CN107210340A - 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 - Google Patents

发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107210340A
CN107210340A CN201580074190.4A CN201580074190A CN107210340A CN 107210340 A CN107210340 A CN 107210340A CN 201580074190 A CN201580074190 A CN 201580074190A CN 107210340 A CN107210340 A CN 107210340A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fixture
light
electrode
semiconductor layer
emitting component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201580074190.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107210340B (zh
Inventor
孙秀亨
李建和
崔炳均
崔光基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN107210340A publication Critical patent/CN107210340A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107210340B publication Critical patent/CN107210340B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。

Description

发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置
技术领域
实施例涉及一种发光元件和一种用于形成该发光元件的电极层的电子束沉积装置。
背景技术
由于例如诸如宽且容易调整的带隙能量的许多优点，所以诸如例如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体被广泛用于光电学和电子元件。
具体地，经由元件材料与薄膜生长技术的发展，例如使用III-V族或II-VI族化合物半导体的发光二极管或者激光二极管的发光元件可以实现例如诸如红、绿和蓝以及紫外光之类的各种颜色的光，并且通过使用荧光材料或者通过组合颜色还可以实现具有高光视效能的白光。相比于诸如例如荧光灯和白炽灯的现有光源，这些发光元件具有低能耗、半永久性使用寿命、响应速度快、安全性良好以及环保特性的优点。
因此，发光元件的应用已经扩展至光通信装置的传输模块、发光二极管背光(其可以代替构成液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL))、白色发光二极管照明装置(其可以代替荧光灯或者白炽灯泡、车头灯以及信号灯)。
此外，由于发光二极管在例如便携式电器或者照明装置的光源方面的应用正在增加，所以最近已经研制出具有优异的光学特性及小尺寸的发光二极管。
虽然已经进行尝试以通过减小发光结构的横截面积来形成像素，从而实现小发光二极管，但是每个发光结构的厚度太大，以至于不能实现超薄型单位像素。
也就是说，在例如由蓝宝石形成的衬底上生长上述发光二极管的发光结构。例如，在生长了发光衬底之后其中残留有衬底的水平型发光元件以及在其中金属支架被耦接至发光结构的一侧且衬底被移除的垂直型发光元件的情形下，衬底或者金属支架太厚，以至于无法形成超薄型像素。
此外，当设置在阶梯部上的半导体层或金属层的阶梯覆盖较差时，在超薄型像素中使用的小发光元件的性能可能劣化。
发明内容
【技术问题】
因此，提供实施例以实现超薄型发光元件，该超薄型发光元件由于在电子束沉积装置中设置的衬底固定器的改良结构而具有改良的沉积质量的金属层。
由实施例所要实现的技术目的不限于上述技术目的，并且根据下文的描述，本领域技术人员将清晰地理解其它未提到的技术目的。
【技术方案】
实施例提供一种发光元件，包括：发光结构，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及第一电极和第二电极，其被分别设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上；其中，所述发光结构包括第一台面区域，以及所述第一导电半导体层包括第二台面区域，其中，所述第一电极包括：第一区域，位于所述第二台面区域的部分上表面上；第二区域，位于所述第二台面区域的侧表面上；以及第三区域，被设置成从所述第二台面区域的侧表面的边缘开始延伸，以及其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域具有以下厚度比率：
d1:d2:d3＝1:0.9至1.1:1
(其中，d1是所述第一区域的厚度，d2是所述第二区域的厚度，d3是所述第三区域的厚度)。
另一个实施例提供一种形成第一电极的电子束沉积装置，该装置包括：热电子发射器；源馈送器，包括沉积材料，将由所述热电子发射器供应的热电子来蒸发所述沉积材料；以及圆顶单元，其与所述源馈送器间隔开，并且被设置在所述源馈送器上方，其中，所述圆顶单元包括多个衬底固定器，以及其中，所述每个衬底固定器包括可变夹具，该可变夹具的倾斜角被调节。
【有益效果】
实施例的电子束沉积装置包括可变夹具，因而能够自由调节衬底被设置为固定到衬底固定器的角度。当使用这样的电子束沉积装置时，衬底可以相对于沉积金属层时所供应的源而斜倾，由此，发光元件可以实现其阶梯层处改良的阶梯覆盖。
附图说明
图1和图2是示出发光元件的实施例的视图。
图3A是示出实施例的发光元件的透视图。
图3B是示出实施例的发光元件的平面图。
图4是示出电子束沉积装置的实施例的视图。
图5是示出圆顶(dome)单元的上表面的视图。
图6是示出衬底固定器单元的实施例的视图。
图7和图8是示出可变夹具的实施例的视图。
图9和图10是示出固定夹具的实施例的视图。
图11是示出衬底固定器的实施例的视图。
图12是示出包括实施例的衬底固定器的圆顶单元部分的视图。
图13是示出角度测量装置的实施例的视图；
图14是示出附接有实施例的角度测量装置的圆顶单元的部分的视图。
具体实施方式
下文中，将参照附图对实施例进行详细的描述，以便具体实现上述目的。
此处所公开的实施例的描述中，应当理解的是，当元件被称为形成在另一个元件“上”或“下”时，它可以指直接位于其它元件的“上面”或“下面”，或者是间接形成在其它元件的“上面”或“下面”，其间介入一个或多个元件。还应当理解的是，可以相对于附图来描述位于元件的“上”或“下”。
此外，例如在以下描述中使用的诸如“第一”、“第二”、“上面/上/上方”以及“下面/下/下方”之类的相关术语可以用于区分任意一个物质或元件与另一个物质或元件，而无需在这些物质或元件之间要求或包含任意物理或逻辑关系或者顺序。
在附图中，出于清晰简洁的目的，每个层的厚度或尺寸可以被夸大、省略或示意性说明。此外，每个构成要素的尺寸并未完全反应其实际的尺寸。
图1和图2是示出发光元件的实施例的视图。
实施例的发光元件可以包括：发光结构120，其包括第一导电半导体层122、有源层124和第二导电半导体层126；以及第一电极142和第二电极146，它们分别被设置在第一和第二导电半导体层上。
参考图1和图2，发光结构120可以包括至少一个台面(mesa)区域。这里，台面区域对应于包括通过台面蚀刻形成的结构的上表面和侧表面的区域。
发光结构可以包括第一台面区域，并且第一导电半导体层可以包括第二台面区域。
例如，在图1和图2中，第一台面区域可以包括第一导电半导体层122、有源层124、和第二导电半导体层126，并且第二台面区域可以仅包括第一导电半导体层122。另外，第一台面区域可以设置在第二台面区域上。
发光结构120可以包括第一导电半导体层122、第一导电半导体层上的有源层124和设置在有源层上的第二导电半导体层126。
第一导电半导体层122可以由例如诸如III-V族或II-Vi族化合物半导体的化合物半导体形成，并且可以掺杂第一导电掺杂剂。第一导电半导体层122可以由具有组分方程AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成，并且例如可以由AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的任意一种或多种形成。
当第一导电半导体层122是n型半导体层时，第一导电掺杂剂可以包括例如诸如Si、Ge、Sn、Se或Te的n型掺杂剂。第一导电半导体层122可以形成为单层或多层，而不限于此。
有源层124可以设置在第一导电半导体层122上。
有源层124可以设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间，并且可以包括单阱结构(双异质结构)、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MOW)结构、量子点结构和量子线结构中的任意一种。
有源层324可以具有使用例如AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP(且不限于此)的III-V族化合物半导体的阱层和势垒层的对结构中的任意一种或多种。阱层可以由具有小于势垒层的能量带隙的能量带隙的材料形成。
可以使用化合物半导体在有源层124的表面上形成第二导电半导体层126。第二导电半导体层126可以由例如III-V族或II-VI族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二导电掺杂剂。第二导电半导体层126可以由具有组分方程InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的半导体材料形成，并且可以由AlGaN、GaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的任意一种或多种形成。例如，第二导电半导体层126可以由AlxGa(1-x)N形成。
当第二导电半导体层126是p型半导体层时，第二导电掺杂剂可以是p型掺杂剂，例如，诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba。第二导电半导体层126可以形成为单层或多层，而不限于此。
导电层130还可以设置在第二导电半导体层126上。
导电层130可以改善第二导电半导体层126的电特性，并且可以改善第二导电半导体层126和第二电极146之间的电接触。导电层130可形成为多层或者可以具有图案。导电层130可以被配置成具有透光特性的透明电极层。
导电层130可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌铟锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZO)、铟锌氮氧化物(IZON)、Al-Ga ZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铱(IrOx)、氧化钌(RuOx)、氧化镍(NiO)、RuOx/ITO以及Ni/IrOx/Au(金)中的至少一种形成，并且可以不限于这些材料。
第一电极142和第二电极146可以分别设置设置在第一导电半导体层122和第二导电半导体层126上。
可以使用例如从铟(In)、钴(Co)、硅(Si)、锗(Ge)、金(Au)、钯(Pd)、铂(Pt)、钌(Ru)、铼(Re)、镁(Mg)、锌(Zn)、铪(Hf)、钽(Ta)、铑(Rh)、铱(Ir)、钨(W)、钛(Ti)、银(Ag)、铬(Cr)、钼(Mo)、铌(Nb)、铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)和钛钨合金(WTi)中(对此不做限制)选出的金属或者合金的导体材料，将第一电极142和第二电极146形成为单层或者多层。
第一电极142可以设置在第二台面区域的一部分上。也就是说，第一电极142可以设置在通过台面蚀刻而暴露的第一导电半导体层122的一部分上。
在图1和图2的实施例中，第一电极142可以形成在第一导电半导体层122的上表面(即第二台面区域的上表面)的一部分上和第二台面区域侧表面上，以便从第二台面区域的边缘延伸。
在发光元件的实施例中，可以使用实施例的电子束沉积装置来形成第一电极142，这将在下文中进行描述。也就是说，可以使用根据实施例的具有可变夹具的电子束沉积装置来形成第一电极142的金属层。
第一电极可以包括设置在第二台面区域的部分上表面上的第一区域、设置在第二台面区域的侧表面上的第二区域和布置为以便从第二台面区域的侧表面的边缘延伸的第三区域，并且第一电极的第一区域至第三区域的厚度比率可以如下所示：
d1:d2:d3＝1:0.9～1.1:1
其中，d1可以是第一区域的厚度，d2可以是第二区域的厚度，并且d3可以是第三区域的厚度。
例如，第一电极层的第一区域和第三区域的厚度d1和d3可以是大约1μm，并且第二区域的厚度d2可以是从0.9μm到1.1μm的范围。
当使用如下描述的电子束沉积装置来沉积第一电极的金属层时，包括沉积表面的衬底可以是倾斜的，从而允许蒸发的沉积金属材料容易地到达由第二台面区域形成的发光元件的阶梯部。因此，具有阶梯部的第一电极层可以被形成为其整体上具有均匀的厚度。
也就是说，形成在第二台面区域的上表面和侧表面上并从侧表面的边缘延伸的第一电极层可以具有均匀的厚度。
此外，在下面将要描述的电子束沉积装置的实施例中，当可变夹具固定成相对于固定夹具具有30度至45度的范围内的倾斜角时，第一电极层可以表现出良好的阶梯覆盖，因此可以具有均匀的电极层厚度。
第一电极142可以包括欧姆层、反射层和耦接层。第一电极的欧姆层可以由铬(Cr)或银(Ag)形成，反射层可以由铂(Pt)和金(Au)、镍(Ni)和金(Au)、铝(Al)和铂(Pt)、金(Au)和铝(Al)以及镍(Ni)和金(Au)中的任意一种或其合金形成，并且耦接层可以由钛(Ti)形成。
第一电极142的欧姆层可以便于第一导电半导体层122和反射层之间容易的耦接，并且可以形成耦合层以用于反射层和绝缘层150之间的耦接。
同时，可以设置第一电极142使得其第一表面与将要在下文进行描述的绝缘层150接触，并且第二表面面向第一表面的部分向外暴露。
在图1和图2的实施例中，第二电极146可以设置在第二导电半导体层126上方。
此外，当导电层130进一步被设置在第二导电半导体层126上时，第二电极146可以设置在导电层130上。
同时，当使用下面将要描述的电子束沉积装置来形成第二电极146时，可变夹具可以以小于30度的倾斜角被固定到固定夹具。
也就是说，在实施例的电子束沉积装置中，可以根据待沉积的金属层的形状来调整可变夹具的倾斜角。
第二电极146可以包括欧姆层和反射层。
第二电极的欧姆层可以由铬、银或钛形成。欧姆层可以便于导电层和反射层之间的耦接。
此外，第二电极的反射层可以是铂(Pt)和金(Au)、镍(Ni)和金(Au)、铝(Al)和铂(Pt)、金(Au)和铝(Al)、以及镍(Ni)和金(Au)中的任意一种或者其合金。
在图1和图2的实施例中，绝缘层150可以设置在第一电极142和第二电极146之间暴露的发光结构120上。
此外，绝缘层150可以设置在发光结构120暴露的表面上和第一电极142上。
绝缘层150可以设置在发光结构120的第一台面区域和第二台面区域上，并且可以包括配置为使得第一台面区域上的第二导电半导体层126暴露的开放区域。
此外，在第一台面区域中，第二导电半导体层126、绝缘层150和第二电极146的至少一部分可以在开放区域的外周彼此重叠，在该开放区域中，第二导电半导体层126或导电层130被暴露。
同时，第二电极146的至少一部分可以设置在开放区域上。本文中，第二电极146可以与第二导电半导体层126接触。
绝缘层150可以由绝缘材料形成，以便防止第一导电半导体层122和第二导电半导体层126之间的电接触。
绝缘层150可以由例如SiO2、Si3N4、或者聚酰亚胺形成。
此外，绝缘层150可以由具有高反射率的材料形成，以便增大从发光结构发射的光的效率，并且绝缘层150可以具有例如DBR结构。
参考图1，第二台面区域的侧表面可以相对于第一导电半导体层122的底表面是倾斜的。
例如，第二台面区域的侧表面相对于第一导电半导体层的底表面的倾斜角θ2可以是大于50度且小于90度。具体地，倾斜角θ2可以在70度到80度的范围内。
此外，形成第二台面区域的第一导电半导体层的高度(即从第一导电半导体层的底表面到第二台面区域上表面的高度t1)可以是大约2μm。
尽管在图1中第一台面区域的侧表面被示出为接近垂直，但是实施例不限于此，并且第一台面区域的侧表面可以相对于发光元件的底表面斜倾预定角度。
参考图2，第一台面区域的侧表面可以相对于第二台面区域的上表面倾斜。
例如，第一台面区域的侧表面相对于第二台面区域上表面的倾斜角θ3可以在70度到90度的范围内。同时，第一台面区域的侧表面相对于第二台面区域的上表面的倾斜角可以与第一台面区域的侧表面相对于第一导电半导体层的底表面的倾斜角相同。
此外，在图2的实施例中，对于第二台面区域的侧表面相对于第一导电半导体层的底表面的倾斜角，设置有第一电极的部分的倾斜角θ2和没有设置第一电极的部分的倾斜角θ4可以相同。例如，位于相对侧的第二台面区域的侧表面相对于第一导电半导体层的底表面的倾斜角θ2和θ4可以在70度到80度的范围内。
当通过干蚀刻工艺形成第二台面区域时，由于工艺，难以将小于70度的侧表面的倾斜角减小。此外，当侧表面的倾斜角小于70度时，尽管第一电极142可以由于平缓的倾斜角而被均匀的沉积，但是可能增加第一金属的沉积面积，从而导致成本增加。
此外，当倾斜角大于80度并且接近垂直时，第一电极的阶梯覆盖可能有缺陷，并且可能增加发生短路的可能性。
也就是说，当第二台面区域的侧表面的倾斜角θ2和θ4在70度到80度的范围内变化时，可以改善第一电极142的阶梯覆盖，并且形成在第一台面区域和第二台面区域上的绝缘层150以及第一电极142可以沉积成均匀的厚度。
另一方面，在图2的实施例中，当位于第二台面区域相对侧的倾斜角不同时，关系θ4≥θ2可以被确定。即使在这种情况下，位于相对侧的倾斜角θ2和θ4也可以在70度到80度的范围内变化。
然而，当保持倾斜角度θ2以使其等于或小于倾斜角θ4时，形成在第二台面区域侧表面上的第一电极142可以具有均匀的厚度，并且随后形成在第一电极142上的绝缘层150可以具有均匀的厚度。
图3A和图3B分别是实施例发光元件的透视图和平面图。
参考图3A，可以沿着第二台面区域侧表面上的阶梯部而形成第一电极142。也就是说，第一电极142可以沿着第二台面区域的阶梯部形成，以便沿着第二台面区域的上表面和第二台面区域的侧表面而连续延伸，然后从第二台面区域的侧表面延伸。
此外，发光元件可以是微尺度的发光二极管(μ-LED)。该实施例的这种μ-LED可以被形成为小于常规的发光元件。参考图3B的平面图，发光元件的水平长度Wa和垂直长度Wb可以分别在100μm以内。例如，本实施例的发光元件可以具有水平长度Wa为82μm且垂直长度Wb为30μm的矩形形状。
上述实施例的发光元件或者其中布置有上述实施例的多个发光元件的发光元件阵列由于其小尺寸，可以用于需要精确度的装置中，并且当第一电极在第二台面区域上形成为均匀层时，可以提高发光元件的生产率，从而降低了由于差的阶梯覆盖所导致的缺陷的发生率。
图4是示出电子束沉积装置(电子束蒸发器)的实施例的视图。
本实施例的电子束沉积装置1000可以是用于形成上述发光元件的第一电极142的装置。
电子束沉积装置1000可以包括热电子发射器430、源馈送器440和圆顶单元500，并且圆顶单元500可以包括多个衬底固定器300。
热电子发射器430可以包括热电子灯丝，其在接收到高压电流时释放电子。
当向热电子灯丝供应电流时释放的电子束可以通过由电磁体形成的磁场来引导，并且可以被集中在沉积材料上。
也就是说，由热电子发射体430提供并具有高能量的电子束可以通过由电磁体形成的磁场来改变路径，并且可以集中在并且传送至源馈送器440。
源馈送器440可以包括使用电子束沉积装置即将沉积在衬底上的材料。可以通过被热电子加热之后再蒸发来将沉积材料沉积在基底上。
源馈送器440可以包括存储有沉积材料的水冷式坩埚460。
在水冷式坩埚中，可以在蒸发之前储存固态沉积材料444。在源馈送器440的中心部分，可以存储由从热电子发射器430提供的热电子加热的熔融状态沉积材料442。
可以在源馈送器440中蒸发熔融状态沉积材料442，使得在衬底上形成薄层。
包括了在上面安装有衬底的衬底固定器300的圆顶单元500可以向上与源馈送器440间隔开。
例如，可以在源馈送器440上方设置圆顶单元500，使得圆顶单元500与源馈送器440间隔一高度，在源馈送器440中蒸发并从其中释放的沉积材料可以达到该高度。
此外，圆顶单元500可以是可旋转的，以便允许沉积材料均匀地沉积在安装在该圆顶单元上的衬底上。
图4示意性地示出电子束沉积装置的横截面。参考图4，圆顶单元500可以具有圆锥形状，其宽度从顶部向底部逐渐增加。
因此，圆顶单元的侧表面可以相对于圆顶单元的下表面具有倾斜角θ1。例如，圆顶单元的侧表面可以相对于圆顶单元的下表面具有在从10度至15度的范围内的倾斜角。
图5是示例性示出圆顶单元500的上表面的视图。
也就是说，图5是示出包括当从顶侧观察时衬底固定器300的圆顶单元500的平面图。
参考图5，可以将衬底固定器300设置为接近圆顶单元的下部。例如，可以沿着圆顶单元的下圆周以固定间隔来排列衬底固定器300。
图6是示出实施例的衬底固定器300的视图。
参考图6，衬底固定器300可以包括固定夹具310和可变夹具330。
衬底固定器300的固定夹具310和可变夹具330可以具有环形形状，其中心部分被穿孔，以便在其中安装衬底，并且用于沉积薄层的衬底可以被固定至固定夹具330。
可变夹具330的直径可以小于固定夹具310的直径。例如，可变夹具330的外径可以小于固定夹具310的内径，使得可变夹具330可以设置在环形固定夹具310的内部。
图7和图8是示出可变夹具330的实施例的视图。
图7是可变夹具的平面图，并且图8是示出可变夹具的侧表面的剖面图。
参考图7，可变夹具330可以具有环形形状，并且可以具有至少一个螺孔，从可变夹具的外表面330b至其内表面330a而形成该螺孔。
下面将要描述可以将在可变夹具的侧表面中形成的至少一个螺孔设置为以便对应于固定夹具中的螺孔，并且紧固螺钉332可以穿透彼此对应的可变夹具中的螺孔和固定夹具中的螺孔，从而将孔彼此连接。
例如，参考图7，可以在可变夹具的侧表面中形成两个螺孔，并且可以在可变夹具的圆周中形成两个螺孔，以使彼此相对。
参考图8的剖面图，可变夹具的内表面330a可以具有阶梯部A，并且可以将衬底设置成被固定在阶梯部A上。
例如，可以设置衬底S使得将要在上面形成薄层的沉积表面面向具有阶梯部A的内表面330a。
图9和图10是示出固定夹具310实施例的视图。
图9是固定夹具的平面图，图10是示出固定夹具侧表面的视图。
参考图9，可以从固定夹具内表面310a至其外表面310b来形成螺孔，并且紧固螺钉332可以被设置在螺孔中。本文中，可以设置固定夹具和可变夹具，使得在固定夹具的侧表面中形成的至少一个螺孔对应于上述可变夹具中的螺孔。
此外，固定件312可以设置在固定夹具上，以便固定被设置成穿透螺孔的紧固螺钉。
例如，可以通过在固定夹具310的上表面中形成的通孔使固定件312与紧固螺钉332接触。同时，每个固定件312和在固定夹具中形成的通孔可以在内部设置有螺纹。
参考图10，当从侧边观察固定夹具310时，固定件312可以从固定夹具310突出。
图11是根据实施例的衬底固定器的平面图。
图11是示出包括固定夹具和可变夹具的衬底固定器的实施例的视图。
如上所述，可以在每个固定夹具310的侧表面和可变夹具330的侧表面中设置至少一个螺孔。
固定夹具和可变夹具可以被设置为使得分别在固定夹具310和可变夹具330中形成的螺孔彼此对应，并且紧固螺钉332可以穿透相应的螺孔，从而将两个夹具彼此连接。
同时，衬底可以安装在可变夹具330上，并且至少一个固定销336可以设置在可变夹具的一侧上，以防止安装的衬底与一侧分离。
固定销336可以在其一侧被固定到基准肋334，该基准肋334设置在可变夹具330上。
可变夹具330可以在其一个或多个点处被耦接到固定夹具310，并且可变夹具可以被固定成相对于固定夹具具有一倾斜角。
例如，再次参考图6，可变夹具330可以在彼此相对的两个点处被耦接并被固定到固定夹具310，并且具有环形形状的可变夹具和固定夹具可以不设置在同一平面中，但是可变夹具330和固定夹具310可以被固定成在它们之间具有预定的角度。
图12是示出设置在实施例的圆顶单元上的多个衬底固定器中任意一个衬底固定器300的视图。
在图12中，方形虚线区域内的部分可以是包括一个衬底固定器300的圆顶单元的一部分。
参考图12，固定夹具310可以被安装并被固定在电子束沉积装置的圆顶单元上。
此外，可变夹具330可以在其一个或多个点处被耦接和固定到固定夹具310，并且用于沉积薄层的衬底S可以设置在可变夹具330的内部。
图12示出包括衬底固定器300的圆顶单元的上表面的一部分，并且在电子束沉积装置中，可以将在衬底固定器300上安装的衬底S设置为使得作为沉积表面的衬底的上表面面向圆顶单元的下侧。
图13是示出倾斜角测量装置600的实施例的视图。
倾斜角测量装置600可以形成为被独立地耦接至电子束沉积装置的圆顶单元。
例如，倾斜角测量装置可用于测量可变夹具相对于固定夹具的倾斜角。在可变夹具固定为具有预定倾斜角之后，倾斜角测量装置可以与圆顶单元分离。
也就是说，当在电子束沉积装置中执行沉积工艺时，倾斜角测量装置可以保持与圆顶单元分离。
可以配置倾斜角测量装置600使得用于角度测量的刻度620被标记在塑料板610上。例如，倾斜角测量装置可以由透明塑料材料形成，具体地可以由例如丙烯醛基或聚碳酸酯形成。
图14是示出附接有倾斜角测量装置600的圆顶单元的部分的视图。
如图14所示，在安装了倾斜角测量装置600的状态下，可变夹具330可以被固定为相对于固定夹具310具有倾斜角θs。
可变夹具绕着其耦接到固定夹具的一部分旋转。可变夹具可以被调节为相对于固定夹具具有0度到90度范围内的倾斜角。
例如，可变夹具330可以固定为相对于固定夹具310具有30度至45度范围内的倾斜角。当可变夹具的倾斜角被保持在30度到45度的范围内时，可以改善沉积在沉积衬底上且具有阶梯图案的薄层的阶梯覆盖。
在上述电子束沉积装置的实施例中，由于可以自由调节设置可变夹具的角度，所以可以根据在沉积工艺期间从源馈送器供应的沉积材料的类型或者即将在衬底上形成的沉积层的厚度和图案，来改变可变夹具被设置的角度。
此外，当使用包括可变夹具的电子束沉积装置在衬底上形成薄层时，可以获取具有均匀厚度的沉积层，并且可以改善沉积层的均一性，甚至可以改善阶梯图案的均一性。
上述实施例的发光元件可以被包括在可穿戴设备中。
例如，在智能手表中可以包括所述实施例的发光元件或者可以包括具有实施例的多个发光元件的发光元件阵列。
智能手表可以执行与外部数字设备的配对，并且外部数字设备可以是可连接的数字设备，以用于与智能手表进行通信。例如，外部数字设备可以包括智能电话、笔记本电脑或互联网协议电视(IPTV)。
可以使用上述实施例的发光元件或者在柔性印刷电路板(FPCB)上布置有实施例的多个发光元件的发光元件阵列，作为智能手表的光源。
在包括本实施例的发光元件的智能手表的情况下，因为发光元件减小的尺寸以及FPCB的柔韧性，其可以佩戴在手腕上，并且由于发光元件的微小尺寸而可以实现微像素。
在下文中，作为包括上述实施例的发光元件的实施例，将描述图像显示装置和照明装置。
在根据实施例的发光元件的光路上，可以设置诸如例如导光板、棱镜片和漫射片的光学构件。发光元件、衬底和光学构件可以用作背光单元。
此外，可以实现包括根据实施例的发光元件的显示装置、指示器装置或照明装置。
本文中，显示装置可以包括底盖；反射器，设置在底盖上；导光板，设置在发光元件前方并且发射光；以及反射器，以便将从发光元件发射的光引导至前侧；光学片，包括设置在导光板前方的棱镜片；显示面板，设置在光学片前方；图像信号输出电路，连接到显示面板，以便向显示面板提供图像信号；以及滤色器，设置在显示面板的前方。本文中，底盖、反射器、发光器件阵列、导光板和光学片可以构成背光单元。
此外，照明装置可以包括：光源模块，具有衬底以及根据所述实施例的发光元件；散热器，配置成驱散来自光源模块的热量；以及电源单元，配置为处理或者转换从外部提供的电信号，以便将其供应至发光模块。例如，照明装置可以包括电灯、车前灯或路灯。
在上述图像显示装置和照明装置的情况下，通过提供根据上述实施例的发光元件，由于发光器件阵列的柔韧性而可以减小装置的尺寸并且可以减少对设计的限制。
尽管已经如上所述对示例性实施例进行了说明和描述，但是对于本领域技术人员而言，显而易见的是，提供所述实施例是为了帮助理解，并且所述实施例不限于上述说明。在不脱离本公开的精神或者范围的情况下，可以在所述实施例中进行各种修改和变化，并且只要所述修改和变化包括权利要求书中所提出的构成要件，就不应该脱离本公开的观点或者范围而单独理解它们。
工业实用性
实施例的电子束沉积装置包括可变夹具，以便能够自由调节衬底被设置为固定到衬底固定器的角度，因此具有工业实用性。

Claims (20)

1.一种发光元件，包括：
发光结构，包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及
第一电极和第二电极，分别布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上，
其中，所述发光结构包括第一台面区域，以及所述第一导电半导体层包括第二台面区域，
其中，所述第一电极包括：
第一区域，位于所述第二台面区域的上表面的一部分上；
第二区域，位于所述第二台面区域的侧表面上；以及
第三区域，布置为从所述第二台面区域的所述侧表面的边缘延伸，以及
其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域具有以下厚度比率：
d1:d2:d3＝1:0.9至1.1:1
其中，d1是所述第一区域的厚度，d2是所述第二区域的厚度，d3是所述第三区域的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，第二台面区域的所述侧表面相对于所述第一导电半导体层的底表面具有70度到80度的范围内的倾斜角。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一台面区域的所述侧表面相对于第二台面区域的所述上表面具有70度到90度的范围内的倾斜角。
4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括绝缘层，布置在所述第一电极与所述第二电极之间暴露的所述发光结构上。
5.一种形成第一电极的电子束沉积装置，所述装置包括：
热电子发射器；
源馈送器，包括沉积材料，将由从所述热电子发射器供应的热电子来蒸发所述沉积材料；以及
圆顶单元，其与所述源馈送器间隔开，并且布置在所述源馈送器上方，
其中，所述圆顶单元包括多个衬底固定器，以及
其中，所述多个衬底固定器中的每个包括可变夹具，调节该可变夹具的倾斜角。
6.根据权利要求5所述的电子束沉积装置，其中，所述多个衬底固定器中的每个包括固定夹具，被配置为将所述可变夹具固定到所述圆顶单元。
7.根据权利要求6所述的电子束沉积装置，其中，所述固定夹具和所述可变夹具具有不同直径的相应的环形形状。
8.根据权利要求7所述的电子束沉积装置，其中，所述可变夹具布置在所述固定夹具内部。
9.根据权利要求6所述的电子束沉积装置，其中，所述可变夹具在其至少一个点处被耦接并固定到所述固定夹具。
10.根据权利要求9所述的电子束沉积装置，其中，所述固定夹具和所述可变夹具中的每个均具有在各自侧表面中形成的至少一个螺孔，
其中，所述固定夹具中的所述螺孔和所述可变夹具中的所述螺孔被布置为彼此对应，以及
其中，通过布置为穿透各个相应螺孔的紧固螺钉而将所述固定夹具和所述可变夹具耦接并固定。
11.根据权利要求10所述的电子束沉积装置，还包括固定件，布置在所述固定夹具上，以便固定所述紧固螺钉。
12.根据权利要求6所述的电子束沉积装置，其中，所述可变夹具被固定为相对于所述固定夹具具有预定倾斜角。
13.根据权利要求12所述的电子束沉积装置，其中，所述可变夹具被固定的所述倾斜角相对于所述固定夹具在30度到45度的范围内。
14.根据权利要求5所述的电子束沉积装置，其中，所述可变夹具包括被配置为固定衬底的至少一个固定销。
15.根据权利要求5所述的电子束沉积装置，还包括倾斜角测量装置，所述倾斜角测量装置被可分离地设置在所述圆顶单元上并且被配置为检查所述可变夹具的所述倾斜角。
16.一种发光元件，包括：
发光结构，包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；
第一电极和第二电极，分别布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上；以及
绝缘层，布置在所述第一电极与所述第二电极之间暴露的所述发光结构上。
17.根据权利要求16所述的发光元件，其中，所述绝缘层布置在所述发光结构暴露的表面上和所述第一电极上。
18.根据权利要求16所述的发光元件，其中，所述第一电极被布置为使得其第一表面与所述绝缘层接触，并且第二表面面向所述第一表面的部分被暴露。
19.根据权利要求16所述的发光元件，还包括导电层，布置在所述第二导电半导体层上。
20.根据权利要求19所述的发光元件，其中，所述第二电极布置在所述导电层上。
CN201580074190.4A 2015-01-21 2015-12-30 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置 Active CN107210340B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2015-0009753 2015-01-21
KR1020150009753A KR102256632B1 (ko) 2015-01-21 2015-01-21 발광 소자 및 이를 제조하는 전자 빔 증착 장치
PCT/KR2015/014455 WO2016117845A1 (ko) 2015-01-21 2015-12-30 발광 소자 및 이를 제조하는 전자 빔 증착 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107210340A true CN107210340A (zh) 2017-09-26
CN107210340B CN107210340B (zh) 2021-01-29

Family

ID=56417330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580074190.4A Active CN107210340B (zh) 2015-01-21 2015-12-30 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10586828B2 (zh)
EP (1) EP3249702B1 (zh)
JP (1) JP6713998B2 (zh)
KR (1) KR102256632B1 (zh)
CN (1) CN107210340B (zh)
WO (1) WO2016117845A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111900215A (zh) * 2020-06-30 2020-11-06 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种单行载流子光电探测器及其制作方法
CN112582509A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
CN112582511A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106486572B (zh) 2015-09-02 2020-04-28 新世纪光电股份有限公司 发光二极管芯片
TWI723207B (zh) * 2016-08-18 2021-04-01 新世紀光電股份有限公司 微型發光二極體及其製造方法
CN107768487A (zh) 2016-08-18 2018-03-06 新世纪光电股份有限公司 巨量转移电子元件的方法
CN108886050A (zh) * 2017-01-24 2018-11-23 歌尔股份有限公司 微led装置、显示设备及微led制造方法
KR102462718B1 (ko) * 2018-04-27 2022-11-03 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
TWD191816S (zh) 2017-12-12 2018-07-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體晶片
KR102474953B1 (ko) * 2018-03-22 2022-12-06 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자
US11271033B2 (en) * 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
EP3745475B1 (en) * 2019-05-28 2024-03-06 OSRAM Opto Semiconductors GmbH A method of producing an array of micro-leds
US11358168B2 (en) * 2019-06-18 2022-06-14 Visera Technologies Company Limited Coating apparatus
TW202137582A (zh) * 2020-03-24 2021-10-01 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件及半導體發光組件
US20220123184A1 (en) * 2020-10-16 2022-04-21 Seoul Viosys Co., Ltd. Unit pixel having light emitting device, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same
TWI756884B (zh) * 2020-10-28 2022-03-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件及微型發光元件顯示裝置
US11469345B2 (en) * 2021-01-21 2022-10-11 Excellence Opto. Inc. Vertical light emitting diode structure with high current dispersion and high reliability

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286125A (ja) * 1988-09-21 1990-03-27 Sharp Corp 蒸着装置
JP2002289920A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Kyocera Corp Ｌｅｄアレイおよびその製造方法
KR20090053435A (ko) * 2007-11-23 2009-05-27 삼성전기주식회사 모놀리식 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
CN101452988A (zh) * 2008-12-30 2009-06-10 北京大学 一种薄膜型led制备方法
CN101515621A (zh) * 2009-02-19 2009-08-26 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
US20140353692A1 (en) * 2012-12-21 2014-12-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH668430A5 (de) * 1986-07-31 1988-12-30 Satis Vacuum Ag Vakuum-beschichtungsanlage fuer optische substrate.
JPS6394957U (zh) * 1986-12-08 1988-06-18
JP3259931B2 (ja) * 1992-04-17 2002-02-25 シャープ株式会社 半導体発光素子および半導体表示装置
US5483085A (en) * 1994-05-09 1996-01-09 Motorola, Inc. Electro-optic integrated circuit with diode decoder
JPH0835065A (ja) * 1994-07-22 1996-02-06 Murata Mfg Co Ltd 真空成膜装置
JP2001257380A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ及びその製造方法
KR100447323B1 (ko) 2002-03-22 2004-09-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 물리기상 증착 방법
GB0302580D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Univ Strathclyde MICRO LEDs
KR20050109767A (ko) 2004-05-17 2005-11-22 세메스 주식회사 구동 가능한 타겟을 갖는 박막 증착 장치
KR101665932B1 (ko) * 2010-02-27 2016-10-13 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
CN102859726B (zh) * 2010-04-06 2015-09-16 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
KR20120033502A (ko) * 2010-09-30 2012-04-09 (주)울텍 진공증착장치
JP5913955B2 (ja) 2011-12-19 2016-05-11 昭和電工株式会社 発光ダイオード及びその製造方法
KR102087933B1 (ko) 2012-11-05 2020-04-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
WO2015084258A1 (en) * 2013-12-02 2015-06-11 Nanyang Technological University Light-emitting device and method of forming the same
KR102322842B1 (ko) * 2014-12-26 2021-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 어레이

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0286125A (ja) * 1988-09-21 1990-03-27 Sharp Corp 蒸着装置
JP2002289920A (ja) * 2001-03-27 2002-10-04 Kyocera Corp Ｌｅｄアレイおよびその製造方法
KR20090053435A (ko) * 2007-11-23 2009-05-27 삼성전기주식회사 모놀리식 발광다이오드 어레이 및 그 제조방법
CN101452988A (zh) * 2008-12-30 2009-06-10 北京大学 一种薄膜型led制备方法
CN101515621A (zh) * 2009-02-19 2009-08-26 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
US20140353692A1 (en) * 2012-12-21 2014-12-04 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112582509A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
CN112582511A (zh) * 2019-09-30 2021-03-30 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
CN112582509B (zh) * 2019-09-30 2022-07-08 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
CN112582511B (zh) * 2019-09-30 2022-08-02 成都辰显光电有限公司 微发光二极管芯片及显示面板
CN111900215A (zh) * 2020-06-30 2020-11-06 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种单行载流子光电探测器及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3249702B1 (en) 2020-12-02
WO2016117845A1 (ko) 2016-07-28
KR20160090017A (ko) 2016-07-29
US20180090539A1 (en) 2018-03-29
CN107210340B (zh) 2021-01-29
JP2018506177A (ja) 2018-03-01
EP3249702A1 (en) 2017-11-29
KR102256632B1 (ko) 2021-05-26
US10586828B2 (en) 2020-03-10
EP3249702A4 (en) 2018-10-24
JP6713998B2 (ja) 2020-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107210340A (zh) 发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置
CN102194951B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102064262B (zh) 发光器件和发光器件封装
CN102074625B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
TWI434437B (zh) 發光元件、發光元件封裝及照明裝置
CN102412355A (zh) 发光器件
CN102194930B (zh) 用于制造发光器件的基板和用于制造发光器件的方法
CN102222741B (zh) 发光器件和发光器件封装
CN102194929A (zh) 发光器件
CN102280816B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102347411A (zh) 发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统
US8686456B2 (en) Light emitting device, light emitting device package, and light unit
KR101860320B1 (ko) 발광소자
EP2405495B1 (en) Light emitting diode
KR20130121279A (ko) 발광소자
KR102309092B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
CN102315349A (zh) 发光器件及其制造方法
CN102456792A (zh) 制造半导体发光器件的方法
CN102881798A (zh) 发光器件，发光器件封装以及光单元
KR20160115095A (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 어레이
KR20150032115A (ko) 발광소자
KR20120133836A (ko) 발광소자
KR20130027303A (ko) 발광소자
KR102042444B1 (ko) 발광소자
CN105336838B (zh) 发光器件封装

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant