CN1841868A - 半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体激光装置。在蓝紫色半导体激光元件的上面形成凸部及隆起部。在红色半导体激光元件的下面形成凸部及隆起部。凸部的高度比隆起部的高度低，并且凸部的高度比隆起部的高度低。蓝紫色半导体激光元件及红色半导体激光元件进行接合，使得凸部和凸部相对合。

Description

半导体激光装置
技术领域
本发明涉及能够射出不同波长的多种光的半导体激光装置。
背景技术
一直以来，在小型光盘(CD)/可记录光盘驱动器(CD-R)驱动器中，作为光源，能够使用射出波长为780nm左右的红外光的半导体激光元件(红外半导体激光元件)。另外，在现有的通用数字光盘(DVD)中，作为光源，能够使用射出波长为650nm左右的红色光的半导体激光元件(红色半导体激光元件)。
另一方面，近些年来，进行了能够使用波长为405nm左右的蓝紫色光来记录和再现的DVD的开发。为了这样的DVD的记录和再现，同时也进行了DVD驱动器的开发，该DVD驱动器使用射出波长为405nm左右的蓝紫色光的半导体激光元件(蓝紫色光半导体激光元件)。在该DVD驱动器中，具有相对于现有的CD/CD-R及DVD的互换性是必要的。
在这种情况下，通过在DVD驱动器中设置分别射出红色光和蓝紫色光的多个光拾取装置的方法，或，通过在一个光拾取装置内设置红外半导体激光元件、红色半导体激光元件及蓝紫色光半导体激光元件的方法，来实现针对于现有的CD、DVD及新的DVD的互换性。但是，利用这些方法导致部件个数的增加，因此，难于实现DVD驱动器的小型化、构成简单化和低成本化。
为了防止这样的部件个数的增加，在一个组件内设置能够射出不同波长激光的多个半导体激光元件是有效的。在这种情况下，为了各激光的取出效率的提高及降低像差，需要使各激光的发光点位置靠近。
在日本特开2004-207479号公报中，记述了激光的发光点间隔小的半导体激光装置。在日本特开2004-207479号公报的半导体激光装置中，将射出不同波长的2个发光元件各自的激光振荡部相互对向合在一起而固定。由此，能够减小激光的发光点间隔。
但是，在将具有脊峰结构的2个半导体激光元件按照上述日本特开2004-207479号公报记述的方式进行接合时，会发生以下的问题。
下面结合附图进行说明。
图12是设置了具有脊峰结构的2个半导体激光元件的现有的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图12的半导体激光装置1E，设置有半导体激光元件600和半导体激光元件700。
半导体激光元件600，在基板60的上面侧具有n型半导体层61及p型半导体层62。在p型半导体层62的上面侧，形成脊峰部Ri1。在p型半导体层62的上面侧，除去形成了脊峰部Ri1的上面，形成绝缘层63。另外，形成p侧衬垫电极64，使其覆盖绝缘层63及脊峰部Ri1的上面。在基板60的下面侧形成n电极65。
通过在半导体激光元件600的p侧衬垫电极64和n电极65之间施加电压，使得从n型半导体层61和p型半导体层62的接合面的脊峰部Ri1的下方区域(以下称为第一发光点)66射出第一激光。
半导体激光元件700，在基板70的下面侧具有n型半导体层71及p型半导体层72。在p型半导体层72的下面侧，形成脊峰部Ri2。在p型半导体层72的下面侧，除去形成了脊峰部Ri2的下面，形成绝缘层73。另外，形成p侧衬垫电极74，使其覆盖绝缘层73及脊峰部Ri2的下面。在基板70的上面侧形成n电极75。
通过在半导体激光元件700的p侧衬垫电极74和n电极75之间施加电压，使得从n型半导体层71和p型半导体层72的接合面的脊峰部Ri2的上方区域(以下称为第二发光点)76射出第二激光。
半导体激光元件600及半导体激光元件700，通过焊锡H使脊峰部Ri1及脊峰部Ri2相互对向地接合
这里，如上所述，在半导体激光元件600和半导体激光元件700相接合的情况下，脊峰部Ri1和脊峰部Ri2相接触，在脊峰部Ri1、脊峰部Ri2上就有应力。由此，会使脊峰部Ri1、脊峰部Ri2的性能恶化，使半导体激光装置1E的可靠性下降。
另外，由于脊峰部Ri1和脊峰部Ri2的接触面积小，所以不能够使半导体激光元件700在半导体激光元件600上稳定。由此，如图13所示，就会有在半导体激光元件700相对于半导体激光元件600倾斜的状态下进行接合的情况。其结果是，每个半导体激光装置1E的发光点的位置发生偏差。
另外，如图14所示，还会有在接合时焊锡H的一部分进入半导体激光元件600的n型半导体层61及p型半导体层62的侧面而引起短路现象的发生。另外，在半导体激光元件600的p侧衬垫电极64上连接有用于施加电压的导线W，但由于熔融的焊锡H流出到p侧衬垫电极64的端部附近，也可能发生导线W的接触不良。
而且，如图15所示，在将图14所示那样的焊锡H流出到p侧衬垫电极64的端部附近的半导体激光装置1E在以半导体激光元件700为下侧而接合于剖面为L字型的辅助支座800的情况下，由于焊锡H的影响，可能会发生在半导体激光装置1E对于辅助支座800倾斜的状态下进行接合。由此，引起制造成品率的下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光的发光点间距短且可靠性高、制造成品率提高的半导体激光装置。
(1)
本发明第一方面的半导体激光装置，包括设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、和设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件，第一半导体层的一面侧和第二半导体层的一面侧相互接合，在第一半导体层的一面侧和第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的凸部，在第一半导体层的一面侧及第二半导体层的一面侧的一方或双方中与凸部有间隔地设置有隆起部，隆起部的高度在凸部的高度以上。
在该半导体激光装置中，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧和第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的凸部。另外，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧及第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧的一方或双方中与凸部有间隔地设置有隆起部。这里，隆起部的高度在凸部的高度以上。而且，第一半导体层的一面侧和第二半导体层的一面侧相互接合。
在这种情况下，由于第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧和第二半导体层的第二半导体层的一面侧相互接合，所以能够减小第一半导体层的第一发光点和第二半导体层的第二发光点的间隔。由此，能够将第一发光点及第二发光点都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从第一发光点及第二发光点所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，由于隆起部的高度在凸部的高度以上，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件至少以隆起部相接触。由此，能够减低由一方的半导体激光元件的一面侧所设置的凸部对另一方半导体激光元件的一面侧所给予的应力以及对凸部所产生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第二半导体激光元件的特性的恶化。其结果是，提高了半导体激光装置的可靠性。
另外，由于第一半导体激光元件和第二半导体激光元件至少以隆起部相接触，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
另外，能够由少量的接合材料确实将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件接合。由此，能够防止接合材料的一部分进入第一或第二半导体层的侧面。其结果是，能够防止第一及第二半导体激光元件中短路的发生，使制造成品率提高。
(2)
隆起部可以与凸部的两侧有间隔地设置。
在这种情况下，使第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积进一步增大。由此，能够在更稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
(3)
可以是，凸部包含在第一半导体层的一面侧设置的第一凸部、和在第二半导体层的一面侧设置的第二凸部，隆起部包含在第一半导体层的一面侧与第一凸部有间隔地设置的第一隆起部、和在第二半导体层的一面侧与第二凸部有间隔地设置的第二隆起部，第一及第二隆起部的合计高度在第一及第二凸部的合计高度以上。
在这种情况下，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件以第一隆起部及第二隆起部相接触。由此，能够减低由第一及第二凸部所给予第二及第一半导体激光元件的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第二半导体激光元件的特性的恶化。其结果是，提高了半导体激光装置的可靠性。
另外，由于第一半导体激光元件和第二半导体激光元件以第一及第二隆起部相接触，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
另外，能够由少量的接合材料确实将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件接合。由此，能够防止接合材料的一部分进入第一或第二半导体层的侧面。其结果是，能够防止第一及第二半导体激光元件中短路的发生，使制造成品率提高。
(4)
可以是，配置第一及第二半导体激光元件，使得第一凸部及第一发光点沿着并位于与第一半导体层的一个面大体垂直的方向，第二凸部及第二发光点沿着并位于与第二半导体层的一个面大体垂直的方向，第一凸部和第二凸部相对向。
在这种情况下，第一发光点和第二发光点大体在直线上接近。由此，第一发光点和第二发光点都能够靠近组件的中心。其结果是，能够对于从第一发光点及第二发光点所射出的激光使用共同的光学系统。
(5)
可以是，第一半导体激光元件顺序包含第一活性层及第一包覆层，第一包覆层包括第一平坦部及该平坦部上的第一脊峰部，第一凸部以覆盖第一脊峰部的方式而形成，第二半导体激光元件顺序包含第二活性层及第二包覆层，第二包覆层包括第二平坦部及该平坦部上的第二脊峰部，第二凸部以覆盖第二脊峰部的方式而形成。
在这种情况下，在第一凸部下方的第一活性层的区域形成第一发光点，在第二凸部下方的第二活性层的区域形成第二发光点。因此，能够使第一发光点和第二发光点进一步靠近。
(6)
可以是，第一隆起部是与第一凸部的两侧有间隔地设置，第二隆起部是与第二凸部的两侧有间隔地设置。
在这种情况下，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积进一步增大。由此，能够在更稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
(7)
可以是，凸部设置于第一半导体层的一面侧，隆起部在第一半导体层的一面侧与凸部有间隔地设置。
在这种情况下，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件通过第一半导体层的一面侧上设置的隆起部而接触。由此，能够减低由第一半导体层的一面侧所设置的凸部对第二半导体激光元件给予的应力及对凸部所发生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第二半导体激光元件的特性的恶化。其结果是，提高了半导体激光装置的可靠性。
另外，由于第一半导体激光元件和第二半导体激光元件通过第一半导体层的一面侧上设置的隆起部而接触，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
另外，能够由少量的接合材料确实地将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件接合。由此，能够防止接合材料的一部分进入第一或第二半导体层的侧面。其结果是，能够防止第一及第二半导体激光元件中短路的发生，使制造成品率提高。
(8)
可以是，凸部、第一发光点及第二发光点沿着并位于与第一半导体层的一个面大体垂直的方向。
在这种情况下，第一发光点和第二发光点大体在直线上接近。由此，第一发光点和第二发光点都能够更靠近组件的中心。其结果是，能够对于从第一发光点及第二发光点所射出的激光使用共同的光学系统。
(9)
可以是，第一半导体激光元件顺序包含第一活性层及第一包覆层，第一包覆层包括平坦部及该平坦部上的脊峰部，凸部以覆盖脊峰部的方式而形成，第二半导体激光元件顺序包含第二活性层、第二包覆层、以及具有条纹状开口部的电流阻碍层。
在这种情况下，在凸部下方的第一活性层的区域形成第一发光点，在具有条纹状开口部的下方的第二活性层的区域形成第二发光点。
(10)
可以是，隆起部是与所述凸部的两侧有间隔地设置。
在这种情况下，第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积进一步增大。由此，能够在更稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
(11)
间隔可以是5μm以上150μm以下。
通过间隔为5μm以上，能够在凸部和隆起部之间充分地收存接合材料。由此，能够确实防止接合材料进入半导体激光元件的侧面。
另外，通过间隔为150μm以下，能够充分地确保各半导体激光元件间的接触面积。由此，能够在更稳定的状态下将各半导体激光元件接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
(12)
本发明另一方面的半导体激光装置，包括设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件、和设置了具有射出第三波长光的第三发光点的第三半导体层的第三半导体激光元件，在第一半导体层的一面侧的第一区域接合有第二半导体层的一面侧，同时，在第一半导体层的一面侧第二区域接合有第三半导体层的一面侧，第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部；在第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方中与第一凸部有间隔地设置有第一隆起部；在第二区域及第三半导体层的一面侧的一方或双方中设置有条纹状的第二凸部，在第二区域及第三半导体层的一面侧的一方或双方上与第二凸部有间隔地设置有第二隆起部，第一隆起部的高度在第一凸部的高度以上，第二隆起部的高度在第二凸部的高度以上。
在该半导体激光装置中，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第一区域及第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部。另外，在第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方中与第一凸部有间隔地设置有第一隆起部。另外，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第二区域及第三半导体激光元件的第三半导体层的一面侧的一方或双方设置有条纹状的第二凸部。另外，在第二区域及第三半导体层的一面侧的一方或双方中与第二凸部有间隔地设置有第二隆起部。这里，第一隆起部的高度在第一凸部的高度以上，第二隆起部的高度在第二凸部的高度以上。而且，第一半导体层的一面侧的第一区域及第二半导体层的一面侧相互接合，第一半导体层的一面侧的第二区域及第三半导体层的一面侧相互接合。
在这种情况下，由于第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第一区域和第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧相互接合，所以能够减小第一半导体层的第一发光点和第二半导体层的第二发光点的间隔。由此，能够将第一发光点及第二发光点都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从第一发光点及第二发光点所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，由于第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第二区域内安装有第三半导体激光元件。这样，通过设置三个半导体激光元件，能够由一个半导体激光装置与三个光学记录介质相对应。
另外，由于第一隆起部的高度在第一凸部的高度以上，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件以第一隆起部相接触。由此，能够减低由一方的半导体激光元件的一面侧所设置的第一凸部对另一方半导体激光元件的一面侧所给予的应力及对第一凸部所发生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第二半导体激光元件的特性的恶化。
另外，由于第二隆起部的高度在第二凸部的高度以上，所以第一半导体激光元件和第三半导体激光元件以第二隆起部相接触。由此，能够减低由一方的半导体激光元件的一面侧所设置的第二凸部对另一方半导体激光元件的一面侧所给予的应力及对第二凸部所发生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第三半导体激光元件的特性的恶化。
结果是，能够提高半导体激光元件的可靠性。
另外，由于第一半导体激光元件和第二半导体激光元件以第一隆起部相接触，所以第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件进行接合。而且，由于第一半导体激光元件和第三半导体激光元件以第二隆起部相接触，所以第一半导体激光元件和第三半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第三半导体激光元件进行接合。其结果是，能够提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
另外，能够由少量的接合材料确实地将第一半导体激光元件和第二半导体激光元件接合。另外，能够由少量的接合材料确实地将第一半导体激光元件和第三半导体激光元件接合。结果是，能够防止接合材料的一部分进入第一、第二或第三半导体层的侧面。其结果是，能够防止第一、第二及第三半导体激光元件中短路的发生，使制造成品率提高。
(13)
可以是，第一隆起部是与第一凸部的两侧有间隔地设置，第二隆起部是与第二凸部的两侧有间隔地设置。
在这种情况下，使第一半导体激光元件和第二半导体激光元件的接触面积以及第一半导体激光元件和第三半导体激光元件的接触面积进一步增大。由此，能够在更稳定的状态下将第二半导体激光元件及第三半导体激光元件对于第一半导体激光元件进行接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
(14)
间隔可以是5μm以上150μm以下。
通过间隔为5μm以上，能够在凸部和隆起部之间充分地收存接合材料。由此，能够确实防止接合材料进入半导体激光元件的侧面。
另外，通过间隔为150μm以下，能够充分地确保各半导体激光元件间的接触面积。由此，能够在稳定的状态下将各半导体激光元件接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
(15)
本发明的另一方面的半导体激光装置，包括设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件、和设置了具有射出第三波长光的第三发光点的第三半导体层的第三半导体激光元件，第二及第三半导体激光元件在共同的基板上形成，在第一半导体层的一面侧的第一区域上接合有第二半导体层的一面侧，同时，在第一半导体层的一面侧第二区域上结合有第三半导体层的一面侧，在第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部，在第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方中与第一凸部的至少一方侧有间隔地设置有第一隆起部，在第二区域及第三半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第二凸部，第一及第二隆起部的高度在第一凸部的高度以上。
在该半导体激光装置中，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第一区域及第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部。另外，在第一区域及第二半导体层的一面侧的一方或双方中与第一凸部的两侧有间隔地设置有第一隆起部。另外，在第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第二区域及第三半导体激光元件的第三半导体层的一面侧的一方或双方上设置有第二隆起部。这里，第二及第三半导体激光元件在共同的基板上形成，第一及第二隆起部的高度在第一凸部的高度以上。而且，第一半导体层的一面侧的第一区域及第二半导体层的一面侧相互接合，第一半导体层的一面侧的第二区域及第三半导体层的一面侧相互接合。
在这种情况下，由于第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第一区域和第二半导体激光元件的第二半导体层的一面侧相互接合，所以能够减小第一半导体层的第一发光点和第二半导体层的第二发光点的间隔。由此，能够将第一发光点及第二发光点都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从第一发光点及第二发光点所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，由于第一半导体激光元件的第一半导体层的一面侧的第二区域内安装有第三半导体激光元件。这样，通过设置3个半导体激光元件，能够由1个半导体激光装置与3个光学记录介质相对应。
另外，由于第一及第二隆起部的高度在第一凸部的高度以上，所以第一半导体激光元件与第二半导体激光元件以第一隆起部相接触，与第三半导体激光元件以第二隆起部相接触。由此，能够减低由第一及第二半导体激光元件之中一方的半导体激光元件的一面侧所设置的第一凸部对另一方半导体激光元件的一面侧所给予的应力及对第一凸部所发生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第二半导体激光元件的特性的恶化。其结果是，使半导体激光元件的可靠性提高。
另外，由于第一半导体激光元件在第一及第二隆起部中与第二及第三半导体激光元件相接触，所以第一半导体激光元件与第二及第三半导体激光元件的接触面积增大。由此，能够在稳定的状态下将第一半导体激光元件和第二及第三半导体激光元件进行接合。由此，能够提高半导体激光装置的组装精度，提高制造的成品率。
另外，能够以少量的接合材料确实地将第一半导体激光元件与第二及第三半导体激光元件接合。由此，能够防止接合材料的一部分进入第一、第二或第三半导体层的侧面。其结果是，能够防止第一、第二及第三半导体激光元件中短路的发生，使制造成品率提高。
(16)
可以是，在第三半导体层的一面侧设置有条纹状的第二凸部，在第二区域及第三半导体层的一面侧的一方或双方中与第二凸部的至少一方侧有间隔地设置有第二隆起部，第二隆起部的高度在第二凸部的高度以上。
在这种情况下，由于第二隆起部的高度在第二凸部的高度以上，所以第一半导体激光元件和第三半导体激光元件以第二隆起部相接触。由此，能够减低由第二凸部对第一半导体激光元件的一面侧所给予的应力及对第二凸部所发生的应力。因此，就能够防止由应力所引起的第一及第三半导体激光元件的特性的恶化。其结果是，提高了半导体激光装置的可靠性。
(17)
可以是间隔为5μm以上150μm以下。
通过间隔为5μm以上，能够在凸部和隆起部之间充分地收存接合材料。由此，能够确实防止接合材料进入半导体激光元件的侧面。
另外，通过间隔为150μm以下，能够充分地确保各半导体激光元件间的接触面积。由此，能够在更稳定的状态下将各半导体激光元件接合。其结果是，能够进一步提高半导体激光装置的组装精度，进一步提高制造的成品率。
附图说明
图1是表示第一实施方式中半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图2是表示将图1的半导体激光装置接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。
图3是详细表示蓝紫色半导体激光元件的示意性剖面图。
图4是详细表示红色半导体激光元件的示意性剖面图。
图5是表示第二实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图6是表示第三实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图7是表示将图6的半导体激光装置接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。
图8是详细表示红外半导体激光元件的示意性剖面图。
图9是表示第四实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图10是表示将图9的半导体激光装置接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。
图11是用于表示其它的凹部的形成方法的图。
图12是表示现有的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
图13是表示现有的半导体激光装置的问题的一例的图。
图14是表示现有的半导体激光装置的问题的一例的图。
图15是表示现有的半导体激光装置的问题的一例的图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式中的半导体激光装置加以说明。
(第一实施方式)
图1是表示第一实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
在以下的说明中，如图1的箭头X、Y、Z所示，将水平方向内正交的2个方向定义为X方向及Y方向，将与X方向及Y方向垂直的方向定义为Z方向。对于图1以后的图面，也与上述同样定义X方向、Y方向及Z方向。
还有，X方向及Y方向是与后述的蓝紫色半导体激光元件及红色半导体激光元件的pn接合面相平行的方向。Z方向是与蓝紫色半导体激光元件及红色半导体激光元件的pn接合面相垂直的方向。
本实施方式中的半导体激光装置1A，具备射出波长约为405nm的激光的蓝紫色半导体激光元件100以及射出波长约为650nm的激光的红色半导体激光元件200。
如图1所示，蓝紫色半导体激光元件100在n-GaN基板10的上面侧具有n型半导体层11及p型半导体层12。在p型半导体层12上，形成沿X方向延伸的脊峰部RiB。与脊峰部RiB的两侧有规定间隔地形成隆起部。由此，在脊峰部RiB和隆起部之间形成一对凹部。
在p型半导体层12的上面除去脊峰部RiB上面的区域形成绝缘层13。而且，形成p侧衬垫电极14，覆盖绝缘层13及脊峰部RiB的上面。由此，在蓝紫色半导体激光元件100的上面，形成与脊峰部RiB相对应的条纹状的凸部T1及一对隆起部U1、U2。另外，在凸部T1和一对隆起部U1、U2之间形成凹部Con1、Con2。在n-GaN基板10的下面形成n电极15。
红色半导体激光元件200在n-GaAs基板20的下面侧具有n型半导体层21及p型半导体层22。在p型半导体层22上，形成沿X方向延伸的脊峰部RiR。与脊峰部RiR的两侧有规定间隔地形成隆起部。由此，在脊峰部RiR和隆起部之间形成一对凹部。
在p型半导体层22的下面，除去脊峰部RiR下面的区域内形成绝缘层23。而且，形成p侧衬垫电极24，覆盖绝缘层23及脊峰部RiR的下面。由此，在红色半导体激光元件200的下面，形成与脊峰部RiR相对应的条纹状的凸部T2及一对隆起部U3、U4。另外，在凸部T2和一对隆起部U3、U4之间形成凹部Con3、Con4。在n-GaAs基板20的上面形成n电极25。
蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200由焊锡H进行接合，使凸部T1和凸部T2相互对合。由此，蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14和红色半导体激光元件200的p侧衬垫电极24电连接。
还有，蓝紫色半导体激光元件100与红色半导体激光元件200相比，Y方向上的宽度大。由此，在将蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200接合时，p侧衬垫电极14的一部分露出。在该p侧衬垫电极14露出的区域，连接有后述的导线1W。
通过在蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14和n电极15之间施加电压，从n型半导体层11和p型半导体层12的接合面中的脊峰部RiB的下方区域(以下称为蓝紫色发光点)16沿X方向射出波长约为405nm的激光。
通过在红色半导体激光元件200的p侧衬垫电极24和n电极25之间施加电压，从n型半导体层21和p型半导体层22的接合面中的脊峰部RiR的上方区域(以下称为红色发光点)26沿X方向射出波长约为650nm的激光。
图2是表示将图1的半导体激光装置1A接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。如图2所示，在将图1的半导体激光装置1A安装于组件内的情况下，将半导体激光装置1A安装在由Cu、CuW或Al等金属所构成的辅助支座500上。另外，使用导线1W、2W、3W，进行p侧衬垫电极14、24及n电极15、25的布线。
蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14，由导线1W连接于设置在组件内的第一供电管脚(未图示)。红色半导体激光元件200的n电极25，由导线2W连接于设置在组件内的第二供电管脚(未图示)。
蓝紫色半导体激光元件100的n电极15的布线，是通过将n电极15连接于辅助支座500的表面而进行。由此，n电极15和辅助支座500的表面电连接。辅助支座500由导线3W连接于设置在组件内的第三供电管脚(未图示)。
通过第一供电管脚及第三供电管脚，在导线1W和导线3W之间施加电压，由此，能够驱动蓝紫色半导体激光元件100。通过第一供电管脚及第二供电管脚，在导线1W和导线2W之间施加电压，由此，能够驱动红色半导体激光元件200。这样，蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200能够分别独立地驱动。
以下，对蓝紫色半导体激光元件100及红色半导体激光元件200的结构进行详细的说明。
图3是详细表示蓝紫色半导体激光元件100的示意性剖面图。
在蓝紫色半导体激光元件100的制造中，如上所述，在n-GaN基板10上形成有n型半导体层11及p型半导体层12层叠的半导体层1t。
如图3(a)所示，在n-GaN基板10的一面侧，作为半导体层1t，顺次形成n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102、n-GaN光引导层103、多重量子阱(MQW)活性层104、非掺杂AlGaN罩层105、非掺杂GaN光引导层106、p-AlGaN包覆层107、以及非掺杂GaInN接触层108。各层的形成，例如可以由有机金属化学气相成长(MOCVD)法来进行。而且，在非掺杂GaInN接触层108上，形成由Pd/Pt/Au所构成的电极层109。
如图3(b)所示，MQW活性层104具有4个非掺杂GaInN阻挡层104a和3个非掺杂GaInN阱层104b交互层叠的结构。
这里，例如n-AlGaN包覆层102的Al组成为0.15，Ga组成为0.85。n-GaN层101、n-AlGaN包覆层102及n-GaN光引导层103中掺杂有Si。
另外，非掺杂GaInN阻挡层104a中的Ga组成为0.95，In组成为0.05。非掺杂GaInN阱层104b中的Ga组成为0.90，In组成为0.10。p-AlGaN罩层105中的Al组成为0.30，Ga组成为0.70。
而且，p-AlGaN包覆层107中的Al组成为0.15，Ga组成为0.85。p-AlGaN包覆层107中掺杂有Mg。非掺杂GaInN接触层108中的Ga组成为0.95，In组成为0.05。
在上述p-AlGaN包覆层107、非掺杂GaIN接触层108及电极层109上，以规定间隔形成沿X方向延伸的一对条纹状的凹部。由此，在这些凹部之间，形成沿X方向延伸的脊峰部RiB。脊峰部RiB具有大约1.5μm的宽度。另外，在一对凹部的外侧区域分别形成隆起部。
形成覆盖凹部内的侧面及底面和隆起部的上面的绝缘层13。进而形成覆盖绝缘层13及脊峰部RiB上面的p侧衬垫电极14。由此，在蓝紫色半导体激光元件100的上面形成与脊峰部RiB相对应的条纹状的凸部T1及一对隆起部U1、U2。在凸部T1和一对隆起部U1、U2之间形成凹部Con1、Con2。另外，在n-GaN基板10的另一面侧，形成由Ti/Pt/Au所构成的n电极15。
由于在脊峰部RiB上不形成绝缘层13，所以凸部T1的高度L1与隆起部U1、U2的高度L2相比，要低于绝缘层13的厚度部分。
在该蓝紫色半导体激光元件100中，在脊峰部RiB下方的MQW活性层104的位置上，形成蓝紫色发光点16。
图4是详细表示红色半导体激光元件200的示意性剖面图。
在红色半导体激光元件200的制造中，如上所述，在n-GaAs基板20上形成n型半导体层21及p型半导体层22层叠的半导体层2t。在该n-GaAs基板20中掺杂有Si。
如图4(a)所示，在n-GaAs基板20的一面侧，作为半导体层2t，顺次形成n-GaAs层201、n-AlGaInP包覆层202、非掺杂AlGaInP光引导层203、MQW活性层204、非掺杂AlGaInP光引导层205、p-AlGaInP第一包覆层206、p-InGaP蚀刻停止层207、p-AlGaInP第二包覆层208、以及p-接触层209。各层的形成，例如可以由MOCVD法来进行。而且，在p-接触层209上，形成由Cr/Au所构成的电极层210。
如图4(b)所示，MQW活性层204具有2个非掺杂AlGaInP阻挡层204a和3个非掺杂InGaP阱层204b交互层叠的结构。
这里，例如n-AlGaInP包覆层202的Al组成为0.35，Ga组成为0.15、In组成为0.50。n-GaAs层201及n-AlGaInP包覆层202中掺杂有Si。
非掺杂AlGaInP层203中的Al组成为0.25，Ga组成为0.25，In组成为0.50。
另外，非掺杂AlGaInP障蔽层204a中的Al组成为0.25，Ga组成为0.25，In组成为0.50。非掺杂InGaP阱层204b中的In组成为0.25，Ga组成为0.25。非掺杂AlGaInP光引导层205中的Al组成为0.25，Ga组成为0.25，In组成为0.50。
而且，p-AlGaInP第一包覆层206中的Al组成为0.35，Ga组成为0.15，In组成为0.50。p-InGaP蚀刻停止层207中的In组成为0.50，Ga组成为0.50。
p-AlGaInP第二包覆层208中的Al组成为0.35，Ga组成为0.15，In组成为0.50。
p-接触层209具有p-GaInP层和p-GaAs层的层叠结构。该p-GaInP的Ga组成为0.50，In组成为0.50。
还有，上述AlGaInP系材料的组成，在用通式AlaGabIncP表示时，a是Al组成，b是Ga组成，c是In组成。
p-AlGaInP第一包覆层206、p-InGaP蚀刻停止层207、p-AlGaInP第二包覆层208、以及p-接触层209的p-GaInP及p-GaAs中掺杂有Zn。
在上述p-AlGaInP第二包覆层208、p-接触层209及电极层210上，以规定的间隔形成沿X方向延伸的一对条纹状的凹部。由此，在这些凹部之间，形成沿X方向延伸的脊峰部RiR。脊峰部RiR具有大约2.5μm的宽度。另外，在一对凹部的外侧区域分别形成隆起部。
形成绝缘层23，覆盖凹部内的侧面及底面和隆起部的上面。进而形成p侧衬垫电极24，覆盖绝缘层23及脊峰部RiR的上面。由此，在红色半导体激光元件200的上面形成与脊峰部RiR相对应的条纹状的凸部T2及一对隆起部U3、U4。在凸部T2和一对隆起部U3、U4之间形成凹部Con3、Con4。在n-GaAs基板20的另一面侧，形成由AuGe/Ni/Au所构成的n电极25。
由于在脊峰部RiR上不形成绝缘层23，所以凸部T2的高度L3与隆起部U3、U4的高度L4相比，要低绝缘层23的膜厚部分。
在该红色半导体激光元件200中，在脊峰部RiR下方的MQW活性层204的位置上，形成红色发光点26。
如以上所述，在本实施方式中，将蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200接合，使凸部T1和凸部T2相对向合在一起。在这种情况下，能够缩短蓝紫色半导体激光元件100的蓝紫色发光点16和红色半导体激光元件200的红色发光点26之间的间隔。由此，蓝紫色发光点16和红色发光点26能够都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从蓝紫色发光点16及红色发光点26所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，蓝紫色半导体激光元件100的凸部T1的高度L1比隆起部U1、U2的高度L2低，红色半导体激光元件200的凸部T2的高度L3比隆起部U3、U4的高度L4低。
在这种情况下，即使是使凸部T1和凸部T2相对向而接合蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200，由于隆起部U1、U2和隆起部U3、U4相接触，所以也能够防止凸部T1和凸部T2的接触。由此，能够降低施加于RiB、RiR的应力，防止由应力引起的特性的恶化。其结果是，能够提高半导体激光装置1A的可靠性。
另外，通过隆起部U1、U2和隆起部U3、U4相接触，能够增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200的接触面积。由此，能够在稳定的状态下将红色半导体激光元件200接合在蓝紫色半导体激光元件100上。其结果是，能够提高半导体激光装置1A的组装精度。
另外，通过增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200的接触面积，能够以少量的焊锡H确实地将蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200接合。由此，能够防止焊锡H的一部分进入蓝紫色半导体激光元件100的侧面。其结果是，能够防止半导体激光元件1A中短路的发生，使制造成品率提高。
而且，能够防止熔融焊锡H的一部分流出至蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14上的连接导线1W的部分。由此，能够防止连接导线1W的接触不良。
另外，由于凹部Con1、Con2、Con3、Con4具有收存焊锡H的作用，因此，能够确实地防止焊锡H的一部分流出至在蓝紫色半导体激光元件100的侧面及p侧衬垫电极14上的连接导线1W的部分。由此，能够确实地防止半导体激光装置1A的短路及连接导线1W的接触不良。
这些结果是，使半导体激光装置1A的制造成品率得到提高。
以上的结果是，能够缩短激光发光点的间隔，同时，能够提高半导体激光装置1A的可靠性及制造成品率。
还有，优选凹部Con1、Con2、Con3、Con4在Y方向上的宽度为5μm以上。在这种情况下，凹部Con1、Con2、Con3、Con4能够充分地收存焊锡H。
另外，由于能够确保Con1、Con2下方的MQW活性层104的区域与脊峰部RiB下方的MQW活性层104的区域的有效折射效率之差以及Con3、Con4下方的MQW活性层204的区域与脊峰部RiR下方的MQW活性层204的区域的有效折射效率之差，所以能够确保光向脊峰部RiB、RiR下方的区域的封入效果。
而且，能够确实地形成绝缘层13、23及p侧衬垫电极14、24。
优选凹部Con1、Con2、Con3、Con4在Y方向上的宽度为10μm以上。在这种情况下，凹部Con1、Con2、Con3、Con4能够充分地收存焊锡H。另外，能够提高光向脊峰部RiB、RiR下方的区域的封入效果。而且，能够确实地形成绝缘层13、23及p侧衬垫电极14、24。
优选凹部Con1、Con2、Con3、Con4在Y方向上的宽度为红色半导体激光元件200的Y方向上宽度的1/4以下。在这种情况下，能够充分地确保蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200的接触面积。
优选凹部Con1、Con2、Con3、Con4在Y方向上的宽度为150μm以下。在这种情况下，能够充分地增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200的接触面积。
优选凹部Con1、Con2、Con3、Con4在Y方向上的宽度为30μm以下。在这种情况下，能够进一步充分地增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200的接触面积。
另外，虽然在图1～图4中，Con1、Con2、Con3、Con4是以同样的宽度所图示，但实际上Con1、Con2、Con3、Con4的宽度也可以是各自不同。
另外，在上述实施方式中，是在蓝紫色半导体激光元件100上接合红色半导体激光元件200，但也可以是在红色半导体激光元件200上接合蓝紫色半导体激光元件100。另外，还可以是在蓝紫色半导体激光元件100上接合后述的红外半导体激光元件300，以取代红色半导体激光元件200。
另外，在上述实施方式中，是在蓝紫色半导体激光元件100及红色半导体激光元件200的双方上设置隆起部，但也可以是仅在蓝紫色半导体激光元件100及红色半导体激光元件200中的任意一方上设置隆起部。在这种情况下，通过使隆起部的高度大于凸部T1及凸部T2的合计高度，能够防止凸部T1和凸部T2的接触。
(第二实施方式)
第二实施方式中的半导体激光装置与第一实施方式中的半导体激光装置1A的不同之处在于以下几点。
图5是表示第二实施方式的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
如图5所示，在本实施方式的半导体激光装置1B中，红色半导体激光元件200a在n型半导体层21的下面侧具有p型半导体层22a。在p型半导体层22a的下面侧的中央部，形成沿X方向延伸的脊峰部RiR1。
另外，在p型半导体层22a的除去脊峰部RiR1下面的区域形成与脊峰部RiR1同样高度的绝缘层23a。而且，在脊峰部RiR1的下面及绝缘层23a的下面上形成p侧衬垫电极24a。
通过在红色半导体激光元件200a的p侧衬垫电极24a和n电极25之间施加电压，从n型半导体层21和p型半导体层22a的接合面中的脊峰部RiR1的上方区域(以下称为红色发光点)26a沿X方向射出波长约为650nm的激光。
蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200a由焊锡H进行接合，使凸部T1和脊峰部RiR1相互对合。在这种情况下，能够缩短蓝紫色半导体激光元件100的蓝紫色发光点16和红色半导体激光元件200a的红色发光点26a之间的间隔。由此，蓝紫色发光点16和红色发光点26能够都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从蓝紫色发光点16及红色发光点26a所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，蓝紫色半导体激光元件100的凸部T1的高度L1比隆起部U1、U2的高度L2低，在红色半导体激光元件200a的p侧衬垫电极24a上不形成凹凸部。
在这种情况下，即使是使凸部T1和脊峰部RiR1相对合而接合蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200a，由于蓝紫色半导体激光元件100的隆起部U1、U2与红色半导体激光元件200a的p侧衬垫电极24a相接触，所以也能够防止凸部T1与p侧衬垫电极24a的接触。由此，能够降低施加于RiB的应力，防止由应力引起的特性的恶化。其结果是，能够提高半导体激光装置1B的可靠性。
另外，通过隆起部U1、U2与p侧衬垫电极24a的接触，能够增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200a的接触面积。由此，能够在稳定的状态下将红色半导体激光元件200a接合在蓝紫色半导体激光元件100上。其结果是，能够提高半导体激光装置1B的组装精度。
另外，通过增大蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200a的接触面积，能够以少量的焊锡H确实地将蓝紫色半导体激光元件100和红色半导体激光元件200a接合。由此，能够防止焊锡H的一部分进入蓝紫色半导体激光元件100的侧面。其结果是，能够防止半导体激光元件中短路的发生。
而且，能够防止熔融焊锡H的一部分流出至蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14上的连接导线1W的部分。由此，能够防止连接导线1W的接触不良。
另外，由于凹部Con1、Con2具有收存焊锡H的作用，因此，能够确实地防止焊锡H流出至蓝紫色半导体激光元件100的侧面及p侧衬垫电极14上的连接导线1W的部分。由此，能够确实防止半导体激光装置1B的短路及导线1W的接触不良。
这些结果是，使半导体激光装置1B的制造成品率得到提高。
以上的结果是，能够缩短激光发光点的间隔，同时，能够提高半导体激光装置1B的可靠性及制造成品率。
还有，在上述实施方式中，虽然是在蓝紫色半导体激光元件100上设置凹部Con1、Con2，但在使用图1的红色半导体激光元件200取代红色半导体激光元件200a的情况下，也可以是在蓝紫色半导体激光元件100上不设置凹部Con1、Con2。
(第三实施方式)
第三实施方式中的半导体激光装置与第一实施方式中的半导体激光装置1A的不同之处在于以下几点。
图6是表示第三实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
本实施方式的半导体激光装置1C，具有射出波长约为405nm的激光的蓝紫色半导体激光元件100a、射出波长约为650nm的激光的红色半导体激光元件200(参照图1及图4)以及射出波长约为780nm的激光的红外半导体激光元件300。
如图6所示，蓝紫色半导体激光元件100a，具有与图1的蓝紫色半导体激光元件100的凹部Con2相比、外侧部分(隆起部U2)在Y轴方向增大规定宽度的结构。
红外半导体激光元件300在n-GaAs基板30的下面侧具有n型半导体层31和p型半导体层32。在p型半导体层32上形成沿X方向延伸的脊峰部RiIr。在脊峰部RiIr的两侧以规定的间隔形成隆起部。由此，在脊峰部RiIr和隆起部之间形成一对凹部。
在p型半导体层32的下面，除去脊峰部RiIr下面的区域，形成绝缘层33。而且，形成p侧衬垫电极34，覆盖绝缘层33及脊峰部RiIr的下面。由此，在红外半导体激光元件300的下面，形成与脊峰部RiIr相对应的条纹状的凸部T3及一对隆起部U5、U6。另外，在凸部T3和一对隆起部U5、U6之间形成凹部Con5、Con6。在n-GaAs基板30的上面形成n电极35。
蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300由焊锡H进行接合，使凸部T1和凸部T3相互对合。另外，红色半导体激光元件200以隆起部T2为下侧，与红外半导体激光元件300平行地由焊锡H接合于隆起部U4上。
由此，红外半导体激光元件300的p侧衬垫电极34和蓝紫色半导体激光元件100a的p侧衬垫电极14电连接，红色半导体激光元件200的p侧衬垫电极24和蓝紫色半导体激光元件100a的p侧衬垫电极14电连接。在这种情况下，蓝紫色半导体激光元件100a的p侧衬垫电极14、红色半导体激光元件200的p侧衬垫电极24和红外半导体激光元件300的p侧衬垫电极34成为共同的电极。
还有，蓝紫色半导体激光元件100a在Y方向上的宽度，比红色半导体激光元件200在Y方向上的宽度和红外半导体激光元件300在Y方向上的宽度的合计值大。由此，在将红色半导体激光元件200和红外半导体激光元件300接合于蓝紫色半导体激光元件100a上时，p侧衬垫电极14的一部分露出。在该p侧衬垫电极14露出的区域，连接有后述的导线1W。
通过在蓝紫色半导体激光元件100a的p侧衬垫电极14和n电极15之间施加电压，从蓝紫色发光点16沿X方向射出波长约为405nm的激光。
通过在红色半导体激光元件200的p侧衬垫电极24和n电极25之间施加电压，从红色发光点26沿X方向射出波长约为650nm的激光。
通过在红外半导体激光元件300的p侧衬垫电极34和n电极35之间施加电压，从n型半导体层31和p型半导体层32的接合面中的脊峰部RiIr的上方区域(以下称为红外发光点)36沿X方向射出波长约为780nm的激光。
图7是表示将图6的半导体激光装置1C接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。如图7所示，在将图6的半导体激光装置1C安装于组件内的情况下，将半导体激光装置1C安装在由Cu、CuW或Al等金属所构成的辅助支座500上。另外，使用导线1W、2W、3W、4W，进行p侧衬垫电极14、24、34及n电极15、25、35的布线。
蓝紫色半导体激光元件100的p侧衬垫电极14，由导线1W连接于设置在组件内的第一供电管脚(未图示)。红色半导体激光元件200的n电极25，由导线2W连接于设置在组件内的第二供电管脚(未图示)。另外，红外半导体激光元件300的n电极35，由导线3W连接于设置在组件内的第三供电管脚(未图示)。
蓝紫色半导体激光元件100a的n电极15的布线，是通过将n电极15连接于辅助支座500的表面而进行。由此，n电极15和辅助支座500的表面电连接。辅助支座500由导线4W连接于设置在组件内的第四供电管脚(未图示)。
通过第一供电管脚及第四供电管脚，在导线1W和导线4W之间施加电压，由此能够驱动蓝紫色半导体激光元件100a。通过第一供电管脚及第二供电管脚，在导线1W和导线2W之间施加电压，由此能够驱动红色半导体激光元件200。通过第一供电管脚及第三供电管脚，在导线1W和导线3W之间施加电压，由此能够驱动红外半导体激光元件300。这样，蓝紫色半导体激光元件100a、红色半导体激光元件200以及红外半导体激光元件300能够分别独立地驱动。
以下，对红外半导体激光元件300的结构进行详细的说明。
图8是详细表示红外半导体激光元件300的示意性剖面图。
在红外半导体激光元件300的制造中，如上所述，在n-GaAs基板30上形成n型半导体层31及p型半导体层32层叠的半导体层3t。
如图8(a)所示，在n-GaAs基板30的一面侧，作为半导体层3t，顺次形成n-GaAs层301、n-AlGaAs包覆层302、非掺杂AlGaAs光引导层303、MQW活性层304、非掺杂AlGaAs光引导层305、p-AlGaAs第一包覆层306、p-AlGaAs蚀刻停止层307、p-AlGaAs第二包覆层308、以及p-GaAs接触层309。这些各层的形成，例如可通过MOCVD法来进行。而且，在p-GaAs接触层309上，形成由Cr/Au所构成的电极层310。
如图8(b)所示，MQW活性层304具有2个非掺杂AlGaAs阻挡层304a和3个非掺杂AlGaAs阱层304b交互层叠的结构。
这里，例如n-AlGaAs包覆层302的Al组成为0.45，Ga组成为0.55。n-GaAs层301及n-AlGaAs包覆层302中掺杂有Si。
非掺杂AlGaAs光引导层303的Al组成为0.35，Ga组成为0.65。另外，非掺杂AlGaAs阻挡层304a中的Al组成为0.35，Ga组成为0.65。非掺杂AlGaAs阱层304b中的Al组成为0.10，Ga组成为0.90。非掺杂AlGaAs光引导层305中的Al组成为0.35，Ga组成为0.65。
而且，p-AlGaAs第一包覆层306中的Al组成为0.45，Ga组成为0.55。p-AlGaAs蚀刻停止层307中的Al组成为0.70，Ga组成为0.30。
p-AlGaAs第二包覆层308中的Al组成为0.45，Ga组成为0.55。
p-AlGaAs第一包覆层306、p-AlGaAs蚀刻停止层307、p-AlGaAs第二包覆层308、以及p-GaAs接触层309中掺杂有Zn。
在上述p-AlGaAs第二包覆层308、p-GaAs接触层309以及电极层310上，以规定的间隔形成沿X方向延伸的一对条纹状的凹部。由此，在该凹部间，形成沿X方向延伸的脊峰部RiIr。脊峰部RiIr具有大约2.8μm的宽度。另外，在一对凹部的外侧区域分别形成隆起部。
形成绝缘层33，覆盖凹部内的侧面及底面和隆起部的上面。进而形成p侧衬垫电极34，覆盖绝缘层33及脊峰部RiIr的上面。由此，在红色半导体激光元件300的上面形成与脊峰部RiIr相对应的条纹状的凸部T3及一对隆起部U5、U6。在凸部T3和一对隆起部U5、U6之间形成凹部Con5、Con6。在n-GaAs基板30的另一面侧，形成由AuGe/Ni/Au所构成的n电极35。
由于在脊峰部RiIr上不形成绝缘层33，所以凸部T3的高度L5与隆起部U5、U6的高度L6相比，要低于绝缘层33的膜厚部分。
在该红色半导体激光元件300中，在脊峰部RiIr下方的MQW活性层304的位置，形成红外发光点36。
如以上所述，在本实施方式中，由于蓝紫色半导体激光元件100a、红色半导体激光元件200和红外半导体激光元件300是一体形成，所以能够缩短蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36之间的间隔。由此，能够将蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，由于是在使凸部T1和凸部T3相对合的状态下将红外半导体激光元件300接合于蓝紫色半导体激光元件100a上，所以能够进一步缩短蓝紫色发光点16和红外发光点36之间的间隔。
另外，蓝紫色半导体激光元件100a的凸部T1的高度L1比隆起部U1、U2的高度L2低，红外半导体激光元件300的凸部T3的高度L5比隆起部U5、U6的高度L6低。
在这种情况下，在将蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300接合时，由于隆起部U1、U2和隆起部U5、U6相接触，所以也能够防止凸部T1和凸部T3的接触。
另外，红色半导体激光元件200的凸部T2的高度L3比隆起部U3、U4的高度L4低。在这种情况下，即使是以凸部T2为下侧将红色半导体激光元件200接合于蓝紫色半导体激光元件100a的隆起部U2上，由于隆起部U3、U4和隆起部U2相接触，所以也能够防止凸部T2和隆起部U2的接触。
这些结果是，能够降低施加于脊峰部RiB、RiR、RiIr的应力，防止由应力引起的特性的恶化。由此，能够提高半导体激光装置1C的可靠性。
另外，通过隆起部U1、U2与隆起部U5、U6相接触，能够增大蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300的接触面积。由此，能够在稳定的状态下将红外半导体激光元件300接合在蓝紫色半导体激光元件100a上。
另外，通过隆起部U2与隆起部U3、U4相接触，能够增大蓝紫色半导体激光元件100a和红色半导体激光元件200的接触面积。由此，能够在稳定的状态下将红色半导体激光元件200接合在蓝紫色半导体激光元件100a上。
这些结果是，能够提高半导体激光装置1C的组装精度。
另外，通过增大蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300的接触面积，能够以少量的焊锡H确实地将蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300接合。由此，能够防止焊锡H的一部分进入蓝紫色半导体激光元件100的侧面。其结果是，能够防止半导体激光元件1C中短路的发生。
另外，通过增大蓝紫色半导体激光元件100a和红色半导体激光元件200的接触面积，能够以少量的焊锡H确实地将蓝紫色半导体激光元件100a和红色半导体激光元件200接合。由此，能够防止熔融焊锡H的一部分流出至蓝紫色半导体激光元件100a的p侧衬垫电极14上的连接导线1W的部分。由此，能够防止导线1W的接触不良。
另外，由于凹部Con1、Con2、Con3、Con4、Con5、Con6具有收存焊锡H的作用，所以，能够确实地防止焊锡H的流出。由此，能够确实地防止半导体激光装置1C的短路及导线1W的接触不良。
这些结果是，使半导体激光装置1C的制造成品率得到提高。
以上的结果是，能够缩短激光发光点的间隔，同时，能够提高半导体激光装置1C的可靠性及制造成品率。
优选凹部Con5、Con6在Y方向上的宽度为5μm以上。在这种情况下，凹部Con5、Con6中能够充分地收存焊锡H。
另外，由于能够确保Con5、Con6下方的MQW活性层304的区域与脊峰部RiIr下方的MQW活性层304的区域的有效折射效率之差，所以能够确保光向脊峰部RiIr下方的区域的封入效果。
而且，能够确实地形成绝缘层33及p侧衬垫电极34。
优选凹部Con5、Con6在Y方向上的宽度为10μm以上。在这种情况下，凹部Con5、Con6中能够充分地收存焊锡H。另外，能够提高光向脊峰部RiIr下方区域的封入效果。而且，能够确实地形成绝缘层33及p侧衬垫电极34。
优选凹部Con5、Con6在Y方向上的宽度为红外半导体激光元件300在Y方向上的宽度的1/4以下。在这种情况下，能够确保蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300的接触面积。
优选凹部Con5、Con6在Y方向上的宽度为150μm以下。在这种情况下，能够充分地增大蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300的接触面积。
更优选凹部Con5、Con6在Y方向上的宽度为30μm以下。在这种情况下，能够进一步增大蓝紫色半导体激光元件100a和红外半导体激光元件300的接触面积。
另外，凹部Con1、Con2、Con3、Con4、Con5、Con6的宽度也可以是各自不同。
另外，在上述实施方式中，是在蓝紫色发光点16上接合红外半导体激光元件300，但也更换红色半导体激光元件200和红外半导体激光元件300的位置。
另外，在上述实施方式中，是在蓝紫色半导体激光元件100a及红外半导体激光元件300的双方上设置隆起部，但也可以是仅在蓝紫色半导体激光元件100及红外半导体激光元件300中的任意一方上设置隆起部。在这种情况下，通过使隆起部的高度大于凸部T1及凸部T2的合计高度，能够防止凸部T1和凸部T2的接触。
(第四实施方式)
图9是表示第四实施方式中的半导体激光装置一例的示意性剖面图。
如图9所示，在本实施方式的半导体激光装置1D中，在蓝紫色半导体激光元件100b上接合有红色半导体激光元件200a和红外半导体激光元件300a一体形成的单片红色/红外半导体激光元件2300。
以下对蓝紫色半导体激光元件100b及单片红色/红外半导体激光元件2300加以说明。
蓝紫色半导体激光元件100b与图6的蓝紫色半导体激光元件100a具有同样的n电极15、n-GaN基板10、n型半导体层11、p型半导体层12、及绝缘层13。
在绝缘层13上的一端侧的规定宽度区域内形成p侧衬垫电极14a。另外，在p侧衬垫电极14a上的规定宽度区域内形成绝缘层17及p侧衬垫电极18。由此，在蓝紫色半导体激光元件100b一端侧的上面，形成与脊峰部RiB相对应的条纹状的凸部T4及一对隆起部U7、U8。另外，在凸部T4和一对隆起部U7、U8之间形成凹部Con7、Con8。
还有，由于在脊峰部RiB的上面不形成绝缘层13，所以凸部T4的高度与隆起部U7、U8的高度相比，低于绝缘层13的膜厚部分。另外，p侧衬垫电极14a，18的一端侧的规定宽度的区域露出。
在绝缘层13另一端侧的规定宽度的区域形成p侧衬垫电极14b。还有，p侧衬垫电极18的上面的高度及p侧衬垫电极14b的上面的高度大体相等。
单片红色/红外半导体激光元件2300具有n电极235及n-GaAs基板230，在n-GaAs基板230的一端侧形成红外半导体激光元件300a，在n-GaAs基板230的另一端侧形成红色半导体激光元件200a。
在n-GaAs基板230一端侧的下面侧的规定宽度的区域，形成与图6同样的n型半导体层31，在n型半导体层31的下面侧形成p型半导体层32a。
在p型半导体层32a下面侧的中央部形成与图6同样的脊峰部RiIr。在脊峰部RiIr的一侧以规定的间隔形成隆起部。由此，在脊峰部RiIr和隆起部之间形成与图6同样的凹部。还有，在脊峰部RiIr的另一侧，不形成凹部及隆起部。
在n-GaAs基板230另一端侧的下面侧的规定宽度的区域，形成与图6同样的n型半导体层21，在n型半导体层21的下面侧形成p型半导体层22a。
在p型半导体层22a下面侧的中央部形成与图6同样的脊峰部RiR。在脊峰部RiR的一侧以规定的间隔形成隆起部。由此，在脊峰部RiR和隆起部之间形成与图6同样的凹部。还有，在脊峰部RiR的另一侧(红外半导体激光元件300a一侧)，不形成凹部及隆起部。
在n型半导体层31与p型半导体层32a的接合面的脊峰部RiIr的上侧区域，形成与图6同样的红外发光点36，在n型半导体层21与p型半导体层22a的接合面的脊峰部RiR的上侧区域，形成与图1同样的红色发光点26。
形成绝缘层233，覆盖n型半导体层31及p型半导体层32a和n型半导体层21及p型半导体层22a之间形成的凹部内的侧面及底面、p型半导体层32a的下面侧的除去脊峰部RiIr下面的区域以及p型半导体层22a下面侧的除去脊峰部RiR下面的区域。而且，在绝缘层233一端侧的规定宽度的区域形成p侧衬垫电极34a，在绝缘层233另一端侧的规定宽度的区域形成p侧衬垫电极24a。
由此，在红外半导体激光元件300a的下面，形成与图6同样的凸部T3及隆起部U5，在红色半导体激光元件200a的下面，形成与图6同样的凸部T2及隆起部U4。另外，在凸部T3和凸部T5之间，形成与图6同样的凹部Con5，在凸部T2和凸部T4之间，形成与图6同样的凹部Con4。
蓝紫色半导体激光元件100b及单片红色/红外半导体激光元件2300由焊锡H接合，使凸部T4和凸部T3相互对合且凸部T2位于p侧衬垫电极14b上。
由此，红外半导体激光元件300a的p侧衬垫电极34a和蓝紫色半导体激光元件100b的p侧衬垫电极18电连接，红色半导体激光元件200a的p侧衬垫电极24a和蓝紫色半导体激光元件100b的p侧衬垫电极14b电连接。
图10是表示将图9的半导体激光装置1D接合于辅助支座上的状态的示意性剖面图。如图10所示，在将图9的半导体激光装置1D安装于组件内的情况下，将半导体激光装置1D安装于由Cu、CuW或Al等金属所构成的辅助支座500上。另外，使用导线1W、2W、3W、4W、5W，进行p侧衬垫电极14a、14b、24a、18、34a及n电极15、235的布线。
蓝紫色半导体激光元件100b的p侧衬垫电极14b，由导线1W连接于设置在组件内的第一供电管脚(未图示)。红色半导体激光元件200a的n电极235，由导线2W连接于设置在组件内的第二供电管脚(未图示)。
蓝紫色半导体激光元件100b的n电极15的布线，是通过将n电极15连接于辅助支座500的表面来进行。由此，n电极15、235和辅助支座500电连接。辅助支座500由导线3W连接于设置在组件内的第三供电管脚(未图示)。
蓝紫色半导体激光元件100b的p侧衬垫电极14a，由导线4W连接于设置在组件内的第四供电管脚(未图示)。蓝紫色半导体激光元件100b的p侧衬垫电极18由导线5W连接于设置在组件内的第五供电管脚(未图示)。
通过第一供电管脚及第三供电管脚，在导线1W和导线3W之间施加电压，由此能够驱动红色半导体激光元件200a，通过第四供电管脚及第三供电管脚，在导线4W和导线3W之间施加电压，由此能够驱动蓝紫色半导体激光元件100b，通过第五供电管脚及第三供电管脚，在导线5W和导线3W之间施加电压，由此能够驱动红外半导体激光元件300a。这样，蓝紫色半导体激光元件100b、红色半导体激光元件200a和红外半导体激光元件300a能够分别独立地驱动。
以上，在本实施方式中，由于蓝紫色半导体激光元件100b和单片红色/红外半导体激光元件2300是一体形成，所以能够缩短蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36之间的间隔。由此，能够将蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36都靠近组件的中心。其结果是，能够对于从蓝紫色发光点16、红色发光点26和红外发光点36所射出的激光使用共同的光学系统。
另外，由于是在使凸部T1和凸部T3相对合的状态下将红外半导体激光元件300接合于蓝紫色半导体激光元件100a上，所以能够进一步缩短蓝紫色发光点16和红外发光点36之间的间隔。
另外，蓝紫色半导体激光元件100b的凸部T4的高度比隆起部U7高度低，红外半导体激光元件300a的凸部T3的高度比隆起部U5的高度低。在这种情况下，在将蓝紫色半导体激光元件100b和单片红色/红外半导体激光元件2300接合时，由于隆起部U7和隆起部U5相接触，所以能够防止凸部T4和凸部T3的接触。
另外，红色半导体激光元件200a的凸部T2的高度比隆起部U4的高度低。在这种情况下，在将蓝紫色半导体激光元件100b和单片红色/红外半导体激光元件2300接合时，由于p侧衬垫电极14b和隆起部U4相接触，所以能够防止凸部T2与p侧衬垫电极14b的接触。
这些结果是，能够降低施加于RiB、RiIr、RiR的应力，防止由应力引起的特性的恶化。由此，能够提高半导体激光装置1D的可靠性。
另外，由于单片红色/红外半导体激光元件2300是由隆起部U4及隆起部U5所支撑，所以能够在稳定的状态下将单片红色/红外半导体激光元件2300接合在蓝紫色半导体激光元件100b上。
这些结果是，能够提高半导体激光装置1D的组装精度。
另外，通过增大蓝紫色半导体激光元件100b和单片红色/红外半导体激光元件2300的接触面积，能够以少量的焊锡H确实地将蓝紫色半导体激光元件100b和单片红色/红外半导体激光元件2300接合。由此，能够防止焊锡H的一部分进入蓝紫色半导体激光元件100b的侧面，同时，能够防止熔融焊锡H的一部分流出至p侧衬垫电极14b上的连接有导线1W的部分。其结果是，能够防止半导体激光元件1D中短路的发生及导线1W的接触不良。
另外，由于凹部Con4、Con5、Con7、Con8具有收存焊锡H的作用，因此，能够确实地防止焊锡H的流出。由此，能够确实地防止半导体激光装置1D的短路及导线1W的接触不良。
这些结果是，使半导体激光装置1C的制造成品率得到提高。
以上的结果是，能够缩短激光发光点的间隔，同时，能够提高半导体激光装置1D的可靠性及制造成品率。
优选凹部Con7、Con8在Y方向上的宽度为5μm以上，在这种情况下，凹部Con7、Con8能够充分地收存焊锡H。
另外，由于能够确保Con7、Con8下方的MQW活性层104的区域与脊峰部RiB下方的MQW活性层104的区域的有效折射效率之差，所以能够确保光向脊峰部RiB下方区域的封入效果。
而且，能够确实地形成绝缘层13、17及p侧衬垫电极14a、18。
优选凹部Con7、Con8在Y方向上的宽度为10μm以上。在这种情况下，凹部Con7、Con8中能够充分地收存焊锡H。另外，能够提高光向脊峰部RiB下方区域的封入效果。而且，能够更确实地形成绝缘层13、17及p侧衬垫电极14a、18。
优选凹部Con7、Con8在Y方向上的宽度为红外半导体激光元件300a在Y方向上的宽度的1/4以下。在这种情况下，能够充分地确保蓝紫色半导体激光元件100b和红外半导体激光元件300a的接触面积。
优选凹部Con7、Con8在Y方向上的宽度为150μm以下。在这种情况下，能够充分地增大蓝紫色半导体激光元件100b和红外半导体激光元件300a的接触面积。
更优选凹部Con7、Con8在Y方向上的宽度为30μm以下。在这种情况下，能够进一步增大蓝紫色半导体激光元件100b和红外半导体激光元件300a的接触面积。
另外，凹部Con4、Con5、Con7、Con8的宽度也可以是各自不同。
另外，在上述实施方式中，是在蓝紫色半导体激光元件100和单片红色/红外半导体激光元件2300的双方上设置隆起部，但也可以在蓝紫色半导体激光元件100b上不设置隆起部。在这种情况下，通过使隆起部U4、U5的高度大于凸部T3和凸部T4的合计高度，能够防止凸部T3和凸部T4的接触。
另外，也可以不设置红外半导体激光元件300a的隆起部U5。在这种情况下，通过使隆起部U7的高度大于凸部T3及凸部T4的高度，能够防止凸部T3和凸部T4的接触。
另外，也可以不设置红色半导体激光元件200a的隆起部U4。在这种情况下，在蓝紫色半导体激光元件100b上的红色半导体激光元件200a下的区域，在凸部T2的至少一侧形成高度大于凸部T2高度的隆起部即可。由此，能够防止凸部T2与p侧衬垫电极14b的接触。
另外，在上述实施方式中，是仅在脊峰部RiR及脊峰部RiIr中的一侧形成凹部及隆起部，但也可以是在两侧形成。
还有，在第一～第四实施方式中，蓝紫色半导体激光元件100、100a、100b的n-GaN基板10是n-GaN晶片，红色半导体激光元件200、200a及红外半导体激光元件300、300a的n-GaAs基板20、30、230是n-GaAs晶片。
蓝紫色半导体激光元件100、100a在n-GaN晶片上形成半导体层1t，通过分割为多个蓝紫色半导体激光元件100的芯片来制作。
红外半导体激光元件200在n-GaAs晶片上形成半导体层2t，通过分割为多个红外半导体激光元件200的芯片来制作。
红色半导体激光元件300在n-GaAs晶片上形成半导体层3t，通过分割为多个红色半导体激光元件300的芯片来制作。
而且，单片红色/红外半导体激光元件2300在n-GaAs晶片上形成半导体层2t、3t，通过分割为多个单片红色/红外半导体激光元件2300的芯片来制作。
因此，半导体激光装置1A、1B、1C、1D，可以将形成有各半导体层的n-GaN晶片和n-GaAs晶片进行接合，通过分割其层叠体而制作多个半导体激光装置。
但是，也可以是预先分别制作蓝紫色半导体激光元件100、100a、100b的芯片、红色半导体激光元件200、200a的芯片、红外半导体激光元件300的芯片以及单片红色/红外半导体激光元件2300的芯片，再将这些芯片相互贴合在一起而制作半导体激光装置1A、1B、1C、1D。
(与权利要求范围的对应关系)
在上述实施方式中，蓝紫色半导体激光元件100、100a、100b相当于第一半导体激光元件，红色半导体激光元件200、200a相当于第二或第三半导体激光元件，红外半导体激光元件300相当于第二半导体激光元件，n型半导体层11及p型半导体层12相当于第一半导体层，n型半导体层21及p型半导体层22相当于第二或第三半导体层，n型半导体层31及p型半导体层32相当于第二半导体层。
另外，在上述实施方式中，蓝紫色发光点16相当于第一发光点，红色发光点26相当于第二或第三发光点，红外发光点36相当于第二发光点，条纹状的凸部T1、T3、T4相当于第一凸部，条纹状的凸部T2相当于第二或第三凸部，隆起部U1～U8相当于第一隆起部，隆起部U3、U4相当于第二隆起部。
而且，在上述实施方式中，MQW活性层104相当于第一活性层，p-AlGaN包覆层107相当于第一包覆层，脊峰部RiB相当于第一脊峰部，MQW活性层204相当于第二活性层，p-AlGaInP第二包覆层208相当于第二包覆层，脊峰部RiR相当于第二脊峰部，绝缘层13、23、33相当于电流阻碍层。
(其它实施方式)
在上述实施方式中，通过在p型半导体层12、22、22a、32、32a上形成凹部而形成凹部Con1、Con2、Con3、Con4、Con5、Con6、Con7、Con8，但也可以通过在绝缘层13、23、23a、33、33a上形成凹部而形成凹部Con1、Con2、Con3、Con4、Con5、Con6、Con7、Con8，也可以在p侧衬垫电极14、24、24a、33、33a上直接形成凹部Con1、Con2、Con3、Con4、Con5、Con6、Con7、Con8。
例如，在蓝紫色半导体激光元件100中，如图11(a)所示，可以通过在p型半导体层12上不形成凹部而在绝缘层13上形成凹部，从而形成凹部Con1、Con2。如图11(b)所示，也可以通过在p型半导体层12及绝缘层13上不形成凹部而在p侧衬垫电极14上直接形成凹部Con1、Con2。
另外，在上述实施方式中，是使用绝缘层作为电流阻碍层，但也可以使用由半导体构成的电流阻碍层。
另外，在上述第一～第三实施方式中，是在凸部的两侧设置隆起部，但在隆起部的面积充分大的情况下，也可以仅在凸部的一侧设置隆起部。
另外，在上述第四实施方式中，是在红色半导体激光元件200a的凸部T2的一侧、以及红外半导体激光元件300a的凸部T3的一侧设置隆起部，但也可以是在凸部T2及凸部T3的两侧分别设置隆起部。

Claims (17)

1.一种半导体激光装置，其特征在于：
包括：设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、和
设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件，
所述第一半导体层的一面侧和所述第二半导体层的一面侧相互接合，
在所述第一半导体层的所述一面侧和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方上设置有条纹状的凸部，
在所述第一半导体层的所述一面侧和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方中与所述凸部有间隔地设置有隆起部，
所述隆起部的高度为所述凸部的高度以上。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：所述隆起部是与所述凸部的两侧有间隔地设置。
3.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述凸部包含在所述第一半导体层的所述一面侧设置的第一凸部、和在所述第二半导体层的所述一面侧设置的第二凸部，
所述隆起部包含在所述第一半导体层的所述一面侧中与所述第一凸部有间隔地设置的第一隆起部、和在所述第二半导体层的所述一面侧中与所述第二凸部有间隔地设置的第二隆起部，
所述第一及第二隆起部的合计高度为所述第一及第二凸部的合计高度以上。
4.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：
配置所述第一及第二半导体激光元件，使得所述第一凸部及所述第一发光点沿着并位于与所述第一半导体层的所述一个面大体垂直的方向，所述第二凸部及所述第二发光点沿着并位于与所述第二半导体层的所述一个面大体垂直的方向，所述第一凸部和所述第二凸部相对向。
5.根据权利要求4所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体激光元件顺序包含第一活性层及第一包覆层，所述第一包覆层包括第一平坦部及该平坦部上的第一脊峰部，形成所述第一凸部，覆盖所述第一脊峰部，
所述第二半导体激光元件顺序包含第二活性层及第二包覆层，所述第二包覆层包括第二平坦部及该平坦部上的第二脊峰部，形成所述第二凸部，覆盖所述第二脊峰部。
6.根据权利要求3所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一隆起部是与所述第一凸部的两侧有间隔地设置，
所述第二隆起部是与所述第二凸部的两侧有间隔地设置。
7.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述凸部设置于所述第一半导体层的所述一面侧，
所述隆起部是在所述第一半导体层的所述一面侧中与所述凸部有间隔地设置。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述凸部、所述第一发光点及所述第二发光点沿着并位于与所述第一半导体层的所述一个面大体垂直的方向。
9.根据权利要求8所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一半导体激光元件顺序包含第一活性层及第一包覆层，所述第一包覆层包括平坦部及该平坦部上的脊峰部，形成所述凸部，覆盖所述脊峰部，
所述第二半导体激光元件顺序包含第二活性层、第二包覆层、以及具有条纹状开口部的电流阻碍层。
10.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述隆起部是与所述凸部的两侧有间隔地设置。
11.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述间隔为5μm以上150μm以下。
12.一种半导体激光装置，其特征在于：
包括：设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、
设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件、和
设置了具有射出第三波长光的第三发光点的第三半导体层的第三半导体激光元件，
在所述第一半导体层的一面侧的第一区域接合有所述第二半导体层的一面侧，同时，在所述第一半导体层的一面侧的第二区域接合有所述第三半导体层的一面侧，
在所述第一区域和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部，
在所述第一区域和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方中与所述第一凸部有间隔地设置有第一隆起部，
在所述第二区域和所述第三半导体层的所述一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第二凸部，
在所述第二区域和所述第三半导体层的所述一面侧的一方或双方中与所述第二凸部有间隔地设置有第二隆起部，
所述第一隆起部的高度为所述第一凸部的高度以上，所述第二隆起部的高度为所述第二凸部的高度以上。
13.根据权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述第一隆起部是与所述第一凸部的两侧有间隔地设置，
所述第二隆起部是与所述第二凸部的两侧有间隔地设置。
14.根据权利要求12所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述间隔为5μm以上150μm以下。
15.一种半导体激光装置，其特征在于：
包括：设置了具有射出第一波长光的第一发光点的第一半导体层的第一半导体激光元件、
设置了具有射出第二波长光的第二发光点的第二半导体层的第二半导体激光元件、和
设置了具有射出第三波长光的第三发光点的第三半导体层的第三半导体激光元件，
所述第二和第三半导体激光元件形成在共同的基板上，
在所述第一半导体层的一面侧的第一区域接合有所述第二半导体层的一面侧，同时，在所述第一半导体层的一面侧的第二区域接合有所述第三半导体层的一面侧，
在所述第一区域和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方上设置有条纹状的第一凸部，
在所述第一区域和所述第二半导体层的所述一面侧的一方或双方中与所述第一凸部的至少一侧有间隔地设置有第一隆起部，
在所述第二区域和所述第三半导体层的所述一面侧的一方或双方上设置有第二隆起部，
所述第一及第二隆起部的高度为所述第一凸部的高度以上。
16.根据权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于：
在所述第三半导体层的所述一面侧设置有条纹状的第二凸部，
在所述第二区域和所述第三半导体层的所述一面侧的一方或双方中与所述第二凸部的至少一侧有间隔地设置有第二隆起部，
所述第二隆起部的高度为所述第二凸部的高度以上。
17.根据权利要求15所述的半导体激光装置，其特征在于：
所述间隔为5μm以上150μm以下。
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