JP2002289920A - Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄアレイおよびその製造方法Info
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- JP2002289920A JP2002289920A JP2001090028A JP2001090028A JP2002289920A JP 2002289920 A JP2002289920 A JP 2002289920A JP 2001090028 A JP2001090028 A JP 2001090028A JP 2001090028 A JP2001090028 A JP 2001090028A JP 2002289920 A JP2002289920 A JP 2002289920A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体層にクラックが入らず、順メサの一部が
垂直にならないようにして電極の断線を防ぎ、高品質か
つ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。 【解決手段】高抵抗シリコン基板１上に一導電型半導体
層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを形成し、一
導電型半導体層２を引き延ばした延在部の上に共通電極
５を接続し、その延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下
にする。
垂直にならないようにして電極の断線を防ぎ、高品質か
つ高信頼性のＬＥＤアレイを提供する。 【解決手段】高抵抗シリコン基板１上に一導電型半導体
層２と逆導電型半導体層３と個別電極４とを形成し、一
導電型半導体層２を引き延ばした延在部の上に共通電極
５を接続し、その延在部の表面粗さをＲａ１００Å以下
にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばページプ
リンター用感光ドラムの露光用光源などプリンター用に
適したＬＥＤアレイならびにその製造方法に関するもの
である。
リンター用感光ドラムの露光用光源などプリンター用に
適したＬＥＤアレイならびにその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のプリンター用ＬＥＤアレイを図４
〜図６に示す。図４はプリンター用ＬＥＤアレイの平面
図であり、図５はその横断面図であり、各ＬＥＤ（発光
素子）の断面構成を示す。さらに図６は、その平面図で
ある。
〜図６に示す。図４はプリンター用ＬＥＤアレイの平面
図であり、図５はその横断面図であり、各ＬＥＤ（発光
素子）の断面構成を示す。さらに図６は、その平面図で
ある。
【０００３】２１は高抵抗シリコン基板であり、この高
抵抗シリコン基板２１の上に一導電型半導体層２２と逆
導電型半導体層２３とを順次積層している。２４は個別
電極、２５は共通電極、２６は窒化シリコン膜などから
成る保護膜である。
抵抗シリコン基板２１の上に一導電型半導体層２２と逆
導電型半導体層２３とを順次積層している。２４は個別
電極、２５は共通電極、２６は窒化シリコン膜などから
成る保護膜である。
【０００４】また、逆導電型半導体層２３を一導電型半
導体層２２よりも小さな面積となるように設けるととも
に、この一導電型半導体層２２の露出部に共通電極２５
を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電極２４
を接続して設けている。
導体層２２よりも小さな面積となるように設けるととも
に、この一導電型半導体層２２の露出部に共通電極２５
を接続して設け、逆導電型半導体層２３に個別電極２４
を接続して設けている。
【０００５】さらにまた、図４に示すプリンター用ＬＥ
Ｄアレイによれば、上記構成のＬＥＤ(発光素子)を複数
個配列したものであり、逆導電型半導体層２３上に接続
された電極２線分を１つのパッドPにまとめることで、
従来に比べ２分の１の数のパッドにしている。
Ｄアレイによれば、上記構成のＬＥＤ(発光素子)を複数
個配列したものであり、逆導電型半導体層２３上に接続
された電極２線分を１つのパッドPにまとめることで、
従来に比べ２分の１の数のパッドにしている。
【０００６】共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）は隣接す
る発光素子ごとに異なる群に属するように２群に分けて
接続して設けられ、そのために電極パッドＤ（Ｄａ、Ｄ
ｂ）が設けられている。隣接する２個の発光素子が一単
位となって、双方は同じ個別電極２４に接続されてい
る。
る発光素子ごとに異なる群に属するように２群に分けて
接続して設けられ、そのために電極パッドＤ（Ｄａ、Ｄ
ｂ）が設けられている。隣接する２個の発光素子が一単
位となって、双方は同じ個別電極２４に接続されてい
る。
【０００７】そして、かかる構成のＬＥＤアレイでは、
個別電極２４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み
合わせを選択して電流を流すことによって、各発光素子
を選択的に発光させている。
個別電極２４と共通電極２５（２５ａ、２５ｂ）の組み
合わせを選択して電流を流すことによって、各発光素子
を選択的に発光させている。
【０００８】次にこのＬＥＤアレイの製造方法、とくに
図５に示すようなメサ形状の素子構造の製法を述べる。
図５に示すようなメサ形状の素子構造の製法を述べる。
【０００９】前記の如く、高抵抗シリコン基板２１の上
に一導電型半導体層２２と逆導電型半導体層２３とのメ
サ形状の積層構造を作成すべく、高抵抗シリコン基板で
ある単結晶基板の上に、ＭＯＣＶＤ法などで一導電型半
導体層と逆導電型半導体層とを順次成膜形成し、次いで
単結晶基板上に島状に残るようにエッチングによりパタ
ーンニング（以下、メサエッチと称する）する。
に一導電型半導体層２２と逆導電型半導体層２３とのメ
サ形状の積層構造を作成すべく、高抵抗シリコン基板で
ある単結晶基板の上に、ＭＯＣＶＤ法などで一導電型半
導体層と逆導電型半導体層とを順次成膜形成し、次いで
単結晶基板上に島状に残るようにエッチングによりパタ
ーンニング（以下、メサエッチと称する）する。
【００１０】その後、一導電型半導体層の一部が露出さ
れるように、エッチングにより逆導電型半導体層の一部
を除去する（以下、段差エッチを称する）。
れるように、エッチングにより逆導電型半導体層の一部
を除去する（以下、段差エッチを称する）。
【００１１】しかしながら、この段差エッチする際、メ
サエッチでエッチング中白濁するような液を用いた場
合、露出させた一導電型半導体層２２上にクラックが入
りやすくなり、個別電極２４から共通電極２５に電流が
流れず、そのために発光しないＬＥＤができるという課
題があることがわかった。
サエッチでエッチング中白濁するような液を用いた場
合、露出させた一導電型半導体層２２上にクラックが入
りやすくなり、個別電極２４から共通電極２５に電流が
流れず、そのために発光しないＬＥＤができるという課
題があることがわかった。
【００１２】このような白濁エッチングとクラック発生
との因果関係については、いまだ判明していないが、こ
のエッチング液は、たとえばＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水−Ｋ
ＯＨ系であり、これらの重量比は３：２４：７４：３で
ある。
との因果関係については、いまだ判明していないが、こ
のエッチング液は、たとえばＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水−Ｋ
ＯＨ系であり、これらの重量比は３：２４：７４：３で
ある。
【００１３】そこで、メサエッチに際し、このような白
濁エッチングに代えて、白濁しないエッチング液を用い
ることで、被エッチング体の表面性状が鏡面に見えるよ
うなエッチングをおこない、すなわち鏡面エッチされる
ようなメサエッチ液組成を用いることが考えられる。
濁エッチングに代えて、白濁しないエッチング液を用い
ることで、被エッチング体の表面性状が鏡面に見えるよ
うなエッチングをおこない、すなわち鏡面エッチされる
ようなメサエッチ液組成を用いることが考えられる。
【００１４】しかしながら、このような鏡面エッチをお
こなうと、高抵抗シリコン基板までエッチングしていく
プロセスにて、逆導電型半導体層上から単結晶基板上に
さがっていく部分にて、その各層の側面（順メサ部）の
一部が垂直になりやすく、その垂直状態の順メサ部に対
し個別電極２４を配線すると、そこで断線を生じるとい
う課題があった。
こなうと、高抵抗シリコン基板までエッチングしていく
プロセスにて、逆導電型半導体層上から単結晶基板上に
さがっていく部分にて、その各層の側面（順メサ部）の
一部が垂直になりやすく、その垂直状態の順メサ部に対
し個別電極２４を配線すると、そこで断線を生じるとい
う課題があった。
【００１５】このような鏡面エッチされるようなメサエ
ッチ液組成とは、たとえばＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水系であ
り、これらの重量比は２：２４：７４である。
ッチ液組成とは、たとえばＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水系であ
り、これらの重量比は２：２４：７４である。
【００１６】したがって、この課題があるということ
で、順メサ部が垂直に反して、傾斜をゆるやかにすべ
く、前述したようにメサエッチでエッチング中、白濁す
るような液を用いていた。
で、順メサ部が垂直に反して、傾斜をゆるやかにすべ
く、前述したようにメサエッチでエッチング中、白濁す
るような液を用いていた。
【００１７】したがって本発明は叙上に鑑みて完成され
たものであり、その目的は露出させた一導電型半導体層
などの結晶にクラックが入らず、かつ順メサの一部が垂
直にならないようにして電極の断線を防ぎ、これによっ
て高品質かつ高信頼性のＬＥＤアレイおよびその製造方
法を提供することにある。
たものであり、その目的は露出させた一導電型半導体層
などの結晶にクラックが入らず、かつ順メサの一部が垂
直にならないようにして電極の断線を防ぎ、これによっ
て高品質かつ高信頼性のＬＥＤアレイおよびその製造方
法を提供することにある。
【００１８】本発明の他の目的は、製造歩留まりを高め
て製造コストを下げたＬＥＤアレイの製造方法を提供す
ることにある。
て製造コストを下げたＬＥＤアレイの製造方法を提供す
ることにある。
【００１９】また、本発明の他の目的はページプリンタ
ー用感光ドラムの露光用光源などプリンター用に好適な
ＬＥＤアレイを提供することにある。
ー用感光ドラムの露光用光源などプリンター用に好適な
ＬＥＤアレイを提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＥＤアレイ
は、単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半
導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、
この一導電型半導体層を引き延ばした延在部を配し、さ
らに逆導電型半導体層上に一方電極を、延在部上に他方
電極を形成して成る発光素子を複数個配列して発光素子
群と成した構成において、前記延在部の表面粗さをＲａ
１００Å以下にしたことを特徴とする。
は、単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半
導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、
この一導電型半導体層を引き延ばした延在部を配し、さ
らに逆導電型半導体層上に一方電極を、延在部上に他方
電極を形成して成る発光素子を複数個配列して発光素子
群と成した構成において、前記延在部の表面粗さをＲａ
１００Å以下にしたことを特徴とする。
【００２１】また、本発明の他のＬＥＤアレイは、前記
一導電型半導体層の延在部を配した側とは反対側にも第
２の延在部を設けて、この第２の延在部上を通して一方
電極を引出したことを特徴とする。
一導電型半導体層の延在部を配した側とは反対側にも第
２の延在部を設けて、この第２の延在部上を通して一方
電極を引出したことを特徴とする。
【００２２】本発明のＬＥＤアレイの製造方法は、順次
下記（１）〜（３）の各工程を経て単結晶基板上にヘテ
ロ成長にて大面積の一導電型半導体層と小面積の逆導電
型半導体層とを順次積層して、この一導電型半導体層を
引き延ばして表面粗さＲａ１００Å以下の延在部として
形成せしめ、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を、
延在部上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配
列して発光素子群と成したことを特徴とする。
下記（１）〜（３）の各工程を経て単結晶基板上にヘテ
ロ成長にて大面積の一導電型半導体層と小面積の逆導電
型半導体層とを順次積層して、この一導電型半導体層を
引き延ばして表面粗さＲａ１００Å以下の延在部として
形成せしめ、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を、
延在部上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配
列して発光素子群と成したことを特徴とする。
【００２３】（１）・・・単結晶基板上に一導電型半導
体層と逆導電型半導体層とを順次形成し積層体とする。
体層と逆導電型半導体層とを順次形成し積層体とする。
【００２４】（２）・・・エッチングにより単結晶基板
上に各発光素子に対応させるべく積層体を分離して積層
体チップを島状に配列する。
上に各発光素子に対応させるべく積層体を分離して積層
体チップを島状に配列する。
【００２５】（３）・・・エッチングにより積層体チッ
プの逆導電型半導体層を部分的に除去して一導電型半導
体層の延在部を設ける。
プの逆導電型半導体層を部分的に除去して一導電型半導
体層の延在部を設ける。
【００２６】本発明の他のＬＥＤアレイの製造方法は、
前記一導電型半導体層の延在部を配した側とは反対側に
も第２の延在部を設けて、この第２の延在部上を通して
一方電極を引出したことを特徴とする。
前記一導電型半導体層の延在部を配した側とは反対側に
も第２の延在部を設けて、この第２の延在部上を通して
一方電極を引出したことを特徴とする。
【作用】前述したとおり、段差エッチする際、メサエッ
チでエッチング中白濁するような液を用いた場合、一導
電型半導体層の延在部にクラックが入り、発光しない不
良のＬＥＤが作製される場合がある。
チでエッチング中白濁するような液を用いた場合、一導
電型半導体層の延在部にクラックが入り、発光しない不
良のＬＥＤが作製される場合がある。
【００２７】この課題に対し、本発明者は、この原因を
いまだ完全に解明しておらず、推論の域を脱し得ない
が、次のように考える。
いまだ完全に解明しておらず、推論の域を脱し得ない
が、次のように考える。
【００２８】異種基板上に成長させられた結晶は、熱膨
張係数の差によってひずみを生じるが、メサエッチのエ
ッチング中に白濁するような液を用いれば、そのエッチ
ング液が、一導電型半導体層や逆導電型半導体の側面を
荒し、それが次の段差エッチに影響を及ぼし、これによ
り、段差エッチにおいて一導電型半導体層の延在部の表
面や側面が荒れたままで、それが起点となってひずみの
ある結晶にクラックが入るためであると考える。
張係数の差によってひずみを生じるが、メサエッチのエ
ッチング中に白濁するような液を用いれば、そのエッチ
ング液が、一導電型半導体層や逆導電型半導体の側面を
荒し、それが次の段差エッチに影響を及ぼし、これによ
り、段差エッチにおいて一導電型半導体層の延在部の表
面や側面が荒れたままで、それが起点となってひずみの
ある結晶にクラックが入るためであると考える。
【００２９】この知見によりさらに鋭意研究に努めた結
果、でき上がった延在部の表面粗さがＲａ１００Å以下
になるようなメサエッチのエッチング条件に設定するこ
とで、すなわち、エッチングの途中にて鏡面を呈して、
それが保持されるようなエッチング条件でもってメサエ
ッチすることで、一導電型半導体層などの結晶にクラッ
クが入らなくなり、その結果、電極間にて電流が良好に
流れ、発光性能が向上することを見出した。
果、でき上がった延在部の表面粗さがＲａ１００Å以下
になるようなメサエッチのエッチング条件に設定するこ
とで、すなわち、エッチングの途中にて鏡面を呈して、
それが保持されるようなエッチング条件でもってメサエ
ッチすることで、一導電型半導体層などの結晶にクラッ
クが入らなくなり、その結果、電極間にて電流が良好に
流れ、発光性能が向上することを見出した。
【００３０】一方、メサエッチに際し、延在部の表面粗
さがＲａ１００Å以下になるようなエッチング条件であ
る鏡面エッチ液組成を用いると、基板までエッチングし
ていくプロセスにて、逆導電型半導体層から単結晶基板
上に向けて、各層の側面（順メサ部）の一部が垂直にな
りやすく、その順メサ部に個別電極を配線すると、そこ
で断線を生じるという課題があった。
さがＲａ１００Å以下になるようなエッチング条件であ
る鏡面エッチ液組成を用いると、基板までエッチングし
ていくプロセスにて、逆導電型半導体層から単結晶基板
上に向けて、各層の側面（順メサ部）の一部が垂直にな
りやすく、その順メサ部に個別電極を配線すると、そこ
で断線を生じるという課題があった。
【００３１】この課題に対しては、段差エッチの工程に
おいて、一導電型半導体層の一部を露出させて延在部を
設ける際に、その延在部を配した側とは反対側にも第２
の延在部を形成するようにエッチングすれば、垂直な側
面にならないで順メサ形状が確保される。このような第
２の延在部は、上記のような鏡面エッチされるようなメ
サエッチ液組成を用いて、さらには一導電型半導体層の
電子注入層をＡｌＧａＡｓなどの材料にて形成するなど
してエッチングを促進させ、そのエッチング時間を制御
することで達成される。
おいて、一導電型半導体層の一部を露出させて延在部を
設ける際に、その延在部を配した側とは反対側にも第２
の延在部を形成するようにエッチングすれば、垂直な側
面にならないで順メサ形状が確保される。このような第
２の延在部は、上記のような鏡面エッチされるようなメ
サエッチ液組成を用いて、さらには一導電型半導体層の
電子注入層をＡｌＧａＡｓなどの材料にて形成するなど
してエッチングを促進させ、そのエッチング時間を制御
することで達成される。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のＬＥＤアレイを図
１〜図３により詳細に説明する。図１はプリンター用の
ＬＥＤアレイの概略平面図であり、図２はそれを構成す
る各ＬＥＤ（発光素子）の断面概略図であり、図３はそ
の平面図である。なお、図１は従来のＬＥＤアレイの図
１に相当し、従来例と同様な配線構成である。
１〜図３により詳細に説明する。図１はプリンター用の
ＬＥＤアレイの概略平面図であり、図２はそれを構成す
る各ＬＥＤ（発光素子）の断面概略図であり、図３はそ
の平面図である。なお、図１は従来のＬＥＤアレイの図
１に相当し、従来例と同様な配線構成である。
【００３３】各発光素子は、図２と図３に示す如く、１
は前記単結晶基板である高抵抗シリコン基板であり、こ
の高抵抗シリコン基板１の上に一導電型半導体層２と逆
導電型半導体層３とを順次積層している。この逆導電型
半導体層３上に一方電極を前記一方電極である個別電極
４を形成している。
は前記単結晶基板である高抵抗シリコン基板であり、こ
の高抵抗シリコン基板１の上に一導電型半導体層２と逆
導電型半導体層３とを順次積層している。この逆導電型
半導体層３上に一方電極を前記一方電極である個別電極
４を形成している。
【００３４】このように積層構成において、逆導電型半
導体層３を一導電型半導体層２よりも小さな面積となる
ように設けるとともに、一導電型半導体層２を引き延ば
した延在部の上に前記他方電極である共通電極５を接続
して設けている。
導体層３を一導電型半導体層２よりも小さな面積となる
ように設けるとともに、一導電型半導体層２を引き延ば
した延在部の上に前記他方電極である共通電極５を接続
して設けている。
【００３５】６は窒化シリコン膜などから成る保護膜で
あり、個別電極４と共通電極５は保護膜６が被覆されて
いない領域に形成される。
あり、個別電極４と共通電極５は保護膜６が被覆されて
いない領域に形成される。
【００３６】このような各ＬＥＤ(発光素子)を複数個配
列してＬＥＤアレイを構成する。このＬＥＤアレイは、
図１に示すように、逆導電型半導体層２上に接続された
電極２線分を１つのパッドＰにまとめることで、従来に
比べ２分の１の数のパッドにしている。
列してＬＥＤアレイを構成する。このＬＥＤアレイは、
図１に示すように、逆導電型半導体層２上に接続された
電極２線分を１つのパッドＰにまとめることで、従来に
比べ２分の１の数のパッドにしている。
【００３７】また、共通電極５（５ａ、５ｂ）は隣接す
る発光素子ごとに異なる群に属するように２群に分けて
接続して設けられ、そのために電極パッドＤ（Ｄａ、Ｄ
ｂ）が設けられている。隣接する２個の発光素子が一単
位となって、双方は同じ個別電極４に接続されている。
る発光素子ごとに異なる群に属するように２群に分けて
接続して設けられ、そのために電極パッドＤ（Ｄａ、Ｄ
ｂ）が設けられている。隣接する２個の発光素子が一単
位となって、双方は同じ個別電極４に接続されている。
【００３８】そして、かかる構成のＬＥＤアレイでは、
個別電極４と共通電極５（５ａ、５ｂ）の組み合わせを
選択して電流を流すことによって、各発光素子を選択的
に発光させている。
個別電極４と共通電極５（５ａ、５ｂ）の組み合わせを
選択して電流を流すことによって、各発光素子を選択的
に発光させている。
【００３９】次に上記発光素子（ＬＥＤ）の具体的な構
成を述べる。高抵抗シリコン基板１には、高抵抗シリコ
ン単結晶でもって構成するのがよく、とくにその（１０
０）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板など
が好適である。
成を述べる。高抵抗シリコン基板１には、高抵抗シリコ
ン単結晶でもって構成するのがよく、とくにその（１０
０）面を＜０１１＞方向に２〜７°オフさせた基板など
が好適である。
【００４０】一導電型半導体層２は、バッファ層２ａ、
オーミックコンタクト層２ｂ、電子注入層２ｃにて構成
される。
オーミックコンタクト層２ｂ、電子注入層２ｃにて構成
される。
【００４１】バッファ層２ａは２〜４μｍ程度の厚みに
形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜４μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子注入層２ｃは０．２〜４
μｍ程度の厚みに形成される。
形成され、オーミックコンタクト層２ｂは０．１〜４μ
ｍ程度の厚みに形成され、電子注入層２ｃは０．２〜４
μｍ程度の厚みに形成される。
【００４２】バッファ層２ａとオーミックコンタクト層
２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子注入層２ｃは
アルミニウムガリウム砒素などで形成される。
２ｂはガリウム砒素などで形成され、電子注入層２ｃは
アルミニウムガリウム砒素などで形成される。
【００４３】オーミックコンタクト層２ｂはシリコンな
どの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏ
ｍｓ（原子）／ｃｍ3 程度含有し、電子注入層２ｃもシ
リコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０
19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。
どの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０19ａｔｏ
ｍｓ（原子）／ｃｍ3 程度含有し、電子注入層２ｃもシ
リコンなどの一導電型半導体不純物を１×１０16〜１０
19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有する。
【００４４】バッファ層２ａは高抵抗シリコン基板１と
半導体層との格子定数の不整合に基づくミスフィット転
位を防止するために設けるものであり、半導体不純物を
含有させなければならないというものではない。
半導体層との格子定数の不整合に基づくミスフィット転
位を防止するために設けるものであり、半導体不純物を
含有させなければならないというものではない。
【００４５】逆導電型半導体層３については、発光層３
ａ、第２のクラッド層３ｂおよび第２のオーミックコン
タクト層３ｃで構成される。
ａ、第２のクラッド層３ｂおよび第２のオーミックコン
タクト層３ｃで構成される。
【００４６】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂは０．
２〜４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタク
ト層３ｃは０．０１μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成され
る。
２〜４μｍ程度の厚みに形成され、オーミックコンタク
ト層３ｃは０．０１μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成され
る。
【００４７】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂはアル
ミニウムガリウム砒素などから成り、第２のオーミック
コンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
ミニウムガリウム砒素などから成り、第２のオーミック
コンタクト層３ｃはガリウム砒素などから成る。
【００４８】発光層３ａと第２のクラッド層３ｂおよび
オーミックコンタクト抵抗低減層３ｃは、電子の閉じ込
め効果と光の取り出し効果を出すために、アルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。
オーミックコンタクト抵抗低減層３ｃは、電子の閉じ込
め効果と光の取り出し効果を出すために、アルミニウム
砒素（ＡｌＡｓ）とガリウム砒素（ＧａＡｓ）との混晶
比を異ならしめる。
【００４９】発光層３ａおよび第２のクラッド層３ｂは
亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純
物を１×１０19〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有す
る。
亜鉛（Ｚｎ）などの逆導電型半導体不純物を１×１０16
〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有し、第２のオーミ
ックコンタクト層３ｃは亜鉛などの逆導電型半導体不純
物を１×１０19〜１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 程度含有す
る。
【００５０】保護膜６は窒化シリコンなどから成り、厚
み３０００Å程度に形成される。
み３０００Å程度に形成される。
【００５１】個別電極４と共通電極５は金／クロム（Ａ
ｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形成され
る。
ｕ／Ｃｒ）などから成り、厚み１μｍ程度に形成され
る。
【００５２】そして、本発明においては、一導電型半導
体層２を、とくにバッファ層２ａとオーミックコンタク
ト層２ｂとを延ばして、その延在部の表面粗さをＲａ１
００Å以下にしている。
体層２を、とくにバッファ層２ａとオーミックコンタク
ト層２ｂとを延ばして、その延在部の表面粗さをＲａ１
００Å以下にしている。
【００５３】このような表面粗さにて規定するよう、エ
ッチング途中にて鏡面を保てる条件でもってメサエッチ
することで、一導電型半導体層などの結晶にクラックが
入らなくなり、これにより、個別電極４と共通電極５と
の間にて電流が良好に流れ、その結果、優れた発光性能
が得られた。
ッチング途中にて鏡面を保てる条件でもってメサエッチ
することで、一導電型半導体層などの結晶にクラックが
入らなくなり、これにより、個別電極４と共通電極５と
の間にて電流が良好に流れ、その結果、優れた発光性能
が得られた。
【００５４】また、段差エッチの工程において、一導電
型半導体層２の一部を露出させて延在部を設ける際に、
その延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を形
成するようにエッチングすれば、順メサ形状を確保し
て、第２の延在部が形成され、順メサの一部が垂直にな
るといった不具合もなく、その結果、個別電極４の配線
に断線等が発生しなくなった。
型半導体層２の一部を露出させて延在部を設ける際に、
その延在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を形
成するようにエッチングすれば、順メサ形状を確保し
て、第２の延在部が形成され、順メサの一部が垂直にな
るといった不具合もなく、その結果、個別電極４の配線
に断線等が発生しなくなった。
【００５５】次に、上記構成のプリンター用ＬＥＤアレ
イの製造方法を説明する。下記（１）〜（３）の各工程
を順次経ることで、一導電型半導体層２と逆導電型半導
体層３との積層構造を形成し、しかる後に電極等を形成
する。
イの製造方法を説明する。下記（１）〜（３）の各工程
を順次経ることで、一導電型半導体層２と逆導電型半導
体層３との積層構造を形成し、しかる後に電極等を形成
する。
【００５６】・工程（１）：高抵抗シリコン単結晶から
なる高抵抗シリコン基板１の上に、一導電型半導体層２
および逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法で順次積層
し、前記積層体を形成する。
なる高抵抗シリコン基板１の上に、一導電型半導体層２
および逆導電型半導体層３をＭＯＣＶＤ法で順次積層
し、前記積層体を形成する。
【００５７】これらの半導体層２、３を形成する場合、
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成し、その後、基板温度を７００〜９００℃に上げて単
結晶化させ、所望厚みの半導体層２、３を形成する。
基板温度をまず４００〜５００℃に設定して２００〜２
０００Åの厚みにアモルファス状のガリウム砒素膜を形
成し、その後、基板温度を７００〜９００℃に上げて単
結晶化させ、所望厚みの半導体層２、３を形成する。
【００５８】原料ガスとしてはＴＭＧ（（ＣＨ3）3 Ｇ
ａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ2
Ｈ5）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御するため
のガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレン化水素
（Ｈ2 Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）などが用い
られ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられる。
ａ）、ＴＥＧ（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アルシン（Ａｓ
Ｈ3 ）、ＴＭＡ（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、ＴＥＡ（（Ｃ2
Ｈ5）3 Ａｌ）などが用いられ、導電型を制御するため
のガスとしては、シラン（ＳｉＨ4 ）、セレン化水素
（Ｈ2 Ｓｅ）、ＤＭＺ（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）などが用い
られ、キャリアガスとしては、Ｈ2などが用いられる。
【００５９】・工程（２）：次に、隣接する素子同志が
電気的に分離されるように、メサエッチをおこなう。こ
れによって半導体層２、３が前記積層体チップとして島
状にパターニングされる。
電気的に分離されるように、メサエッチをおこなう。こ
れによって半導体層２、３が前記積層体チップとして島
状にパターニングされる。
【００６０】このエッチングにはウエットエッチングも
しくはドライエッチングを用いるが、そのエッチング条
件には、次の工程（３）にて形成される延在部の表面粗
さがＲａ１００Å以下になるようにエッチング条件を鏡
面エッチに設定する。
しくはドライエッチングを用いるが、そのエッチング条
件には、次の工程（３）にて形成される延在部の表面粗
さがＲａ１００Å以下になるようにエッチング条件を鏡
面エッチに設定する。
【００６１】ウエットエッチングにおいては、硫酸過酸
化水素系のエッチング液を用いる。たとえば、Ｈ2ＳＯ4
−Ｈ2Ｏ2−水系であり、たとえば重量比２：２４：７４
にすると良好な鏡面エッチになる。また、ドライエッチ
ングでは、ＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いる。
化水素系のエッチング液を用いる。たとえば、Ｈ2ＳＯ4
−Ｈ2Ｏ2−水系であり、たとえば重量比２：２４：７４
にすると良好な鏡面エッチになる。また、ドライエッチ
ングでは、ＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いる。
【００６２】・工程（３）：エッチングにより一導電型
半導体層２の相対向する両端部の双方の一部を露出さ
せ、これによって延在部と第２延在部を形成する。さら
には隣接する各素子間において、一導電型半導体層２の
隣接する領域部分が露出するように形成してもよい。
半導体層２の相対向する両端部の双方の一部を露出さ
せ、これによって延在部と第２延在部を形成する。さら
には隣接する各素子間において、一導電型半導体層２の
隣接する領域部分が露出するように形成してもよい。
【００６３】このように逆導電型半導体層３が一導電型
半導体層２よりも幅狭に形成するエッチングには、硫酸
過酸化水素系のエッチング液を用いたウェットエッチン
グやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライエッチングにてお
こなわれるが、それには鏡面エッチされる条件が選ばれ
る。その結果、延在部の表面粗さＲａを１００Å以下に
する。なお、このエッチングは、工程（２）にして用い
たエッチングと同じでもよい。
半導体層２よりも幅狭に形成するエッチングには、硫酸
過酸化水素系のエッチング液を用いたウェットエッチン
グやＣＣｌ2 Ｆ2 ガスを用いたドライエッチングにてお
こなわれるが、それには鏡面エッチされる条件が選ばれ
る。その結果、延在部の表面粗さＲａを１００Å以下に
する。なお、このエッチングは、工程（２）にして用い
たエッチングと同じでもよい。
【００６４】以上の各工程（１）〜（３）を経た後に、
フォトリソ法にて窒化シリコン膜などから成る保護膜６
を形成する。
フォトリソ法にて窒化シリコン膜などから成る保護膜６
を形成する。
【００６５】このフォトリソ法によれば、さきにプラズ
マＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ 4 ）とアンモニアガ
ス（ＮＨ3 ）を用いて窒化シリコンから成る絶縁膜を形
成し、その後、所定形状にパターン化されたフォトマス
クを用いて現像露光し、パターニングする。
マＣＶＤ法で、シランガス（ＳｉＨ 4 ）とアンモニアガ
ス（ＮＨ3 ）を用いて窒化シリコンから成る絶縁膜を形
成し、その後、所定形状にパターン化されたフォトマス
クを用いて現像露光し、パターニングする。
【００６６】なお、保護膜６は、このような無機層に代
えて、有機樹脂材を塗布形成してもよい。
えて、有機樹脂材を塗布形成してもよい。
【００６７】しかる後に、個別電極４と共通電極５を形
成する。これら各電極はクロムと金を蒸着法やスパッタ
リング法で形成し、そして、所定形状にパターン化され
たフォトマスクを用いて現像露光し、パターニングす
る。
成する。これら各電極はクロムと金を蒸着法やスパッタ
リング法で形成し、そして、所定形状にパターン化され
たフォトマスクを用いて現像露光し、パターニングす
る。
【００６８】かくして本発明の製造方法によれば、工程
（２）において鏡面エッチというエッチング条件を用い
ても、工程（３）の段差エッチにおいて、一導電型半導
体層２の一部を露出させて延在部を設ける際に、その延
在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を形成する
ようにエッチングすれば、垂直な側面にならないで順メ
サ形状が確保され、これにより、第２の延在部上を通し
て個別電極４を引出した構成にしたことで、断線が生じ
なくなった。
（２）において鏡面エッチというエッチング条件を用い
ても、工程（３）の段差エッチにおいて、一導電型半導
体層２の一部を露出させて延在部を設ける際に、その延
在部を配した側とは反対側にも第２の延在部を形成する
ようにエッチングすれば、垂直な側面にならないで順メ
サ形状が確保され、これにより、第２の延在部上を通し
て個別電極４を引出した構成にしたことで、断線が生じ
なくなった。
【００６９】本例では、第２の延在部を形成するには、
一導電型半導体層２の電子注入層２ｃをエッチングされ
やすいＡｌＧａＡｓなどの材料にて形成して第２の延在
部を設けようとするが、その反面、エッチング時間を長
くすることで、えぐれた形状になる。したがって、電子
注入層２ｃをエッチングし、オーミックコンタクト層２
ｂが露出されることで、そのようなえぐれが発生する前
にてエッチングを止めればよい。その結果、所要通りの
形状にした第２の延在部ができることに伴って、その上
下に位置する一導電型半導体層２の端面および逆導電型
半導体層３の端面が傾斜面となる。
一導電型半導体層２の電子注入層２ｃをエッチングされ
やすいＡｌＧａＡｓなどの材料にて形成して第２の延在
部を設けようとするが、その反面、エッチング時間を長
くすることで、えぐれた形状になる。したがって、電子
注入層２ｃをエッチングし、オーミックコンタクト層２
ｂが露出されることで、そのようなえぐれが発生する前
にてエッチングを止めればよい。その結果、所要通りの
形状にした第２の延在部ができることに伴って、その上
下に位置する一導電型半導体層２の端面および逆導電型
半導体層３の端面が傾斜面となる。
【００７０】この傾斜面は基板に対する法線方向に対
し、９０度未満であるが、８０〜６０度の範囲にするこ
とが望ましい。
し、９０度未満であるが、８０〜６０度の範囲にするこ
とが望ましい。
【００７１】８０度以下においては、個別電極４の断線
が生じにくく、又、６０度未満になると、断線の心配は
ないが、順メサ部が長くなり、その分、チップサイズを
大きくなる。また、傾斜面角度８２度のＬＥＤアレイで
は、断線の発生予防について不十分であり、若干、信頼
性に劣っていたが、実用上支障がない程度であった。
が生じにくく、又、６０度未満になると、断線の心配は
ないが、順メサ部が長くなり、その分、チップサイズを
大きくなる。また、傾斜面角度８２度のＬＥＤアレイで
は、断線の発生予防について不十分であり、若干、信頼
性に劣っていたが、実用上支障がない程度であった。
【００７２】また、本発明においては、工程（２）と工
程（３）にて用いるウエットエッチング用のエッチング
液として、重量比２：２４：７４のＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−
水系を用いたが、これに限定されるものではなく、被エ
ッチング体の材料や形状に応じて適宜その組成を選択す
ればよく、Ｈ2Ｏ2を５０重量％以下、Ｈ2ＳＯ4を３０〜
６０重量％にすればよい。
程（３）にて用いるウエットエッチング用のエッチング
液として、重量比２：２４：７４のＨ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−
水系を用いたが、これに限定されるものではなく、被エ
ッチング体の材料や形状に応じて適宜その組成を選択す
ればよく、Ｈ2Ｏ2を５０重量％以下、Ｈ2ＳＯ4を３０〜
６０重量％にすればよい。
【００７３】本発明者は、工程（２）のメサエッチにお
いて、ウエットエッチング用のエッチング液である硫酸
過酸化水素系の組成を幾とおりにも変えて、それぞれの
ＬＥＤアレイを作製し、これらを試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．
５とした。
いて、ウエットエッチング用のエッチング液である硫酸
過酸化水素系の組成を幾とおりにも変えて、それぞれの
ＬＥＤアレイを作製し、これらを試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．
５とした。
【００７４】試料Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．２は比較例であ
り、試料Ｎｏ．１については、従来の技術にて記載した
ような重量比が３：２４：７４：３であるＨ2ＳＯ4−Ｈ
2Ｏ2−水−ＫＯＨ系を用いた白濁エッチング液を使用し
ている。
り、試料Ｎｏ．１については、従来の技術にて記載した
ような重量比が３：２４：７４：３であるＨ2ＳＯ4−Ｈ
2Ｏ2−水−ＫＯＨ系を用いた白濁エッチング液を使用し
ている。
【００７５】試料Ｎｏ．２〜Ｎｏ．５については、硫酸
過酸化水素系のエッチング液を用いるにしても、ＫＯＨ
を用いていない。そして、本発明の試料Ｎｏ．３〜Ｎ
ｏ．５では、Ｈ2Ｏ2を５０重量％以下、Ｈ2ＳＯ4を３０
重量％以下に設定し、試料Ｎｏ．５においては、前述し
た製法工程に記載したように重量比２：２４：７４のＨ
2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水系を用いている。一方、試料Ｎｏ．
２に用いる硫酸過酸化水素系のエッチング液では、Ｈ2
ＳＯ4の配合比率が３０重量％以下から外れている。
過酸化水素系のエッチング液を用いるにしても、ＫＯＨ
を用いていない。そして、本発明の試料Ｎｏ．３〜Ｎ
ｏ．５では、Ｈ2Ｏ2を５０重量％以下、Ｈ2ＳＯ4を３０
重量％以下に設定し、試料Ｎｏ．５においては、前述し
た製法工程に記載したように重量比２：２４：７４のＨ
2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2−水系を用いている。一方、試料Ｎｏ．
２に用いる硫酸過酸化水素系のエッチング液では、Ｈ2
ＳＯ4の配合比率が３０重量％以下から外れている。
【００７６】これら各試料のＬＥＤヘッド（１チップ：
１２８ドット）について、延在部の表面粗さＲａならび
にクラック発生に起因する導通不良の発生率を測定した
ところ、表１に示すような結果が得られた。この発生率
は１ドットでも発生した場合を不合格品としている。
１２８ドット）について、延在部の表面粗さＲａならび
にクラック発生に起因する導通不良の発生率を測定した
ところ、表１に示すような結果が得られた。この発生率
は１ドットでも発生した場合を不合格品としている。
【００７７】
【表１】
【００７８】この表から明らかな通り、延在部の表面粗
さをＲａ１００Å以下にした試料Ｎｏ．３〜５では、一
導電型半導体層などの結晶にクラックが入らなくなり、
これにより、個別電極４と共通電極５との間にて電流が
良好に流れ、その結果、優れた発光性能のＬＥＤアレイ
が得られた。
さをＲａ１００Å以下にした試料Ｎｏ．３〜５では、一
導電型半導体層などの結晶にクラックが入らなくなり、
これにより、個別電極４と共通電極５との間にて電流が
良好に流れ、その結果、優れた発光性能のＬＥＤアレイ
が得られた。
【００７９】本発明者は、試料Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．５
の双方について、延在部の表面状態をノマルスキー顕微
鏡でもって観察したところ、図７と図８に示すような結
果が得られた。図７は試料Ｎｏ．１の顕微鏡写真、図８
は試料Ｎｏ．５の顕微鏡写真である。これらの測定は表
面粗さ計（デックタック３）でおこなった。
の双方について、延在部の表面状態をノマルスキー顕微
鏡でもって観察したところ、図７と図８に示すような結
果が得られた。図７は試料Ｎｏ．１の顕微鏡写真、図８
は試料Ｎｏ．５の顕微鏡写真である。これらの測定は表
面粗さ計（デックタック３）でおこなった。
【００８０】図７にて、クラックが発生したことを目視
により確認したが、本発明に係る図８においては、まっ
たくクラックが生じていなかった。
により確認したが、本発明に係る図８においては、まっ
たくクラックが生じていなかった。
【００８１】かくして、メサエッチにて、所謂、鏡面エ
ッチするエッチング液を用いることで、延在部の表面粗
さＲａを１００Å以下に設定し、その結果、クラックの
発生で生じる導通不良の発生を防ぐことができた。
ッチするエッチング液を用いることで、延在部の表面粗
さＲａを１００Å以下に設定し、その結果、クラックの
発生で生じる導通不良の発生を防ぐことができた。
【００８２】
【発明の効果】以上のとおり、本発明のＬＥＤアレイに
よれば、単結晶基板上に積層した一導電型半導体層と逆
導電型半導体層に対し、一導電型半導体層を引き延ばし
た延在部を配し、この延在部の表面粗さをＲａ１００Å
以下にしたことで、すなわち、エッチングの途中にて鏡
面を呈して、それが保持されるようなエッチング条件で
もってメサエッチすることで、一導電型半導体層などの
結晶にクラックが入らなくなり、その結果、電極間にて
電流が良好に流れ、発光性能が向上した。
よれば、単結晶基板上に積層した一導電型半導体層と逆
導電型半導体層に対し、一導電型半導体層を引き延ばし
た延在部を配し、この延在部の表面粗さをＲａ１００Å
以下にしたことで、すなわち、エッチングの途中にて鏡
面を呈して、それが保持されるようなエッチング条件で
もってメサエッチすることで、一導電型半導体層などの
結晶にクラックが入らなくなり、その結果、電極間にて
電流が良好に流れ、発光性能が向上した。
【００８３】また、本発明によれば、段差エッチの工程
において、一導電型半導体層の一部を露出させて延在部
を設ける際に、その延在部を配した側とは反対側にも第
２の延在部を形成するようにエッチングすれば、垂直な
側面にならないで順メサ形状が確保され、これにより、
電極が断線しなくなり、その結果、高品質かつ高信頼性
のＬＥＤアレイが提供できた。
において、一導電型半導体層の一部を露出させて延在部
を設ける際に、その延在部を配した側とは反対側にも第
２の延在部を形成するようにエッチングすれば、垂直な
側面にならないで順メサ形状が確保され、これにより、
電極が断線しなくなり、その結果、高品質かつ高信頼性
のＬＥＤアレイが提供できた。
【００８４】さらにまた、本発明の製造方法において
は、単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体
層とを順次形成し積層体とする、という工程（１）、エ
ッチングにより単結晶基板上に各発光素子に対応させる
べく積層体を分離して積層体チップを島状に配列する、
という工程（２）、エッチングにより積層体チップの逆
導電型半導体層を部分的に除去して一導電型半導体層の
延在部を設ける、という工程（３）を経ることで、かか
る作用効果が達成されるとともに、製造歩留まりを高め
て製造コストを下げ、その結果、高品質かつ高信頼性の
低コストなＬＥＤアレイが提供できた。
は、単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電型半導体
層とを順次形成し積層体とする、という工程（１）、エ
ッチングにより単結晶基板上に各発光素子に対応させる
べく積層体を分離して積層体チップを島状に配列する、
という工程（２）、エッチングにより積層体チップの逆
導電型半導体層を部分的に除去して一導電型半導体層の
延在部を設ける、という工程（３）を経ることで、かか
る作用効果が達成されるとともに、製造歩留まりを高め
て製造コストを下げ、その結果、高品質かつ高信頼性の
低コストなＬＥＤアレイが提供できた。
【図１】本発明のＬＥＤアレイの概略平面図である。
【図２】本発明のＬＥＤアレイの要部断面概略図であ
る。
る。
【図３】本発明のＬＥＤアレイの要部平面図である。
【図４】従来のＬＥＤアレイの概略平面図である。
【図５】従来のＬＥＤアレイの要部断面概略図である。
【図６】従来のＬＥＤアレイの要部平面図である。
【図７】従来のＬＥＤアレイの要部の写真図である。
【図８】本発明のＬＥＤアレイの要部の写真図である。
１…高抵抗シリコン基板 ２…一導電型半導体層 ２ａ…バッファ層 ２ｂ…オーミックコンタクト層 ２ｃ…電子注入層 ３…逆導電型半導体層 ３ａ…発光層 ３ｂ…第２のクラッド層 ３ｃ…第２のオーミックコンタクト層 ４…個別電極 ５、５ａ、５ｂ…共通電極 ６…保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】単結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一
導電型半導体層と小面積の逆導電型半導体層とを順次積
層して、この一導電型半導体層を引き延ばした延在部を
配し、さらに逆導電型半導体層上に一方電極を、延在部
上に他方電極を形成して成る発光素子を複数個配列して
発光素子群と成したＬＥＤアレイであって、前記延在部
の表面粗さをＲａ１００Å以下にしたことを特徴とする
ＬＥＤアレイ。 - 【請求項２】前記一導電型半導体層の延在部を配した側
とは反対側にも第２の延在部を設けて、この第２の延在
部上を通して一方電極を引出したことを特徴とする請求
項１記載のＬＥＤアレイ。 - 【請求項３】順次下記（１）〜（３）の各工程を経て単
結晶基板上にヘテロ成長にて大面積の一導電型半導体層
と小面積の逆導電型半導体層とを順次積層して、この一
導電型半導体層を引き延ばして表面粗さＲａ１００Å以
下の延在部として形成せしめ、さらに逆導電型半導体層
上に一方電極を、延在部上に他方電極を形成して成る発
光素子を複数個配列して発光素子群と成したＬＥＤアレ
イの製造方法。 （１）・・・単結晶基板上に一導電型半導体層と逆導電
型半導体層とを順次形成して積層体とする。 （２）・・・エッチングにより単結晶基板上に各発光素
子に対応させるべく積層体を分離して積層体チップを島
状に配列する。 （３）・・・エッチングにより積層体チップの逆導電型
半導体層を部分的に除去して一導電型半導体層の延在部
を設ける。 - 【請求項４】前記一導電型半導体層の延在部を配した側
とは反対側にも第２の延在部を設けて、この第２の延在
部上を通して一方電極を引出したことを特徴とする請求
項３記載のＬＥＤアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090028A JP2002289920A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090028A JP2002289920A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001090028A Pending JP2002289920A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Ｌｅｄアレイおよびその製造方法 |
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