CN1773737A - 半导体发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法。目的在于：防止在半导体发光装置中，在引线接合时产生的半导体发光元件的裂纹或缺损。特征在于，包括：支撑体104；夹着熔敷材料103固定在支撑体104上，具有第1电极及第2电极(102、106)，由至少含活性层的半导体层101构成的半导体发光元件；以及从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极(102、106)中的至少形成在半导体层101上面的一电极(106)为止的布线金属107。对一电极(106)的供电，是通过布线金属107进行的。

Description

半导体发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具备了发光二极管等的半导体发光装置，特别涉及使用在照明模块及照明装置中的半导体发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，发光二极管(以下，记为LED(Light Emitting Diode))随着白色LED的高灰度化发展，LED的使用范围从显示用途大大地扩大到照明用途。
白色LED的结构一般是将发出浅蓝色光或紫外光的半导体发光元件、和通过来自该半导体发光元件的浅蓝色光或紫外光而激起的萤光体组合在一起的结构。半导体发光元件由具备了p电极及n电极的半导体层构成，该半导体层为在蓝宝石衬底上层叠氮化镓系化合物半导体层而成的pn接合结构。
但是，由于蓝宝石衬底电绝缘，因此必须要在氮化镓系化合物半导体层中的与形成有该蓝宝石衬底的一侧的面对着的一侧的面上形成n电极及p电极。当为使用了这种半导体发光元件的半导体发光装置时，一般使用下述供电方法。
在使用了第1供电方法的半导体发光装置中，通过Ag膏等将吸热装置固定在蓝宝石衬底中的与形成有氮化镓系化合物半导体层的一侧的面对着的一侧的面上。半导体发光元件中的形成在氮化镓系化合物半导体层上面的n电极及p电极，通过引线接合与供电部电连接。因此，在使用了第1供电方法的半导体发光装置中，通过引线接合对n电极及p电极进行供电。
在使用了第2供电方法的半导体发光装置中，在层叠在蓝宝石衬底上的氮化镓系化合物半导体层的上层形成有p电极及n电极。而在吸热装置上形成有图案电极，该图案电极利用使用了Au凸起的倒装法，通过Au凸起与p电极及n电极电连接。因此，在使用了第2供电方法的半导体发光装置中，通过形成在吸热装置上的图案电极对n电极及p电极进行供电。
在使用了第1供电方法的半导体发光装置中，在半导体发光元件和吸热装置之间夹有蓝宝石衬底。由于蓝宝石衬底热阻力较大，放热性较差，因此在使用了第1供电方法的半导体发光装置中，不能谋求充分的放热特性。所以，在投入到照明应用等大电力的用途中，存在有光输出的热饱和或可靠性下降等问题。
为了解决这些问题，提出了下述半导体发光装置(例如，参照非专利文献1)。
图15为示出了以往的半导体发光装置的结构的剖面图。
如图15所示，在为吸热装置的由CuW构成的支撑体800上，夹着熔敷材料801形成有p侧欧姆电极802、pn接合结构803及n侧欧姆电极804，该pn接合结构803为将p型氮化镓系化合物半导体层、活性层及n型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成的半导体层。
因此，在支撑体800上，形成有由在下面具有p侧欧姆电极802且在上面具有n侧欧姆电极804的半导体层(pn接合结构803)构成的半导体发光元件。
在n侧欧姆电极804上形成有Au电镀层805，该Au电镀层805通过Au线806与供电用电极(pole)807电连接。
这里，对pn接合结构803的形成方法加以具体说明。
首先，在蓝宝石衬底(图中没有示出)上，通过外延生长形成将半导体层层叠而成的pn接合结构803。然后，使用激光分离(lift-off)法，将形成在蓝宝石衬底上的pn接合结构803剥离后，在支撑体800上夹着熔敷材料801形成pn接合结构803。因此，形成在蓝宝石衬底上的pn接合结构803，通过激光分离法从蓝宝石衬底剥离，形成在支撑体800上。
在以往的半导体发光装置中，能够通过从外部对供电用电极807及导电性的支撑体800提供电流，使半导体发光元件发光。
在以往的半导体发光装置中，不是在蓝宝石衬底上而是在为吸热装置的支撑体800上夹着熔敷材料801形成有半导体发光元件。
这样一来，由于整个半导体发光元件的主面夹着熔敷材料801固定在支撑体800上，因此能够在半导体发光装置中实现良好的放热特性。
并且，在以往的半导体发光装置中，在支撑体800上形成有由在下面具有p侧欧姆电极802且在上面具有n侧欧姆电极804的半导体层(pn接合结构803)构成的半导体发光元件。
这样一来，由于与使用了由在pn接合结构的上面具有p侧欧姆电极及n侧欧姆电极的半导体层(pn接合结构803)构成的半导体发光元件的半导体发光装置相比，能够降低串联电阻，因此能够谋求抑制半导体发光装置中的发热。
【非专利文献1】D.Morita，et.al，Jpn.J.Appl.Phys.Vol.41(2002)pp.L143
但是，发明者对使用了激光分离法的以往的半导体发光装置进行了实验的结果是明确了以下的课题。
得知了这样的课题：由于利用激光分离法从蓝宝石衬底(图中没有示出)剥离的pn接合结构803，膜厚为数μm～十数μm左右，极其薄，因此在引线接合时，半导体发光元件因超声波的施加或引线接合用弹簧夹头(collet)前端的局部压力施加而变形。因而，在半导体发光元件中产生裂纹或缺损而使半导体发光装置的成品率显著下降。
并且，得知了这样的课题：由于在由与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料构成的支撑体800上形成有半导体发光元件，因此在引线接合时，支撑体800很容易因超声波施加或引线接合用弹簧夹头前端的局部压力施加的加重而变形。从而，因半导体发光元件的变形而在半导体发光元件中产生裂纹或缺损。
并且，得知了这样的课题：由于在为将半导体发光元件配置成阵列状的以往的半导体发光装置时，对半导体发光元件的每一个，通过引线接合进行供电，因此配置成阵列状的半导体发光元件的个数越多，半导体发光装置的成品率越是显著下降。
并且，得知了这样的课题：在以往的半导体发光装置中，必须要在每个半导体发光元件中的光取出面上形成衬垫电极。所以，配置成阵列状的半导体发光元件的个数越多，有效光取出面的面积越是显著下降，从而不能够谋求充分的发光效率。
发明内容
本发明是鉴于上述课题的发明，目的在于：对于具备了半导体发光元件的半导体发光装置，提供一种在谋求成品率上升的同时具有优良的发光效率的半导体发光装置及其制造方法、和使用了该半导体发光装置的照明模块及照明装置。
为了解决上述课题，本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：支撑体；夹着熔敷材料固定在支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极中的至少形成在半导体层上面的一电极为止的布线金属。对一电极的供电，是通过布线金属进行的。
根据本发明所涉及的半导体发光装置，半导体发光元件不是通过引线接合而是通过布线金属供电。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体和半导体发光元件之间的熔敷材料变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：由硬度较低的材料构成的支撑体；固定在支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第1电极及第2电极中的至少形成在半导体层上面的一电极为止的布线金属。对一电极的供电，是通过布线金属进行的。
根据本发明所涉及的半导体发光装置，半导体发光元件不是通过引线接合而是通过布线金属供电。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，即使在使用了与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料作为支撑体材料时，也能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使由硬度较低的材料构成的支撑体变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：支撑体；固定在支撑体上，在下面具有第1电极且在上面具有第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到第2电极的布线金属。对第2电极的供电，是通过布线金属进行的。
根据本发明所涉及的半导体发光装置，半导体发光元件不是通过引线接合而是通过布线金属供电。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使形成在半导体层下面的电极变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好半导体层的膜厚小于等于30μm。
这样一来，虽然观察出了在以往的半导体发光装置中，当半导体层的膜厚小于等于30μm时，半导体发光装置的成品率的显著降低，但是由于在本发明所涉及的半导体发光装置中，在半导体层的膜厚为30μm时，也没有半导体发光装置的成品率降低的现象，因此能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好在布线金属和半导体发光元件之间形成有绝缘体膜。
这样一来，能够更确实地防止通过布线金属中的形成在半导体发光元件侧面的部分而产生漏电流的现象。因此，能够谋求漏电流的降低，从而能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的上升。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好绝缘体膜的膜厚大于等于100nm。
这样一来，能够防止在绝缘体膜形成小洞(pin hole)，通过该小洞中的部分而产生漏电流的现象。特别是当为由在下面具有第1电极且在上面具有第2电极的半导体层构成的半导体发光元件时，能够更确实地防止在第1电极和第2电极之间发生短路，产生漏电流的现象。因此，能够谋求漏电流的降低，从而能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的上升。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好绝缘体膜为由从SiO2、SiN、TiO2、Nd2O5、Ta2O5及ZrO2中选出的任意一种材料构成的膜，或者由从这些材料中选出的多种材料构成的多层膜。
并且，在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好熔敷材料由PbSn、AuSn、AgSn或InSn构成。
并且，在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好支撑体由Cu、Al、Au、CuW、SiC、Si、BN、AlN或GaN构成。
这样一来，能够在为吸热装置的支撑体上形成半导体发光元件。因此，能够提供放热特性优良的半导体发光装置，从而能够在半导体发光装置中进行高输出的动作。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好支撑体上面中的没有半导体发光元件存在的区域上的面、与半导体发光元件的侧面所成的角度大于90°且小于180°。
这样一来，由于在半导体发光元件的侧面形成有倾斜度(锥度)，因此能够形成段差覆盖性优良的布线金属。因而，能够更确实地防止在布线金属的形成在半导体发光元件侧面的部分中发生断线的现象，从而能够更进一步地使半导体发光装置的成品率上升。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好半导体层，在上层形成有n型氮化镓系化合物半导体层，同时在下层形成有p型氮化镓系化合物半导体层。
这样一来，由于n型氮化镓系化合物半导体层与p型氮化镓系化合物半导体层相比，电阻率较小，因此通过电极注入到n型氮化镓系化合物半导体层的电流，与p型氮化镓系化合物半导体层相比，能够更容易地向半导体层中扩散。
所以，能够缩小形成在半导体层上面的电极大小，能够缩小该电极在半导体层上面所占的面积的比例。因而，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够在半导体发光装置中更进一步地谋求发光效率的提高。
特别是在由在下面具有第1电极且在上面具有第2电极的半导体层构成的半导体发光元件中，能够将形成在半导体层下面的电极不是作为一部分电极而是作为全部电极形成。所以，能够对p型氮化镓系半导体层均匀地注入电流，从而能够防止发生发光不均匀的现象。因此，不仅能够谋求发光效率的提高，还能够在半导体发光装置中实现均匀且良好的发光。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好第1电极及第2电极中的至少形成在半导体层上面的一电极，形成在半导体层上面的中央附近。
这样一来，由于从一电极流入至少含活性层的半导体层的电流密度在面内被均匀化，因此能够在半导体发光装置中更进一步地谋求发光效率的提高。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，最好在半导体发光元件的表面形成有含有通过从半导体发光元件发出的光而激发的萤光体的树脂材料。
这样一来，能够通过来自半导体发光元件的发光、与来自由半导体发光元件的发光而激起的萤光体的发光的混合色，实现发白色光的半导体发光装置。
本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：支撑体；各自夹着熔敷材料固定在支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的多个半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有多个半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到多个半导体发光元件的每一个的、第1电极及第2电极中的至少形成在半导体层上面的一电极为止的布线金属。对一电极的供电，是通过布线金属进行的。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，能够不是通过引线接合对每个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电。所以，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体和半导体发光元件之间的熔敷材料变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
而且，由于能够通过共通的布线金属对每个半导体发光元件进行供电，因此不必对半导体发光元件的每一个形成引线接合。所以，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够在谋求半导体发光装置的成品率上升的同时，谋求制造成本的降低。
并且，由于不必在每个半导体发光元件的表面形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够更进一步地谋求发光效率的提高。
而且，由于能够谋求通过将多个半导体发光元件配置成阵列状，来增加半导体发光元件的整个侧面占整个半导体发光元件中的光取出面面积的比例，因此能够更进一步地谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：由硬度较低的材料构成的支撑体；各自固定在支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的多个半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有多个半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到多个半导体发光元件的每一个的、第1电极及第2电极中的至少形成在半导体层上面的一电极为止的布线金属。对一电极的供电，是通过布线金属进行的。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，能够不是通过引线接合对每个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电。所以，即使使用了与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料作为支撑体的材料时，也能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而使由硬度较低的材料构成的支撑体变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
而且，由于能够通过共通的布线金属对每个半导体发光元件进行供电，因此不必对半导体发光元件的每一个形成引线接合。因而，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够在谋求半导体发光装置的成品率上升的同时，谋求制造成本的降低。
并且，由于不必在每个半导体发光元件的表面形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，能够更进一步地谋求发光效率的提高。
而且，由于能够谋求通过将多个半导体发光元件配置成阵列状，来增加半导体发光元件的整个侧面占整个半导体发光元件的光取出面面积的比例，因此能够更进一步地谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的特征在于，包括：支撑体；各自固定在支撑体上，在下面具有第1电极且在上面具有第2电极，由至少含活性层的半导体层构成的多个半导体发光元件；以及从支撑体上面的没有多个半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到多个半导体发光元件的每一个的第2电极为止的布线金属。对第2电极的供电，是通过布线金属进行的。
在本发明所涉及的半导体发光装置中，能够不是通过引线接合对每个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电。所以，能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而使形成在半导体层下面的电极变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
而且，由于能够通过共通的布线金属对每个半导体发光元件进行供电，因此不必对半导体发光元件的每一个形成引线接合。因而，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够在谋求半导体发光装置的成品率上升的同时，谋求制造成本的降低。
并且，由于不必在每个半导体发光元件的表面形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够更进一步地谋求发光效率的提高。
而且，由于能够通过将多个半导体发光元件配置成阵列状，来增加半导体发光元件的整个侧面占整个半导体发光元件的光取出面面积的比例，因此能够更进一步地谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的照明模块的特征在于，包括本发明所记载的半导体发光装置。
在本发明所涉及的照明模块中，能够不是通过引线接合对构成照明模块的各个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电。因此，能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。所以，能够谋求构成照明模块的半导体发光装置的成品率的上升，从而能够在成品率较高的情况下制造照明模块。
特别是当将构成照明模块的半导体发光元件固定在为吸热装置的支撑体上时，不仅能够谋求成品率的提高，而且能够提供放热特性优良的半导体发光装置。所以，能够提供放热特性优良的照明模块，从而能够提供可高输出动作的照明模块。
本发明所涉及的照明装置的特征在于，包括本发明所记载的照明模块。
在本发明所涉及的照明装置中，能够不是通过引线接合对构成照明装置的各个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电。所以，能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求构成照明装置的半导体发光装置的成品率的上升，从而能够在成品率较高的情况下制造照明装置。
特别是当将构成照明装置的半导体发光元件固定在为吸热装置的支撑体上时，不仅能够谋求成品率的提高，而且能够提供放热特性优良的半导体发光装置。所以，能够提供放热特性优良的照明装置，从而能够提供可高输出动作的照明装置。
本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法的特征在于，包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；在半导体层上形成第1电极的工序；在第1电极中的与形成有半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，夹着熔敷材料形成支撑体的工序；在形成支撑体后，将半导体层和衬底分离的工序；从半导体层形成半导体发光元件的工序；在半导体发光元件中的与形成有第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及从支撑体的夹着熔敷材料形成有第1电极的面中的、没有半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到第2电极为止的布线金属的工序。
根据本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法，能够形成不是通过引线接合而是通过布线金属供电的半导体发光元件。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体和半导体发光元件之间的熔敷材料变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法的特征在于，包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；在半导体层上形成第1电极的工序；在第1电极中的与形成有半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，形成由硬度较低的材料构成的支撑体的工序；在形成支撑体后，将半导体层和衬底分离的工序；从半导体层形成半导体发光元件的工序；在半导体发光元件中的与形成有第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及从支撑体的形成有第1电极的面中的、没有半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到第2电极为止的布线金属的工序。
根据本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法，能够形成不是通过引线接合而是通过布线金属供电的半导体发光元件。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，即使在使用了与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料作为支撑体材料时，也能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使由硬度较低的材料构成的支撑体变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法的特征在于，包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；在半导体层上形成第1电极的工序；在第1电极中的与形成有半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，形成支撑体的工序；在形成支撑体后，将半导体层和衬底分离的工序；从半导体层形成半导体发光元件的工序；在半导体发光元件中的与形成有第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及从支撑体的形成有第1电极的面中的、没有半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到第2电极为止的布线金属的工序。
根据本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法，能够形成不是通过引线接合而是通过布线金属供电的半导体发光元件。因此，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使形成在半导体层下面的电极变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好在形成半导体发光元件的工序之后，且在形成第2电极的工序之前，或者在形成第2电极的工序之后，且在形成布线金属的工序之前，还包括：在半导体发光元件的侧面上形成绝缘体膜的工序。
这样一来，能够更确实地防止通过布线金属中的形成在半导体发光元件侧面的部分而产生漏电流的现象。因此，能够谋求漏电流的降低，从而能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好通过选择波长小于等于相当于上述半导体层的吸收端的波长的激光，对衬底中的与形成有半导体层的一侧的面对着的一侧的面照射激光，来将半导体层和衬底分离。
这样一来，能够对半导体层照射具有相当于半导体层的吸收端的波长的激光。所以，半导体层吸收激光所具有的能量且将其分解，因而能够将半导体层和衬底分离。
在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好衬底为透明衬底。
并且，在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好透明衬底由蓝宝石构成。
并且，在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好构成半导体层的接触层，由InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)构成。
并且，在本发明所涉及的半导体发光装置的制造方法中，最好激光为从YAG3倍谐波激光器、KrF受激准分子激光器及ArF受激准分子激光器中选出的任意一个装置中发出的激光。
发明的效果
根据本发明所涉及的半导体发光装置，半导体发光元件不是通过引线接合而是通过布线金属供电。这样一来，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。因此，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
特别是当为将多个半导体发光元件配置成阵列状的半导体发光装置时，由于能够不是通过引线接合对各个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属进行供电，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，由于不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，因此能够谋求半导体发光元件的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
附图的简单说明
图1(a)及图1(b)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的结构图。
图2为示出了构成本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的pn接合结构的详细结构的剖面图。
图3为示出了半导体发光装置的成品率相对于pn接合结构的膜厚的变化的图。
图4(a)～图4(d)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
图5(a)～图5(e)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
图6(a)及图6(b)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的结构图。
图7(a)～图7(d)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
图8(a)～图8(e)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
图9为示出了本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
图10为示出了半导体发光装置的 光输出相对于驱动电流的变化的图。
图11为示出了本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
图12为示出了本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图。
图13为示出了本发明的第6实施例所涉及的照明模块的立体图。
图14为示出了本发明的第6实施例所涉及的照明装置的结构的剖面图。
图15为示出了以往的半导体发光装置的结构的剖面图。
(符号的说明)
100、200-衬底；101、201-pn接合结构；102、202-p侧欧姆电极；103-熔敷材料；104、203、404-支撑体；101a-p-GaN接触层；101b-p-AlGaN电流扩散层；101c-p-AlGaN障壁层；101d-un-AlGaN中间层；101e-InGaN/AlGaN多量子阱活性层；101f-n-GaN接触层；105、204、305-绝缘体膜；106、205、306-n侧欧姆电极；107、206、307、407-布线金属；108、207、408-Au电镀层；109、208-Au线；110、209-供电用电极；500-树脂材料；600-吸热装置；601-LED阵列；602-固定用通孔；603-供电电极；604-Au线；700-反射镜；701-固定螺丝；L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9-半导体发光元件；800-支撑体；801-熔敷材料；802-p侧欧姆电极；803-pn接合结构；804-n侧欧姆电极；805-Au电镀层；806-Au线；807-供电用电极。
具体实施例
以下，参照附图对本发明的各实施例加以说明。
(第1实施例)
以下，参照图1(a)及图1(b)对本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的结构加以说明。
图1(a)及图1(b)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的结构图。这里，图1(a)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图，具体地说，为在图1(b)中示出的Ia-Ia线的剖面图，图1(b)为示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
如图1(a)所示，在由CuW构成的支撑体104上，夹着由AuSn构成的熔敷材料103，依次形成有p侧欧姆电极102、pn接合结构101及n侧欧姆电极106。pn接合结构101，其膜厚为5μm，其形状是一边的大小为350μm的正方形，为将p型氮化镓系化合物半导体层、活性层及n型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成的半导体层。因而，形成有具有p侧欧姆电极102及n侧欧姆电极106的由半导体层(pn接合结构101)构成的半导体发光元件。
从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上到形成在pn接合结构101上面的n侧欧姆电极106为止，夹着由SiO2膜构成的绝缘体膜105形成有布线金属107。因而，在支撑体104和布线金属107之间、以及半导体发光元件和布线金属107之间，形成有绝缘体膜105，该布线金属107为将50nm的钛、100nm的铂及300nm的金依次层叠而成的金属膜。
在布线金属107中的夹着绝缘体膜105形成在支撑体104上面的部分之上，形成有膜厚为30μm的Au电镀层108。Au电镀层108通过Au线109与供电用电极110电连接。
并且，如图1(b)所示，在支撑体104上依次形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)、pn接合结构101，在该pn接合结构101上面的周边部分形成有n侧欧姆电极106。这样一来，在支撑体104上形成有在pn接合结构101的下面形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)，且在pn接合结构101的上面形成有n侧欧姆电极106的半导体发光元件。
图1(b)所示的布线金属107的宽度Wa大约为50μm，该布线金属107夹着绝缘体膜105从n侧欧姆电极106的上面形成到支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上。
并且，布线金属107中的夹着绝缘体膜105形成在支撑体104上面的部分，如图1(b)所示，被图案化成宽度Wb为100μm且宽度Wc为300μm的长方形形状，形成电极衬垫。在该电极衬垫上形成有膜厚为30μm的Au电镀层108，该Au电镀层108通过Au线109与供电用电极110电连接。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，能够通过从外部向导电性的由CuW构成的支撑体104以及供电用电极110提供电流，来使半导体发光元件发光。
以下，参照图2对构成本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的pn接合结构的详细结构加以说明。
图2为示出了构成本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的pn接合结构的详细结构图，具体地说，为在图1(a)中所示的II-II线的剖面图。
如图2所示，在p侧欧姆电极102上依次层叠膜厚为5nm的p-GaN接触层101a、膜厚为10nm的p-Al0.15Ga0.85N电流扩散层101b、膜厚为10nm的p-Al0.30Ga0.70N障壁层101c、膜厚为30nm的un-Al0.15Ga0.85N中间层101d、将膜厚为10nm的n-Al0.15Ga0.85N阻挡层和膜厚为1.5nm的un-Al0.04Ga0.95In0.01N量子阱活性层层叠5次而成的多重量子阱活性层101e、以及膜厚为4μm的n-GaN接触层101f，在该n-GaN接触层101f上形成有n侧欧姆电极106。
因此，形成有将p型氮化镓系化合物半导体层、活性层、及n型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成的pn接合结构101。并且，在pn接合结构101的下面形成有p侧欧姆电极102，同时在pn接合结构101的上面形成有n侧欧姆电极106，具有p侧欧姆电极102及n侧欧姆电极106的由半导体层(pn接合结构101)构成的半导体发光元件夹着熔敷材料103形成在支撑体104上。
以下，参照图3对本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的成品率加以说明。
图3为示出了半导体发光装置的成品率相对于pn接合结构的膜厚的变化的图。
图3所示的曲线A，示出了以往当通过引线接合对n侧欧姆电极(804)进行供电时的半导体发光装置的成品率的变化，图3所示的直线B，示出了本实施例当通过布线金属(107)对n侧欧姆电极(106)进行供电时的半导体发光装置的成品率的变化。
如曲线A所示，在以往的半导体发光装置的供电方法中，随着pn接合结构的膜厚减少，半导体发光装置的成品率急剧下降。特别是在pn接合结构的膜厚小于等于30μm时，半导体发光装置的成品率下降显著。
如上所示，在以往的半导体发光装置中，在pn接合结构(803)的膜厚较薄的情况下，当对n侧欧姆电极(804)进行引线接合时，由于超声波的施加或引线接合用弹簧夹头前端的局部的压力施加，而在半导体发光元件中产生裂缝或缺损。因而，在以往的半导体发光装置中，发生电短路、漏电流的增大、p侧欧姆电极附近的发光不均匀增大、以及光输出低下等不良现象。所以，在以往的半导体发光装置的供电方法中，随着半导体发光元件的膜厚减少，半导体发光装置的成品率急剧下降。
另一方面，如直线B所示，表示出在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的供电方法中，无论pn接合结构膜厚的增减如何，成品率都为固定值(100％)，实现了半导体发光装置极高的成品率。
如上所示，由于在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，不是通过引线接合而是通过布线金属107向n侧欧姆电极106进行供电，因此没有象以往的例子那样，在引线接合时，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。所以，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如直线B所示，看不出成品率的下降，即使在半导体发光元件的膜厚为1.5μm时，也能够实现良好的发光特性。
如上所示，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，不是在半导体发光元件上而是在支撑体104中的没有半导体发光元件存在的部分上形成引线接合。因此，不是通过引线接合而是通过布线金属107向半导体发光元件供电。因而，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，能够防止在引线接合时因对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体104和半导体发光元件之间的熔敷材料103(例如，AuSn)变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，能够不是在半导体发光元件上而是在支撑体104中的没有半导体发光元件存在的部分上形成衬垫电极。因此，不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
并且，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如图3所示，示出了无论pn接合结构膜厚的增减如何，成品率都为固定值(100％)。而在以往的半导体发光装置中，如图3所示，随着pn接合结构膜厚的减少，成品率下降，特别是在pn接合结构的膜厚小于等于30μm时，观察出成品率的显著下降。
如上所示，由于在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，即使pn接合结构的膜厚小于等于30μm时，也没有半导体发光装置成品率下降的现象，因此能够在极高的成品率的情况下制造半导体发光装置。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如图1(a)所示，在布线金属107和半导体发光元件之间形成有膜厚为300nm的由SiO2膜构成的绝缘体膜105。
这样一来，由于能够更确实地防止因从p侧欧姆电极102注入p型氮化镓系化合物半导体层的电流，通过布线金属107中的形成在半导体发光元件侧面的部分，流入n型氮化镓系化合物半导体层而导致漏电流发生的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，如本实施例所示，通过形成膜厚大于等于100nm的绝缘体膜105，由于能够更确实地防止因例如在绝缘体膜形成小洞(pin hole)，从p侧欧姆电极102注入p型氮化镓系化合物半导体层的电流经该小洞中的部分，流入n型氮化镓系化合物半导体层而导致漏电流发生的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，如本实施例所示，在使用了导电性材料(例如，CuW)作为支撑体104的材料时，在布线金属107和支撑体104之间形成有绝缘体膜105。这样一来，由于能够更确实地防止通过布线金属107中的形成在支撑体104上面的部分，产生漏电流的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，通过使用高电阻性的材料作为支撑体的材料，能够有效地防止通过布线金属中的形成在支撑体上面的部分而产生漏电流的现象。但是，如本实施例所示，通过在布线金属107和支撑体104之间形成绝缘体膜105，能够更确实地防止产生漏电流的现象。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如图1(a)及图1(b)所示，半导体发光元件夹着熔敷材料103固定在由CuW构成的支撑体104上。
这样一来，能够在为吸热装置的支撑体104上形成半导体发光元件。因此，能够提供放热特性优良的半导体发光装置，从而在半导体发光装置中可进行高输出动作。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如图1(a)所示，支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的区域上的面、和半导体发光元件的侧面所成的角度大于90°且小于180°。
这样一来，由于在半导体发光元件的侧面形成有倾斜度，因此能够形成段差覆盖性优良的布线金属107。所以，能够更确实地防止在布线金属107的形成在半导体发光元件侧面的部分中发生断线的现象，从而能够更进一步地使半导体发光装置的成品率提高。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置中，如图2所示，pn接合结构101，在上层形成有n型氮化镓系化合物半导体层(101f)，在下层形成有p型氮化镓系化合物半导体层(101a～101c)。
这样一来，能够在多个半导体层层叠而成的pn接合结构101中，在最上层不是形成p-GaN接触层101a而是形成n-GaN接触层101f。所以，由于n-GaN接触层101f与p-GaN接触层101a相比电阻率较小，因此通过n侧欧姆电极106向n型氮化镓系化合物半导体层注入的电流，与p型氮化镓系化合物半导体层相比，能够较容易地向半导体层(pn接合结构101)中扩散。
所以，由于能够缩小n侧欧姆电极106的大小，因此能够缩小n侧欧姆电极106在pn接合结构101上面所占的面积的比例。从而，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，能够在半导体发光元件中更进一步地谋求发光效率的提高。
并且，由于p型欧姆电极102形成在pn接合结构101的下面，因此能够不作为一部分电极而是作为全部电极形成。所以，能够对p型氮化镓系化合物半导体层均匀地注入电流，从而能够防止产生发光不均匀的现象。因而，不仅能够谋求发光效率的提高，还能够在半导体发光装置中实现均匀且良好的发光。
以下，参照图4(a)～图4(d)及图5(a)～图5(e)对本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法加以说明。
图4(a)～图4(d)及图5(a)～图5(e)示出了本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
首先，如图4(a)所示，通过外延生长在由蓝宝石构成的衬底100上形成pn接合结构101，所述pn接合结构101为将n型氮化镓系化合物半导体层、活性层、p型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成的半导体层。
其次，如图4(b)所示，在pn接合结构101上依次形成p侧欧姆电极102及由AuSn构成的熔敷材料103。
其次，如图4(c)所示，夹着熔敷材料103，将由CuW构成的支撑体104推压在p侧欧姆电极102中的与形成有pn接合结构101的一侧的面对着的一侧的面上。接着，通过用380℃将推压状态保持一分钟后返回到室内温度，来夹着熔敷材料103将pn接合结构101固定在支撑体104上。
其次，如图4(d)所示，通过向衬底100中的与形成有pn接合结构101的一侧的面对着的一侧的面，照射YAG3倍谐波(波长大约为355nm)的脉冲激光，扫描整个面，来将pn接合结构101和衬底100分离。
这里，如上述图2所示，在图4(d)所示的工序中，构成形成在支撑体104上的pn接合结构101的半导体层中的、最上层的半导体层为n-GaN接触层(101f)。由于相当于n-GaN接触层的吸收端的波长大约为365nm，因此在图4(d)所示的工序中，对衬底100照射波长大约为355nm的YAG3倍谐波的脉冲激光。这样一来，n-GaN接触层将YAG3倍谐波的脉冲激光所具有的能量吸收且分解。
如上所示，能够通过使用激光分离法，在距pn接合结构101和衬底100的界面大约0.2μm左右的位置中将n-GaN接触层分解，将pn接合结构101和衬底100分离。在从衬底100分离的pn接合结构101中的n-GaN接触层上面，析出了Ga。
其次，通过对pn接合结构101中的从衬底100分离的一侧的面，进行稀盐酸等的处理，来将在pn接合结构101上面析出的Ga除去。然后，通过在pn接合结构101上形成被图案化为一边的大小为350μm的正方形形状的光抗蚀(图中没有示出)，来形成使pn接合结构101露出的开口部。
接着，将光抗蚀作为掩模，对使pn接合结构101露出的开口部进行干蚀刻，将pn接合结构101中的存在于开口部的部分除去。这样一来，如图5(a)所示，形成多个侧面为锥形形状且被图案化为一边的大小为350μm的正方形形状的pn接合结构101。
其次，如图5(b)所示，在pn接合结构101侧面的一部分、以及支撑体104中的没有pn接合结构101存在的部分上，形成膜厚为300nm的由SiO2膜构成的绝缘体膜105，同时，在pn接合结构101上形成n侧欧姆电极106。
这样一来，形成在pn接合结构101下面形成有p侧欧姆电极102且在pn接合结构101上面形成有n侧欧姆电极106的半导体发光元件。
其次，如图5(c)所示，夹着绝缘体膜105形成将50nm的钛、100nm的铂及300nm的金依次层叠而成的布线金属107，所述布线金属107从支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上延伸到形成在pn接合结构101上面的n侧欧姆电极106。
其次，如图5(d)所示，在布线金属107中的没有半导体发光元件存在的部分上形成Au电镀层108。
其次，如图5(e)所示，以各个半导体发光元件为单位分割支撑体104。
如上所示，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，不是在半导体发光元件上而是在支撑体104中的没有半导体发光元件存在的部分上形成引线接合。因此，能够形成不是通过引线接合而是通过布线金属107供电的半导体发光元件。因而，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。这样一来，能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体和半导体发光元件之间的熔敷材料103(例如，AuSn)变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，能够不是在半导体发光元件上而是在支撑体104中的没有半导体发光元件存在的部分上形成衬垫电极。因此，不必在半导体发光元件中的光取出面上形成衬垫电极，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图5(c)所示，在半导体发光元件的侧面上夹着绝缘体膜105形成布线金属107。
因而，能够更确实地防止通过布线金属107中的形成在半导体发光元件侧面的部分产生漏电流的现象。所以，能够谋求漏电流的降低，从而能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的上升。
在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图4(d)所示，对衬底100中的与形成有pn接合结构101的一侧的面对着的一侧的面，照射YAG3倍谐波(波长大约为355nm)的脉冲激光。
这样一来，能够对相当于吸收端的波长大约为365nm的n-GaN接触层(101f)照射波长大约为355nm的YAG3倍谐波的脉冲激光。因此，n-GaN接触层(101f)将YAG3倍谐波的脉冲激光所具有的能量吸收且分解，从而能够将pn接合结构101和衬底100分离。
另外，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，如图1(a)所示，将布线金属107的宽度Wa设为50μm，也可以是这以外的宽度Wa。但是，由于在布线金属107的宽度Wa小于等于5μm时，发生布线金属107中的形成在半导体发光元件侧面的部分的断线、或因电流驱动时的发热而造成的布线金属107的断线，因此最好布线金属107的宽度Wa大于等于5μm。
并且，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图4(b)所示，在pn接合结构101预先形成熔敷材料103后，夹着熔敷材料103将pn接合结构101和支撑体104固定在一起，但并不限定于此。例如，也可以在支撑体104预先形成熔敷材料103后，夹着熔敷材料103将pn接合结构101和支撑体104固定在一起。
并且，在本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图4(c)所示，在夹着熔敷材料103将pn接合结构101固定在支撑体104上后，如图5(a)所示，对pn接合结构101进行干蚀刻，形成了被图案化的pn接合结构101，但是并不一定限定于此顺序。例如，也可以在夹着熔敷材料103将pn接合结构101固定在支撑体104上前，对pn接合结构101进行使衬底100露出的干蚀刻，在形成了被图案化的pn接合结构101后，夹着熔敷材料103将该pn接合结构101固定在支撑体104上
(第2实施例)
以下，参照图6(a)及图6(b)对本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的结构加以说明。
图6(a)及图6(b)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的结构图。这里，图6(a)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图，具体地说，为在图6(b)中示出的VIa-VIa线的剖面图，图6(b)为示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
如图6(a)所示，在膜厚为100μm的由Au构成的支撑体203上，依次形成有p侧欧姆电极202、pn接合结构201及n侧欧姆电极205。并且，pn接合结构201，其膜厚为5μm，其形状是一边的大小为350μm的正方形，为将p型氮化镓系化合物半导体层、活性层及n型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成的半导体层。这样一来，形成有由具有p侧欧姆电极202及n侧欧姆电极205的半导体层(pn接合结构201)构成的半导体发光元件。
从支撑体203上面的没有半导体发光元件存在的部分之上到形成在pn接合结构201上面的n侧欧姆电极205为止，夹着由SiO2膜构成的绝缘体膜204形成有布线金属206。这样一来，在支撑体203和布线金属206之间、以及半导体发光元件和布线金属206之间，形成有绝缘体膜204，该布线金属206为将50nm的钛、100nm的铂及300nm的金依次层叠而成的金属膜。
在布线金属206中的夹着绝缘体膜204形成在支撑体203上面的部分之上，形成有膜厚为30μm的Au电镀层207。该Au电镀层207通过Au线208与供电用电极209电连接。
并且，如图6(b)所示，在支撑体203上依次形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)、pn接合结构201，在该pn接合结构201上面的周边部分形成有n侧欧姆电极205。这样一来，在支撑体203上形成有在pn接合结构201的下面形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)，且在pn接合结构201的上面形成有n侧欧姆电极205的半导体发光元件。
图6(b)所示的布线金属206的宽度Wd大约为50μm，该布线金属206夹着绝缘体膜204从n侧欧姆电极205的上面形成到支撑体203上面的没有半导体发光元件存在的部分之上。
并且，布线金属206中的夹着绝缘体膜204形成在支撑体203上面的部分，如图6(b)所示，被图案化成宽度We为100μm且宽度Wf为300μm的长方形形状，形成电极衬垫。在该电极衬垫上形成有膜厚为30μm的Au电镀层207，该Au电镀层207通过Au线208与供电用电极209电连接。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，能够通过从外部对导电性的由Au构成的支撑体203以及供电用电极209提供电流，使半导体发光元件发光。
这里，由于本实施例所涉及的半导体发光装置中的pn接合结构201的构成，与上述第1实施例所涉及的半导体发光装置中的pn接合结构101相同，因此不再重复进行说明。
如上所示，在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，不是在半导体发光元件上而是在支撑体203中的没有半导体发光元件存在的部分上形成引线接合。因此，不是通过引线接合而是通过布线金属206向半导体发光元件供电。因而，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。所以，即使使用与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料作为支撑体材料时，也能够防止在引线接合时因对半导体发光元件的加压，而使由硬度较低的材料构成的支撑体203(例如，Au)变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，能够不是在半导体发光元件上而是在支撑体203中的没有半导体发光元件存在的部分上形成衬垫电极。因此，不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，如图6(a)所示，在布线金属206和半导体发光元件之间形成有膜厚为300nm的由SiO2膜构成的绝缘体膜204。
这样一来，由于能够更确实地防止因从p侧欧姆电极202注入p型氮化镓系化合物半导体层的电流，通过布线金属206中的形成在半导体发光元件侧面的部分，流入n型氮化镓系化合物半导体层而导致漏电流发生的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，如本实施例所示，通过形成膜厚大于等于100nm的绝缘体膜204，由于能够更确实地防止因例如在绝缘体膜形成小洞，通过该小洞的部分产生漏电流的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，如本实施例所示，当使用了导电性材料(例如，Au)作为支撑体203的材料时，在布线金属206和支撑体203之间形成有绝缘体膜204。这样一来，由于能够更确实地防止通过布线金属206中的形成在支撑体203上面的部分，产生漏电流的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
并且，能够通过使用高电阻性的材料作为支撑体的材料，有效地防止通过布线金属中的形成在支撑体上面的部分而产生漏电流的现象。但是，如本实施例所示，通过在布线金属206和支撑体203之间形成绝缘体膜204，能够更确实地防止漏电流的产生。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，如图6(a)及图6(b)所示，将半导体发光元件固定在由Au构成的支撑体203上。
这样一来，能够在为吸热装置的支撑体203上形成半导体发光元件。因此，能够提供放热特性优良的半导体发光装置，从而在半导体发光装置中可进行高输出动作。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，如图6(a)所示，支撑体203上面的没有半导体发光元件存在的区域上的面、和半导体发光元件的侧面所成的角度大于90°且小于180°。
这样一来，由于在半导体发光元件的侧面形成有倾斜度，因此能够形成段差覆盖性优良的布线金属206。所以，能够更确实地防止在布线金属206的形成在半导体发光元件侧面的部分中发生断线的现象，从而能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的提高。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置中，如上所示，pn接合结构201，在上层形成有n型氮化镓系化合物半导体层(101f)，在下层形成有p型氮化镓系化合物半导体层(101a～101c)。
这样一来，能够在多个半导体层层叠而成的pn接合结构201中，在最上层不是形成p-GaN接触层101a而是形成n-GaN接触层101f。由于n-GaN接触层与p-GaN接触层相比电阻率较小，因此通过n侧欧姆电极205向n型氮化镓系化合物半导体层注入的电流，与p型氮化镓系化合物半导体层相比，能够较容易地扩散。
所以，由于能够缩小n侧欧姆电极205的大小，因此能够缩小n侧欧姆电极205在pn接合结构201上面所占的面积的比例。从而，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，能够在半导体发光装置中更进一步地谋求发光效率的提高。
并且，由于p型欧姆电极202形成在pn接合结构201的下面，因此能够不作为一部分电极而是作为全部电极形成。所以，能够对p型氮化镓系化合物半导体层均匀地注入电流，从而能够防止产生发光不均匀的现象。因而，不仅能够谋求发光效率的提高，还能够在半导体发光装置中实现均匀且良好的发光。
以下，参照图7(a)～图7(d)及图8(a)～图8(e)对本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法加以说明。
图7(a)～图7(d)及图8(a)～图8(e)示出了本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造工序的要部工序剖面图。
首先，如图7(a)所示，通过外延生长在由蓝宝石构成的衬底200上形成pn接合结构201，所述pn接合结构201为将n型氮化镓系化合物半导体层、活性层及p型氮化镓系化合物半导体层依次层叠而成。
其次，如图7(b)所示，在pn接合结构201上形成p侧欧姆电极202。
其次，如图7(c)所示，在p侧欧姆电极202中的与形成有pn接合结构201的一侧的面对着的一侧的面上，通过电镀法形成膜厚为100μm的由Au构成的支撑体203。
其次，如图7(d)所示，通过向衬底200中的与形成有pn接合结构201的一侧的面对着的一侧的面，照射YAG3倍谐波(波长大约为355nm)的脉冲激光，扫描整个面，来将pn接合结构201和衬底200分离。
这里，如上所示，在图7(d)所示的工序中，构成形成在支撑体203上的pn接合结构201的半导体层中的、最上层的半导体层为n-GaN接触层(101f)。由于相当于n-GaN接触层的吸收端的波长大约为365nm，因此在图7(d)所示的工序中，对衬底200照射波长大约为355nm的YAG3倍谐波的脉冲激光。这样一来，n-GaN接触层将YAG3倍谐波的脉冲激光所具有的能量吸收且分解。
如上所述，能够通过使用激光分离法，在距pn接合结构201和衬底200的界面大约0.2μm左右的位置中将n-GaN接触层分解，将pn接合结构201和衬底200分离。在从衬底200分离的pn接合结构201中的n-GaN接触层上面，析出了Ga。
其次，通过对pn接合结构201中的从衬底200分离的一侧的面，进行稀盐酸等的处理，来将在pn接合结构201上面析出的Ga除去。然后，通过在pn接合结构201上形成被图案化为一边的大小为350μm的正方形形状的光抗蚀(图中没有示出)，来形成使pn接合结构201露出的开口部。
接着，将光抗蚀作为掩模，对使pn接合结构201露出的开口部进行干蚀刻，将pn接合结构201中的存在于开口部的部分除去。这样一来，如图8(a)所示，形成多个侧面为锥形形状且被图案化为一边的大小为350μm的正方形形状的pn接合结构201。
其次，如图8(b)所示，在pn接合结构201侧面的一部分、以及支撑体203中的没有pn接合结构201存在的部分上，形成膜厚为300nm的由SiO2膜构成的绝缘体膜204，同时，在pn接合结构201上形成n侧欧姆电极205。
这样一来，形成在pn接合结构201下面形成有p侧欧姆电极202且在pn接合结构201上面形成有n侧欧姆电极205的半导体发光元件。
其次，如图8(c)所示，夹着绝缘体膜204形成将50nm的钛、100nm的铂及300nm的金依次层叠而成的布线金属206，所述布线金属206从支撑体203上面的没有半导体发光元件存在的部分之上延伸到形成在pn接合结构201上面的n侧欧姆电极205。
其次，如图8(d)所示，在布线金属206中的没有半导体发光元件存在的部分上形成Au电镀层207。
其次，如图8(e)所示，以每个半导体发光元件为单位分割支撑体203。
如上所示，在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，不是在半导体发光元件上而是在支撑体203中的没有半导体发光元件存在的部分上形成引线接合。因此，能够形成不是通过引线接合而是通过布线金属206供电的半导体发光元件。因而，能够制造对半导体发光元件没有施加压力的半导体发光装置。这样一来，即使在使用与蓝宝石或SiC等相比硬度较低的材料作为支撑体材料时，也能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压，而使由硬度较低的材料构成的支撑体203(例如，Au)变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。从而，能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
并且，能够不是在半导体发光元件上而是在支撑体203中的没有半导体发光元件存在的部分上形成衬垫电极。因此，不必在半导体发光元件的光取出面上形成衬垫电极，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够谋求发光效率的提高。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图8(c)所示，在半导体发光元件的侧面上夹着绝缘体膜204形成布线金属206。
这样一来，由于能够更确实地防止因从p侧欧姆电极202注入p型氮化镓系化合物半导体层的电流，通过布线金属206中的形成在半导体发光元件侧面的部分流入n型氮化镓系化合物半导体层而产生漏电流的现象，因此能够更进一步地谋求半导体发光装置的成品率的上升。
在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图7(d)所示，对衬底200中的与形成有pn接合结构201的一侧的面对着的一侧的面，照射YAG3倍谐波(波长大约为355nm)的脉冲激光。
这样一来，能够对相当于吸收端的波长大约为365nm的n-GaN接触层(101f)照射波长大约为355nm的YAG3倍谐波的脉冲激光。因此，n-GaN接触层将YAG3倍谐波的脉冲激光所具有的能量吸收且分解，从而能够将pn接合结构201和衬底200分离。
另外，虽然在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，将p侧欧姆电极202直接固定在利用电镀法形成的由Au构成的支撑体203上，但是并不限定于此。例如，也可以利用直接熔敷将p侧欧姆电极固定在支撑体上。
并且，虽然在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，使支撑体203的膜厚为100μm，但是并不限定于此。不过，从晶片处理的容易性观点出发，最好大于等于大约30μm。并且，从以每个半导体发光元件为单位分割支撑体203时的容易性及制造成本的观点出发，最好不满1000μm。
并且，虽然在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，如图6(a)所示，将布线金属206的宽度Wd设为50μm，也可以是这以外的宽度Wd。但是，由于在布线金属206的宽度Wd小于等于5μm时，发生布线金属206中的形成在半导体发光元件侧面的部分的断线、或因电流驱动时的发热而造成的布线金属206的断线，因此最好布线金属206的宽度Wd大于等于5μm。
并且，在本发明的第2实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，如图7(c)所示，在将pn接合结构201固定在支撑体203上后，如图8(a)所示，对pn接合结构201进行干蚀刻，形成了被图案化的pn接合结构201，但是并不一定限定于此顺序。例如，也可以在将pn接合结构201固定在支撑体203上前，对pn接合结构201进行使衬底200露出的干蚀刻，在形成了被图案化的pn接合结构201后，将该pn接合结构201固定在支撑体203上。
(第3实施例)
以下，参照图9对本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置的结构加以说明。
图9为示出了本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
另外，关于本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图，由于与上述本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置一样，因此将其省略。并且，在图9中，对与上述本发明的第1实施例所涉及的半导体装置一样的构成要素标注相同的符号。所以，在本实施例中，不重复与本发明的第1实施例所涉及的半导体装置一样的说明。
如图9所示，在支撑体104上，依次形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)、pn接合结构101，在该pn接合结构101上面的中央部形成有n侧欧姆电极306。这样一来，在支撑体104上形成有在pn接合结构101下面形成有p侧欧姆电极(图中没有示出)且在pn接合结构101上面形成有n侧欧姆电极306的半导体发光元件。
并且，布线金属307夹着绝缘体膜305从n侧欧姆电极306的上面形成到支撑体104上面的没有半导体发光元件存在的部分之上。
在本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置中，n侧欧姆电极306形成在pn接合结构101上面的中央附近。
这样一来，由于从n侧欧姆电极306流入构成pn接合结构101的活性层的电流密度在面内被均匀化，因此能够在半导体发光装置中更进一步地谋求发光效率的提高。
以下，参照图10对本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置的电流-光输出特性加以说明。
图10为示出了半导体发光装置的光输出相对于驱动电流的变化的图。
图10所示的曲线C，如上述第1实施例所示，示出了n侧欧姆电极(106)形成在pn接合结构(101)的周边部时的半导体发光装置的光输出的变化，图10所示的直线D，如本实施例所示，示出了n侧欧姆电极(306)形成在pn接合结构101的中央部时的半导体发光装置的光输出的变化。
如图10所示，光输出(毫瓦)对于某驱动电流(mA)的数值，与从曲线C得到的光输出的数值进行比较，从直线D得到的光输出的数值更高。
如上所示，作为一部分电极形成在pn接合结构上面的n侧欧姆电极与形成在pn接合结构周边部的情况相比，形成在pn接合结构中央部的情况能够获得更高的光输出。
因此，在本发明的第3实施例所涉及的半导体发光装置中，通过将n侧欧姆电极形成在pn接合结构上面的中央附近，能够更进一步地谋求半导体发光装置中的发光效率的提高。
(第4实施例)
以下，参照图11对本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置的结构加以说明。
图11为示出了本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置的结构的平面图。
另外，关于本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图，由于与上述本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置一样，因此将其省略。
如图11所示，在由CuW构成的支撑体404上，夹着熔敷材料(图中没有示出)，呈阵列状配置有被图案化成一边的大小为350μm的正方形形状的半导体发光元件L1～L9。
各个半导体发光元件L1～L9，具有第1电极(图中没有示出)及第2电极(图中没有示出)，第1电极及第2电极中的任意一方电极构成各个半导体发光元件L1～L9的上部，另一方电极构成各个半导体发光元件L1～L9的下部。构成各个半导体发光元件L1～L9的下部的电极，夹着熔敷材料固定在为吸热装置的支撑体404上。
夹着绝缘体膜(图中没有示出)形成有布线金属407，所述布线金属407从支撑体404上面的没有半导体发光元件L1～L9存在的部分之上延伸到构成各个半导体发光元件L1～L9的上部的电极。在布线金属407中的夹着绝缘体膜形成在支撑体404上面的部分之上，形成有Au电镀层408。Au电镀层408通过Au线(图中没有示出)与供电部(图中没有示出)电连接。这样一来，构成各个半导体发光元件L1～L9的上部的电极，通过共通的布线金属407与供电部(图中没有示出)电连接。
如上所述，在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，能够不是在半导体发光元件上而是在支撑体404中的没有半导体发光元件存在的部分上形成引线接合。因此，能够不是通过引线接合对各个半导体发光元件L1～L9进行供电，而是通过共通的布线金属407对各个半导体发光元件L1～L9进行供电。因而，能够防止因制造时对半导体发光元件的加压，而使介于支撑体404和半导体发光元件L1～L9之间的熔敷材料(例如，AuSn)变形，在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因此，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够谋求半导体发光装置的成品率的上升。
而且，由于通过共通的布线金属407对各个半导体发光元件L1～L9进行供电，因此不必对半导体发光元件的每一个形成引线接合。所以，无论配置成阵列状的半导体发光元件的个数如何，都能够在谋求半导体发光装置的成品率上升的同时，谋求制造成本的降低。
并且，在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，能够不是在各个半导体发光元件上而是在支撑体404中的没有半导体发光元件存在的部分上形成共通的衬垫电极。因此，不必在各个半导体发光元件的上面形成衬垫电极，能够谋求半导体发光元件中的有效光取出面面积的增加，从而能够更进一步地对各个半导体发光元件谋求发光效率的提高。
并且，由于构成各个半导体发光元件L1～L9的pn接合结构的折射率较大，因此在半导体发光元件上面具有大于等于某个角度的光被全反射。而在半导体发光元件的侧面，无论pn接合结构的折射率如何，都没有被全反射的现象。因此，在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，由于通过将多个半导体发光元件设置成阵列状，能够谋求增加整个半导体发光元件的侧面占整个半导体发光元件中的光取出面面积的比例，因此能够更进一步地谋求发光效率的提高。
另外，虽然在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，有关半导体发光元件L1～L9的大小，对于一边的大小为350μm的正方形的情况加以了说明，但是并不限定于此。例如，当一边的大小为小于等于150μm的正方形时，由于能够谋求增加半导体发光元件的侧面占半导体发光元件中的光取出面面积的比例，因此能够更进一步地谋求发光效率的提高。
并且，虽然在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，对于将9个半导体发光元件配置成阵列状的情况加以了说明，但是半导体发光元件的个数并没有限定于此。
并且，虽然在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，对于半导体发光元件L1～L9的形状为正方形的情况加以了说明，但是并不限定于此。例如，也可以是长方形、平行四边形、三角形、圆形等任意形状。
并且，虽然在本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置中，对于将所有的半导体发光元件并联的情况加以了说明，但是并不限定于此。例如，也可以将所有的半导体发光元件串联，也可以将并联的几个半导体发光元件的组串联起来。
(第5实施例)
以下，参照图12对本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置的结构加以说明。
图12为示出了本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置的结构的剖面图。
另外，在图12中，对与上述本发明的第1实施例所涉及的半导体发光装置一样的构成要素标注相同的符号。因此，在本实施例中，不重复进行与本发明的第1实施例所涉及的半导体装置同样的说明。
如图12所示，在本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置中，在上述第4实施例所涉及的半导体发光装置中的半导体发光元件上，涂敷含萤光体的树脂材料500。
例如如YAG萤光体那样的，使用通过从半导体发光元件发出的淡蓝色光而激起的发黄色光的萤光体作为在树脂材料500中含有的萤光体材料。因此，能够通过从半导体发光元件发出的淡蓝色光和来自萤光体的黄色光的混合色，实现发白色光的半导体发光装置。
并且，在本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置中，没有如以往例那样，因涂敷树脂材料时的压力而使Au线(图中没有示出)断线的现象。因此，在本发明的第5实施例所涉及的半导体发光装置中，能够在极高的成品率的情况下制造半导体发光装置。
另外，虽然在本实施例所涉及的半导体发光装置中，将来自半导体发光元件的发光波长设成了淡蓝色光的波长，但是并不限定于此。例如，也可以是小于等于大约420nm的紫外光的波长。
并且，虽然在本实施例所涉及的半导体发光装置中，将YAG系萤光体用作了在树脂材料500中含有的萤光体，但是并不限定于此。例如，也可以是将发红色、绿色、蓝色3种萤光体混合在一起的萤光体。
另外，虽然在本发明的第1～第5实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，使用了SiO2作为绝缘体膜的材料，但是并不限定于此。例如，也可以使用SiN、TiO2、Nd2O5、Ta2O5及ZrO2等绝缘体膜或者由这些材料构成的多层膜的绝缘体膜。
并且，虽然在本发明的第1～第5实施例所涉及的半导体发光装置及其制造方法中，使用了CuW(104)或Au(203)作为支撑体的材料，但是并不限定于此。例如，也可以使用由Cu、Al、SiC、Si、BN、AlN或GaN等构成的支撑体。
并且，虽然在本发明的第1～第5实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，使用了n-GaN接触层(101f)作为构成半导体层的接触层的材料，但是并不限定于此。例如，构成半导体层的接触层，也可以使用由In(x)Al(y)Ga(l-x-y)N(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)构成的接触层。
并且，虽然在本发明的第1～第5实施例所涉及的半导体发光装置的制造方法中，使用了从YAG3倍谐波激光器发出的激光作为激光，但是并不限定于此。例如，也可以使用从KrF受激准分子激光器及ArF受激准分子激光器中选出的任意一种装置发出的激光。
(第6实施例)
以下，参照图13对具备了本发明所涉及的半导体发光装置的照明模块加以说明。
图13为示出了本发明的第6实施例所涉及的照明模块的结构的立体图。
另外，在图13中，对与上述本发明的第4实施例所涉及的半导体发光装置一样的构成要素标注相同的符号。因此，在本实施例中，不重复进行与本发明的第4实施例所涉及的半导体装置同样的说明。
如图13所示，中间夹着Ag膏(图中没有示出)或第1熔敷材料(图中没有示出)将支撑体404固定在由Al构成的吸热装置600上。在吸热装置600上形成有将半导体发光元件L1～L9配置成阵列状的LED阵列601。在吸热装置600设置有多个固定用通孔602，同时在与导电性的吸热装置600电绝缘的状态下，设置有供电电极603。
LED阵列601中的各个半导体发光元件，具有第1电极及第2电极，这些电极中的构成各个半导体发光元件上部的电极，通过共通的布线金属407电连接。而构成半导体发光元件下部的电极。夹着第2熔敷材料(图中没有示出)，固定在导电性的支撑体404上。导电性的支撑体404及布线金属407，通过Au线604与供电电极603电连接。
在本发明的第6实施例所涉及的照明模块中，能够通过从外部对导电性的支撑体404及布线金属407提供电流，来使LED阵列601发光。
如上所述，在本发明的第6实施例所涉及的照明模块中，能够不是通过引线接合对LED阵列601中的各个半导体发光元件进行供电，而是通过共通的布线金属407进行供电。因此，能够防止因引线接合时对半导体发光元件的加压而在半导体发光元件中产生裂缝或缺损的现象。因而，能够谋求构成照明模块的半导体发光装置的成品率的上升，从而能够在高成品率的情况下制造照明模块。
并且，在本发明的第6实施例所涉及的照明模块中，半导体发光装置，夹着第1熔敷材料被固定在吸热装置600上。因此，能够实现放热特性优良的照明模块，从而能够提供可高输出动作的照明模块。
并且，在本发明的第6实施例所涉及的照明模块中，LED阵列601中的各个半导体发光元件L1～L9，夹着第2熔敷材料被固定在为吸热装置的支撑体404上。因此，能够提供放热特性优良的半导体发光装置，从而能够在半导体发光装置中进行高输出动作。
以下，参照图14对具备了本发明所涉及的半导体发光装置的照明装置加以说明。
图14为示出了本发明的第6实施例所涉及的照明装置的结构的剖面图。
另外，在图14中，对与上述本发明的第6实施例所涉及的照明模块一样的构成要素标注相同的符号。因此，在本实施例中，不重复进行与本发明的第6实施例所涉及的照明模块一样的说明。
如图14所示，利用设置在固定用通孔602的固定螺丝701将本发明的第6实施例所涉及的照明模块固定在反射镜700上。另外，图14所示的照明模块的结构相当于图13中所示的XIV-XIV线的剖面图。
在本发明的第6实施例所涉及的照明装置中，如上所述，由于使用具有优良的放热特性的照明模块，因此能够在照明装置中进行高输出动作。
另外，虽然在本实施例所涉及的照明模块及照明装置中，使用了Al作为吸热装置600的材料，但是并不限定于此。例如，也可以是Cu、Fe、不锈钢等金属，AlN、Al2O3等陶瓷，或金属和陶瓷的多层结构。
实用性
本发明对能够适用于照明领域等的半导体发光装置及其制造方法有用。

Claims (24)

1.一种半导体发光装置，其特征在于：
包括：支撑体，
半导体发光元件，固定在上述支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成，以及
布线金属，从上述支撑体上面的没有上述半导体发光元件存在的部分之上，延伸形成到上述第1电极及上述第2电极中的、至少形成在上述半导体层上面的一电极；
对上述一电极的供电，是通过上述布线金属进行的。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述半导体发光元件，夹着熔敷材料固定在上述支撑体上。
3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述支撑体，由硬度较低的材料构成。
4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述半导体发光元件，在下面具有上述第1电极且在上面具有上述第2电极；
上述布线金属，从上述支撑体的上面中的没有上述半导体发光元件存在的部分上延伸形成到上述第2电极；
向上述第2电极的供电，是通过上述布线金属进行的。
5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述支撑体上固定有多个上述半导体发光元件。
6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述半导体层的膜厚小于等于30μm。
7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述布线金属和上述半导体发光元件之间形成有绝缘体膜。
8.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述绝缘体膜的膜厚大于等于100nm。
9.根据权利要求7所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述绝缘体膜为由从SiO2、SiN、TiO2、Nd2O5、Ta2O5及ZrO2中选出的任意一种材料构成的膜，或者由从这些材料中选出的多种材料构成的多层膜。
10.根据权利要求2所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述熔敷材料由PbSn、AuSn、AgSn或InSn构成。
11.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述支撑体由Cu、Al、Au、CuW、SiC、Si、BN、AlN或GaN构成。
12.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述支撑体上面的没有上述半导体发光元件存在的区域之上的面、与上述半导体发光元件的侧面所成的角度大于90°且小于180°。
13.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述半导体层，在上层形成有n型氮化镓系化合物半导体层，且在下层形成有p型氮化镓系化合物半导体层。
14.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
上述第1电极及上述第2电极中的至少形成在上述半导体层上面的一电极，形成在上述半导体层上面的中央附近。
15.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于：
在上述半导体发光元件的表面形成有含有通过从上述半导体发光元件发出的光而激发的萤光体的树脂材料。
16.一种照明装置，其特征在于：
包括：支撑体，
半导体发光元件，固定在上述支撑体上，具有第1电极及第2电极，由至少含活性层的半导体层构成，以及
照明模块，具有含布线金属的半导体发光装置，该布线金属从上述支撑体上面的没有上述半导体发光元件存在的部分上延伸形成到上述第1电极及上述第2电极中的至少形成在上述半导体层上面的一电极为止；
向上述一电极的供电，是通过上述布线金属进行的。
17.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；
在上述半导体层上形成第1电极的工序；
在上述第1电极中的与形成有上述半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，夹着熔敷材料形成支撑体的工序；
在形成上述支撑体后，将上述半导体层和上述衬底分离的工序；
从上述半导体层形成半导体发光元件的工序；
在上述半导体发光元件中的与形成有上述第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及
从上述支撑体的夹着上述熔敷材料形成有上述第1电极的面中的没有上述半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到上述第2电极的布线金属的工序。
18.根据权利要求17所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
在形成上述半导体发光元件的工序之后，且在形成上述第2电极的工序之前，或者在形成上述第2电极的工序之后，且在形成上述布线金属的工序之前，还包括：在上述半导体发光元件的侧面上形成绝缘体膜的工序。
19.根据权利要求17所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
选择波长小于等于相当于上述半导体层的吸收端的波长的激光，通过对上述衬底中的与形成有上述半导体层的一侧的面对着的一侧的面照射上述激光，来将上述半导体层和上述衬底分离。
20.根据权利要求19所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
上述衬底为透明衬底；
上述透明衬底由蓝宝石构成。
21.根据权利要求19所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
构成上述半导体层的接触层，由0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1的InxAlyGa1-x-yN构成。
22.根据权利要求19所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
上述激光从YAG3倍谐波激光器、KrF受激准分子激光器以及ArF受激准分子激光器中选出的任意一个装置中发出。
23.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；
在上述半导体层上形成第1电极的工序；
在上述第1电极中的与形成有上述半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，形成由硬度较低的材料构成的支撑体的工序；
在形成上述支撑体后，将上述半导体层和上述衬底分离的工序；
从上述半导体层形成半导体发光元件的工序；
在上述半导体发光元件中的与形成有上述第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及
从上述支撑体的形成有上述第1电极的面中的、没有上述半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到上述第2电极的布线金属的工序。
24.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于：
包括：在衬底上形成至少含活性层的半导体层的工序；
在上述半导体层上形成第1电极的工序；
在上述第1电极中的与形成有上述半导体层的一侧的面对着的一侧的面上，形成支撑体的工序；
在形成上述支撑体后，将上述半导体层和上述衬底分离的工序；
从上述半导体层形成半导体发光元件的工序；
在上述半导体发光元件中的与形成有上述第1电极的一侧的面对着的一侧的面上，形成第2电极的工序；以及
从上述支撑体的形成有上述第1电极的面中的、没有上述半导体发光元件存在的部分之上延伸形成到上述第2电极的布线金属的工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270720A (zh) * 2010-06-03 2011-12-07 株式会社东芝 发光装置及其制造方法
WO2014127563A1 (zh) * 2013-02-20 2014-08-28 佛山市国星半导体技术有限公司 一种发光结构

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008157723A1 (en) * 2007-06-21 2008-12-24 Nila Inc. Modular lighting arrays
DE102008011809A1 (de) * 2007-12-20 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8716723B2 (en) 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US9293656B2 (en) 2012-11-02 2016-03-22 Epistar Corporation Light emitting device
KR101154758B1 (ko) * 2008-11-18 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR101081193B1 (ko) 2009-10-15 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2011069242A1 (en) * 2009-12-09 2011-06-16 Cooledge Lighting Inc. Semiconductor dice transfer-enabling apparatus and method for manufacturing transfer-enabling apparatus
US20110151588A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Cooledge Lighting, Inc. Method and magnetic transfer stamp for transferring semiconductor dice using magnetic transfer printing techniques
US8334152B2 (en) 2009-12-18 2012-12-18 Cooledge Lighting, Inc. Method of manufacturing transferable elements incorporating radiation enabled lift off for allowing transfer from host substrate
KR100999733B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
KR101690508B1 (ko) * 2010-10-11 2016-12-28 엘지이노텍 주식회사 발광소자
JP2013172028A (ja) 2012-02-21 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子及び車両用灯具
WO2014066740A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Element Six Technologies Us Corporation Semiconductor devices with improved reliability and operating life and methods of manufacturing the same
TWI499080B (zh) 2012-11-19 2015-09-01 Genesis Photonics Inc 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI524551B (zh) 2012-11-19 2016-03-01 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
TWI535055B (zh) 2012-11-19 2016-05-21 新世紀光電股份有限公司 氮化物半導體結構及半導體發光元件
CN103972341B (zh) * 2013-01-25 2017-03-01 新世纪光电股份有限公司 氮化物半导体结构及半导体发光元件
JP6155827B2 (ja) * 2013-05-11 2017-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6023660B2 (ja) * 2013-05-30 2016-11-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
DE112016006010T5 (de) * 2015-12-24 2019-01-24 Vuereal Inc. Vertikale Festkörpervorrichtungen
US11721784B2 (en) 2017-03-30 2023-08-08 Vuereal Inc. High efficient micro devices
US11600743B2 (en) 2017-03-30 2023-03-07 Vuereal Inc. High efficient microdevices
CN110709989B (zh) 2017-03-30 2023-12-01 维耶尔公司 垂直固态装置
JP7046236B1 (ja) 2021-01-05 2022-04-01 聯嘉光電股▲ふん▼有限公司 電流が効果的に分散される高信頼性の垂直型発光ダイオード構造

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3641122B2 (ja) * 1997-12-26 2005-04-20 ローム株式会社 半導体発光素子、半導体発光モジュール、およびこれらの製造方法
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ実装基板
JP2000068555A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Hitachi Ltd 照明システム
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
JP2001077422A (ja) 1999-09-06 2001-03-23 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄアレイチップおよびｌｅｄアレイチップと併用したプリント基板
JP2002289920A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Kyocera Corp Ｌｅｄアレイおよびその製造方法
CN1204632C (zh) * 2001-09-28 2005-06-01 李贞勋 白色发光二极管的制造方法
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP4107868B2 (ja) * 2002-04-16 2008-06-25 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP3962282B2 (ja) 2002-05-23 2007-08-22 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004179641A (ja) * 2002-11-11 2004-06-24 Oki Data Corp 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置
US7180099B2 (en) * 2002-11-11 2007-02-20 Oki Data Corporation Semiconductor apparatus with thin semiconductor film
EP1420456B1 (en) * 2002-11-13 2013-05-22 Oki Data Corporation Monolithic semiconductor component and optical print head
JP2003234535A (ja) * 2003-03-10 2003-08-22 Sony Corp 半導体発光素子の光放出端面の形成方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP3813599B2 (ja) * 2003-06-13 2006-08-23 ローム株式会社 白色発光の発光ダイオード素子を製造する方法
JP4371714B2 (ja) * 2003-06-16 2009-11-25 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP3871668B2 (ja) * 2003-08-26 2007-01-24 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
JP4811927B2 (ja) * 2006-03-23 2011-11-09 ローム株式会社 Ｌｅｄ発光装置およびその製造方法
US8525200B2 (en) * 2008-08-18 2013-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitting diode with non-metallic reflector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270720A (zh) * 2010-06-03 2011-12-07 株式会社东芝 发光装置及其制造方法
WO2014127563A1 (zh) * 2013-02-20 2014-08-28 佛山市国星半导体技术有限公司 一种发光结构

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