JPWO2005055383A1 - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

量産性等に優れた多波長半導体レーザ装置の製造方法を提供する。半導体基板ＳＵＢ１上に多層体から成る第１のレーザ発振部１ａと金属の接着層とを形成した第１の中間生成体と、支持基板上に第１のレーザ発振部１ａより小形の多層体から成る第２のレーザ発振部２ａとそれに隣接する溝とを形成して金属から成る接着層を形成した第２の中間生成体とを作製し、導波路１ｂ，２ｂを近接させて第１，第２の中間生成体の接着層同士を融着させ、一体化した接着層ＣＮＴを生じさせることによって、第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａを固着させた後、第２のレーザ発振部２ａから支持基板を剥離することにより、接着層ＣＮＴを部分的に露出させ、該露出した接着層ＣＮＴを共通電極とした半導体レーザ装置ＬＤを製造する。

Description

本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を放射する半導体レーザ装置の製造方法に関する。
デジタル放送やブロードバンドの普及により、大量のデジタルコンテンツが家庭等に溢れる時代を目前に控え、さらなる情報記録の高密度化が求められている。光ディスクストレージシステムにおいては、波長７８０ｎｍの光を用いた容量７００ＭＢのＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）から波長６５０ｎｍの光を用いた容量４．７ＧＢのＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）へと高密度化が進められてきた。さらに最近になり、容量２０ＧＢを超える光ディスクシステムが波長４０５ｎｍの光を用いて実現されている。
このような高密度記録システムにおいても、これまでに広く普及したＤＶＤに対してコンパチビリティを持たせる必要があるため、ピックアップには波長６５０ｎｍのレーザも併せて搭載する必要がある。
複数の波長に対応したピックアップでは、その小型化、軽量化のために２波長集積レーザが望まれているが、波長４０５ｎｍ帯のレーザを実現するＧａＮ系半導体と波長６５０ｎｍ帯のレーザを実現するＡｌＧａＩｎＰ系半導体では物性が大きく異なるため、同一基板上へのモノリシック集積を行うことができない。そのため、ハイブリッド構造による２波長集積レーザが提案されている（特許文献１：特開２００１−２３０５０２号公報、特許文献２：特開２０００−２５２５９３号公報、特許文献３：特開２００２−１１８３３１号公報）。
特許文献１（特開２００１−２３０５０２号公報）の２波長集積レーザは、第１の基板を有する短波長（例えば、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を放射する第１の発光素子と、第２の基板を有する長波長（例えば、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を放射する第２の発光素子を支持基板（いわゆるサブマウント）上に重ねて取り付けることで、ハイブリッド構造の半導体レーザ装置が実現されている。
ここで、第１の発光素子は、第１の基板の支持基板側に発光部が位置するように支持基板上に取り付けられており、更に第２の発光素子は、第２の基板の第１の発光素子側に発光部が位置するように第１の発光素子上に取り付けられている。
特許文献２（特開２０００−２５２５９３号公報）に開示されているハイブリッド構造の半導体レーザ装置は、第１のレーザ部のｐ電極とｎ電極に、第２のレーザ部のｎ電極とｐ電極を夫々融着金属を介して電気的に貼り合わせた後、第１のレーザ部側の基板を除去した構造とすることによって、第１のレーザ部と第２のレーザ部とで波長の異なるレーザ光を放射するようにしている。
特許文献３（特開２００２−１１８３３１号公報）に開示されているハイブリッド構造の半導体レーザ装置は、第１の半導体発光素子と第２の半導体発光素子を直接貼り合わせることで、ハイブリッド構造の半導体レーザ装置が実現されている。ここで、この貼り合わせ面側から電流を供給するために、一方の半導体発光素子を部分的にエッチングすることによってコンタクト層を露出させ、該コンタクト層から電流を注入するようにしている。
ところで、特許文献１の半導体レーザ装置は、上述したように、支持基板上に第１の発光素子と第２の発光素子を重ねて取り付ける構造となっているが、この構造の場合に第１の発光素子と第２の発光素子の重ね合わせ面への電流注入を可能とするためには、それぞれを個別の半導体チップとして製造した後、チップ化された第１の発光素子と第２の発光素子を支持基板上に重ねて取り付けることが必須となる。
２波長集積レーザを光ディスクのピックアップ用光源として用いる場合には、その２つの発光点間隔を高精度（±１μｍ以下）で制御する必要があるが、チップの状態での位置合わせでは、発光点間隔や放射方向を高精度に制御することは困難である。また全てのチップ毎に位置合わせを行う必要があるため生産性も悪くなる。
また、特許文献１の半導体レーザ装置は、支持基板上に第１の発光素子の発光部が近接して取り付けられ、第１の発光素子に備えられている第１の基板上に、第２の発光素子の発光部が近接して取り付けられている。
しかし、この構造によると、第１の発光素子と第２の発光素子との間に、厚さの大きな第１の基板が介在することとなり、上述の特許文献１にも記載されているように、その第１の基板（ＧａＮ基板）は通常１００μｍ程度の厚さを有しているため、第１の発光素子の発光部（発光点の位置）と第２の発光素子の発光部（発光点の位置）とが大きく離れてしまうという問題がある。
このため、例えば、ピックアップにこの半導体レーザ装置を搭載して、情報記録又は情報再生を行う場合、ピックアップを構成している光学系の光軸に対して第１の発光部の放射位置（発光点の位置）を光軸合わせすると、第２の発光部の放射位置が光学系の光軸から大きくずれることとなり、収差等の発生原因となってしまう。
このような光軸ずれによる悪影響は、光ピックアップにプリズム等の光学素子を追加することにより解消することができるが、部品点数、コストの増加等の問題が生じる。
特許文献２の半導体レーザ装置では、第１のレーザ部のｐ，ｎ電極と第２のレーザ部のｎ，ｐ電極とが融着金属を介してそれぞれ電気的に接続されているため、第１のレーザ部を発光させるべく、融着金属を通じて第１のレーザ部に対し順方向に駆動電力を供給すると、第２のレーザ部は逆バイアスの状態、第２のレーザ部を発光させるべく、融着金属を通じて第２のレーザ部に対し順方向に駆動電力を供給すると、第１のレーザ部は逆バイアスの状態となる。
このため、第１のレーザ部又は第２のレーザ部の一方を発光させると、他方のレーザ部に逆バイアスがかかり、逆方向耐圧や逆方向リーク電流の問題が生じる。
特許文献３の半導体レーザ装置では、第１の半導体発光素子と第２の半導体発光素子とを直接貼り合わせることにより、２つの半導体レーザの集積を行うため、少なくともどちらか一方が、表面に凹凸を有する半導体発光素子（例えばリッジストライプ型半導体レーザ）の場合には、発光点に近い側の面同士を貼り合わせることができず、発光点間隔を小さくすることができない。また、特許文献３の半導体レーザ装置では、２つのレーザウェハを貼り合わせた後にＡｌＧａＩｎＰ系レーザ側をＧａＡｓ基板も含めて部分的にエッチングしてＧａＡｓコンタクト層を露出させるが、エッチング前の状態でコンタクト層直上に位置する電流狭窄層もＧａＡｓであるため、ＧａＡｓコンタクト層でエッチングをストップさせるのは非常に困難である。さらに、貼り合わせ面側から電流を供給するには、コンタクト層に面内方向から電流を流す必要があるが、コンタクト層はＧａＡｓ等の半導体で構成されるため、電流の流入経路における電気抵抗が大きくなるという問題がある。
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたものであり、波長の異なる複数のレーザ光を放射すると共に、発光点間隔が小さく、電気的特性に優れ且つ機械的精度の高い半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
また、波長の異なる複数のレーザ光を放射すると共に、発光点間隔が小さく、電気的特性に優れ且つ機械的精度の高い半導体レーザ装置を量産性良く製造するための製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため請求項１に記載の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を放射する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体基板上に、第１のレーザ発振部を形成するための半導体を有する第１の多層体を形成するステップを含む、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、支持基板上に、第２のレーザ発振部を形成するための半導体から成る第２の多層体を形成するステップと、前記第２の多層体に溝を形成するステップとを含む、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面と前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面を、導電性の接着層を介して固着することにより貼合体を作製する第３の工程と、前記貼合体の前記支持基板側から前記第２の多層体に光を照射して、前記支持基板と前記第２の多層体を分離する第４の工程と、を有することを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記光は、前記支持基板を透過し、前記支持基板との界面近傍の前記第２の多層体で吸収される光であることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を放射する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体基板上に、第１のレーザ発振部を形成するための半導体を有する第１の多層体を形成するステップを含む、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、支持基板上に、少なくとも光吸収層を含む層を形成するステップと、前記光吸収層上に第２のレーザ発振部を形成するための半導体から成る第２の多層体を形成するステップと、前記第２の多層体に溝を形成するステップとを含む、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面と前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面を、導電性の接着層を介して固着することにより貼合体を作製する第３の工程と、前記貼合体の前記支持基板側から前記光吸収層に光を照射することによって前記光吸収層を分解し、前記分解した光吸収層に沿って少なくとも前記支持基板を剥離する第４の工程と、を有することを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記第２の工程において、前記溝を前記第２の多層体の表面から前記光吸収層までの深さよりも深く形成することを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項３又は４に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記光は、前記支持基板を透過し、前記光吸収層で吸収される光であることを特徴とする。
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記第１の工程又は前記第２の工程の少なくとも一方は、前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面又は前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面の少なくとも一方に前記接着層を形成する工程を含むことを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記第１の多層体は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、又はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を有し、前記第２の多層体は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）から成る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を有することを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法であって、前記接着層は、金属であることを特徴とする。
第１の実施形態により作製される半導体レーザ装置の構造を模式的に表した図である。 第１の実施形態の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 第２の実施形態により作製される半導体レーザ装置の構造及びその製造方法を模式的に表した図である。 第１の実施例により作製される半導体レーザ装置の構造を模式的に表した図である。 第１の実施例の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 更に図４に示した半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 更に図４に示した半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 第２の実施例の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 更に第２の実施例の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。 更に第２の実施例の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。
以下、発明を実施するための最良の形態として、第１，第２の実施形態について図面を参照して説明する。
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態を図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態の製造方法により作製される半導体レーザ装置の外部構造を表した斜視図、図２は、本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。
図１において、本実施形態により作製される半導体レーザ装置ＬＤは、波長の異なるレーザ光を放射する第１の発光素子１と第２の発光素子２とを備え、金属から成る接着層ＣＮＴの融着等によって、第１，第２の発光素子１，２が一体に固着されている。
第１の発光素子１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばＧａＡｓ）から成る半導体基板ＳＵＢ１と、半導体基板ＳＵＢ１上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体またはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体から成る第１の多層体によって形成された第１のレーザ発振部１ａと、第１のレーザ発振部１ａの半導体基板ＳＵＢ１とは反対側の面に形成されたストライプ状の導波路１ｂと、導波路１ｂ以外の領域を絶縁被覆する絶縁膜１ｃと、導波路１ｂに電気的に接続され且つ絶縁膜１ｃ上の全面に形成されたオーミック電極層１ｄと、半導体基板ＳＵＢ１の裏面に形成されたオーミック電極層Ｐ１とを有しており、第１のレーザ発振部１ａから所定波長のレーザ光が放射される。
第２の発光素子２は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）である窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る第２の多層体によって形成された第２のレーザ発振部２ａと、第２のレーザ発振部２ａの接着層ＣＮＴ側の面に形成されたストライプ状の導波路２ｂと、導波路２ｂ以外の少なくとも接着層ＣＮＴ側に面した領域を絶縁被覆する絶縁膜２ｃと、導波路２ｂに電気的に接続され且つ絶縁膜２ｃの接着層ＣＮＴ側に面した領域に形成されたオーミック電極層２ｄと、第２のレーザ発振部２ａの表面に形成されたオーミック電極層Ｐ２とを有しており、第２のレーザ発振部２ａから所定波長のレーザ光が放射される。
そして、後述の製造方法において説明するように、第１の発光素子１を形成するためのウェハ状の中間生成体１００と、第２の発光素子２を形成するためのウェハ状の中間生成体２００とを予め作製し、中間生成体１００に形成したオーミック電極層１ｄと中間生成体２００に形成したオーミック電極層２ｄとを接着層ＣＮＴによって固着することで、中間生成体１００，２００とが一体化した貼合体を作製した後、該貼合体に所定の加工を施して劈開することによって、第２の発光素子２の形成領域に比して第１の発光素子１の占有面積の方が大きく（別言すれば、第１の発光素子１に比して第２の発光素子２の方が小形で）、且つ接着層ＣＮＴが第１の発光素子１の全面に形成されることで、第２の発光素子２の形成領域以外の領域で露出し、該露出した接着層ＣＮＴがコモンアノードとして機能する構造を有する半導体レーザ装置ＬＤが形成されている。
更に、第１のレーザ発振部１ａには、上記第１の多層体によってＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体またはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体から成る歪量子井戸構造の活性層とその活性層を挟むようにして積層されたクラッド層とを有する二重ヘテロ構造（ＤＨ）が構成されており、更に導波路１ｂの長手方向の両側において第１のレーザ発振部１ａを劈開することにより形成された劈開面によってレーザ共振器が構成されている。
第２のレーザ発振部２ａには、上記第２の多層体によって窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る多重量子井戸構造の活性層とその活性層を挟むようにして積層されたクラッド層とを有する二重ヘテロ構造（ＤＨ）が構成されており、更に導波路２ｂの長手方向の両側において第２のレーザ発振部２ａを劈開することにより形成された劈開面によってレーザ共振器が構成されている。
かかる構造を有する半導体レーザ装置ＬＤにおいて、接着層ＣＮＴの露出部Ｐｃとオーミック電極層Ｐ１間に駆動電流を供給すると、その駆動電流が導波路１ｂを通じて第１のレーザ発振部１ａ中の上述の活性層に流入することで光が発生し、その光が上述のレーザ共振器内でキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、第１のレーザ発振部１ａに形成されている劈開面から所定波長（例えば、６５０ｎｍ）のレーザ光が放射される。
また、接着層ＣＮＴの露出部Ｐｃとオーミック電極層Ｐ２間に駆動電流を供給すると、その駆動電流が導波路２ｂを通じて第２のレーザ発振部２ａ中の上述の活性層に流入することで光が発生し、その光が上述のレーザ共振器内でキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、第２のレーザ発振部２ａに形成されている劈開面から所定波長（例えば、４０５ｎｍ）のレーザ光が放射される。
次に、該半導体レーザ装置ＬＤの製造方法を図２を参照して説明する。同図（ａ）は第１の中間生成体１００、同図（ｂ）は第２の中間生成体２００の作製工程及び構造を夫々模式的に表した斜視図、同図（ｃ）〜同図（ｆ）は中間生成体１００，２００によって半導体レーザ装置ＬＤを製造する工程を模式的に表した斜視図である。また、図２（ａ）〜（ｆ）において、図１と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
図２（ａ）に示す第１の中間生成体１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ）から成るウェハ状の半導体基板ＳＵＢ１上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体又はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体から成る二重ヘテロ構造を有する第１の多層体Ｘ１ａを形成した後、ストライプ状の複数のリッジ導波路１ｂを所定のピッチ間隔で形成し、次に多層体Ｘ１ａの導波路１ｂ以外の領域を絶縁膜１ｃで絶縁被覆して、導波路１ｂに電気的に接続するオーミック電極層１ｄを絶縁膜１ｃ上に形成し、更に金属から成る接着層ＣＮＴ１を形成することによって作製されている。
図２（ｂ）に示す第２の中間生成体２００は、支持基板ＳＵＢ２としてのサファイア基板上に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体から成る二重ヘテロ構造を有する第２の多層体Ｙ２ａを形成した後、ストライプ状の複数のリッジ導波路２ｂを所定のピッチ間隔で形成し、次に多層体Ｙ２ａの各導波路２ｂ間の所定領域を所定の深さまでエッチングすることで、複数の台部と溝Ｒとが隣接した構造を有する多層体Ｙ２ａに加工し、更に多層体Ｙ２ａの各導波路２ｂ以外の領域を絶縁膜２ｃで被覆した後、導波路２ｂに電気的に接続するオーミック電極層２ｄと接着層ＣＮＴ２とを順次形成することによって作製されている。
更に、第１の中間生成体１００のリッジ導波路１ｂのピッチ間隔と、第２の中間生成体２００のリッジ導波路２ｂのピッチ間隔とが共に等しいピッチ間隔となっている。
次に、図２（ｃ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００に形成されているリッジ導波路１ｂ，２ｂを対向させて接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させ、密着した部分の接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２同士を融着させることによって、図１に示した一体化した接着層ＣＮＴを形成することにより、中間生成体１００，２００とが一体化した貼合体を作製する。
ここで、図２（ｂ）に示すように多層体Ｙ２ａの導波路２ｂをリッジ構造の導波路で形成した場合、接着層ＣＮＴ２の表面に凹凸が生じることとなるが、図２（ｃ）に示すように接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を金属の融着によって貼り合わせるので、上述の凹凸の影響を受けることなく、導波路１ｂ，２ｂを最適な間隔に近接させて位置合わせすることが可能である。
次に、図２（ｄ）に示すように、支持基板ＳＵＢ２を透過する所定波長（例えば、３６０ｎｍ以下）のレーザ光を照射する。
これにより、レーザ光は、支持基板ＳＵＢ２中で殆ど吸収されずに透過し、多層体Ｙ２ａには僅かな浸透深さで吸収される。更に、支持基板ＳＵＢ２と多層体Ｙ２ａの間に大きな格子不整合があることから、多層体Ｙ２ａにおいて支持基板ＳＵＢ２に接合している部分（以下「接合部近傍の部分」という）には極めて多くの結晶欠陥が存在する。このため、多層体Ｙ２ａの接合部近傍の部分においてレーザ光は殆ど熱に変換され、その接合部近傍の部分が急激に高温加熱されて分解する。そして、予め溝Ｒが形成されているため、溝Ｒに面している多層体Ｙ２ａの薄い部分がガスの力を受けて崩落等し、複数個の多層体Ｙ２ａが溝Ｒを境にして分割形成される。
次に、貼合体を所定の温度で加熱することによって、分割形成された各多層体Ｙ２ａと支持基板ＳＵＢ２との接合面の結合力を低下させ、その状態で支持基板ＳＵＢ２を剥離することによって、各多層体Ｙ２ａの表面と、溝Ｒに面した接着層ＣＮＴを露出させる。
次に、露出した各多層体Ｙ２ａの表面と接着層ＣＮＴの表面とを洗浄した後、図２（ｅ）に示すように、半導体基板ＳＵＢ１の裏面全体にオーミック電極層Ｐ１、各多層体Ｙ２ａの表面にオーミック電極層Ｐ２を夫々形成する。
次に、図２（ｆ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００全体を導波路１ｂ，２ｂの長手方向に対して直交する方向に沿って劈開すると共に、導波路１ｂ，２ｂの長手方向と平行な方向に溝Ｒの部分を劈開することによって、図１に示すような個々の半導体レーザ装置ＬＤを完成している。
以上説明したように本実施形態の製造方法及び該製造方法により作製される半導体レーザ装置ＬＤによれば、接着層ＣＮＴによって、第１，第２の発光素子１，２を複数個形成することが可能な中間生成体１００，２００をいわゆるウェハの状態で貼り合わせてから、劈開によって個々の半導体レーザ装置ＬＤを完成するので、導波路１ｂと２ｂの高精度での位置決めと、第１，第２の発光素子１，２の発光点間隔の最適化制御とを１回の貼り合わせによって行うことができ、量産性の向上を図ることができる。
また、接着層ＣＮＴに貼り合わされた第１，第２の発光素子１，２のオーミック電極層１ｄ，２ｄは共にｐ側電極となることから、接着層ＣＮＴは、オーミック電極層１ｄ，２ｄを通じて第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａに順バイアスの駆動電流を供給するためのコモンアノードとして機能する。このため、例えば駆動用電流源と接着層ＣＮＴとの間に１個のスイッチング素子を接続するだけで、該スイッチング素子を介して第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａに駆動電流を供給することが可能となる等、駆動回路の構成を簡素化することが可能となる。
また、接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ１間にのみ駆動電流を供給すれば第１の発光素子１のみを発光させ、接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ２間にのみ駆動電流を供給すれば第２の発光素子２のみを発光させ、更にまた、接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ１間、及び接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ２間に同時に駆動電流を供給すると、第１，第２の発光素子１，２を同時に発光させることができるため、極めて多様な使用形態を提供することができる。
また、特開２０００−２５２５９３号公報に記載されている多波長型の半導体レーザでは、一方のレーザ素子を駆動すると他方のレーザ素子が逆バイアスとなるため、逆方向耐圧を考慮する必要上、大電流で駆動することができず、更に逆方向リーク電流も存在するため消費電力が大きくなるという問題があるが、本実施形態により作製される半導体レーザ装置ＬＤでは、上述したように接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ１間、又は接着層ＣＮＴとオーミック電極層Ｐ２間に夫々独立に駆動電流を供給することで、第１，第２の発光素子１，２を独立に発光させることができる。このため、本実施形態により作製される半導体レーザ装置ＬＤによれば、第１，第２の発光素子１，２を夫々大電流で駆動することができると共に、逆方向リーク電流の問題がないことから、消費電力を低減することができる。
また、製造工程において、第１，第２の中間生成体１００，２００に形成した接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を貼り合わすことで一体化した接着層ＣＮＴを介して第１，第２の中間生成体１００，２００を一体に固着させるので、ストライプ状のリッジ構造を有する導波路１ｂ，２ｂを形成してオーミック電極層１ｄ，２ｄの夫々の表面に凹凸が生じても、導波路１ｂ，２ｂの対向間隔を狭くして容易に貼り付けることができる。このため、発光点間隔が非常に小さく且つ歩留りのよい半導体レーザ装置を実現することができる。
また、製造工程において、図２（ｂ）に示したように第２の中間生成体２００側に予め溝Ｒを形成しておくので、図２（ｃ）に示したように第１，第２の中間生成体１００，２００の接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を貼り合わせると、第１の中間生成体１００側の接着層ＣＮＴ１が溝Ｒに面して露出する。したがって、例えば上述の支持基板ＳＵＢ２の剥離後に個々の半導体レーザ装置に何らかの加工処理を施さなくとも、支持基板ＳＵＢ２を剥離するだけで接着層ＣＮＴ１をコモンアノードとして容易に露出させることができ、製造工程の簡素化等を実現することが可能である。
なお、以上に説明した本実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法では、第１の中間生成体１００に接着層ＣＮＴ１、第２の中間生成体２００に接着層ＣＮＴ２を形成し、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を接着することによって、第１，第２の中間生成体１００，２００を固着することとしているが、この製造方法に限定されるものではなく、第１の中間生成体１００又は第２の中間生成体２００の何れか一方に接着層を形成しておき、当該接着層を介して第１の中間生成体１００と第２の中間生成体２００を固着するようにしてもよい。
また、支持基板ＳＵＢ２としてサファイア基板を用いた場合について説明したが、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＧａＮ基板を用いるようにしてもよい。
〔第２の実施形態〕
次に、第２の実施形態を図３を参照して説明する。図３は、本実施形態の製造方法を模式的に表した図であり、図２と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
本実施形態により作製される半導体レーザ装置は、基本的に図１に示した半導体レーザ装置と同じ構造を有している。ただし、次に述べるように製造方法が異なっている。
すなわち、本製造方法を述べると、まず、図３（ａ）（ｂ）に示す第１の中間生成体１００と第２の中間生成体２００を予め作製する。ここで、図３（ａ）に示す第１の中間生成体１００は、図２（ａ）に示した中間生成体１００と同じ構造に作製する。
図３（ｂ）に示す第２の中間生成体２００については、図２（ｂ）に示した中間生成体２００とは異なり、支持基板ＳＵＢ２と第２のレーザ発振部２ａを形成するための多層体Ｙ２ａとの間に、後述の支持基板ＳＵＢ２を剥離する際に照射されるレーザ光を吸収する光吸収層ＳＴＰが予め形成されている。
より具体的には、図３（ｂ）において、支持基板ＳＵＢ２上に例えばｎ型ＧａＮ等から成る下地層２ａｂと、例えばＩｎＧａＮ等から成る光吸収層ＳＴＰとを積層し、その光吸収層ＳＴＰ上に、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成る二重ヘテロ構造を有する多層体Ｙ２ａを形成し、多層体Ｙ２ａにストライプ状の複数の導波路２ｂを第１の中間生成体１００の導波路１ｂと同じピッチ間隔で形成する。次に、多層体Ｙ２ａの各導波路２ｂ間の所定領域を少なくとも下地層２ａｂに到達する深さまでエッチングすることによって複数の溝Ｒを形成すると共に、多層体Ｙ２ａを複数個に分割する。次に、導波路２ｂ以外の表面領域に絶縁膜２ｃを形成した後、導波路２ｂ及び絶縁膜２ｃの表面全体にオーミック電極層２ｄを形成することによって、オーミック電極２ｄと導波路２ｄとを電気的に接続させ、更にオーミック電極層２ｄ上に接着層ＣＮＴ２を形成することによって、図３（ｂ）に示す第２の中間生成体２００を作製する。
次に、図３（ｃ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００に形成されている導波路１ｂ，２ｂを対向させて接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させ、密着した部分の接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２同士を融着させて一体化した接着層ＣＮＴを形成することによって、第１，第２の中間生成体１００，２００を一体に固着した貼合体を作製する。
次に、図３（ｄ）に示すように、支持基板ＳＵＢ２と下地層２ａｂを透過する所定波長のレーザ光を支持基板ＳＵＢ２の裏面側から照射する。これにより、レーザ光は支持基板ＳＵＢ２と下地層２ａｂ中を透過して光吸収層ＳＴＰに到達し、レーザ光によって光吸収層ＳＴＰが加熱分解されることにより、下地層２ａｂと第２のレーザ発振部２ａ間の結合力が低下する。
そこで、光吸収層ＳＴＰを境にして多層体Ｙ２ａから支持基板ＳＵＢ２を剥離することにより、下地層２ａｂと、溝Ｒに形成されている接着層ＣＮＴ２とオーミック電極層２ｄと絶縁膜２ｃとを支持基板ＳＵＢ２に付随させて取り除き、各多層体Ｙ２ａの表面と溝Ｒに面している接着層ＣＮＴとを露出させる。
次に、図３（ｅ）に示すように、半導体基板ＳＵＢ１の裏面全体にオーミック電極層Ｐ１、各多層体Ｙ２ａの表面にオーミック電極層Ｐ２を夫々形成した後、図３（ｆ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００全体を導波路１ｂ，２ｂの長手方向に対して直交する方向に沿って劈開すると共に、導波路１ｂ，２ｂの長手方向と平行な方向に溝Ｒの部分を劈開することにより、図１に示すような個々の半導体レーザ装置ＬＤを完成させている。
以上説明したように本実施形態の製造方法及び該製造方法により作製される半導体レーザ装置ＬＤによれば、上述した第１の実施形態と同様の効果が得られる他、製造工程において、第２の中間生成体２００側に予め光吸収層ＳＴＰを形成しておき、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から所定波長のレーザ光を照射して光吸収層ＳＴＰを分解させるので、支持基板ＳＵＢ２と共に下地層２ａｂを除去することができる。
これにより、多層体Ｙ２ａにおける活性層及びガイド層への光の閉じ込めが向上し、レーザ光の放射ビームの品質が向上する。
また、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から照射するレーザ光には、下地層２ａｂを透過するようなレーザ光を用いるため、支持基板ＳＵＢ２は下地層２ａｂと同一の材料、例えばＧａＮを用いることができる。このため、さらに高品質な多層体Ｙ２ａを形成することが可能となる。
また、図３（ｂ）に示した第２の中間生成体２００に予め溝Ｒを形成する際、支持基板ＳＵＢ２から光吸収層ＳＴＰまでの厚みに較べて、支持基板ＳＵＢ２から溝Ｒの底面までの厚みの方が小さくなるように、溝Ｒの深さを調整しておくと、その溝Ｒによって薄くなった下地層２ａｂの部分から光吸収層ＳＴＰが予め取り除かれることとなる。このため、支持基板ＳＵＢ２の裏面側からの所定波長のレーザ光の照射及び支持基板ＳＵＢ２の剥離工程において、溝Ｒにおける下地層２ａｂを破砕等することなく、溝Ｒに面している接着層ＣＮＴ１を露出させることができるため、歩留まりの向上を図ることができる等の効果が得られる。
なお、以上に説明した第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法では、支持基板ＳＵＢ２と光吸収層ＳＴＰの間に下地層２ａｂを形成しているが、下地層２ａｂを形成せず、支持基板ＳＵＢ２上に光吸収層ＳＴＰを直接形成してもよい。かかる製造方法によっても、図１に示したものと同じ構造の半導体レーザ装置を作製することが可能である。
ただし、支持基板ＳＵＢ２と光吸収層ＳＴＰの間に下地層２ａｂを形成すると、結晶欠陥の少ない高品質な多層体Ｙ２ａを形成することが可能となり、支持基板ＳＵＢ２と光吸収層ＳＴＰの間に下地層２ａｂを形成することが望ましい。
また、以上に説明した第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法では、第１の中間生成体１００に接着層ＣＮＴ１、第２の中間生成体２００に接着層ＣＮＴ２を形成し、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を接着することによって、第１，第２の中間生成体１００，２００とを固着した貼合体を作製することとしているが、この製造方法に限定されるものではなく、第１の中間生成体１００又は第２の中間生成体２００の何れか一方に接着層を形成しておき、当該接着層を介して第１の中間生成体１００と第２の中間生成体２００を固着するようにしてもよい。
次に、第１の実施形態に係るより具体的な実施例を図４〜図７を参照して説明する。図４は、本実施例により作製される半導体レーザの構造を模式的に表した断面図、図５〜図７は、本実施例の半導体レーザ装置の製造方法を模式的に表した図である。また、図４〜図７において、図１及び図２と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
図４において、本実施例により作製される半導体レーザ装置ＬＤは、半導体基板ＳＵＢ１上に形成された第１のレーザ発振部１ａを有する第１の発光素子１と、第２のレーザ発振部２ａを有する第２の発光素子２とを備え、第１，第２の発光素子２が融着金属（例えばＳｎ）から成る接着層ＣＮＴによって一体に固着されている。
第１のレーザ発振部１ａは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（本実施例では、ＧａＡｓ）から成る半導体基板ＳＵＢ１上に積層された、ｎ型バッファ層１ａａと、ｎ型クラッド層１ａｂと、ｎ型ガイド層１ａｃと、歪量子井戸構造を有した活性層１ａｄと、ｐ型ガイド層１ａｅと、ｐ型クラッド層１ａｆと、ｐ型クラッド層１ａｆに形成されたリッジ導波路１ｂの頂部に形成されたｐ型通電層１ａｇとｐ型コンタクト層１ａｈを備えた構造となっている。
また、ｐ型コンタクト層１ａｈ以外のｐ型クラッド層１ａｆ（７）領域に絶縁膜１ｃが形成されると共に、ｐ型コンタクト層１ａｈに電気的に接続するオーミック電極層１ｄが絶縁膜１ｃ上に形成され、更に半導体基板ＳＵＢ１の裏面にオーミック電極層Ｐ１が形成されている。
第２のレーザ発振部２ａは、ｎ型下地層２ａｂと、ｎ型クラッド層２ａｃと、ｎ型ガイド層２ａｄと、多重量子井戸構造を有する活性層２ａｅと、電子障壁層２ａｆと、ｐ型ガイド層２ａｇと、ｐ型クラッド層２ａｈと、ｐ型クラッド層２ａｈに形成された導波路２ｂの頂部に形成されたｐ型コンタクト層２ａｉとを備えた多層体によって形成されている。
また、ｐ型コンタクト層２ａｉ以外のｐ型クラッド層２ａｈの領域に絶縁膜２ｃが形成されると共に、ｐ型コンタクト層２ａｉに電気的に接続するオーミック電極層２ｄが絶縁膜１ｃ上に形成され、更にｎ型下地層２ａｂの表面にオーミック電極層Ｐ２が形成されている。
そして、第１のレーザ発振部１ａ側のオーミック電極層１ｄと第２のレーザ発振部２ａ側のオーミック電極２ｄが融着金属からなる接着層ＣＮＴによって固着されることによって第１，第２の発光素子１，２とが一体化されており、更に第２の発光素子２の形成領域に比して第１の発光素子１の占有面積の方が大きく、且つ接着層ＣＮＴが第１の発光素子１上の全面に形成されることで、第２の発光素子の形成領域以外の領域で露出し、該露出した接着層ＣＮＴがコモンアノードとして機能する構造を有する半導体レーザ装置ＬＤが形成されている。
次に、図５〜図７を参照して、本半導体レーザ装置ＬＤの製造方法を説明する。なお、図５（ａ）は第１の中間生成体１００の作製工程を模式的に表した断面図、図５（ｂ）〜（ｄ）は第２の中間生成体２００の作製工程を模式的に表した断面図、図６（ａ）〜（ｃ）と図７（ａ）（ｂ）は、第１，第２の中間生成体１００，２００から該半導体レーザ装置ＬＤを製造する工程を表した断面図と斜視図である。
図５（ａ）に基づいて第１の中間生成体１００の作製工程を述べると、ＭＯＣＶＤ法等により、ウェハ状のＧａＡｓ（００１）基板から成る半導体基板ＳＵＢ１上に、珪素（Ｓｉ）をドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＡｓから成るバッファ層１ａａを厚さ約０．５μｍで積層し、次にｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｎ型クラッド層１ａｂを厚さ約１．２μｍで積層し、次にＡｌＧａＩｎＰから成るガイド層１ａｃを厚さ０．０５μｍで積層し、次にＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰとから成る歪量子井戸構造を有した活性層１ａｄを約数十ｎｍの厚さで積層し、次にＡｌＧａＩｎＰから成るガイド層１ａｅを厚さ０．０５μｍで積層し、次に亜鉛（Ｚｎ）をドーピングしてｐ型化したＡｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｐ型クラッド層１ａｆを厚さ約１．２μｍで積層し、次にｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐから成るｐ型通電層１ａｇを厚さ約０．０５μｍで積層し、次にｐ型ＧａＡｓから成るｐ型コンタクト層１ａｈを厚さ約０．２μｍで積層することによって、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成る多層体Ｘ１ａを形成する。
次に、導波路１ｂを形成するための所定領域をマスキングして、ｐ型コンタクト層１ａｈ側からウェットエッチングすることにより、ｐ型クラッド層１ａｆが約０．２μｍ程度の厚さとなるまでエッチングし、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成る多層体Ｘ１ａに、〈１１０〉方向に沿ったストライプ状のリッジ構造を有する導波路１ｂを複数形成する。
次に、各導波路１ｂ上に形成されたｐ型コンタクト層１ａｈ以外のｐ型クラッド層１ａｆの領域に、ＳｉＯ２から成る絶縁膜１ｃを形成した後、ｐ型コンタクト層１ａｈと絶縁膜１ｃの全面に、クロム（Ｃｒ）又は金（Ａｕ）若しくはこれらの積層から成るオーミック電極層１ｃを厚さ約２００ｎｍで形成することによって、ｐ型コンタクト層１ａｈとオーミック電極層１ｃとを電気的に接続させ、次に、オーミック電極層１ｃの全面に、融着金属として錫（Ｓｎ）から成る接着層ＣＮＴ１を形成することによって、第１の中間生成体１００を作製する。
次に、図５（ｂ）〜（ｄ）に基づいて第２の中間生成体２００の作製工程を述べると、サファイア基板から成る支持基板ＳＵＢ２上に、ＭＯＣＶＤ法等により、組成と膜厚等の異なったＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層することで、多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａを形成する。
より具体的には、サファイア（０００１）基板ＳＵＢ２上に、ＧａＮ又はＡｌＮから成るｎ型バッファ層２ａａを厚さ約数十ｎｍ程度で積層し、次に珪素（Ｓｉ）をドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成るｎ型下地層２ａｂを厚さ約５〜１５μｍで積層し、次にｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｎ型クラッド層２ａｃを厚さ約０．８μｍで積層し、次にｎ型ＧａＮから成るｎ型ガイド層２ａｄを厚さ約０．２μｍで積層し、次に、組成の異なるＩｎｘＧａ１−ｘＮ（但し、０≦ｘ）、例えばＩｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有する活性層２ａｅを約数十ｎｍの厚さで積層し、次に、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る電子障壁層２ａｆを厚さ約０．０２μｍで積層し、次に、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成るｐ型ガイド層２ａｇを厚さ約０．２μｍで積層し、次に、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｐ型クラッド層２ａｈを厚さ約０．４μｍで積層し、次にｐ型ＧａＮから成るｐ型コンタクト層２ａｉを厚さ約０．１μｍで形成することによって、ＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａを形成する。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、ストライプ状の導波路２ｂを形成するための領域を除いて多層体Ｙ２ａをエッチングし、ｐ型クラッド層２ａｈが約０．０５μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングすることによって、〈１１−２０〉方向に沿ったストライプ状のリッジ構造を有する導波路２ｂを複数個形成する。
次に、多層体Ｙ２ａの各導波路２ｂ間の所定領域を約５μｍの深さまでエッチングすることにより、図５（ｃ）に示すようなｎ型下地層２ａｂに達する溝Ｒを形成した後、ｐ型コンタクト層２ａｉ以外の領域にＳｉＯ２から成る絶縁膜２ｃを形成して絶縁被覆する。
次に、図５（ｄ）に示すように、ｐ型コンタクト層２ａｉと絶縁膜２ｃの全面に、パラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）若しくはこれらの積層から成るオーミック電極層２ｄを厚さ約２００ｎｍで形成することによって、オーミック電極層２ｄをｐ型コンタクト層２ａｈと電気的に接続させ、次に、オーミック電極層２ｄの全面に、融着金属として金（Ａｕ）から成る接着層ＣＮＴ２を形成することによって、第２の中間生成体２００を作製する。
次に、図６及び図７に示す工程により、予め作製した中間生成体１００，２００から本半導体レーザ装置ＬＤを製造する。
まず、図６（ａ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００に形成されている導波路１ｂ，２ｂを対向させて接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させる。ここで、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成る多層体Ｘ１ａの劈開面（１１０）とＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの劈開面（１−１００）とが一致し、且つＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成る多層体Ｘ１ａの導波路１ｂとＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの導波路１ｂとが近接するようにして、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させる。
次に、約３００°Ｃのフォーミングガス雰囲気中で、第１，第２の中間生成体１００，２００全体を加熱することにより、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２の密着している部分を融着させ、一体化した接着層ＣＮＴにする。
次に、図６（ｂ）に示すように、３６０ｎｍ以下の波長のレーザ光を支持基板ＳＵＢ２の裏面側より照射する。より好ましくはＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）を所定の集光レンズで絞り、高エネルギーの光にし、説明の便宜上、多数の矢印で示されているように、支持基板ＳＵＢ２の裏面側より照射する。
波長２６６ｎｍのレーザ光は、支持基板（サファイア基板）ＳＵＢ２中で殆ど吸収されずに透過し、ＧａＮには僅かな浸透深さで吸収される。更に、支持基板ＳＵＢ２とＧａＮの間に大きな格子不整合があることから、ＧａＮの接合部近傍の部分には極めて多くの結晶欠陥が存在する。このため、吸収された光はＧａＮの接合部近傍の部分で殆ど熱に変換され、接合部近傍の部分のＧａＮが急激に高温加熱されて、金属ガリウムと窒素ガスに分解する。
そして、予め溝Ｒが形成されているため、溝ＲにおけるＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの薄い部分が上述のガスの力を受けて崩落等し、溝Ｒを境にして分割された複数個のＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａが形成される。
次に、図６（ｃ）に示すように、ガリウムの融点温度より高い約４０°Ｃに第１，第２の中間生成体１００，２００全体を加熱し、支持基板ＳＵＢ２を各多層体Ｙ２ａから剥離する。
すなわち、上述した高エネルギーの光を支持基板ＳＵＢ２の裏面側より照射した段階では、多層体Ｙ２ａと支持基板ＳＵＢ２は、金属ガリウムによる弱い結合状態にあるため、ガリウムの融点温度より高い約４０°Ｃの温度で全体的に加熱することでその結合状態を更に弱めて、支持基板ＳＵＢ２を各多層体Ｙ２ａから剥離する。
このように支持基板ＳＵＢ２を剥離すると、図６（ｃ）に示すように、各多層体Ｙ２ａの表面と、溝Ｒに面する接着層ＣＮＴが露出する。
次に、純水中で超音波洗浄することによって、上述の崩落等した部分を除去した後、約３分間、希塩酸中に浸すことで、各多層体Ｙ２ａの露出した表面に残留している金属ガリウムを除去する。
次に、図７（ａ）に示すように、各多層体Ｙ２ａの表面（ｎ型ＧａＮの面）に、チタン（Ｔｉ）又はＡｕ若しくはこれらの積層から成るオーミック電極層Ｐ２、ｎ型ＧａＡｓ基板ＳＵＢ１の裏面に、ＡｕＧｅの合金（金とゲルマニウムの合金）から成るオーミック電極層Ｐ１を蒸着等によって夫々形成する。
次に、図７（ｂ）に示すように、ＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの劈開面である（１−１００）面に沿って、図７（ａ）に示されている一体化した中間生成体１００，２００を劈開することによってレーザ共振器を形成し、更に溝Ｒの部分で、レーザ共振器面と垂直な方向に二次劈開することによって、図４に示したように、異なる波長のレーザ光を発する第１，第２の発光素子１ａ，２ａを有し、第２の発光素子２の形成領域に比して第１の発光素子１の占有面積の方が大きく、且つ接着層ＣＮＴが第１，第２の発光素子１，２から露出して延在することでコモンアノードとして機能する構造を有する個々の半導体レーザ装置ＬＤを完成する。
本実施例により作製される半導体レーザ装置ＬＤによれば、上述のコモンアノードとして機能する接着層ＣＮＴの露出部分とオーミック電極層Ｐ１間に駆動電流を供給すると、第１のレーザ発振部１ａに形成されたレーザ共振器の劈開面から波長６５０ｎｍのレーザ光が放射され、接着層ＣＮＴの露出部分とオーミック電極層Ｐ２間に駆動電流を供給すると、第２のレーザ発振部２ａに形成されたレーザ共振器の劈開面から波長４０５ｎｍのレーザ光が放射される。
そして、第１，第２のレーザ発振部１ａ，２ａを、融着金属から成る接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２によって融着するので、導波路１ｂ，２ｂを極めて狭い間隔で近接させることができ、発光点間隔の極めて小さい半導体レーザ装置ＬＤを提供することができる。
また、図５（ｄ）に示したように、第２の中間生成体２００の作製工程において、完成時に第２のレーザ発振部２ａとなる台状の多層体Ｙ２ａの部分と、その台状の多層体Ｙ２ａに隣接する溝Ｒとを予め形成しておくので、第１，第２の中間生成体１００，２００を接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２によって融着させた後、図６（ｂ）（ｃ）に示したように、所定波長のレーザ光を照射して支持基板ＳＵＢ２を剥離するだけで、接着層ＣＮＴの溝Ｒに面した部分を露出させることができる。
このため、仮に溝Ｒを形成しておかないで、第１，第２の中間生成体１００，２００を接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２によって融着させた後、所定波長のレーザ光を照射して支持基板ＳＵＢ２を剥離した場合には、融着後の接着層ＣＮＴを電極として利用するために、例えば多層体Ｙ２ａ側をエッチングして接着層ＣＮＴを部分的に露出させる等の極めて困難な処理工程を必要とするのに対し、本実施例の製造方法によれば、極めて容易に接着層ＣＮＴを部分的に露出させることができ、歩留まりの向上、量産性の向上等を実現することができる。
また、図６（ｂ）に模式的に示したように、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から所定波長のレーザ光を照射した際に崩落等する多層体２ａの部分が薄くなることから、複数分割される各多層体Ｙ２ａに与える機械的ダメージを低減させることができる。
このように、第２の中間生成体２００に予め溝Ｒを形成しておくことにより多くの効果が得られる。
なお、本実施例では、導波路１ｂ，２ｂをリッジ導波路としているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、他の構造であってもよい。
また、支持基板ＳＵＢ２としてサファイア基板を用いた場合について説明したが、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＧａＮ基板を用いるようにしてもよい。
また、絶縁膜１ｃ，２ｃとして、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ等の絶縁材料によって適宜形成するようにしてもよい。
また、融着金属ＣＮＴ１，ＣＮＴ２として、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｄを適宜組み合わせて形成するようにしてもよい。
次に、第２の実施形態に係るより具体的な実施例を図８〜図１０を参照して説明する。なお、図８（ａ）は第１の中間生成体１００の作製工程を模式的に表した断面図、図８（ｂ）〜（ｄ）は第２の中間生成体２００の作製工程を模式的に表した断面図、図９（ａ）〜（ｃ）と図１０（ａ）（ｂ）は、第１，第２の中間生成体１００，２００から半導体レーザ装置ＬＤを製造する工程を表した断面図と斜視図である。また、図８〜図１０において、図４及び図５〜図７と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
本実施例により作製される半導体レーザ装置ＬＤは、基本的に図５から図７に示した実施例により作製される半導体レーザ装置と同様の構造を有している。ただし、次に述べるように製造方法が異なっている。
すなわち、本実施例の半導体レーザ装置ＬＤの製造方法を述べると、まず、図８（ａ）に示す第１の中間生成体１００と図８（ｄ）に示す第２の中間生成体２００を予め作製する。ここで、図８（ａ）に示す第１の中間生成体１００は、図５（ａ）に示した中間生成体１００と同じ構造に作製する。
一方、第２の中間生成体２００の作製工程を述べると、ＧａＮ基板から成る支持基板ＳＵＢ２上に、ＭＯＣＶＤ法等により、ｎ型ＧａＮ又はＡｌＮから成るｎ型バッファ層２ａａ及びｎ型ＧａＮから成るｎ型下地層２ａｂと、ＩｎＧａＮから成る光吸収層ＳＴＰとを積層し、その光吸収層ＳＴＰ上に、組成と膜厚等の異なったＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層することで、上述の多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａを形成する。
より具体的には、ＧａＮ（０００１）基板ＳＵＢ２上に、ＧａＮ又はＡｌＮから成るｎ型バッファ層２ａａを厚さ約数十ｎｍ程度で積層し、次に珪素（Ｓｉ）をドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成るｎ型下地層２ａｂを厚さ約５〜１５μｍで積層し、次に、非発光性再結合中心として、カーボン（Ｃ）をドーピングしたＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｎから成る光吸収層ＳＴＰを積層し、次にｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｎ型クラッド層２ａｃを厚さ約０．８μｍで積層し、次にｎ型ＧａＮから成るｎ型ガイド層２ａｄを厚さ約０．２μｍで積層し、次に、組成の異なるＩｎｘＧａ１−ｘＮ（但し、０≦ｘ）、例えばＩｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有する活性層２ａｅを約数十ｎｍの厚さで積層し、次に、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る電子障壁層２ａｆを厚さ約０．０２μｍで積層し、次に、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成るｐ型ガイド層２ａｇを厚さ約０．２μｍで積層し、次に、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｐ型クラッド層２ａｈを厚さ約０．４μｍで積層し、次にｐ型ＧａＮから成るｐ型コンタクト層２ａｉを厚さ約０．１μｍで形成することによって、ＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａを形成する。
次に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって、ストライプ状の導波路２ｂを形成するための領域を除いて多層体Ｙ２ａをエッチングし、ｐ型クラッド層２ａｈが約０．０５μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングすることによって、〈１−１００〉方向に沿ったストライプ状のリッジ構造を有する導波路２ｂを複数個形成する。
次に、多層体Ｙ２ａの各導波路２ｂ間の所定領域をエッチングすることにより、図８（ｃ）に示すように、光吸収層ＳＴＰが除かれてｎ型下地層２ａｂに達する溝Ｒを形成し、次に、ｐ型コンタクト層２ａｉ以外の領域にＳｉＯ２から成る絶縁膜２ｃを形成して絶縁被覆する。
次に、図８（ｄ）に示すように、ｐ型コンタクト層２ａｉと絶縁膜２ｃの全面に、パラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）若しくはこれらの積層から成るオーミック電極層２ｄを厚さ約２００ｎｍで形成することによって、ｐ型コンタクト層１ａｈとオーミック電極層１ｃとを電気的に接続させ、次に、オーミック電極層２ｄの全面に、融着金属として金（Ａｕ）から成る接着層ＣＮＴ２を形成することによって、第２の中間生成体２００を作製する。
次に、図９及び図１０に示す工程により、予め作製した中間生成体１００，２００から半導体レーザ装置ＬＤを製造する。
まず、図９（ａ）に示すように、第１，第２の中間生成体１００，２００に形成されている導波路１ｂ，２ｂを対向させて接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させる。ここで、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成る多層体Ｘ１ａの劈開面（１１０）とＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの劈開面（１−１００）とが一致し、且つ多層体Ｘ１ａの導波路１ｂと多層体Ｙ２ａの導波路２ｂとが近接するようにして、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２を密着させる。
次に、約３００°Ｃのフォーミングガス雰囲気中で、第１，第２の中間生成体１００，２００全体を加熱することにより、接着層ＣＮＴ１，ＣＮＴ２の密着している部分を融着させ、一体化した接着層ＣＮＴを生じさせる。
次に、図９（ｂ）に示すように、ＹＡＧレーザの２倍波（波長５３２ｎｍ）を所定の集光レンズで絞り、高エネルギーの光にして、説明の便宜上、多数の矢印で示されているように、支持基板ＳＵＢ２の裏面側より照射する。
波長５３２ｎｍのレーザ光は、支持基板ＳＵＢ２とバッファ層２ａａ及びｎ型下地層２ａｂ中を透過して光吸収層ＳＴＰに到達し、レーザ光によって光吸収層ＳＴＰが加熱分解されることにより、ｎ型下地層２ａｂと各多層体Ｙ２ａ間の結合力が低下する。
そこで、図９（ｃ）に示すように、光吸収層ＳＴＰを境にして支持基板ＳＵＢ２を剥離することにより、バッファ層２ａａ及びｎ型下地層２ａｂと、溝Ｒにおける接着層ＣＮＴ２とオーミック電極層２ｄと絶縁膜２ｃとを支持基板ＳＵＢ２に付随させて取り除き、各多層体Ｙ２ａの表面と溝Ｒに面している接着層ＣＮＴとを露出させる。
次に、図１０（ａ）に示すように、蒸着等によって、各多層体Ｙ２ａの表面（ｎ型ＧａＮの面）に、チタン（Ｔｉ）又はＡｕ若しくはこれらの積層から成るオーミック電極層Ｐ２を形成すると共に、ｎ型ＧａＡｓ基板ＳＵＢ１の裏面に、ＡｕＧｅの合金（金とゲルマニウムの合金）から成るオーミック電極層Ｐ１を形成する。
次に、図１０（ｂ）に示すように、ＧａＮ系半導体から成る多層体Ｙ２ａの劈開面である（１−１００）面に沿って、図１０（ａ）に示されている一体化した中間生成体１００，２００を劈開することによってレーザ共振器を形成し、更に溝Ｒの部分で、レーザ共振器面と垂直な方向に二次劈開することによって、基本的図４に示したのと同様の構造を有する個々の半導体レーザ装置ＬＤを完成する。
以上説明したように本実施例の製造方法及び該製造方法により作製される半導体レーザ装置ＬＤによれば、上述した第１の実施形態と同様の効果が得られる他、製造工程において、第２の中間生成体２００側に予め光吸収層ＳＴＰを形成しておき、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から所定波長のレーザ光を照射して光吸収層ＳＴＰを分解させるので、支持基板ＳＵＢ２と共に下地層２ａｂを除去することができる。
これにより、多層体Ｙ２ａにおける活性層及びガイド層への光の閉じ込めが向上し、レーザ光の放射ビームの品質が向上する。
また、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から照射するレーザ光には、下地層２ａｂを透過するようなレーザ光を用いるため、支持基板ＳＵＢ２は下地層２ａｂと同一の材料、例えばＧａＮを用いることができる。このため、さらに高品質な多層体Ｙ２ａを形成することが可能となる。
また、図８（ｄ）に示した第２の中間生成体２００に予め溝Ｒを形成する際、支持基板ＳＵＢ２から光吸収層ＳＴＰまでの厚みに較べて、支持基板ＳＵＢ２から溝Ｒの底面までの厚みの方が小さくなるように、溝Ｒの深さを調整しておくと、その溝Ｒによって薄くなった下地層２ａｂの部分から光吸収層ＳＴＰが予め取り除かれることとなる。このため、支持基板ＳＵＢ２の裏面側から所定波長のレーザ光の照射及び支持基板ＳＵＢ２の剥離工程において、溝Ｒにおける下地層２ａｂを破砕等することなく、溝Ｒに面している接着層ＣＮＴ１を露出させることができるため、歩留まりの向上を図ることができる等の効果が得られる。
なお、本実施例では、導波路１ｂ，２ｂをリッジ導波路としているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、他の構造であってもよい。
また、支持基板ＳＵＢ２としてＧａＮ基板を用いた場合について説明したが、サファイア基板、ＡｌＮ基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＧａＮ基板を用いるようにしてもよい。
また、絶縁膜１ｃ，２ｃとして、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ等の絶縁材料によって適宜形成するようにしてもよい。
また、融着金属ＣＮＴ１，ＣＮＴ２として、Ａｕ、Ｉｎ、Ｐｄを適宜組み合わせて形成するようにしても良い。

Claims (8)

  1. 波長の異なる複数のレーザ光を放射する半導体レーザ装置の製造方法であって、
    半導体基板上に、第１のレーザ発振部を形成するための半導体を有する第１の多層体を形成するステップを含む、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、
    支持基板上に、第２のレーザ発振部を形成するための半導体から成る第２の多層体を形成するステップと、前記第２の多層体に溝を形成するステップとを含む、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、
    前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面と前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面を、導電性の接着層を介して固着することにより貼合体を作製する第３の工程と、
    前記貼合体の前記支持基板側から前記第２の多層体に光を照射して、前記支持基板と前記第２の多層体を分離する第４の工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
  2. 前記光は、前記支持基板を透過し、前記支持基板との界面近傍の前記第２の多層体で吸収される光であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  3. 波長の異なる複数のレーザ光を放射する半導体レーザ装置の製造方法であって、
    半導体基板上に、第１のレーザ発振部を形成するための半導体を有する第１の多層体を形成するステップを含む、第１の中間生成体を作製する第１の工程と、
    支持基板上に、少なくとも光吸収層を含む層を形成するステップと、前記光吸収層上に第２のレーザ発振部を形成するための半導体から成る第２の多層体を形成するステップと、前記第２の多層体に溝を形成するステップとを含む、第２の中間生成体を作製する第２の工程と、
    前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面と前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面を、導電性の接着層を介して固着することにより貼合体を作製する第３の工程と、
    前記貼合体の前記支持基板側から前記光吸収層に光を照射することによって前記光吸収層を分解し、前記分解した光吸収層に沿って少なくとも前記支持基板を剥離する第４の工程と、を有することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
  4. 前記第２の工程において、前記溝を前記第２の多層体の表面から前記光吸収層までの深さよりも深く形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  5. 前記光は、前記支持基板を透過し、前記光吸収層で吸収される光であることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  6. 前記第１の工程又は前記第２の工程の少なくとも一方は、前記第１の中間生成体の前記第１の多層体側の面又は前記第２の中間生成体の前記第２の多層体側の面の少なくとも一方に前記接着層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  7. 前記第１の多層体は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、又はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を有し、
    前記第２の多層体は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）から成る窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
  8. 前記接着層は、金属であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4556591B2 (ja) * 2004-09-27 2010-10-06 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置
JP4845790B2 (ja) * 2007-03-30 2011-12-28 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
US20080303033A1 (en) * 2007-06-05 2008-12-11 Cree, Inc. Formation of nitride-based optoelectronic and electronic device structures on lattice-matched substrates
DE102008006988A1 (de) * 2008-01-31 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102008019268A1 (de) 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US8064492B2 (en) * 2009-01-26 2011-11-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device and light apparatus
FR2953328B1 (fr) * 2009-12-01 2012-03-30 S O I Tec Silicon On Insulator Tech Heterostructure pour composants electroniques de puissance, composants optoelectroniques ou photovoltaiques
KR101781438B1 (ko) * 2011-06-14 2017-09-25 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조방법
CN102593711B (zh) * 2012-03-21 2014-11-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 增强散热的半导体激光器及其制备方法
WO2014142303A1 (ja) * 2013-03-14 2014-09-18 富士電機株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2015012044A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
CN109326959B (zh) * 2017-08-01 2020-03-27 山东华光光电子股份有限公司 一种双波长半导体激光器芯片结构
KR102563570B1 (ko) * 2018-10-24 2023-08-04 삼성전자주식회사 반도체 레이저 장치
WO2020096950A1 (en) * 2018-11-06 2020-05-14 The Regents Of The University Of California Heterogeneously integrated indium gallium nitride on silicon photonic integrated circuits

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910004265B1 (ko) * 1987-03-26 1991-06-25 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 반도체 레이저 장치와 그 제조 방법 및 그것을 사용한 광 헤드
US5086431A (en) * 1990-12-21 1992-02-04 Santa Barbara Research Center Increased intensity laser diode source configuration
JPH11112091A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Victor Co Of Japan Ltd 半導体レーザ装置
JP3685306B2 (ja) * 1999-03-03 2005-08-17 パイオニア株式会社 ２波長半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001119104A (ja) * 1999-10-21 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体の製造方法
JP2001223442A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光源ユニットおよび光ピックアップ装置
JP3486900B2 (ja) * 2000-02-15 2004-01-13 ソニー株式会社 発光装置およびそれを用いた光装置
JP2001339121A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
JP2002217499A (ja) * 2001-01-19 2002-08-02 Sharp Corp 半導体レーザ素子、その製造方法、およびそれを用いた光ピックアップ
US7180100B2 (en) * 2001-03-27 2007-02-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
JP2002299739A (ja) * 2001-04-02 2002-10-11 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

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