CN106207753B

CN106207753B - 半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置

Info

Publication number: CN106207753B
Application number: CN201610804876.0A
Authority: CN
Inventors: 方瑞禹
Original assignee: Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd
Current assignee: Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd
Priority date: 2016-09-06
Filing date: 2016-09-06
Publication date: 2019-09-03
Anticipated expiration: 2036-09-06
Also published as: CN106207753A

Abstract

本发明提出一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置，本发明的半导体激光芯片，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。本发明的半导体激光芯片可提高生产效率和产品质量。

Description

半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置

技术领域

本发明涉及一种半导体激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置。

背景技术

半导体激光装置是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件，具有体积小、重量轻、驱动功率和电流低、效率高、工作寿命长且易于与各种光电子器件实现光电子集成等优点，因而获得了广泛的应用。其中，半导体激光芯片(半导体激光器)是半导体激光装置的重要部件，半导体激光装置一般包括半导体激光芯片驱动电路、温控、光控电路和热沉等，半导体激光芯片位于热沉上。

现有的半导体激光芯片一般包括衬底、光限制层、有源层、包层、接触层，钝化层以及电极等，其中，与有源层对应的位置用于发光。通常情况下，半导体激光芯片的两端均可出射光线，但为了提高输出功率，仅需要半导体激光芯片一端用于出光，用于出射光线的端面为出光面，与出光面相对的端面需要对光线实现反射，减少出光，该端面为背光面。为了增加输出功率输出效果，并且防止端面氧化，通常需要在半导体激光芯片两端面镀膜，其中，出光面镀低反射膜(AR)，提高透光率，减小对出射光线的削弱，而后端面则镀高反射膜(HR)，减少漏光，以提高输出功率。

现有技术中，为了实现镀膜，通常需要将形成有多个半导体激光芯片的晶圆进行解理，拆分成含有多个半导体激光芯片的巴条，再将各个巴条进行排列和固定，随后利用镀膜机对半导体激光芯片的两端分别镀高反射膜和低反射膜。但此过程中需要使用夹具，并需要反转巴条端面位置，且需要人工操作才能实现，生产效率较低，且容易造成半导体激光芯片破损。同时，在现有技术中，还可以在解理前，在晶圆上与半导体激光芯片的出光面和背光面对应的位置分别形成凹槽，对晶圆分别进行两次镀膜，最终使出光面上形成低反射膜，使背光面形成高反射膜。但此种方式中，为了避免在出光面或背光面形成两层不同的膜，需要进行镀膜、光刻、腐蚀、再镀膜等过程，工艺复杂，效率较低，且膜厚较高，导致光面和背光面的表面处理较难，并使应力增加，不利于提高产品质量。因此，如何提高生产效率和产品质量是亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种可提高生产效率和产品质量的半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置。

根据本发明的一方面，一种半导体激光芯片，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同。

根据本发明的另一方面，一种半导体激光装置，包括热沉，还包括上述半导体激光芯片，所述半导体激光芯片设于所述热沉上。

根据本发明的再一方面，一种半导体激光芯片的制造方法，包括以下步骤：

提供一基体，所述基体包括形成于其内部的有源层；

在所述基体上形成多个凹槽，所述凹槽将所述有源层隔断；

在所述基体上形成有所述凹槽的表面上形成第一膜层，且所述第一膜层覆盖所述凹槽的侧壁；

在所述第一膜层上形成多个电极，且任一所述凹槽的两侧均形成有所述电极；

分别沿多个所述凹槽的长度方向对所述基体进行解理，并按照预定尺寸将所述基体解理成包括多个芯片单元的巴条；

在各个所述巴条上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同；

对各个所述巴条进行解理，形成多个芯片单元。

由上述技术方案可知，本发明具备以下优点和积极效果中的至少之一：

由于在所述基体被解理成多个所述芯片单元之前就已经在所述凹槽的侧壁形成了所述第一膜层，从而可同时为多个所述芯片单元形成第一膜层。在此过程中，避免了使用其他辅助装置，减少了人工安装、调节和固定的操作，有利于提高生产效率，并有利于防止半导体激光芯片在安装、调节等过程中出现破损，有利于提高产品质量。同时，在形成所述电极后，将所述基体解理成包括多个所述芯片单元的巴条，然后在与所述凹槽的侧壁相对的表面形成第二膜层，而不用在所述基体上形成多层膜，有利于减小膜厚和应力，工艺简单，有利于提高效率和产品质量，对所述巴条解理后可形成多个芯片单元。此外，所述第一膜层覆盖所述基体形成有所述凹槽的表面上，同时可作为表面钝化层，起到保护表面的作用。另，所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同，因而二者间反射率较高所在的表面可为背光面，反射率较低的所在的表面即为出光面，提高输出功率，由此，可提高生产效率和产品质量。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施方式，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

图1是本发明半导体激光芯片的制造方法的第一种实施方式的流程图；

图2-图6是本发明半导体激光芯片的制造方法的第一种实施方式中与步骤S1至步骤S5对应的剖面图；

图7是本发明半导体激光芯片的第一种实施方式的剖面图；

图8是本发明半导体激光芯片的制造方法的第二种实施方式的流程图；

图9-图13是本发明半导体激光芯片的制造方法的第二种实施方式中与骤S1a至步骤S5a对应的剖面图；

图14是本发明半导体激光芯片的第二种实施方式的剖面图。

图中：1-基体；101-凹槽；11-芯片单元；2-有源层；3-第一膜层；4-电极；5-第二膜层；

1a-基体；101a-凹槽；11a-芯片单元；2a-有源层；3a-第一膜层；4a-电极；5a-第二膜层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中，如有可能，各实施例中所讨论的特征是可互换的。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本发明的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组件、材料等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明的各方面。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。其他相对性的用语，例如“高”“低”“顶”“底”“前”“后”“左”“右”等也作具有类似含义。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本发明半导体激光芯片的第一种实施方式：

如图7所示，如图7是本发明半导体激光芯片的第一种实施方式的剖视图。本实施方式所述的半导体激光芯片，包括芯片单元11和形成于芯片单元11上的电极4，芯片单元11包括有源层2，芯片单元11一端形成有凹槽101，凹槽101的侧壁上形成有第一膜层3，芯片单元11上与凹槽101的侧壁相对的表面上形成有第二膜层5，即第二膜层5形成于芯片单元11上与凹槽101相对一端的端面上，第一膜层3可采用反射率小于1％的低反射膜，有利于提高光线的透过率，第二膜层5可采用反射率大于90％的高反射膜，以提高输出功率，减小漏光。

本实施方式所述的半导体激光芯片，可在基体被解理成多个芯片单元11之前就在凹槽101的侧壁形成第一膜层3，从而可同时为多个芯片单元11形成第一膜层3。在此过程中，避免了使用其他辅助装置，减少了人工安装、调节和固定的操作，有利于提高生产效率，并有利于防止半导体激光芯片在安装、调节等过程中出现破损，有利于提高产品质量。同时，在形成电极4后，将基体解理成含有多个芯片单元11的巴条，然后可在芯片单元11上与凹槽101的侧壁相对的表面形成第二膜层5，而不用在基体上形成多层膜，有利于减小膜厚和应力，工艺简单，有利于提高效率和产品质量，对所述巴条解理后可形成多个芯片单元11。此外，第一膜层3覆盖基体形成有凹槽101的表面上，可起到保护的作用。

在本实施方式中，芯片单元11上与凹槽101的侧壁相对的表面为基体解理成多个巴条后形成的断面，且凹槽101的侧壁以及芯片单元11上与凹槽101的侧壁相对的表面为相互平行的平面，平面结构便于形成膜层，有利于降低工艺难度，便于制造。

在本实施方式中，第一膜层3也可采用反射率大于1％的低反射膜，第二膜层5也可采用反射率小于90％的高反射膜，只要保证第一膜层3的反射率小于第二膜层5的反射率即可。

在本实施方式中，第一膜层3可为单层Si₃N₄结构或者多层Si3N4/SiO2结构；第二膜层5可为SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3等材料任选组合的多层结构，但不以此为限。

在本实施方式中，第一膜层3同时覆盖凹槽101的侧壁和芯片单元11上形成有凹槽101的表面，电极4形成于第一膜层3上，第一膜层3可作为钝化层，除了保护凹槽101侧壁，还可保护芯片单元11的表面。

在本实施方式中，凹槽101底面可低于有源层2，使凹槽101底面低于有源层2，便于避免光线照射至凹槽101的底面，从而降低凹槽101底面对出射光线的反射作用，有利于提高出光效果。

在本实施方式中，凹槽101的两侧壁均垂直于凹槽101的底面，提高端面反射。

在本实施方式中，凹槽101的侧壁大于有源层2的可发光的区域，保证光线从凹槽101的侧壁出射。

在本实施方式中，凹槽101深度可大于10μm。

本发明半导体激光芯片的第二种实施方式：

如图14所示，图14是本发明半导体激光芯片的第二种实施方式的剖视图。本实施方式所述的半导体激光芯片，包括芯片单元11a和形成于芯片单元11a上的电极4a，芯片单元11a包括有源层2a，芯片单元11a一端形成有凹槽101a，凹槽101a的侧壁上形成有第一膜层3a，芯片单元11a上与凹槽101a的侧壁相对的表面上形成有第二膜层5a，第一膜层3a可采用反射率大于90％的高反射膜，第二膜层5a可采用反射率小于1％的低反射膜。

所述半导体激光芯片的第二种实施方式的有益效果可参考半导体激光芯片的第一种实施方式的有益效果，在此不再赘述。

在本实施方式中，芯片单元11a上与凹槽101a的侧壁相对的表面为基体解理成多个巴条后形成的断面，且凹槽101a的侧壁以及芯片单元11a上与凹槽101a的侧壁相对的表面为相互平行的平面，平面结构便于形成膜层，有利于降低工艺难度，便于制造。

在本实施方式中，第一膜层3a也可采用反射率小于90％的高反射膜，第二膜层5a也可采用反射率大于1％的低反射膜，以达到提高激光器性能的目的需求。但需要保证第一膜层3a的反射率大于第二膜层5a的反射率。

在本实施方式中，第二膜层5a可为SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3等材料任选组合的多层的结构；第一膜层3a可为SiO2、TiO2、Ti2O3、Al2O3以及SiO₂/Si3N₄等材料任选组合的多层结构，但不以此为限。

在本实施方式中，第一膜层3a同时覆盖凹槽101a的侧壁和芯片单元11a上形成有凹槽101a的表面，电极4a形成于第一膜层3a上，第一膜层3a可作为钝化层，除了保护凹槽101a侧壁，还可保护芯片单元11a的表面。

在本实施方式中，凹槽101a底面可低于有源层2a，使凹槽101a底面低于有源层2a，便于避免光线照射至凹槽101a的底面，从而降低凹槽101a底面对出射光线的反射作用。

在本实施方式中，凹槽101a的两侧壁均垂直于凹槽101a的底面。

在本实施方式中，凹槽101a的侧壁大于有源层2a的可发光的区域。

在本实施方式中，凹槽101a深度可大于10μm。

本发明的各实施方式中所述半导体激光芯片的其它构成以为公知技术，在此不再赘述。

本发明半导体激光装置的一种实施方式：

本实施方式所述半导体激光装置，包括热沉(图中未示出)和上述任一实施方式所述的半导体激光芯片，所述半导体激光芯片设于所述热沉上。由于本实施方式中的半导体激光装置采用的半导体激光芯片可为上述任一实施方式所述的半导体激光芯片，因此二者能够解决相同的技术问题，并达到相同的预期效果。

本实施方式中的所述半导体激光装置的其它构成以为公知技术，在此不再赘述。

本发明半导体激光芯片的制造方法的第一种实施方式：

如图1所示，图1是本发明半导体激光芯片的制造方法的第一种实施方式的流程图。本实施方式所述半导体激光芯片的制造方法，包括以下步骤：

S1、提供一基体1，基体1包括形成于其内部的有源层2，且基体1可用于形成多个半导体激光芯片，如图2所示；

S2、在基体1上形成多个凹槽101，凹槽101将有源层2隔断，也就是说，有源层2的端部与凹槽101的侧壁相对，使得光线可从凹槽101的侧壁出射，如图3所示；

S3、在基体1上形成有凹槽101的表面上形成第一膜层3，使第一膜层3覆盖基体1，且第一膜层3覆盖凹槽101的侧壁，如图4所示；

S4、在第一膜层3上形成多个半导体激光芯片所需的电极4，且任一凹槽101的两侧壁均形成有电极4，即电极4不覆盖凹槽101，如图5所示；

S5、分别沿多个凹槽101的长度方向对基体1进行解理，并按照预定尺寸将基体1解理成包括多个芯片单元11的巴条，解理后，凹槽101被截断，如图6所示；

S6、在各个巴条上与凹槽101的侧壁的相对的表面上形成第二膜层5，且第一膜层3可采用反射率小于1％的低反射膜，第二膜层可采用反射率大于90％的高反射膜，以提高输出功率，减小漏光，凹槽101的侧壁作为出光面，芯片单元11上与凹槽101的侧壁相对的表面则为背光面；

S7、对各个所述巴条进行解理，形成多个芯片单元11，如图7所示。

需要说明的是：基体1还可包括衬底、波导等，因此，制造基体1的方法包括形成波导的步骤，但由于制造基体1的方法已为公知技术，在此不再赘述。

本实施方式所述的半导体激光芯片制造方法，由于在基体1被解理成多个芯片单元11之前就已经在凹槽101的侧壁形成了第一膜层3，从而可同时为多个芯片单元11形成第一膜层3。在此过程中，避免了使用其他辅助装置，减少了人工安装、调节和固定的操作，有利于提高生产效率，并有利于防止半导体激光芯片在安装、调节等过程中出现破损，有利于提高产品质量。同时，在形成电极4后，将基体1解理成含有多个芯片单元11的巴条，然后在与凹槽101的侧壁相对的表面形成第二膜层5，而不用在基体1上形成多层膜，有利于减小膜厚和应力，工艺简单，有利于提高效率和产品质量，对所述巴条解理后可形成多个芯片单元11。此外，第一膜层3覆盖基体形成有凹槽101的表面上，可起到保护的作用。由此，可提高生产效率和产品质量。

在本实施方式中，第一膜层3也可采用反射率大于1％的低反射膜，第二膜层5也可采用反射率小于90％的高反射膜，第一膜层3的反射率小于第二膜层5的反射率即可，以满足半导体激光芯片的功率要求。但为了满足激光器纵模特性要求，以及提高输出功率，第一膜层3可优选采用反射率小于1％的低反射膜，第二膜层5可优选采用反射率大于90％的高反射膜。

在本实施方式中，第一膜层3可为单层Si₃N₄结构或者多层SiO₂/Si3N₄结构，或者SiO2、TiO2、Ti2O3和Al2O3等材料任选组合的多层结构，只要反射率达到设计要求；第二膜层5可为SiO2、TiO2、Ti2O3和Al2O3等材料任选组合的多层结构，只要反射率达到设计要求，但不以此为限。

在本实施方式中，光线从有源层2相应的位置射出时具有一定的发散角，为了降低凹槽101底面出射光线的反射造成的影响，可使凹槽101底面低于有源层2，便于避免光线照射至凹槽101的底面，从而降低凹槽101底面对出射光线的反射作用，有利于提高出光效果。

在本实施方式中，可采用湿法刻蚀或干法刻蚀等工艺在基体1上形成多个凹槽101，但由于凹槽101的侧壁需要作为出光面，因此，需要保持平整。而用干法刻蚀工艺的能实现各向同性刻蚀，有利于保证凹槽101表面平整，因此，步骤S1可包括：利用干法刻蚀工艺在基体1表面形成凹槽101，具体可采用感应耦合等离子体刻蚀工艺，但不以此为限。

在本实施方式中，所述在基体1上形成有凹槽101的表面上形成第一膜层3，即步骤S2包括：利用等离子体增强化学气相沉积法，或者镀膜机在基体1表面形成第一膜层3，具体可采用电子束蒸发镀膜机，但不限于此。

在本实施方式中，所述在各个所述巴条上与凹槽101的侧壁相对的表面形成第二膜层5，即步骤S6包括：

将多个所述巴条层叠设置并使各个巴条上与凹槽101的侧壁相对的表面对齐；

利用镀膜机在所述巴条上与凹槽101的侧壁相对的表面上镀第二膜层5，可一次为多个芯片单元11镀膜，有利于提高生产效率。

本发明半导体激光芯片的制造方法的第二种实施方式：

如图8所示，图8是本发明半导体激光芯片的制造方法的第二种实施方式的流程图。本实施方式所述半导体激光芯片的制造方法包括以下步骤：

S1a、提供一基体1a，基体1a包括形成于其内部的有源层2a，基体1a还可包括衬底、限制层和波导层等，且基体1a可用于形成多个半导体激光芯片，如图9所示；

S2a、在基体1a上形成多个凹槽101a，凹槽101a将有源层2a隔断，如图10所示；

S3a、在基体1a上形成有凹槽101a的表面上形成第一膜层3a，使第一膜层3a覆盖基体1a，且第一膜层3a覆盖凹槽101a的侧壁，如图11所示；

S4a、在第一膜层3a上形成多个半导体激光芯片所需的电极4a，且任一凹槽101a的两侧壁均形成有电极4a，即电极4a不覆盖凹槽101a，如图12所示；

S5a、分别沿多个凹槽101a的长度方向对基体1a进行解理，并按照预定尺寸将基体1a解理成多个包括多个芯片单元11a的巴条，解理后，凹槽101a被截断，如图13所示；

S6a、在各个所述巴条上与凹槽101a的侧壁的相对的表面上形成第二膜层5a，且第一膜层3a可采用反射率大于90％的高反射膜，第二膜层5a可采用反射率小于1％的低反射膜，所述巴条上与凹槽101a的侧壁相对的表面可作为出光面，凹槽101a的侧壁可为背光面。

S7a、对各个所述巴条进行解理，形成多个芯片单元11a，如图14所示。

所述半导体激光芯片的制造方法的第二种实施方式的有益效果可参考半导体激光芯片的制造方法的第一种实施方式的有益效果，在此不再赘述。

在本实施方式中，第一膜层3a也可采用反射率小于90％的高反射膜，第二膜层5a也可采用反射率大于1％的低反射膜，以满足激光器功率和其他性能要求。

在本实施方式中，第一膜层3a可为多层SiO₂/Si3N₄结构，以及Al2O3、TiO2、Ti2O3和SiO₂等材料任选组成的多层结构，第二膜层5a可为Al2O3、TiO2、Ti2O3和SiO₂等材料中任选组成，只要反射率达到设计要求，但不以此为限。

在本实施方式中，步骤S1a可包括：利用干法刻蚀工艺在基体1a表面形成凹槽101a，有利于保证凹槽101a表面平整，具体可采用感应耦合等离子体刻蚀工艺，但不以此为限。

在本实施方式中，所述在基体1a表面形成第一膜层3a，即步骤S2a包括：利用等离子体增强化学气相沉积法或镀膜机在基体1a表面形成所述第一膜层3a，具体可采用电子束蒸发镀膜机，但不限于此。

在本实施方式中，所述在基体1a表面形成第一膜层3a，即步骤S2a包括：利用镀膜机在基体1a表面形成第一膜层3a。在本实施方式中，步骤S6a包括：将多个所述巴条层叠设置并使各个所述巴条上与凹槽101a的侧壁相对的表面对齐，利用镀膜机在所述巴条上与凹槽101a的侧壁相对的表面上镀第二膜层5a，从而可一次为多个芯片单元11a镀膜。

本发明的各实施方式所述的半导体激光芯片及其制造方法、半导体激光装置，由于在基体被解理成多个芯片单元之前就已经在凹槽的侧壁形成了第一膜层，从而可同时为多个芯片单元形成第一膜层。在此过程中，避免了使用其他辅助装置，减少了人工安装、调节和固定的操作，有利于提高生产效率，并有利于防止半导体激光芯片在安装、调节等过程中出现破损，有利于提高产品质量。同时，在形成电极后，将基体解理成含有多个芯片单元的巴条，然后在与凹槽的侧壁相对的表面形成第二膜层，而不用在基体上形成多层膜，有利于减小膜厚和应力，工艺简单，有利于提高效率和产品质量，对所述巴条解理后可形成多个芯片单元。此外，第一膜层覆盖基体形成有凹槽的表面上，可起到保护的作用。另，第一膜层和第二膜层的反射率不同，因而二者间反射率较高所在的表面即为背光面，反射率较低的所在的表面即为出光面，提高输出功率，由此，可提高生产效率和产品质量。

应可理解的是，本发明不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本发明能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本发明的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本发明延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本发明的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本发明的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够利用本发明。

Claims

1.一种半导体激光芯片，其特征在于，包括芯片单元和形成于所述芯片单元上的电极，所述芯片单元包括有源层，所述芯片单元一端形成有凹槽，所述凹槽的侧壁上形成有第一膜层，所述芯片单元上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成有第二膜层，且所述第一膜层和所述第二膜层的反射率不同；

所述凹槽的侧壁与所述芯片单元上与所述凹槽侧壁相对表面为相互平行的平面；

所述第一膜层覆盖所述凹槽的侧壁和所述芯片单元上形成有所述凹槽的表面，所述电极形成于所述第一膜层上。

2.根据权利要求1所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述凹槽的底面低于所述有源层，且所述凹槽的侧壁垂直于所述凹槽的底面。

3.根据权利要求2所述的半导体激光芯片，其特征在于，所述凹槽的深度大于10μm。

4.一种半导体激光装置，包括热沉，其特征在于，还包括权利要求1-3任一项所述半导体激光芯片，所述半导体激光芯片设于所述热沉上。

5.一种半导体激光芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基体，所述基体包括形成于其内部的有源层；

在所述基体上形成多个凹槽，所述凹槽将所述有源层隔断；

分别沿多个所述凹槽的长度方向对所述基体进行解理，并按照预定尺寸将所述基体解理成多个包括多个芯片单元的巴条；

对各个所述巴条进行解理，形成多个芯片单元。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基体上形成多个凹槽包括：利用干法刻蚀工艺在所述基体表面形成多个所述凹槽。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基体上形成有所述凹槽的表面上形成第一膜层包括：利用等离子体增强化学气相沉积法或镀膜机在所述基体上形成有所述凹槽的表面上形成所述第一膜层。

8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述在各个所述巴条上与所述凹槽的侧壁相对的表面上形成第二膜层包括：

将多个所述巴条层叠设置，并使各个所述巴条上与所述凹槽的侧壁相对的表面对齐并固定；

利用镀膜机在各个所述巴条上与所述凹槽的侧壁相对的表面上镀第二膜层。