KR940010433A - 반도체 레이저의 제조방법 - Google Patents
반도체 레이저의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940010433A KR940010433A KR1019920018554A KR920018554A KR940010433A KR 940010433 A KR940010433 A KR 940010433A KR 1019920018554 A KR1019920018554 A KR 1019920018554A KR 920018554 A KR920018554 A KR 920018554A KR 940010433 A KR940010433 A KR 940010433A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- channel
- oxide film
- groove
- etching
- mask
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
이 발명은 고출력 반도체 레이저의 제조방법에 관한 것으로 제1전류제한층을 형성하고 그 위에 이산화실리콘(SiO2)의 산화막을 증착한 후 통상의 리소그래피 기술로 개구부를 형성한 다음 상기 산화막을 마스크로 하여 1차 에칭을 하여 제1채널을 형성하며, 상기 제1채널에 수직한 방향으로 리소그래피를 행하여 포토레지스트 및 산화막을 마스크로하여 2차 에칭을 하여 제2채널이 되는 V홈 채널을 형성한다.
따라서 이 발명의 반도체 레이저의 제조방법은 리소그래피 공정시 옵티컬 얼라인의 얼라인먼트(alignment)가 손쉽고 산화막(SiO2)의 마스크 효과에 의해 1차 및 제2차 에칭시에 언더컷 현상을 현격하게 줄여 제1채널 및 제2채널이 되는 V홈 채널의 폭과 깊이를 용이하게 제어할수 있으므로 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 캡층위에 제2전류제한층을 형성하므로 더욱 강화된 전류제안 효과에 의해 카타스트로픽 옵니컬 데미지(COD) 레벨을 향상시킬 수 있고, 임계전류의 저감화 및 미분양자 효율을 향상시킬수 있으므로 고출력을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 제2도 (마)는 이 발명의 일실시예에 의한 반도체 레이저의 제조방법을 설명하기 위한 공정도이다.
Claims (8)
- 고출력 반도체 레이저의 제조방법에 있어서, 제2도전형의 기판위에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제1잔류제한층을 결정성장하는 공정과; 상기 전류제한층위에 마스크 층으로 사용할 산화막을 형성하는 공정과; 제1채널 영역을 정의하기 위하여 상기 산화막을 마스크로하여 메사형태의 홈을 형성하는 공정과; 상기 산화막과 포토레지스트를 마스크로 하여 홈내의 소정영역에 제2채널이 되는 V홈 채널을 형성하는 공정과; 상기 결과적인 구조의 전면에 제2도전형의 불순물이 도핑된 제1클래드층, 활성층, 제1도전형의 불순물이 도핑된 제2클래드층, 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층 및 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제2전류제한층을 순차적으로 형성하는 공정과; 상기 V홈 채널에 대응되는 부위의 제2전류제한층을 에칭하여 직사각형태의 홈을 형성하는 공정과; 상기 캡층과 접촉되는 제1도전형의 전극 및 상기 반도체 기판의 하부면에 제2도전형의 전극을 형성하는 공정으로 이루어진 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 n형이고, 제2도전형은 p형으로 된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전류제한층은 액상결정성장법(LPE) 또는 유기 금속 화합물을 이용한 기상성장법(MOCVD)으로 두께가 1㎛되게 형성하도록 된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법으로 두께가 1500Å되게 형성하도록된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 메사형태의 홈의 형성 공정시 산화막의 에칭공정은(CF4+O2)계 혼합 가스 분위기의 반응성 이온 에칭(RIE)으로 언더컷의 발생을 줄여 채널 모양을 균일하게 형성하도록 된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1채널 영역이 되는 메사 형태의 홈은 폭(w)이 10㎛, 깊이(d)가 0.5-0.7㎛되게 형성하도록된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 마스크는 리소그래피 기술을 사용하여 전, 후 가장자리에 일정폭을 갖는 스트라이프 형상이 되게 형성하도록 된 반도체 레이저의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2채널이 되는 V홈 채널은 이방성 드라이 에칭으로 제1체 널에 수직한 방향으로 에칭하여 형성하도록 된 반도체 레이저의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018554A KR940010433A (ko) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018554A KR940010433A (ko) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010433A true KR940010433A (ko) | 1994-05-26 |
Family
ID=67210294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920018554A KR940010433A (ko) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | 반도체 레이저의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940010433A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473349B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2005-03-08 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-10-09 KR KR1019920018554A patent/KR940010433A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100473349B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2005-03-08 | 파이오니아 가부시키가이샤 | 질화물 반도체레이저소자 및 그의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5585309A (en) | Method of making semiconductor laser | |
| US4099305A (en) | Fabrication of mesa devices by MBE growth over channeled substrates | |
| US4215319A (en) | Single filament semiconductor laser | |
| US4788159A (en) | Process for forming a positive index waveguide | |
| KR0174537B1 (ko) | 메사로 이루어진 반도체 보디의 제조방법 | |
| EP0319207A2 (en) | A method of producing a semi-conducteur device having a disordered superlattice | |
| US4980314A (en) | Vapor processing of a substrate | |
| KR900003844B1 (ko) | 반도체 레이저장치와 그 제조방법 | |
| JP4537549B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| KR940010433A (ko) | 반도체 레이저의 제조방법 | |
| CA1089571A (en) | Contacting structure on a semiconductor arrangement | |
| JPS62232142A (ja) | 半酸化物分離デバイスを製作するための方法 | |
| JPS59124183A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP3382114B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS592393B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置およびその製造方法 | |
| KR100396675B1 (ko) | 플라즈마 처리를 이용한 청색 반도체 레이저의 제조 방법 | |
| JPH0634426B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| KR100198595B1 (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR950011998B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| JPH06252381A (ja) | ショットキーバリアダイオードの製造方法 | |
| KR100366043B1 (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR920006392B1 (ko) | 반도체레이저의 제조방법 | |
| KR910000370B1 (ko) | 이중 스트라입을 가진 레이저다이오드의 제조방법 | |
| JPH10510102A (ja) | チャネル内のリッジ状レーザ | |
| KR970007118B1 (ko) | 레이저 다이오드의 메사 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |