KR20020077827A - 질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

우수한 광학특성을 가지는 III족 질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 고도한 조립 정밀도가 요구되는 공정을 이용하지 않는다. III족 질화물 반도체레이저소자는 절삭부를 가진 기판을 포함한다. 다층체의 레이저 패시트(facet)는 기판의 절삭부 주변에 위치한다.

Description

질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조 방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 레이저소자, 특히 III족 질화물 반도체레이저소자에 관한 것이다.
레이저로서 동작시키기 위해서는, 한 쌍의 반사경들을 포함하는 광학 레이저 공동(cavity)이 필요하다. GaAs 등의 반도체결정재료를 이용한 반도체레이저소자(패브리페로 타입)(Fabry-Perot type)에서는, GaAs 결정으로 이루어지는 기판과 동시에 레이저구조를 포함하는 다층체를 절개하고 그 절개면을 레이저소자의 공동 미러로서 이용하고 있다.
III족 질화물로 형성되는 반도체레이저소자에서는, 기판으로서 통상 사파이어가 이용된다. 사파이어는 명료한 절개면을 갖지 않기 때문에, 절개에 의해 공동 미러를 형성할 수 없다. 따라서, 반응성 이온 에칭(RIE)등의 드라이 에칭에 의해 반도체 레이저 소자의 공동 미러가 형성된다.
사파이어는 화학적으로 매우 안정적이며 따라서 거의 에칭되지 않기 때문에, 드라이 에칭 공정 후에도 사파이어 기판(101)이 에칭되지 않고 남아있다. 결과적으로 도 1에 도시된 바와 같이 III족 질화물로 형성된 다층체(1O2)의 공동 미러(1O2')보다 외측으로 연장하는 테라스상 구조(테라스상 부분(103))(terrace portion)이 형성된다. 이 경우에, 레이저광(104)의 일부가 테라스상 부분(103)에 의해 반사되기 때문에, 원시야패턴(far-field pattern)은 단일 스폿이 아니라 복수의 스폿으로서 형성된다. 따라서, 상기 반도체레이저소자(100)는, 특히 광 메모리소자용 광원으로는 사용할 수 없었다.
이 문제를 극복하도록, 크게 절개할 수 있는 기판에 다층체를 이송하고 그 샘플을 절개함으로써 공동 미러를 형성하는 방법이 제안되었다. 구체적으로, 사파이어 기판 상에 다층체를 형성하고, 이 다층체를 크게 절개할 수 있는 캐리어 기판에 접합시킨다. 상기 다층체로부터 사파이어 기판을 제거한 후, 상기 다층체를 캐리어 기판을 따라 절개함으로써, 공동 미러로서 작용하는 절개된 면을 가진 레이저 소자를 얻는다.
상기한 종래의 반도체레이저소자(1O0)의 제조공정에서는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 함께 접합되는 캐리어기판(105)과 다층체(102) 사이에 약간의 어긋남이 있는 경우에도, 캐리어기판(105)의 절개면(105')이 다층체(102)의 공동 미러(102') 넘어로 "테라스" 형상으로 부분적으로 연장된다. 이 경우, 공동 미러(102')에 스퍼터링 기술에 의해 유전체 미러 적층이 형성되더라도, 테라스상 부분(103')으로 인해 코팅막 두께가 변화하기 때문에 충분히 높은 반사율을 얻을 수 없다. 그 결과, 레이저소자로서의 발광특성이 충분히 얻어지지 않게 된다. 또한, 상기한 바와 같이, 테라스상 부분(103)'에 의해 빔의 일부가 반사되어, 원시야패턴의 멀티화를 야기하게 됨으로써, 실용상의 문제도 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은 우수한 발광특성을 가지는 III족 질화물 반도체레이저소자 및 고도한 조립 정밀도가 요구되는 공정을 이용하지 않는 상기 반도체레이저소자의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체레이저소자는 복수의 III족 질화물 반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, O≤y≤1) 결정층으로 이루어지는 다층체 및 용이하게 절개될 수 있는 기판을 포함하고, 상기 다층체 및 기판이 서로 접합되어 있는 질화물 반도체레이저소자로서, 상기 기판이 상기 다층체의 레이저 패시트 주변에 적어도 절삭부를 갖는다.
본 발명에 따른 III족 질화물 반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, O≤y≤1)로 된 복수의 순차 적층된 결정층들인 다층체를 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 상기 다층체를 적층함에 의해 레이저 웨이퍼를 형성하는 웨이퍼형성 공정, 제 2 기판 상에 절삭부를 형성하는 절삭부 형성 공정, 상기 다층체 상에 상기 절삭부가 형성되어 있는 상기 제 2 기판의 표 면을 정렬하여 접합시키는 접합 공정, 상기 레이저 웨이퍼로부터 상기 제 1 기판을 제거하는 공정, 및 상기 제 2 기판 및 다층체를 포함하는 접합체를 절개함에 의해 공동 미러를 형성하는 절개 공정을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 III족 질화물반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, 0≤y≤1)로 된 복수의 순차 적층된 결정층들인 다층체를 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법은 제 1 기판 상에 다층체를 적층함에 의해 레이저웨이퍼를 형성하는 웨이퍼형성 공정, 상기 다층체 상에 제 2 기판을 접합시키는 접합 공정, 상기 다층체로부터 상기 제 1 기판을 제거하는 공정, 상기 제 2 기판 및 다층체로 된 접합체를 절개함에 의해 공동 미러를 형성하는 절개 공정, 및 상기 제 2 기판의 일부를제거하는 에칭 공정을 포함한다.
도 1은 사파이어 기판 상에 형성된 종래의 질화물 반도체소자에 있어서의 레이저 패시트 주변을 나타내는 부분 확대 단면도,
도 2는 종래의 웨이퍼 이송 방법에 의해 형성된 질화물 반도체소자를 나타낸 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 질화물 반도체소자를 나타낸 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 레이저웨이퍼의 단면도,
도 5는 본 발명에 따른 레이저웨이퍼의 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 캐리어기판의 사시도,
도 7은 본 발명에 따라 레이저웨이퍼와 캐리어기판을 접합시킨 접합체를 나타낸 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 다른 질화물 반도체소자를 나타낸 사시도,
도 9는 본 발명에 따른 또 다른 질화물 반도체소자를 나타낸 사시도,
도 10은 도 9의 질화물 반도체소자의 레이저 패시트 주변을 나타낸 부분 확대 단면도, 및
도 11은 본 발명에 따른 또 다른 질화물 반도체소자를 나타낸 사시도이다.
이하, 본 발명에 따른 질화물반도체레이저소자, 특히 III족 질화물로 형성된, 질화물반도체레이저소자의 실시예들을 첨부 도면들을 참조하여 설명한다.
(실시예 1)
도 3에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 III족 질화물반도체레이저소자(1a)는 III족 질화물로 형성된 다층체(2)를 캐리어기판(3) 상에 접착층(4)에 의해 접착시킨 구조를 갖고 있다. 상기 다층체(2)는 도파로(5)를 가지며, 한 쌍의 평행한 공동 미러(2')가 제공된다. 상기 다층체(2)의 도파로(5)는 캐리어기판(3)에 형성된 절삭부(6)의 개방부와 대향하게 배치되며, 상기 절삭부는 오목한 단면을 가진다. 상기 절삭부(6)는 도파로(5)를 따라 캐리어기판(3)의 대향하는 면들(3',3') 사이를 길이방향으로 연장하지 않고; 그 대신에 레이저 패시트의 주변만을 소자의 내측을 향해 캐리어기판(3)을 절단하여 형성할 수 있다. 즉, 레이저소자(1a)의 공동 미러(2')로부터 레이저광(7)이 출사하기 때문에, 레이저광의 출사 단부 주변의 테라스 상 부분(8)이 제거되어 있으면, 레이저광(7)의 반사를 방지할 수 있다.
또한, 레이저 패시트가 절삭부(6)의 개방부 주변에 위치하고 있다면, 상기 도파로(5)는 리지 스트라이프 구조, 내부 스트라이프 구조, 또는 콘택트 스트라이프 구조 등의 형태로 될 수 있다.
이하, 상기한 바와 같은 반도체레이저소자의 제조 방법에 대해 설명한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 사파이어 c-면 기판(10)상에 GaN 등의 복수의 질화물 결정층으로 된 질화물 다층체(2)를 MOCVD법 등에 의해 형성하여 레이저웨이퍼를 얻는다. 구체적으로, 상기 다층체(2)는 GaN으로 이루어지는 저온 버퍼층(11), Si를 도핑하여 n형 도전성을 부여한 n-GaN 하지층(12), n-AlGaN 클래드층(13), n-GaN 가이드층(14), 서로 적층되는 상태로 Iny1Ga1-y1N(y1= 0.08,두께 30Å)/Iny2Ga1-y2N(y2=0.01,두께 60Å)을 5층 적층시킨 다중양자웰(MQW) 활성층(15), 마그네슘을 도핑하여 p형 도전성을 부여한 p-AlGaN 전자배리어층(16), p-GaN 가이드층(17), p-AlGaN 클래드층(18) 및 p-GaN 콘택트층(19)을 순차 적층한 것이다.
다음, 드라이에칭법을 이용하여, 다층체(2)의 p-GaN 가이드층(17), p-AlGaN 클래드층(18) 및 p-GaN 콘택트층(19) 부분에 리지(5)를 형성한다. 이 리지(5)는 레이저소자로의 주입전류를 제한하고 실효 굴절율 분포를 형성함에 의해 도파로를 형성한다. 또한, 상기 도파로는 내부 스트라이프 구조, 또는 콘택트 스트라이프 구조 등의 공지의 다른 구조로 될 수 있다. 후속 공정에서 리지(5)에 대하여 절개를 행하고 절개된 면을 공동 미러로서 이용하기 때문에, 리지(5)의 연장 방향은 다층체(2)를 형성하는 III족 질화물의 절개면의 법선 방향(즉, 도 4에서의 지면(紙面)의 법선 방향; 도 3도 함께 참조바람)에 대응하게 된다. 구체적으로, III족 질화물 반도체의 절개면(1-100)으로 절개를 행하고, 그 절개 면을 공동 미러로서 이용하기 때문에, 리지(5)는 (1-1OO)의 법선방향, 즉 <1-100>을 따라 연장되도록 형성된다. 또한, III족 질화물 결정의 다른 절개면(11-2O)에 대한 법선 방향, 즉<11-20> 방향을 따라 리지(5)가 형성될 수 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 상기 다층체의 표면에는 오믹 전극(20)으로서 Ni 및 Au를 형성하고, 또한 그 위에 캐리어기판(3)과의 접착을 위한 Sn 및 Au로 이루어지는 접착층(4)을 형성한다. 상기 접착층(4)의 재료로는, Ni, In, Pd, Sn 및 Au 등의 금속, 또는 이 금속들의 합금, 예컨대 In-Pd 및 Au-Sn이 포함된다.
도 6에 나타낸 바와 같이, p-GaAs로 이루어지는 캐리어기판(3)의 표면상에도 오믹 전극(20')으로서 Cr 및 Au를 형성하고, 또한 그 위에 Sn 및 Au로 이루어지는 접착층(4')을 형성한다. 상기 캐리어기판(3)에는, 절개면(1-100)에 대하여 법선 방향, 즉 <1-100> 방향으로 다이싱에 의해 오목한 단면을 가진 절삭부(6)를 형성한다. 상기 접착층(4')은, 상기한 바와 같은 접착층(4)과 동일한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 캐리어기판(3)은 용이하게 절개할 수 있는 재료, 예컨대 Si, InP, AlN으로 형성될 수 있다.
다음, 도 7에 나타낸 바와 같이, 다층체(2)의 접착층(4)이 캐리어기판(3)의 접착층(4')상에 접착된다. 이 접착 공정은, 다층체(2)의 리지(5)를 GaAs 캐리어기판(3)의 절삭부(6)와 정렬시킨 상태로 실행된다.
상기 다층체(2) 및 캐리어기판(3)을 가압하면서 접착층(4,4')이 용융하는 온도인 300℃ 정도로 가열하면, 다층체(2) 및 캐리어기판(3)이 접착되어 함께 결합된다. 상기 다층체(2)의 접착층(4)의 재료는 캐리어기판(3)의 접착층(4')의 재료와 다르게 될 수 있다. 예컨대, 가열에 의해 함께 융착될 수 있는 2개 이상의 금속, 예컨대 In과 Pd, 또는 Sn과 Au로 분리하여 형성될 수 있다.
다음, n-GaN 하지층(12)은 사파이어 기판을 통해 집광 렌즈에 의해 집속되는 YAG 레이저의 4배파(266nm)로써 조사된다. 사파이어, 즉 기판은 이 파장의 광에 대해 거의 투명하다. 한편, 질화 갈륨의 흡수단이 365nm 이기 때문에, 하지층(12)에 의해 흡수되는 광은 얼마 안되는 침투 깊이를 가진다. 또한, 사파이어 기판(10)과 하지층(12)을 형성하는 GaN 결정 사이에는 큰 격자 부정합(약 15%)이 있기 때문에, 사파이어 기판(10) 주변에서는 GaN의 결정결함밀도가 높고, 그 결과 흡수된 광이 대부분 열로 변환된다. 따라서, 레이저광의 조사에 의해 하지층(12)과 사파이어 기판(10) 사이의 계면 주변에서의 온도가 급격히 상승하여, GaN을 갈륨과 질소로 분해하게 된다. 또한, 상기 조사된 광은, 상기한 바와 같이 기판, 즉 사파이어에 대해서는 투명하고, 질화 갈륨에 의해 흡수되는 것이면 YAG 레이저 이외의 것이라도 이용될 수 있다. 이러한 광에는 KrF 엑시머 레이저(248nm) 등이 있다.
레이저광 조사 후, 접합체는 갈륨의 융점 온도(30도)이상으로 가열되어 사파이어 기판(1O)을 다층체(2)로부터 제거할 수 있다.
다음에, 상기 접합체를 리지(5)의 연장 방향에 수직한 절개면으로 절개한다. 이로써, 다층체(2)의 절개면(1-100) 또는 (11-20)을 공동 미러로서 가진 레이저소자를 얻을 수 있다.
질화물 다층체(2)의 절개면과 캐리어기판(3)의 절개면이 접합 공정 중에 약간 어긋나는 경우에도, 레이저 패시트 주변에는, 캐리어기판(3)의 절삭부가 있기 때문에, 상기한 바와 같은 테라스상 부분(8)이 형성되지 않는다. 따라서, 충분히 높은 반사율을 가진 유전체 다층막을 형성할 수 있고, 또한 출사 빔이 다중화되는문제도 방지할 수 있다. 또한, 다른 공정에 대해서는, 종래의 반도체레이저소자의 제조 방법과 동일하므로 여기에서는 설명하지 않는다.
(실시예 2)
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 III족 질화물 반도체레이저소자(1b)는, 상기 실시예 1의 반도체레이저소자에서와 같이, III족 질화물로 형성된 다층체(2)와 GaAs 캐리어기판(3)을 접착층(4)에 의해 접합시킨 구조를 갖지만, GaAs 캐리어기판(3)의 에지부(3a)는 다층체(2)의 공진기면(2')을 따라 절삭되어 있다. 이 경우에도, 레이저 패시트(7') 주변에 GaAs 캐리어기판(3)의 테라스상 부분이 존재하지 않기 때문에, 테라스상 부분에 의한 문제를 방지할 수 있다.
본 실시예의 경우의 제조방법에 있어서는, GaAs 캐리어기판(3)의 절개면(3')에 평행한 방향으로 절삭부(6)를 형성한다. 다층체(2)의 절개면과 GaAs 캐리어기판(3)의 절개면을 대략 평행하게 되도록 결정 방향을 설정하여 상기 다층체(2)와 캐리어기판(3)을 접합시킨 접합체를 형성한 후, 상기 접합체에서 사파이어 기판을 제거한다. 그리고 절삭부(6)를 따라 절개함으로써 레이저소자(1b)가 얻어진다. 다른 공정들은 실시예 1과 동일하기 때문에 설명하지 않는다.
(실시예 3)
도 9 및 도 1O에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 다른 III족 질화물 반도체레이저소자(1c)에서는, GaAs 캐리어기판(3)이 III족 질화물로 된 다층체(2)의 공동 미러(2')보다 더 소자의 안쪽방향으로 에칭 제거된 구조를 갖고 있다.
본 실시예의 경우의 제조방법에 있어서는, 상기 실시예 1 및 2와 다르게, GaAs 캐리어기판(3)에 오목한 절삭부(6)를 제공하지 않고 접합 공정을 실행한다. 절삭부(6)를 형성하지 않는 것 이외는, 절개에 의해 공동 미러를 형성하는 공정까지는 상기 실시예 1 및 2와 동일하다.
이 경우, 절개 공정까지에서, 다층체(2)의 절개면과 GaAs 캐리어기판(3)의 절개면이 조금이라도 어긋나 있는 경우에는, 레이저 패시트 주변의 캐리어기판(3)에 부분적으로 테라스상 부분이 형성된다. 이 테라스상 부분을 제거하도록, 다층체(2)를 구성하는 III족 질화물보다 캐리어기판(3)의 재료인 GaAs에 대하여 빠른 에칭속도를 갖는 에천트를 사용하여 에칭을 행한다. 구체적으로는, 황산, 과산화 수소, 및 물을 4:1:1로 혼합한 용액을 사용하지만, 혼합비 등을 변화시켜 에칭속도를 조정하는 것이 바람직하다. 이러한 에칭에 의해, GaAs 캐리어기판(3)이 우선적으로 에칭되어, GaAs 캐리어기판(3)이 다층체(2)의 공동 미러(2')보다 더 소자의 안쪽방향으로 제거되어 진다(특히, 도 10 참조). 이 경우에도, 캐리어기판(3)의 테라스상 부분이 존재하지 않기 때문에 테라스상 부분에 의해 야기되는 문제를 방지할 수 있다.
(실시예 4)
도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 또 다른 III족 질화물 반도체레이저소자(1d)에서는, 상기 실시예 1의 반도체레이저소자(1a)의 캐리어기판(3)도 레이저구조를 가지도록 개조된 경우이다. 즉, 반도체레이저소자(1d)는 다층체(2a)의 리지(5a)와 다른 위치의, 제 2 다층체(2b)(실시예 1의 캐리어기판(3)에 대응함)측에도 리지(5b)를 가진다. 상기 리지(5b)도 제 2 다층체(2b)의 절개면의 법선 방향으로 연장한다.
또한, 리지(5b)의 최상부 주변에서는, 다층체(2a)가 리지(5b)의 연장 방향(C)으로 오목한 단면으로 절삭되어 있고, 그 결과 리지(5b)의 최상부는 다층체(2a)에 접하지 않게 된다.
2개의 다층체(2a,2b)가 서로 다른 파장의 레이저광을 방사하는 경우, 반도체레이저소자(1d)는 2파장 레이저 다이오드로서 작용한다. 예컨대, 제 2 다층체(2b)는, AlGaAs계 레이저, GaAs계 레이저, AlInP계 레이저 및 InP계 레이저 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 따르면, 고도한 조립 정밀도가 요구되는 공정을 이용하지 않고 고품질 공동 미러를 재현성 양호하게 얻을 수 있다. 따라서, 생산제품 수율을 크게 개선함과 동시에, 광 메모리 소자용 광원 등에도 사용 가능한 뛰어 난 발광특성을 가지는 질화물 반도체레이저소자를 얻을 수 있게 된다.

Claims (17)

  1. 복수의 III족 질화물 반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, O≤y≤1) 결정층을 포함하는 다층체 및 크게 절개될 수 있는 기판을 포함하는 질화물 반도체레이저소자로서, 상기 다층체 및 기판이 서로 접합되어 있고 상기 기판은 상기 다층체의 레이저 패시트 주변에 적어도 절삭부를 가지는 질화물 반도체레이저소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다층체의 절개면이 상기 기판의 절개면에 대해 실질적으로 평행한 질화물 반도체레이저소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 절삭부는 상기 레이저소자의 도파로를 따라 제공된 오목한 홈인 질화물 반도체레이저소자.
  4. 제 1 항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 전기적으로 도전성재료로 이루어지는 질화물 반도체레이저소자.
  5. 제 1 항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 레이저구조를 가지는 제 2 다층체를 포함하고, 상기 다층체는 상기 제 2 다층체의 레이저 패시트 주변에 위치한 제 2 절삭부를 가지는 질화물 반도체레이저소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 절삭부는 상기 제 2 다층체의 레이저소자의 도파로를 따라 제공된 오목한 홈인 질화물 반도체레이저소자.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 절삭부는 상기 기판의 절개면에 대해 실질적으로 평행하게 형성되어 있는 질화물 반도체레이저소자.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 기판은 전기적으로 도전성재료로 이루어지는 질화물 반도체레이저소자.
  9. III족 질화물 반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, O≤y≤1)로 된 복수의 순차 적층된 결정층들인 다층체를 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법으로서,
    제 1 기판 상에 상기 다층체를 적층함에 의해 레이저 웨이퍼를 형성하는 웨이퍼형성 공정;
    제 2 기판 상에 절삭부를 형성하는 절삭부 형성 공정;
    상기 다층체 상에 상기 절삭부가 형성되어 있는 상기 제 2 기판의 표 면을 정렬하여 접합시키는 접합 공정;
    상기 레이저 웨이퍼로부터 상기 제 1 기판을 제거하는 공정; 및
    상기 제 2 기판 및 다층체를 포함하는 접합체를 절개함에 의해 공동 미러를 형성하는 절개 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 접합 공정은 상기 다층체의 절개면을 상기 제 2 기판의 절개면에 대해 실질적으로 평행하게 정렬하는 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 절삭부 형성 공정은 상기 제 2 기판의 절개면에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 상기 절삭부를 형성하는 공정인 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 접합 공정은 상기 다층체의 레이저 패시트 주변에 상기 기판의 상기 절삭부가 위치하도록 상기 제 2 기판과 다층체를 접합하는 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  13. 제 9 항에 있어서, 상기 절삭부 형성 공정은 상기 제 2 기판의 절개면에 대해 실질적으로 평행하게 상기 절삭부를 형성하는 공정인 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 절개 공정은 상기 절삭부에서 상기 접합체를 절개하는 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  15. III족 질화물반도체(AlxGa1-x)1-yInyN(0≤x≤1, 0≤y≤1)로 된 복수의 순차 적층된 결정층들인 다층체를 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법으로서,
    제 1 기판 상에 다층체를 적층함에 의해 레이저웨이퍼를 형성하는 웨이퍼형성 공정;
    상기 다층체 상에 제 2 기판을 접합시키는 접합 공정;
    상기 다층체로부터 상기 제 1 기판을 제거하는 공정;
    상기 제 2 기판 및 다층체를 포함하는 접합체를 절개함에 의해 공동 미러를 형성하는 절개 공정; 및
    상기 제 2 기판의 일부를 제거하는 에칭 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 접합 공정은 상기 다층체의 절개면을 상기 제 2 기판의 절개면에 대해 실질적으로 평행하게 정렬하는 공정을 포함하는 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
  17. 제 15 항에 있어서, 상기 에칭 공정은 상기 다층체를 형성하는 재료보다 상기 제 2 기판을 형성하는 재료에 대해 더 빠른 에칭속도를 갖는 에천트를 사용하여 에칭을 행하는 공정인 질화물 반도체레이저소자의 제조방법.
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