JP2002299739A - 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002299739A JP2002299739A JP2001103068A JP2001103068A JP2002299739A JP 2002299739 A JP2002299739 A JP 2002299739A JP 2001103068 A JP2001103068 A JP 2001103068A JP 2001103068 A JP2001103068 A JP 2001103068A JP 2002299739 A JP2002299739 A JP 2002299739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- multilayer body
- nitride semiconductor
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 40
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 40
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0207—Substrates having a special shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0215—Bonding to the substrate
- H01S5/0216—Bonding to the substrate using an intermediate compound, e.g. a glue or solder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/0218—Substrates comprising semiconducting materials from different groups of the periodic system than the active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高度な組立精度が要求される工程を有するこ
となく、優れた発光特性を具備するIII族窒化物半導体
レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ族窒化物多層体と、容易に劈開で
きる材料からなる基板とを貼り合わせた半導体レーザ素
子において、基板が切削部を有し、多層体のレーザ光の
出射端部が基板の切削部周辺に位置していることを特徴
とする
となく、優れた発光特性を具備するIII族窒化物半導体
レーザ素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 ＩＩＩ族窒化物多層体と、容易に劈開で
きる材料からなる基板とを貼り合わせた半導体レーザ素
子において、基板が切削部を有し、多層体のレーザ光の
出射端部が基板の切削部周辺に位置していることを特徴
とする
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、III族窒化物半導
体素子に関する。
体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ素子を発光動作させるためには、
光学共振器を形成する一対の反射鏡が必要である。Ｇａ
Ａｓなどの半導体結晶材料を用いた半導体レーザ素子
（ファブリペロ型）においては、ＧａＡｓ結晶からなる
基板とともにレーザ構造を含む多層体を同時に劈開させ
て、その劈開面をレーザ素子の反射鏡の反射面に利用し
ていた。
光学共振器を形成する一対の反射鏡が必要である。Ｇａ
Ａｓなどの半導体結晶材料を用いた半導体レーザ素子
（ファブリペロ型）においては、ＧａＡｓ結晶からなる
基板とともにレーザ構造を含む多層体を同時に劈開させ
て、その劈開面をレーザ素子の反射鏡の反射面に利用し
ていた。
【０００３】一方で、III族窒化物からなる半導体レー
ザ素子では、基板として明瞭な劈開面を有さないサファ
イアを使用している故、劈開によるのではなく、反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）などのエッチング法によっ
て共振器の反射面を形成していた。
ザ素子では、基板として明瞭な劈開面を有さないサファ
イアを使用している故、劈開によるのではなく、反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）などのエッチング法によっ
て共振器の反射面を形成していた。
【０００４】ここで、化学的に非常に安定であるサファ
イアはエッチングをほとんど受けないため、エッチング
後においては、図１に示すように、サファイア基板101
の一部がエッチングされずに窒化物多層体102の共振器
の反射面102'よりも外側にはみ出した「テラス状」構造
（テラス状部分103）となってしまうのである。かかる
場合に発せられる放射光ビーム104は、その一部がテラ
ス状部分103で反射されてしまうため、遠視野像は単一
のスポットとならずにマルチ化してしまうのである。こ
のような半導体レーザ素子100では、特に光ディスク用
光源としては使用することは出来なかった。
イアはエッチングをほとんど受けないため、エッチング
後においては、図１に示すように、サファイア基板101
の一部がエッチングされずに窒化物多層体102の共振器
の反射面102'よりも外側にはみ出した「テラス状」構造
（テラス状部分103）となってしまうのである。かかる
場合に発せられる放射光ビーム104は、その一部がテラ
ス状部分103で反射されてしまうため、遠視野像は単一
のスポットとならずにマルチ化してしまうのである。こ
のような半導体レーザ素子100では、特に光ディスク用
光源としては使用することは出来なかった。
【０００５】そこで、容易に劈開できる材料からなる基
板に窒化物多層体を貼り替えて貼合体を得た後に、これ
を劈開させて共振器の反射面を形成する方法が提案され
た。具体的には、サファイア基板上に窒化物多層体を形
成して、かかる窒化物多層体を劈開性を有する保持基板
に貼り合わせる。そして、窒化物多層体からサファイア
基板を取り除いた後に、窒化物多層体及び保持基板を劈
開させると、劈開面を共振器の反射面とした素子が得ら
れるのである。
板に窒化物多層体を貼り替えて貼合体を得た後に、これ
を劈開させて共振器の反射面を形成する方法が提案され
た。具体的には、サファイア基板上に窒化物多層体を形
成して、かかる窒化物多層体を劈開性を有する保持基板
に貼り合わせる。そして、窒化物多層体からサファイア
基板を取り除いた後に、窒化物多層体及び保持基板を劈
開させると、劈開面を共振器の反射面とした素子が得ら
れるのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
レーザ素子100の製造工程において、図２に示すよう
に、保持基板105と窒化物多層体102との劈開面がわずか
でもずれて接着された場合において、これを劈開させる
と、部分的に保持基板105の劈開端面105'が窒化物多層
体102の劈開端面102'よりもテラス状に外側に出っ張っ
た構造となってしまうことが見出された。かかる場合に
おいて、劈開端面102'及び105'にスパッタリングなどに
よって誘電体多層高反射膜をコーティングしても、テラ
ス状部分103'があるためにコーティング膜厚が変化して
十分に高い反射率を得られない。結果としてレーザ素子
としての発光特性が十分に得られないのである。また、
上記したと同様に、テラス状部分103'によってビームの
一部が反射されて遠視野像のマルチ化を生じることもあ
って、実用上の問題を生ずるのである。
レーザ素子100の製造工程において、図２に示すよう
に、保持基板105と窒化物多層体102との劈開面がわずか
でもずれて接着された場合において、これを劈開させる
と、部分的に保持基板105の劈開端面105'が窒化物多層
体102の劈開端面102'よりもテラス状に外側に出っ張っ
た構造となってしまうことが見出された。かかる場合に
おいて、劈開端面102'及び105'にスパッタリングなどに
よって誘電体多層高反射膜をコーティングしても、テラ
ス状部分103'があるためにコーティング膜厚が変化して
十分に高い反射率を得られない。結果としてレーザ素子
としての発光特性が十分に得られないのである。また、
上記したと同様に、テラス状部分103'によってビームの
一部が反射されて遠視野像のマルチ化を生じることもあ
って、実用上の問題を生ずるのである。
【０００７】そこで、本発明では、高度な組立精度が要
求される工程を有することなく、優れた発光特性を具備
するIII族窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
求される工程を有することなく、優れた発光特性を具備
するIII族窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による窒化物半導
体レーザ素子は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）
1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層
の複数からなる多層体と、劈開性を有する基板と、を貼
り合わせた窒化物半導体レーザ素子であって、前記基板
は、前記多層体のレーザ光の出射端部周辺の前記基板部
分に少なくとも切削部を有していることを特徴とする。
体レーザ素子は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）
1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層
の複数からなる多層体と、劈開性を有する基板と、を貼
り合わせた窒化物半導体レーザ素子であって、前記基板
は、前記多層体のレーザ光の出射端部周辺の前記基板部
分に少なくとも切削部を有していることを特徴とする。
【０００９】また、本発明による窒化物半導体レーザ素
子の製造方法は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）
1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層
の複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導体レーザ
素子の製造方法であって、第１の基板上に前記多層体を
形成してレーザウェハを形成するウェハ形成ステップ
と、第２の基板に切削部を形成する切削部形成ステップ
と、前記多層体上に前記第２の基板の前記切削部を形成
した面を突き合わせてこれを貼り合わせる貼合せステッ
プと、前記レーザウェハから前記第１の基板を除去する
ステップと、前記第２の基板及び前記多層体からなる貼
合体を劈開させて共振器端面を形成する劈開ステップ
と、を含むことを特徴とする。
子の製造方法は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）
1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層
の複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導体レーザ
素子の製造方法であって、第１の基板上に前記多層体を
形成してレーザウェハを形成するウェハ形成ステップ
と、第２の基板に切削部を形成する切削部形成ステップ
と、前記多層体上に前記第２の基板の前記切削部を形成
した面を突き合わせてこれを貼り合わせる貼合せステッ
プと、前記レーザウェハから前記第１の基板を除去する
ステップと、前記第２の基板及び前記多層体からなる貼
合体を劈開させて共振器端面を形成する劈開ステップ
と、を含むことを特徴とする。
【００１０】さらに、本発明による窒化物半導体レーザ
素子の製造方法は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧ
ａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からな
る結晶層の複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導
体レーザ素子の製造方法であって、第１の基板上に多層
体を形成してレーザウェハを形成するウェハ形成ステッ
プと、前記多層体上に第２の基板を貼り合わせる貼合せ
ステップと、前記レーザウェハから前記第１の基板を除
去するステップと、前記第２の基板及び前記多層体から
なる貼合体を劈開させてレーザチップを形成する劈開ス
テップと、前記レーザチップをエッチャントに浸漬する
エッチングステップと、を含むことを特徴とする。
素子の製造方法は、III族窒化物半導体（ＡｌxＧ
ａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からな
る結晶層の複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導
体レーザ素子の製造方法であって、第１の基板上に多層
体を形成してレーザウェハを形成するウェハ形成ステッ
プと、前記多層体上に第２の基板を貼り合わせる貼合せ
ステップと、前記レーザウェハから前記第１の基板を除
去するステップと、前記第２の基板及び前記多層体から
なる貼合体を劈開させてレーザチップを形成する劈開ス
テップと、前記レーザチップをエッチャントに浸漬する
エッチングステップと、を含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施例とし
ての（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）で表されるIII族窒化物半導体レーザ素子につい
て、図面を用いて詳細に説明する。 （実施例１）図３に示すように、本発明によるIII族窒
化物半導体レーザ素子1aは、窒化物（レーザ）多層体２
と保持基板３とを接着層４によって貼り合わせた構造を
有している。なお、窒化物多層体２は導波路５を有し、
一対の平行な共振器面２'によってレーザ共振器が構成
されている。窒化物多層体２の導波路５は、保持基板３
に形成された断面凹型の切削部６の開口部と対向して位
置している。切削部６は、導波路５に沿って保持基板３
の対向する面３',３'間を貫通していなくとも、レーザ
光の出射端部の周辺のみを素子の内側に向けて切削した
ものであってもよい。つまり、レーザ素子1aでは、共振
器面２'からレーザ光７が出射するが、かかるレーザ光
７の出射端部周辺のテラス状部分８が除去されていれ
ば、レーザ光７の反射を防止できるのである。
ての（ＡｌxＧａ1-x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ
≦１）で表されるIII族窒化物半導体レーザ素子につい
て、図面を用いて詳細に説明する。 （実施例１）図３に示すように、本発明によるIII族窒
化物半導体レーザ素子1aは、窒化物（レーザ）多層体２
と保持基板３とを接着層４によって貼り合わせた構造を
有している。なお、窒化物多層体２は導波路５を有し、
一対の平行な共振器面２'によってレーザ共振器が構成
されている。窒化物多層体２の導波路５は、保持基板３
に形成された断面凹型の切削部６の開口部と対向して位
置している。切削部６は、導波路５に沿って保持基板３
の対向する面３',３'間を貫通していなくとも、レーザ
光の出射端部の周辺のみを素子の内側に向けて切削した
ものであってもよい。つまり、レーザ素子1aでは、共振
器面２'からレーザ光７が出射するが、かかるレーザ光
７の出射端部周辺のテラス状部分８が除去されていれ
ば、レーザ光７の反射を防止できるのである。
【００１２】なお、導波路５は、リッジ構造、リッジ埋
め込み構造、内部電流狭窄構造及びコンタクトストライ
プ構造等のいずれであってもよく、レーザ光７の出射端
部が切削部６の開口部周辺に位置していればよい。次
に、上記の如き半導体レーザ素子の製造方法について説
明する。図４に示すように、サファイアｃ面基板10上に
ＧａＮ等の窒化物結晶層の複数からなる窒化物多層体２
をＭＯＣＶＤ法等によって形成してレーザウェハを得
る。詳細には、窒化物多層体２は、ＧａＮからなる低温
バッファ層11、Ｓｉをドーピングして導電性を付与した
ｎ-ＧａＮ下地層12、ｎ-ＡｌＧａＮクラッド層13、ｎ-
ＧａＮガイド層14、発光層としてＩｎy1Ｇａ1-y1Ｎ（y1
＝0.08、厚さ30Å)／Ｉｎy2Ｇａ1-y2Ｎ(y2＝0.01、厚さ
60Å)を５層積層したＭＱＷ活性層15、マグネシウムを
ドーピングしてｐ型としたｐ-ＡｌＧａＮ電子バリア層1
6、ｐ-ＧａＮガイド層17、ｐ-ＡｌＧａＮクラッド層18
及びｐ-ＧａＮコンタクト層19を順次、積層したもので
ある。
め込み構造、内部電流狭窄構造及びコンタクトストライ
プ構造等のいずれであってもよく、レーザ光７の出射端
部が切削部６の開口部周辺に位置していればよい。次
に、上記の如き半導体レーザ素子の製造方法について説
明する。図４に示すように、サファイアｃ面基板10上に
ＧａＮ等の窒化物結晶層の複数からなる窒化物多層体２
をＭＯＣＶＤ法等によって形成してレーザウェハを得
る。詳細には、窒化物多層体２は、ＧａＮからなる低温
バッファ層11、Ｓｉをドーピングして導電性を付与した
ｎ-ＧａＮ下地層12、ｎ-ＡｌＧａＮクラッド層13、ｎ-
ＧａＮガイド層14、発光層としてＩｎy1Ｇａ1-y1Ｎ（y1
＝0.08、厚さ30Å)／Ｉｎy2Ｇａ1-y2Ｎ(y2＝0.01、厚さ
60Å)を５層積層したＭＱＷ活性層15、マグネシウムを
ドーピングしてｐ型としたｐ-ＡｌＧａＮ電子バリア層1
6、ｐ-ＧａＮガイド層17、ｐ-ＡｌＧａＮクラッド層18
及びｐ-ＧａＮコンタクト層19を順次、積層したもので
ある。
【００１３】次に、ドライエッチング法を使用して、窒
化物多層体２のｐ-ＧａＮガイド層17、ｐ-ＡｌＧａＮク
ラッド層18及びｐ-コンタクト層19部分にリッジ５を形
成する。リッジ５は、レーザ素子への注入電流を狭窄し
て、実効屈折率分布を形成するが、リッジ埋め込み構
造、内部電流狭窄構造及びコンタクトストライプ構造等
の公知の構造であっても良い。なお、後述する工程にお
いて、リッジ５に対して垂直な面で劈開を行って、その
劈開面を共振器の反射面とするのであるから、リッジ５
の伸長する方向は、窒化物多層体２を構成する窒化物の
劈開面の法線方向（図４における紙面の法線方向であ
る。併せて図３を参照。）と一致している。つまり、窒
化物半導体の劈開面である（1 -1 0 0）で劈開を行っ
て、これを共振器の反射面とするのであるから、リッジ
５は、その伸長する方向が（1 -1 0 0）の法線方向、す
なわち＜1 -1 0 0＞になるように形成する。なお、窒化
物結晶の他の劈開面である（1 1 -2 0）に対して法線方
向、すなわち＜1 1 -2 0＞方向にリッジ５を形成しても
よい。
化物多層体２のｐ-ＧａＮガイド層17、ｐ-ＡｌＧａＮク
ラッド層18及びｐ-コンタクト層19部分にリッジ５を形
成する。リッジ５は、レーザ素子への注入電流を狭窄し
て、実効屈折率分布を形成するが、リッジ埋め込み構
造、内部電流狭窄構造及びコンタクトストライプ構造等
の公知の構造であっても良い。なお、後述する工程にお
いて、リッジ５に対して垂直な面で劈開を行って、その
劈開面を共振器の反射面とするのであるから、リッジ５
の伸長する方向は、窒化物多層体２を構成する窒化物の
劈開面の法線方向（図４における紙面の法線方向であ
る。併せて図３を参照。）と一致している。つまり、窒
化物半導体の劈開面である（1 -1 0 0）で劈開を行っ
て、これを共振器の反射面とするのであるから、リッジ
５は、その伸長する方向が（1 -1 0 0）の法線方向、す
なわち＜1 -1 0 0＞になるように形成する。なお、窒化
物結晶の他の劈開面である（1 1 -2 0）に対して法線方
向、すなわち＜1 1 -2 0＞方向にリッジ５を形成しても
よい。
【００１４】図５に示すように、窒化物多層体の表面に
は、オーミック電極20としてＮｉ及びＡｕを形成し、さ
らにこの上から保持基板３との貼り合わせを行うための
Ｓｎ及びＡｕからなる接着層４を形成する。なお、接着
層４の材料としては、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｓｎ及びＡｕ
等の金属、或いは、これらを組み合わせてなる合金、例
えばＩｎ−ＰｄやＡｕ−Ｓｎであっても良い。
は、オーミック電極20としてＮｉ及びＡｕを形成し、さ
らにこの上から保持基板３との貼り合わせを行うための
Ｓｎ及びＡｕからなる接着層４を形成する。なお、接着
層４の材料としては、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｓｎ及びＡｕ
等の金属、或いは、これらを組み合わせてなる合金、例
えばＩｎ−ＰｄやＡｕ−Ｓｎであっても良い。
【００１５】また、図６に示すように、ｐ-ＧａＡｓか
らなる保持基板３の表面上にも、オーミック電極20'と
してＣｒ及びＡｕを形成し、この上から、Ｓｎ及びＡｕ
からなる接着層４'を形成する。更に、保持基板３に
は、その劈開面（１１０）に対して法線方向、すなわち
＜１１０＞にダイシングによって断面凹型の切削部６を
形成する。ここで、接着層４'は、接着層４と同様に、
上記した如き材料であっても良い。また、保持基板３
は、容易に劈開できる材料であれば良く、例えばＳｉ、
ＩｎＰ、ＡｌＮであっても良い。
らなる保持基板３の表面上にも、オーミック電極20'と
してＣｒ及びＡｕを形成し、この上から、Ｓｎ及びＡｕ
からなる接着層４'を形成する。更に、保持基板３に
は、その劈開面（１１０）に対して法線方向、すなわち
＜１１０＞にダイシングによって断面凹型の切削部６を
形成する。ここで、接着層４'は、接着層４と同様に、
上記した如き材料であっても良い。また、保持基板３
は、容易に劈開できる材料であれば良く、例えばＳｉ、
ＩｎＰ、ＡｌＮであっても良い。
【００１６】次に、図７に示すように、窒化物多層体２
の接着層４と保持基板３の接着層４'を形成した側同士
を貼り合わせる。この貼り合せ工程においては、窒化物
多層体２のリッジ５をＧａＡｓ保持基板３の切削部６に
合わせて貼り合わせる。窒化物多層体２及び保持基板３
を加圧しながら接着層４及び４'が溶融する温度である3
00度程度に加熱すると、窒化物多層体２及び保持基板３
が接着されて一体となる。なお、窒化物多層体２の接着
層４と保持基板３の接着層４'とは、同じ材料でなくと
も良く、加熱によって融着し得る２つ以上の金属、例え
ばＩｎとＰｄ、ＳｎとＡｕを別々に形成しても良い。
の接着層４と保持基板３の接着層４'を形成した側同士
を貼り合わせる。この貼り合せ工程においては、窒化物
多層体２のリッジ５をＧａＡｓ保持基板３の切削部６に
合わせて貼り合わせる。窒化物多層体２及び保持基板３
を加圧しながら接着層４及び４'が溶融する温度である3
00度程度に加熱すると、窒化物多層体２及び保持基板３
が接着されて一体となる。なお、窒化物多層体２の接着
層４と保持基板３の接着層４'とは、同じ材料でなくと
も良く、加熱によって融着し得る２つ以上の金属、例え
ばＩｎとＰｄ、ＳｎとＡｕを別々に形成しても良い。
【００１７】次に、サファイア基板10の裏面側（図７に
おける矢印Ｌ）から、ｎ−ＧａＮ下地層12の方向に向け
て、集光レンズで絞ったＹＡＧレーザの４倍波（266n
m）を照射する。この波長の光は、基板であるサファイ
アに対してはほとんど透明である。一方、窒化ガリウム
の吸収端は365nmであるので、下地層12にはわずかな浸
透深さで光が吸収される。また、サファイア基板10と下
地層12を構成するＧａＮ結晶との間には大きな格子不整
合（約１５％）があって、下地層12のサファイア基板10
の近傍では、ＧａＮの結晶欠陥密度が高く、吸収した光
は、かかる部分でほとんどが熱に変換される。故に、レ
ーザ光の照射によって、下地層12のサファイア基板10と
の界面近傍において温度が急激に上昇し、ＧａＮをガリ
ウムと窒素に分解することができる。また、この照射光
は上述の如く、基板であるサファイアに対しては透明で
あり、且つ、窒化ガリウムに吸収されるような光であれ
ば良いのであって、他にはＫｒＦエキシマレーザ（248n
m）等が適する。
おける矢印Ｌ）から、ｎ−ＧａＮ下地層12の方向に向け
て、集光レンズで絞ったＹＡＧレーザの４倍波（266n
m）を照射する。この波長の光は、基板であるサファイ
アに対してはほとんど透明である。一方、窒化ガリウム
の吸収端は365nmであるので、下地層12にはわずかな浸
透深さで光が吸収される。また、サファイア基板10と下
地層12を構成するＧａＮ結晶との間には大きな格子不整
合（約１５％）があって、下地層12のサファイア基板10
の近傍では、ＧａＮの結晶欠陥密度が高く、吸収した光
は、かかる部分でほとんどが熱に変換される。故に、レ
ーザ光の照射によって、下地層12のサファイア基板10と
の界面近傍において温度が急激に上昇し、ＧａＮをガリ
ウムと窒素に分解することができる。また、この照射光
は上述の如く、基板であるサファイアに対しては透明で
あり、且つ、窒化ガリウムに吸収されるような光であれ
ば良いのであって、他にはＫｒＦエキシマレーザ（248n
m）等が適する。
【００１８】レーザ光を照射後、この貼合体をガリウム
の融点温度（３０度）以上に加熱すると、サファイア基
板10が窒化物多層体２から除去できる。次に、この貼合
体をリッジ５の伸長する方向と直交する劈開面で劈開さ
せる。これにより、窒化物多層体２の劈開面（1 -1 0
0）若しくは（1 1 -2 0）を共振器面２’に有するレー
ザ素子を得ることが出来るのである。
の融点温度（３０度）以上に加熱すると、サファイア基
板10が窒化物多層体２から除去できる。次に、この貼合
体をリッジ５の伸長する方向と直交する劈開面で劈開さ
せる。これにより、窒化物多層体２の劈開面（1 -1 0
0）若しくは（1 1 -2 0）を共振器面２’に有するレー
ザ素子を得ることが出来るのである。
【００１９】ここで、貼り合わせの際に窒化物多層体２
の劈開面と保持基板３の劈開面がややずれた場合におい
ても、レーザ光の出射端周辺には、保持基板３の切削部
があるために、上述したようなテラス状部分８が形成さ
れることはない。このため十分な高反射率の誘電体多層
膜を形成することができて、また出射ビームがマルチ化
するといった問題も回避することが出来るのである。な
お、他の工程については、従来の半導体レーザ素子の製
造方法と同様なので、ここでは記述しない。 （実施例２）図８に示すように、本発明による他のIII
族窒化物半導体レーザ素子1bは、上記の実施例１の半導
体レーザ素子と同様に、窒化物多層体２とＧａＡｓ保持
基板３とを接着層４によって貼り合わせた構造を有して
いるが、ＧａＡｓ保持基板３の角部3aは、窒化物多層体
２の共振器面２’に沿って削り取られている。この場合
であっても、レーザ光の出射端部７'周辺にＧａＡｓ保
持基板３のテラス状部分が存在しないために、上述した
このテラス状部分による問題を回避することが出来るの
である。
の劈開面と保持基板３の劈開面がややずれた場合におい
ても、レーザ光の出射端周辺には、保持基板３の切削部
があるために、上述したようなテラス状部分８が形成さ
れることはない。このため十分な高反射率の誘電体多層
膜を形成することができて、また出射ビームがマルチ化
するといった問題も回避することが出来るのである。な
お、他の工程については、従来の半導体レーザ素子の製
造方法と同様なので、ここでは記述しない。 （実施例２）図８に示すように、本発明による他のIII
族窒化物半導体レーザ素子1bは、上記の実施例１の半導
体レーザ素子と同様に、窒化物多層体２とＧａＡｓ保持
基板３とを接着層４によって貼り合わせた構造を有して
いるが、ＧａＡｓ保持基板３の角部3aは、窒化物多層体
２の共振器面２’に沿って削り取られている。この場合
であっても、レーザ光の出射端部７'周辺にＧａＡｓ保
持基板３のテラス状部分が存在しないために、上述した
このテラス状部分による問題を回避することが出来るの
である。
【００２０】本実施例の場合の製造方法においては、Ｇ
ａＡｓ保持基板３の劈開面３'と平行方向に切削部６を
形成する。窒化物多層体２の劈開面２'とＧａＡｓ保持
基板３の劈開面３'とを略平行となるように結晶方位を
あわせて貼り合わせた貼合体を形成した後に、かかる貼
合体からサファイア基板を除去する。そして切削部６に
沿って劈開させるとレーザ素子1bが得られる。なお、他
の工程については実施例１と同様なので詳述しない。 （実施例３）図９及び図10に示すように、本発明による
他のIII族窒化物半導体レーザ素子1cでは、ＧａＡｓ保
持基板３が窒化物多層体２の共振器面２'よりも素子の
内側方向に除去された構造を有している。
ａＡｓ保持基板３の劈開面３'と平行方向に切削部６を
形成する。窒化物多層体２の劈開面２'とＧａＡｓ保持
基板３の劈開面３'とを略平行となるように結晶方位を
あわせて貼り合わせた貼合体を形成した後に、かかる貼
合体からサファイア基板を除去する。そして切削部６に
沿って劈開させるとレーザ素子1bが得られる。なお、他
の工程については実施例１と同様なので詳述しない。 （実施例３）図９及び図10に示すように、本発明による
他のIII族窒化物半導体レーザ素子1cでは、ＧａＡｓ保
持基板３が窒化物多層体２の共振器面２'よりも素子の
内側方向に除去された構造を有している。
【００２１】本実施例の場合の製造方法においては、上
記実施例１及び２と異なり、ＧａＡｓ保持基板３には凹
型溝である切削部６を加工することなく貼り合わせ工程
を行う。なお、切削部６を形成しない以外は、共振器面
を劈開によって形成する工程までは同じである。この場
合、窒化物多層体２の劈開面とＧａＡｓ保持基板３の劈
開面が少しでもずれていた場合には、部分的にレーザ出
射端周辺にも保持基板３によるテラス状部分が形成され
てしまう。そこで窒化物多層体２を構成する窒化物より
も保持基板３の材料であるＧａＡｓに対して速いエッチ
ング速度を有するエッチャントを使用してエッチングを
行う。詳細には、硫酸：過酸化水素：水を４：１：１に
混合した溶液を使用するが、適宜、混合量等を変化させ
てエッチング速度を調整することが好ましい。かかるエ
ッチングによって、ＧａＡｓ保持基板３が優先的にエッ
チングされて、ＧａＡｓ保持基板３が窒化物多層体２の
共振器面２'よりも素子の内側方向に除去されるのであ
る（特に、図10参照）。この場合であっても、保持基板
３のテラス状部分が存在しないためにテラス状部分に起
因する問題を回避することが出来るのである。 （実施例４）図11に示すように、本発明による他のIII
族窒化物半導体レーザ素子1dでは、上記の実施例１にお
ける半導体レーザ素子1aの保持基板３もレーザ構造を有
している場合である。すなわち、半導体レーザ素子１d
の窒化物多層体２aのリッジ５aとは別の場所に、多層体
２b（実施例１の保持基板３に対応する。）側にもリッ
ジ５bを有する。リッジ5bも多層体２bの劈開面の法線方
向に延在している。
記実施例１及び２と異なり、ＧａＡｓ保持基板３には凹
型溝である切削部６を加工することなく貼り合わせ工程
を行う。なお、切削部６を形成しない以外は、共振器面
を劈開によって形成する工程までは同じである。この場
合、窒化物多層体２の劈開面とＧａＡｓ保持基板３の劈
開面が少しでもずれていた場合には、部分的にレーザ出
射端周辺にも保持基板３によるテラス状部分が形成され
てしまう。そこで窒化物多層体２を構成する窒化物より
も保持基板３の材料であるＧａＡｓに対して速いエッチ
ング速度を有するエッチャントを使用してエッチングを
行う。詳細には、硫酸：過酸化水素：水を４：１：１に
混合した溶液を使用するが、適宜、混合量等を変化させ
てエッチング速度を調整することが好ましい。かかるエ
ッチングによって、ＧａＡｓ保持基板３が優先的にエッ
チングされて、ＧａＡｓ保持基板３が窒化物多層体２の
共振器面２'よりも素子の内側方向に除去されるのであ
る（特に、図10参照）。この場合であっても、保持基板
３のテラス状部分が存在しないためにテラス状部分に起
因する問題を回避することが出来るのである。 （実施例４）図11に示すように、本発明による他のIII
族窒化物半導体レーザ素子1dでは、上記の実施例１にお
ける半導体レーザ素子1aの保持基板３もレーザ構造を有
している場合である。すなわち、半導体レーザ素子１d
の窒化物多層体２aのリッジ５aとは別の場所に、多層体
２b（実施例１の保持基板３に対応する。）側にもリッ
ジ５bを有する。リッジ5bも多層体２bの劈開面の法線方
向に延在している。
【００２２】また、リッジ５bの頂部周辺近傍では、窒
化物多層体２aがリッジ５bの伸長する方向Ｃに断面凹型
に削り取られており、リッジ５bの頂部は、窒化物多層
体２aには接していない。ここで、２つの多層体２a及び
２bが互いに異なる波長のレーザ光を発振するとき、半
導体レーザ素子１dは、２波長レーザ素子として機能す
る。例えば、多層体２bは、ＡｌＧａＡｓ系レーザ、Ｇ
ａＡｓ系レーザ、ＡｌＩｎＰ系レーザ及びＩｎＰ系レー
ザ等を用いることが出来る。
化物多層体２aがリッジ５bの伸長する方向Ｃに断面凹型
に削り取られており、リッジ５bの頂部は、窒化物多層
体２aには接していない。ここで、２つの多層体２a及び
２bが互いに異なる波長のレーザ光を発振するとき、半
導体レーザ素子１dは、２波長レーザ素子として機能す
る。例えば、多層体２bは、ＡｌＧａＡｓ系レーザ、Ｇ
ａＡｓ系レーザ、ＡｌＩｎＰ系レーザ及びＩｎＰ系レー
ザ等を用いることが出来る。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、高度な組立精度が要求
される工程を有することなく高品質な共振器の反射面を
再現性良く得ることができて生産歩留まりを大幅に上昇
させ得るとともに、光ディスク用光源等にも使用可能な
優れた発光特性を具備する窒化物半導体レーザ素子を得
ることが出来るのである。
される工程を有することなく高品質な共振器の反射面を
再現性良く得ることができて生産歩留まりを大幅に上昇
させ得るとともに、光ディスク用光源等にも使用可能な
優れた発光特性を具備する窒化物半導体レーザ素子を得
ることが出来るのである。
【図１】従来のサファイア基板上に形成された窒化物半
導体素子におけるレーザ光出射端部近傍を示す部分拡大
断面図である。
導体素子におけるレーザ光出射端部近傍を示す部分拡大
断面図である。
【図２】従来の膜の貼り替え技術を用いて形成された窒
化物半導体素子を示す斜視図である。
化物半導体素子を示す斜視図である。
【図３】本発明による窒化物半導体素子を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】本発明によるレーザウェハの断面図である。
【図５】本発明によるレーザウェハの断面図である。
【図６】本発明による保持基板の斜視図である
【図７】本発明によるレーザウェハと保持基板とを貼り
合わせた貼合体の断面図である。
合わせた貼合体の断面図である。
【図８】本発明による他の窒化物半導体素子を示す斜視
図である。
図である。
【図９】本発明によるさらに他の窒化物半導体素子を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図10】図９の本発明による他の窒化物半導体素子にお
けるレーザ光出射端部近傍を示す部分拡大断面図であ
る。
けるレーザ光出射端部近傍を示す部分拡大断面図であ
る。
【図11】本発明によるさらに他の窒化物半導体素子を示
す斜視図である。
す斜視図である。
1a，1b，1c，1d 半導体レーザ素子 ２ 多層体 ３ ＧａＡｓ保持基板 ４，４' 接着層 ６ 切削部 ８，103，103’ テラス状部分 11 低温ＧａＮバッファ層 12 ｎ-ＧａＮ下地層 13 ｎ-ＡｌＧａＮクラッド層 14 ｎ-ＧａＮガイド層 15 ＭＱＷ活性層 16 ｐ-ＡｌＧａＮ電子バリア層 17 ｐ-ＧａＮガイド層 18 ｐ-ＡｌＧａＮクラッド層 19 ｐ-ＧａＮコンタクト層 20 オーミック電極 100 半導体レーザ素子 101 サファイア基板 102 窒化物多層体 105 保持基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F073 AA13 AA45 AA74 BA06 CA17 CB02 CB04 CB05 DA05 DA25 DA32 FA22
Claims (17)
- 【請求項１】 III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-y
ＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層の
複数からなる多層体と、劈開性を有する基板と、を貼り
合わせた窒化物半導体レーザ素子であって、 前記基板は、前記多層体のレーザ光の出射端部周辺の前
記基板部分に少なくとも切削部を有していることを特徴
とする窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項２】 前記窒化物半導体レーザ素子において、
前記多層体の劈開面が前記基板の劈開面と略平行である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体レーザ素
子。 - 【請求項３】 前記切削部は、前記レーザ素子の導波路
に沿った凹型溝であることを特徴とする請求項２記載の
窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 前記基板は、導電性材料からなることを
特徴とする請求項１乃至３のうちの１記載の窒化物半導
体レーザ素子。 - 【請求項５】 前記基板は、レーザ構造を含む第２の多
層体であって、前記多層体は、第２の切削部を有し、前
記第２の多層体のレーザ光の出射端部周辺に前記切削部
を有していることを特徴とする請求項１乃至３のうちの
１記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 前記第２の切削部は、前記第２の多層体
のレーザ素子の導波路に沿った凹型溝であることを特徴
とする請求項５記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項７】 前記切削部は、前記基板の劈開面と略平
行に形成されていることを特徴とする請求項２記載の窒
化物半導体レーザ素子。 - 【請求項８】 前記基板は、導電性材料からなることを
特徴とする請求項７記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 【請求項９】 III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-y
ＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層の
複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導体レーザ素
子の製造方法であって、 第１の基板上に前記多層体を形成してレーザウェハを形
成するウェハ形成ステップと、 第２の基板に切削部を形成する切削部形成ステップと、 前記多層体上に前記第２の基板の前記切削部を形成した
面を突き合わせてこれを貼り合わせる貼合せステップ
と、 前記レーザウェハから前記第１の基板を除去するステッ
プと、 前記第２の基板及び前記多層体からなる貼合体を劈開さ
せて共振器端面を形成する劈開ステップと、を含むこと
を特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項10】 前記貼合せステップは、前記多層体の劈
開面を前記第２の基板の劈開面と略平行に合わせるステ
ップを含むことを特徴とする請求項９記載の製造方法。 - 【請求項11】 前記切削部形成ステップは、前記第２の
基板の劈開面と略法線方向に前記切削部を形成するステ
ップであることを特徴とする請求項９記載の製造方法。 - 【請求項12】 前記貼合せステップは、前記多層体のレ
ーザ光の導波路端部周辺に前記基板の前記切削部が位置
するように貼り合わせるステップを含むことを特徴とす
る請求項11記載の製造方法。 - 【請求項13】 前記切削部形成ステップは、前記第２の
基板の劈開面と略平行に前記切削部を形成するステップ
であることを特徴とする請求項９記載の製造方法。 - 【請求項14】 前記劈開ステップは、前記貼合体を前記
切削部で劈開させるステップを含むことを特徴とする請
求項13記載の製造方法。 - 【請求項15】 III族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1-x）1-y
ＩｎyＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層の
複数を順に積層した多層体を含む窒化物半導体レーザ素
子の製造方法であって、 第１の基板上に多層体を形成してレーザウェハを形成す
るウェハ形成ステップと、 前記多層体上に第２の基板を貼り合わせる貼合せステッ
プと、 前記レーザウェハから前記第１の基板を除去するステッ
プと、 前記第２の基板及び前記多層体からなる貼合体を劈開さ
せてレーザチップを形成する劈開ステップと、 前記レーザチップをエッチャントに浸漬するエッチング
ステップと、を含むことを特徴とする窒化物半導体レー
ザ素子の製造方法。 - 【請求項16】 前記貼合せステップは、前記多層体の劈
開面を前記第２の基板の劈開面と略平行に合わせるステ
ップを含むことを特徴とする請求項15記載の製造方法。 - 【請求項17】 前記エッチングステップは、前記多層体
を構成する材料よりも前記第２の基板を構成する材料に
ついて大なるエッチング速度を有するエッチャントを使
用してエッチングを行うステップであることを特徴とす
る請求項15記載の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103068A JP2002299739A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| DE60201369T DE60201369T2 (de) | 2001-04-02 | 2002-03-28 | Nitrid-Halbleiterlaservorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
| EP02007418A EP1248335B1 (en) | 2001-04-02 | 2002-03-28 | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| US10/109,721 US6647042B2 (en) | 2001-04-02 | 2002-04-01 | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| TW091106536A TW584889B (en) | 2001-04-02 | 2002-04-01 | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| CNB021085900A CN1204663C (zh) | 2001-04-02 | 2002-04-02 | 氮化物半导体激光器件及其制造方法 |
| KR10-2002-0017996A KR100473349B1 (ko) | 2001-04-02 | 2002-04-02 | 질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조 방법 |
| US10/636,893 US7011982B2 (en) | 2001-04-02 | 2003-08-08 | Nitride semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001103068A JP2002299739A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299739A true JP2002299739A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18956180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001103068A Pending JP2002299739A (ja) | 2001-04-02 | 2001-04-02 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6647042B2 (ja) |
| EP (1) | EP1248335B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002299739A (ja) |
| KR (1) | KR100473349B1 (ja) |
| CN (1) | CN1204663C (ja) |
| DE (1) | DE60201369T2 (ja) |
| TW (1) | TW584889B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252030A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| US7512167B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-03-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JP2009123939A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| US10193301B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-01-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device |
| US10490973B2 (en) | 2017-08-30 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4166471B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-10-15 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
| JP2004022760A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | レーザダイオード |
| CN1871755A (zh) * | 2003-10-24 | 2006-11-29 | 日本先锋公司 | 半导体激光装置及制造方法 |
| JP4539077B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-09-08 | 日本電気株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| CN1839524A (zh) * | 2003-12-05 | 2006-09-27 | 日本先锋公司 | 半导体激光装置的制造方法 |
| JP5638198B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2014-12-10 | クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． | ミスカット基板上のレーザダイオード配向 |
| DE102013223115A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN106207753B (zh) * | 2016-09-06 | 2019-09-03 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196813A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-07-15 | Sony Corp | 半導体レーザとその製法 |
| JPH06296040A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-10-21 | Sharp Corp | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2000228565A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2000323797A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957487A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| DE3330392A1 (de) * | 1983-08-23 | 1985-03-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Laserdiode mit vereinfachter justierung |
| JPS60105289A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS63208293A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0235788A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Mitsumi Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| US5181216A (en) * | 1990-08-27 | 1993-01-19 | At&T Bell Laboratories | Photonics module apparatus |
| US5294815A (en) * | 1991-07-29 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device with terraced structure |
| KR940010433A (ko) * | 1992-10-09 | 1994-05-26 | 김광호 | 반도체 레이저의 제조방법 |
| KR100266839B1 (ko) * | 1992-10-14 | 2000-09-15 | 이데이 노부유끼 | 반도체레이저와 그 제법 |
| JP3727106B2 (ja) * | 1996-04-17 | 2005-12-14 | 豊田合成株式会社 | ３族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法 |
| JP2000244068A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-09-08 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP3914670B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2007-05-16 | パイオニア株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの半導体レーザ素子の取り付け方法 |
| JP3921940B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2007-05-30 | 住友電気工業株式会社 | 光送受信モジュール |
-
2001
- 2001-04-02 JP JP2001103068A patent/JP2002299739A/ja active Pending
-
2002
- 2002-03-28 EP EP02007418A patent/EP1248335B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-03-28 DE DE60201369T patent/DE60201369T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-01 US US10/109,721 patent/US6647042B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-01 TW TW091106536A patent/TW584889B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-02 CN CNB021085900A patent/CN1204663C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-02 KR KR10-2002-0017996A patent/KR100473349B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-08-08 US US10/636,893 patent/US7011982B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196813A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-07-15 | Sony Corp | 半導体レーザとその製法 |
| JPH06296040A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-10-21 | Sharp Corp | 発光ダイオードの製造方法 |
| JP2000228565A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Toshiba Corp | 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2000323797A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Pioneer Electronic Corp | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7512167B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-03-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| US7961768B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-06-14 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Integrated semiconductor laser device and method of fabricating the same |
| JP2008252030A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP2009123939A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 |
| US10193301B2 (en) | 2017-03-31 | 2019-01-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device |
| US10490973B2 (en) | 2017-08-30 | 2019-11-26 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
| US10763641B2 (en) | 2017-08-30 | 2020-09-01 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020142503A1 (en) | 2002-10-03 |
| CN1204663C (zh) | 2005-06-01 |
| DE60201369D1 (de) | 2004-11-04 |
| EP1248335A1 (en) | 2002-10-09 |
| US7011982B2 (en) | 2006-03-14 |
| EP1248335B1 (en) | 2004-09-29 |
| KR100473349B1 (ko) | 2005-03-08 |
| US6647042B2 (en) | 2003-11-11 |
| DE60201369T2 (de) | 2005-06-30 |
| CN1379517A (zh) | 2002-11-13 |
| KR20020077827A (ko) | 2002-10-14 |
| TW584889B (en) | 2004-04-21 |
| US20040121499A1 (en) | 2004-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7769069B2 (en) | Integrated semiconductor laser diode module and manufacturing method of the same | |
| US6677173B2 (en) | Method of manufacturing a nitride semiconductor laser with a plated auxiliary metal substrate | |
| JP4352337B2 (ja) | 半導体レーザおよび半導体レーザ装置 | |
| US20060088072A1 (en) | Semiconductor laser apparatus | |
| JP2000106473A (ja) | 半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法ならびに窒化物系半導体層の形成方法 | |
| JP2002299739A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3659621B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法 | |
| US8268659B2 (en) | Edge-emitting semiconductor laser chip | |
| JP2006228826A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP5948776B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| US20020064196A1 (en) | Semiconductor laser, method for fabricating thereof, and method for mounting thereof | |
| JP2004055611A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4148321B2 (ja) | 半導体レーザ装置及び製造方法 | |
| JP2002141611A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH07335975A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子 | |
| JP3932466B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPWO2007032268A1 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2008066447A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| EP1603204A1 (en) | Multi-wavelength semiconductor laser device and its manufacturing method | |
| JPH0846291A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP2000216476A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2009177058A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH09219562A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001244572A (ja) | 半導体レーザ発光装置の製造方法 | |
| JP2023107471A (ja) | 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090120 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090519 |