、400时一并进行发光元件1b、2b的发光点间隔的最佳化控制，并且能够实现高精度定位，能够进一步实现制造步骤的简化等。
另外，本实施方式的制造方法在参照图10(b)、(c)说明的步骤(半导体激光装置LDB的第2、第3制造步骤)中，通过加工n型GaAs的半导体基板SUB2和AlGaInP系列薄膜10X，使绝缘膜11b露出。因此，第1发光元件1b侧的半导体基板SUB1可以使用GaN半导体基板，所以能够制造结晶性良好的GaN系列薄膜层4X。
这样，根据本实施方式，能够提供射出波长不同的多个激光光束、并且电特性良好，而且机械精度较高的半导体激光装置LDB，而且能够提供以良好的量产性制造这种半导体激光装置LDB的制造方法。
另外，说明了利用由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体形成第1发光元件1b的主体部分即激光振荡部4b的情况，但也可以利用II-VI族化合物半导体代替这种III-V族化合物半导体来形成激光振荡部4b。
另外，绝缘层11b只要是能够被上述的CF4气体干式蚀刻的材料，也可以是其他材料，另外，绝缘层7b只要是能够不被上述的CF4气体干式蚀刻的材料，也可以是其他材料。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置，其特征在于，
具有层叠于半导体基板上的第1激光振荡部、和以不同于所述第1激光振荡部的波长振荡的第2激光振荡部，
所述第1激光振荡部的与所述半导体基板相反侧的不包括形成波导之表面的面、与所述第2激光振荡部的距发光部较近一侧的不包括形成波导之表面的面，通过绝缘性粘接层固定粘接起来，
所述半导体激光装置具有：
第1、第2欧姆电极层，其形成于所述第1、第2激光振荡部的波导上的表面上；
第1、第2布线层，其形成于所述第1、第2激光振荡部之间，并且分别与所述第1、第2欧姆电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，从所述第2激光振荡部侧观看时，所述第1激光振荡部或半导体基板部分突出，所述第1、第2布线层在所述突出部分的面上延伸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，在所述第1激光振荡部的所述欧姆电极层以外的区域和所述第1布线层之间，形成有由与所述粘接层不同的材质构成的绝缘层。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第1振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，
所述第2激光振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第1振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，
所述第2激光振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。
7.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：
通过在半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；
通过在支撑基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；
使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；
去除所述支撑基板以使所述第2薄膜层露出。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层；与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层；覆盖包括该波导的规定区域的第1绝缘性粘接层；和第2布线层，
所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层；位于所述第2欧姆电极层以外的区域的第2绝缘性粘接层，
所述利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第2布线层和所述第2欧姆电极层电连接，使所述第1、第2绝缘性粘接层紧密粘接，从而利用所述绝缘性粘接层进行所述第1、第2中间生成体之间的固定粘接。
9.根据权利要求7或8所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第1薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，
所述第2薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
11.根据权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述支撑基板是蓝宝石基板或AIN基板，
所述使第2薄膜层露出的步骤具有如下步骤：从所述支撑基板的背面向所述支撑基板和第2薄膜层的接合部附近照射光，对所述接合部附近进行加热分解。
12.根据权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述光是具有小于等于360nm的波长的激光光束。
13.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：
通过在第1半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；
通过在第2半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；
使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；
去除所述第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出。
14.根据权利要求13所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层；与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层；和第1粘接层，
所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层；与所述第2欧姆电极层电连接的第2布线层；和第2粘接层，
所述利用粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第1、第2粘接层紧密粘接，从而对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接。
15.根据权利要求14所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述制作第1中间生成体的步骤具有如下步骤：在所述第1薄膜层的波导侧的面上形成与覆盖除所述第1欧姆电极层以外的部分的所述粘接层不同材质的绝缘层，在该绝缘层上形成与所述第1欧姆电极层电连接的所述第1布线层。
16.根据权利要求15所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，紧接着所述去除第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出的步骤之后，还具有部分蚀刻所述第2薄膜层和所述粘接层，使所述第1、第2布线层和所述绝缘层部分露出的步骤。
17.根据权利要求13～16中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
18.根据权利要求13～17中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述第1半导体基板由氮化物系列III-V族化合物半导体构成，该氮化物系列III-V族化合物半导体由V族元素的氮(N)构成，
所述第1薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，
所述第2半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第2薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。

Claims (18)

1.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置，其特征在于，
具有层叠于半导体基板上的第1激光振荡部、和以不同于所述第1激光振荡部的波长振荡的第2激光振荡部，
所述第1激光振荡部的与所述半导体基板相反侧的面、与距所述第2激光振荡部的发光部较近一侧的面，通过绝缘性粘接层固定粘接起来，
所述半导体激光装置具有：
第1、第2欧姆电极层，其形成于所述第1、第2激光振荡部的波导上的表面上；
第1、第2布线层，其形成于所述第1、第2激光振荡部之间，并且分别与所述第1、第2欧姆电极层电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于，从所述第2激光振荡部侧观看时，所述第1激光振荡部或半导体基板部分突出，所述第1、第2布线层在所述突出部分的面上延伸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光装置，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，在所述第1激光振荡部的所述欧姆电极层以外的区域和所述第1布线层之间，形成有由与所述粘接层不同的材质构成的绝缘层。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第1振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，
所述第2激光振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
6.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体激光装置，其特征在于，所述第1振荡部具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，
所述第2激光振荡部具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。
7.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：
通过在半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；
通过在支撑基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；
使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；
去除所述支撑基板以使所述第2薄膜层露出。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层；与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层；覆盖包括该波导的规定区域的第1绝缘性粘接层；和第2布线层，
所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层；位于所述第2欧姆电极层以外的区域的第2绝缘性粘接层，
所述利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第2布线层和所述第2欧姆电极层电连接，使所述第1、第2绝缘性粘接层紧密粘接，从而利用所述绝缘性粘接层进行所述第1、第2中间生成体之间的固定粘接。
9.根据权利要求7或8所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第1薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体，
所述第2薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体。
11.根据权利要求10所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述支撑基板是蓝宝石基板或AIN基板，
所述使第2薄膜层露出的步骤具有如下步骤：从所述支撑基板的背面向所述支撑基板和第2薄膜层的接合部附近照射光，对所述接合部附近进行加热分解。
12.根据权利要求11所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述光是具有小于等于360nm的波长的激光光束。
13.一种射出波长不同的多个激光光束的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，包括如下的步骤：
通过在第1半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第1薄膜层，来制作第1中间生成体；
通过在第2半导体基板上形成至少包括活性层和波导的第2薄膜层，来制作第2中间生成体；
使所述第1、第2中间生成体的所述波导侧相对置，利用绝缘性的粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接；
去除所述第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出。
14.根据权利要求13所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述制作第1中间生成体的步骤具有在所述第1薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第1欧姆电极层；与所述第1欧姆电极层电连接的第1布线层；和第1粘接层，
所述制作第2中间生成体的步骤具有在所述第2薄膜层的波导侧的面上重叠形成以下层的步骤：沿着该波导的第2欧姆电极层；与所述第2欧姆电极层电连接的第2布线层；和第2粘接层，
所述利用粘接层对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接的步骤具有如下步骤：使所述第1、第2粘接层紧密粘接，从而对所述第1、第2中间生成体之间进行固定粘接。
15.根据权利要求14所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述制作第1中间生成体的步骤具有如下步骤：在所述第1薄膜层的波导侧的面上形成与覆盖除所述第1欧姆电极层以外的部分的所述粘接层不同材质的绝缘层，在该绝缘层上形成与所述第1欧姆电极层电连接的所述第1布线层。
16.根据权利要求15所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，紧接着所述去除第2半导体基板以使所述第2薄膜层露出的步骤之后，还具有部分蚀刻所述第2薄膜层和所述粘接层，使所述第1、第2布线层和所述绝缘层部分露出的步骤。
17.根据权利要求13～16中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，所述粘接层是SOG(spin on glass)。
18.根据权利要求13～17中的任意一项所述的半导体激光装置的制造方法，其特征在于，
所述第1半导体基板由氮化物系列III-V族化合物半导体构成，该氮化物系列III-V族化合物半导体由V族元素的氮(N)构成，
所述第1薄膜层具有由V族元素的氮(N)构成的氮化物系列III-V族化合物半导体，
所述第2半导体基板由III-V族化合物半导体构成，
所述第2薄膜层具有包括作为V族元素的砷(As)、磷(P)、锑(Sb)中的任意一种的III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103650266A (zh) * 2011-05-10 2014-03-19 奥斯坦多科技公司 包含电和光学互连的半导体晶片接合

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006351566A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Sharp Corp 窒化物系半導体レーザ素子
KR101314618B1 (ko) * 2007-04-09 2013-10-07 엘지전자 주식회사 반도체 웨이퍼 및 그 절단방법
JP4901909B2 (ja) * 2009-05-19 2012-03-21 シャープ株式会社 光学部品及びその製造方法
US8344425B2 (en) * 2009-12-30 2013-01-01 Intel Corporation Multi-gate III-V quantum well structures
US10867834B2 (en) * 2015-12-31 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor structure and manufacturing method thereof
TWI701882B (zh) * 2018-11-08 2020-08-11 晶智達光電股份有限公司 雷射元件
DE102022106937A1 (de) 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh Gestapelte laseranordnung und verfahren zum erzeugen derselben

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54107689A (en) * 1978-02-10 1979-08-23 Nec Corp Semiconductor laser element
KR910004265B1 (ko) * 1987-03-26 1991-06-25 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드
US5355382A (en) * 1993-11-22 1994-10-11 Xerox Corporation Composite laser array support
US5402436A (en) * 1993-12-29 1995-03-28 Xerox Corporation Nonmonolithic array structure of multiple beam diode lasers
JPH09283838A (ja) 1996-04-10 1997-10-31 Toshiba Electron Eng Corp 半導体レーザ装置およびその製造方法
JP3962443B2 (ja) 1997-03-05 2007-08-22 富士通株式会社 半導体装置とその製造方法
JP3685306B2 (ja) * 1999-03-03 2005-08-17 パイオニア株式会社 ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001119104A (ja) * 1999-10-21 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の製造方法
JP3486900B2 (ja) 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001332805A (ja) * 2000-05-24 2001-11-30 Samsung Electro Mech Co Ltd ２波長レーザーダイオード及びその製造方法
TW474034B (en) * 2000-11-07 2002-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
JP2002299739A (ja) * 2001-04-02 2002-10-11 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2003152280A (ja) 2001-11-14 2003-05-23 Sony Corp 半導体レーザ素子
US7393469B2 (en) * 2003-07-31 2008-07-01 Ramazan Benrashid High performance sol-gel spin-on glass materials

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103650266A (zh) * 2011-05-10 2014-03-19 奥斯坦多科技公司 包含电和光学互连的半导体晶片接合
CN103650266B (zh) * 2011-05-10 2017-05-31 奥斯坦多科技公司 包含电和光学互连的半导体晶片接合

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