TWI429110B - 具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法 - Google Patents

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Description

具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法
本發明係有關一種具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法，特別是一種具有高光取出效率(light extraction efficiency)之具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法。
固態發光元件具有長壽命、反應時間快、體積小、低驅動電壓等優點，特別是氮化鎵發光二極體因具有較大的能隙，可發出短波長的光，搭配螢光粉後可產生白光，更為目前主流的新一代光源之一。傳統的氮化鎵發光二極體通常使用藍寶石(sapphire)作為基板，由於藍寶石材料在可見光波段為透明，因此由發光二極體所產生的光線可從各方向出射，而無法另其集中於同一面出光，降低了光束的使用率。因此業者與研發人員極欲努力提升發光二極體的光輸出效率。
為了提升發光二極體的發光效率，一種習知的作法為設置一平面反射層於發光二極體的基板上，用以將射向基板方向的光反射，以提高出光效率，然而實際上射向此平面反射層的光將受到全反射而侷限於發光二極體內部不斷的反射，進而被發光二極體之材料吸收轉變成熱能，造成工作溫度上升，影響發光二極體的發光效率。另有一種提昇發光效率的作法是將平面反射層以橫向磊晶方式鑲嵌於半導體層中，使平面反射層更靠近發光層，但因為需配合橫向磊晶製程，因此必須對平面反射層進行蝕刻使其露出半導體層，造成平面反射層的反射率下降，而影響發光效率的提昇。
為了解決上述問題，本發明係提供一種具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法，係設置一包含自我複製式光子晶體之鋸齒狀多層膜於結構中，能夠將發光元件內的光線導入全反射角內，提升發光元件的光取出效率。
本發明之一種具有自我複製式光子晶體之發光元件係包含：一基板、一鋸齒狀多層膜、一第一半導體層、一發光層、一第二半導體層、一第一電極與一第二電極、複數個溝槽。其中鋸齒狀多層膜係設置於基板上，其中鋸齒狀多層膜具有複數個自我複製式光子晶體結構；第一半導體層係設置於鋸齒狀多層膜上；發光層係設置於第一半導體層上；第二半導體層係設置於發光層上；第一電極與一第二電極係分別與第一半導體層與第二半導體層電性接觸；複數個溝槽貫穿第二半導體層、發光層、第一半導體層、鋸齒狀多層膜並停止於基板，溝槽係定義出陣列設置的複數個單元；其中第一電極與第二電極係設置於單元並與第一半導體層與第二半導體層電性接觸。
本發明之一種具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，係包含：提供一第一載板、設置一第一半導體層於第一載板上、設置一發光層於第一半導體層上、設置一第二半導體層於發光層上、設置一第二載板於第二半導體層上、移除第一載板、利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜於第一半導體層下方、設置一基板於鋸齒狀多層膜下、移除第二載板以及分別設置一第一電極和一第二電極與第一半導體層和第二半導體層電性接觸。
本發明之一種具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，係包含：提供一第一載板、設置一第一半導體層於第一載板上、設置一發光層於第一半導體層上、設置一第二半導體層於發光層上、利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜於第二半導體層上方、設置一基板於鋸齒狀多層膜上以及分別設置一第一電極和一第二電極與第一半導體層和第二半導體層電性接觸。
以下藉由具體實施例配合所附的圖式詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。須說明者，以下實施例及圖式中，與本發明非直接相關之元件已省略而未繪示；且圖式中各元件間之尺寸關係僅為求容易瞭解，非用以限制實際比例。
請參考圖1所示，依據本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，係包含步驟S11至S19。以下請同時參考圖2A至圖2G，圖2A至圖2G為各步驟相對應的結構示意圖。如圖2A所示，步驟S11至步驟S14分別為，(S11)提供一第一載板21，第一載板21係可為一玻璃、藍寶石(sapphire)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、鋁酸鋰(LiAlO2 )、鎵酸鋰(LiGaO2 )或有機材料等材質；(S12)設置一第一半導體層22於第一載板21上；(S13)設置一發光層23於第一半導體層22上；(S14)設置一第二半導體層24於發光層23上。其中步驟S12至步驟S14可利用化學氣相磊晶、分子束磊晶或化學液相磊晶等方式設置第一半導體層22、發光層23與第二半導體層24。
如圖2B所示，步驟S15為設置一第二載板25於第二半導體層24上，可利用一暫時性可移除接合劑將第二載板25設置於第二半導體層24上，其中第二載板25可為一玻璃、藍寶石(sapphire)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、鋁酸鋰(LiAlO2 )、鎵酸鋰(LiGaO2 )或有機材料等材質。如圖2C所示，步驟S16為移除第一載板21，移除的方法可利用乾式蝕刻、濕式蝕刻或雷射剝離的方式，但不以此為限。如圖2D與圖2E所示，步驟S17為利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜26於第一半導體層22下，於此實施例中，自我複製式光子晶體製作程序包含：利用微影蝕刻、離子束蝕刻、奈米壓印或雷射光蝕刻等方式形成一鋸齒狀圖案221於第一半導體層22之下表面，如圖2D所示；利用一薄膜製程形成鋸齒狀多層膜26，如圖2E所示。鋸齒狀多層 膜26將至少兩個不同折射率材料交替堆疊而成，以本實施例來說，鋸齒狀多層膜26包含一第一折射率材料層261與一第二折射率材料層262交替堆疊而成。而第一折射率材料層261與第二折射率材料層262可分別選自氧化鈦(TiO2 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鈮(Nb2 O5 )、氧化鈰(CeO2 )、硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、矽(Si)、氧化矽(SiO2 )或氟化鎂(MgF2 )。
要說明的是，自我複製式光子晶體製作程序中，薄膜製程包含利用離子束濺鍍、磁控濺鍍、蒸鍍或化學氣相磊晶等方式並配合對元件施以偏壓蝕刻以低功率蝕刻能量對第一折射率材料層261或第二折射率材料層262的外形修整成為鋸齒狀，以製作出鋸齒狀多層膜26。而自我複製式光子晶體的製作程序具有一般鍍膜製程的優勢，舉例來說，可量產、容易製作、製作成本低、可鍍製大面積膜層等，且因鍍膜的厚度可以精準的控制，因此自我複製式光子晶體在晶格常數的設計與折射率的選擇上皆可滿足設計上的需求。
繼續，如圖2F所示，步驟S18係利用一黏著層27將一基板28設置於鋸齒狀多層膜26下，並移除第二載板25，較佳者，基板28可包含高導熱係數之材料，例如銅或鋁等金屬，以提升發光元件散熱效果。接著，如圖2G所示，步驟S19係分別設置一第一電極29和一第二電極30，且使其分別與第一半導體層22和第二半導體層24電性接觸。其中設置第一電極29時可利用微影蝕刻或雷射光蝕刻的方式移除部份第二半導體層24與部分發光層23，暴露出部分第一半導體層22，並利用濺鍍、蒸鍍等方式設置第一電極29與第二電極30，以完成本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件。於其他實施例中，更包含一步驟係形成一透明導電層(未圖示)於第一電極29與第一半導體層22之間及/或第二電極30與第二半導體層24之間，促進電流分佈之均勻性以提升發光效率。可以理解的是，透明導電層之材料包含下列之組合：銦鋅氧化物(IZO)、銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(SnO2 )、氧化鈦(TiO2 )、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銦(InO)與氧化鋅(ZnO)。要說明的是，當發光層23所產生的光的波長範圍對於第二載板25來說是透明可穿透時，於一實 施例中，步驟S18中第二載板25可不用移除。
如圖2G所示之具有自我複製式光子晶體之發光元件，鋸齒狀多層膜26為一三維光子晶體，同時具有橫向與縱向的週期結構，橫向的週期結構則可提供一繞射機制使反射的光可以進入全反射角之內，而縱向週期則可提供一高反射之介面，因此無需於發光元件內部額外設置高反全角反射镜(Omni-Directional Reflector，ODR)或分佈式布拉格反射鏡(Distributed Bragg Reflector，DBR)，也無需在發光元件的出光面施以粗糙化製程，便能有效提高發光元件的光取出效率。要說明的是，圖2G中鋸齒狀多層膜26為整面連續鋪設的結構，所以透過鋸齒狀多層膜中之光子晶體結構的光子禁帶(photonic bandgap)，產生全方位反射效果(Omni-reflection)，同時光子晶體的鋸齒週期產生繞射效果改變光反射的方向，使其有大量的光進入到全反射角之內，所以發光二極體的發光效率因此而提升，而且發光元件所產生的光線不須穿透基板28即可受到整面鋸齒狀多層膜26作用，讓發光元件的發光效率提升更明顯。本發明之發光元件的發光效率與鋸齒狀多層膜26的反射率相關，因此鋸齒狀多層膜26適用於發光元件的發光波長範圍是由鋸齒狀多層膜的週期、鋸齒狀多層膜的厚度、鋸齒狀多層膜的膜層數或鋸齒狀多層膜的折射率中至少一者來控制。且圖1之步驟並不僅限於此順序，可依據製程之需要調換。
要說明的是，圖2G所示之具有自我複製式光子晶體之發光元件之結構中，第一半導體層22包含n型III-V族(三五族)半導體材料，例如n型氮化鎵，第二半導體層24包含p型III-V族(三五族)半導體材料，例如p型氮化鎵，發光層23可為單層量子井或多層量子井結構，並視所需發出的光波長選擇材料、比例。可以理解的是，第一半導體層22與第二半導體層24之組成亦可互換，即第一半導體層22包含p型III-V族(三五族)半導體材料，而第二半導體層24包含n型III-V族(三五族)半導體材料。
請參考圖3所示，依據本發明之另一實施例之具有自我複製式光 子晶體之發光元件的製造方法，用以形成陣列設置的具有自我複製式光子晶體之發光元件，係包含步驟S31至S41。請同時參考圖2A至圖2F、圖4A與圖4B，係分別為各步驟相對應的結構示意圖。其中步驟S31至S38之步驟以及結構與前述一實施例中圖1之步驟S11至S18與對應的結構圖2A至圖2F相同，不再贅述。要說明的是，如圖4A所示，步驟S39係於設置第一電極29與第二電極30前，更包含一切割步驟，形成複數個溝槽50，溝槽50貫穿第二半導體層24、發光層23、第一半導體層22、鋸齒狀多層膜26並停止於基板28，此切割步驟形成的溝槽50定義出陣列設置的複數個單元40，接著如圖4B所示，步驟S40係設置複數個隔離絕緣層51於複數個單元40之間，隔離絕緣層51可包含絕緣封裝材料，接著步驟S41係將第一電極29與第二電極30係設置於每一單元40並與第一半導體層22與第二半導體層24電性接觸，其中第二電極30覆蓋隔離絕緣層51。由圖2G與圖4B可知，本發明之具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法不僅可為大尺寸或小尺寸之發光元件，亦可為陣列型之發光元件。
請參考圖5為本發明之另一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，係包含步驟S51至S58，圖6A至圖6F為各步驟相對應的結構示意圖。如圖6A所示，步驟S51至步驟S54分別為，(S51)提供一第一載板21；(S52)設置一第一半導體層22於第一載板21上；(S13)設置一發光層23於第一半導體層22上；(S54)設置一第二半導體層24於發光層23上。其中步驟S52至步驟S54可利用化學氣相磊晶、分子束磊晶或化學液相磊晶等方式設置第一半導體層22、發光層23與第二半導體層24。
步驟S55為利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜26於第二半導體層24上方，自我複製式光子晶體製作程序包含：利用微影蝕刻或雷射光蝕刻等方式形成一鋸齒狀圖案241於第二半導體層24之上表面，如圖6B所示；利用一薄膜製程形成鋸齒狀多層膜26，如圖6C所示。鋸齒狀多層膜26的組成與前述相同，在此不再贅述。
繼續，如圖6D所示，步驟S56係利用一黏著層27將一基板28設置於鋸齒狀多層膜26上，基板28如同前述，可包含高導熱係數之材料，例如銅或鋁等金屬，以提升發光元件散熱效果。接著，如圖6E所示，步驟S57係移除第一載板21，接著如圖6F所示，步驟S58係分別設置一第一電極29和一第二電極30，且使其分別與第一半導體層22和第二半導體層24電性接觸。於另一實施例中，於設置第一電極29與第二電極30前，更包含一切割步驟，係切割第一半導體層22、發光層23、第二半導體層24、鋸齒狀多層膜26並停止於基板28，形成陣列設置的複數個單元。於另一實施例中，更包含一步驟其為設置複數個隔離絕緣層於複數個單元之間，且第一電極29覆蓋隔離絕緣層。要說明的是，當發光層23所產生的光的波長範圍對於第一載板21來說是透明可穿透時，於一實施例中，步驟S57中第一載板21可不用移除。
請參考圖7A、圖7B，圖7A與圖7B分別依據本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件在波長與總反射率及總穿透率之間的關係圖。於一實施例中，發光層23所發出的光為藍光，本發明之具有自我複製式光子晶體之發光元件為一藍光發光二極體，從圖7A、圖7B可知道，在波長420~470nm範圍內，總反射率超過90%，總穿透率低於10%，代表此鋸齒狀多層膜26能夠將發光層23所射向基板28的藍光光線大量反射，且鋸齒狀週期結構，可改變光線反射方向，藉此能提高本發明之發光元件的出光機會。
根據嚴格耦合波分析(Rigorous coupled wave analysis)方式所計算得到的光取出效率，傳統發光二極體的光取出效率為12.1%，具有高反射平面多層膜的發光二極體出光效率為22%，基板下方有鋸齒狀多層膜的發光二極體出光效率為34.8%，基板上方具有覆蓋百分之五十面積之鋸齒狀多層膜的發光二極體出光效率為51.4%，而本發明將鋸齒狀多層膜完全佈置於基板和半導體層之間的發光二極體出光效率可達83.4%，比上述其它設計皆高上許多，代表此結構對於光取出效率的改善的確十分有效用。
綜合上述，本發明之具有自我複製式光子晶體之發光元件與其製造方法係設置一包含自我複製式光子晶體之鋸齒狀多層膜於結構中，此鋸齒狀多層膜提供一高反射之介面並且提供一繞射機制使反射的光可以進入全反射角之內，提升發光元件的光取出效率。
以上所述之實施例僅係為說明本發明之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本發明之內容並據以實施，當不能以之限定本發明之專利範圍，即大凡依本發明所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本發明之專利範圍內。
21‧‧‧第一載板
22‧‧‧第一半導體層
221、241‧‧‧鋸齒狀圖案
23‧‧‧發光層
24‧‧‧第二半導體層
25‧‧‧第二載板
26‧‧‧鋸齒狀多層膜
261‧‧‧第一折射率材料層
262‧‧‧第二折射率材料層
27‧‧‧黏著層
28‧‧‧基板
29‧‧‧第一電極
30‧‧‧第二電極
40‧‧‧單元
50‧‧‧溝槽
51‧‧‧隔離絕緣層
S11-S19、S31-S41、S51-S58‧‧‧步驟
圖1為依據本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之步驟示意圖。
圖2A至圖2G分別為依據本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之結構示意圖。
圖3為依據本發明之另一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之步驟示意圖。
圖4A至圖4B分別為依據本發明之另一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之結構示意圖。
圖5為依據本發明之另一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之步驟示意圖。
圖6A至圖6F分別為依據本發明之另一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法之結構示意圖。
圖7A、圖7B分別為依據本發明之一實施例之具有自我複製式光子晶體之發光元件在波長與總反射率及總穿透率之間的關係圖。
22．．．第一半導體層
23．．．發光層
24．．．第二半導體層
26．．．鋸齒狀多層膜
261．．．第一折射率材料層
262．．．第二折射率材料層
27．．．黏著層
28．．．基板
29．．．第一電極
30．．．第二電極

Claims (35)

  1. 一種具有自我複製式光子晶體之發光元件，係包含：一基板；一鋸齒狀多層膜，係設置於該基板上，其中該鋸齒狀多層膜具有複數個自我複製式光子晶體結構；一第一半導體層，係設置於該鋸齒狀多層膜上；一發光層，係設置於該第一半導體層上；一第二半導體層，係設置於該發光層上；一第一電極與一第二電極係分別與該第一半導體層與該第二半導體層電性接觸；以及複數個溝槽，其中該溝槽貫穿該第二半導體層、該發光層、該第一半導體層、該鋸齒狀多層膜並停止於該基板，該溝槽係定義出陣列設置的複數個單元；其中該第一電極與該第二電極係設置於該單元並與該第一半導體層與該第二半導體層電性接觸。
  2. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，更包含一透明導電層，係設置於該第一電極與該第一半導體層之間或該第二電極與該第二半導體層之間。
  3. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該鋸齒狀多層膜包含至少兩個不同折射率材料交替堆疊而成。
  4. 如請求項3所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該鋸齒狀多層膜係選自由TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、CeO2 、ZnS、ZnO、Si、SiO2 與MgF2 所組成之群組。
  5. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，更包含一隔離絕緣層設置於該些溝槽中。
  6. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該第二電 極覆蓋該隔離絕緣層。
  7. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該第一半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層包含p型III-V族(三五族)半導體材料。
  8. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該第一半導體層包含p型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料。
  9. 如請求項1所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件，其中該鋸齒狀多層膜整面鋪設於該基板上。
  10. 一種具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，包含下列步驟：提供一第一載板；設置一第一半導體層於該第一載板上；設置一發光層於該第一半導體層上；設置一第二半導體層於該發光層上；設置一第二載板於該第二半導體層上；移除該第一載板；利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜於該第一半導體層下方；設置一基板於該鋸齒狀多層膜下；移除該第二載板；以及分別設置一第一電極和一第二電極與該第一半導體層和該第二半導體層電性接觸。
  11. 如請求項10所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該自我複製式光子晶體製作程序包含： 形成一鋸齒狀圖案於該第一半導體層之下表面；以及利用一薄膜製程形成該鋸齒狀多層膜。
  12. 如請求項11所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該薄膜製程可選自離子束濺鍍、磁控濺鍍、蒸鍍或化學氣相磊晶。
  13. 如請求項10所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該鋸齒狀多層膜由至少兩個不同折射率材料交替堆疊而成。
  14. 如請求項13所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該鋸齒狀多層膜係選自由TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、CeO2 、ZnS、ZnO、Si、SiO2 與MgF2 所組成之群組。
  15. 如請求項10所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中於設置該第一電極與該第二電極前，更包含一切割步驟，係切割該第二半導體層、該發光層、該第一半導體層、該鋸齒狀多層膜並停止於該基板，其中進行該切割步驟後形成陣列設置的複數個單元。
  16. 如請求項15所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一電極與該第二電極係設置於每一該些單元並與該第一半導體層與該第二半導體層電性接觸。
  17. 如請求項15所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，更包含一步驟其為設置複數個隔離絕緣層於該些單元之間。
  18. 如請求項17所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第二電極覆蓋該隔離絕緣層。
  19. 如請求項10所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，更包含一步驟，係形成一透明導電層於該第一電極與該第一半導體層之間或該第二電極與該第二半導體層之間。
  20. 如請求項10所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層 包含p型III-V族(三五族)半導體材料。
  21. 如請求項11所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一半導體層包含p型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料。
  22. 一種具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，包含下列步驟：提供一第一載板；設置一第一半導體層於該第一載板上；設置一發光層於該第一半導體層上；設置一第二半導體層於該發光層上；利用一自我複製式光子晶體製作程序形成一鋸齒狀多層膜於該第二半導體層上方；設置一基板於該鋸齒狀多層膜上；分別設置一第一電極和一第二電極與該第一半導體層和該第二半導體層電性接觸。
  23. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一載板對該發光元件層所產生之光的波長範圍為透明。
  24. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，當該第一載板對該發光元件層所產生之光的波長範圍為不透明時，更包含一移除該第一載板的步驟。
  25. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中於設置該第一電極與該第二電極前，更包含一切割步驟，係切割該第一載板、該第二半導體層、該發光層、該第一半導體層、該鋸齒狀多層膜並停止於該基板，其中進行該切割步驟後形成陣列設置的複數個單元。
  26. 如請求項25所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一電極與該第二電極係設置於每一該些單元並與該第一半導體層與該第二半導體層電性接觸。
  27. 如請求項25所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，更包含一步驟其為設置複數個隔離絕緣層於該些單元之間。
  28. 如請求項27所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一電極覆蓋該隔離絕緣層。
  29. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該自我複製式光子晶體製作程序包含：形成一鋸齒狀圖案於該第一半導體層之下表面；以及利用一薄膜製程形成該鋸齒狀多層膜。
  30. 如請求項29所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該薄膜製程可選自離子束濺鍍、磁控濺鍍、蒸鍍或化學氣相磊晶。
  31. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該鋸齒狀多層膜由至少兩個不同折射率材料交替堆疊而成。
  32. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該鋸齒狀多層膜係選自由TiO2 、Ta2 O5 、Nb2 O5 、CeO2 、ZnS、ZnO、Si、SiO2 與MgF2 所組成之群組。
  33. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，更包含一步驟，係形成一透明導電層於該第一電極與該第一半導體層之間或該第二電極與該第二半導體層之間。
  34. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層包含p型III-V族(三五族)半導體材料。
  35. 如請求項22所述之具有自我複製式光子晶體之發光元件的製造方法，其中該第一半導體層包含p型III-V族(三五族)半導體材料；及該第二半導體層包含n型III-V族(三五族)半導體材料。
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