JP7021618B2 - レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置 - Google Patents
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Description
まず、図1を用いて、本開示に係るレーザダイオード(LD)アレイ1が適用される場面の一例について説明する。LDアレイ1は、例えば車載用途のライダー(LiDAR)等の測距装置10に適用可能である。測距装置10は、レーザ光を外部に投光する投光部2と、受光部5と、検出部6と、制御部7とを備える。
<2.1 構造例>
図2は、実施形態1に係るLDアレイ1の構造例を示す側面図である。図2の例では、LDアレイ1は、互いに間隔を空けて1列に並んだ3つのLD1a、1b及び1cを含む3チャネル構成のLDアレイである。LD1a、1b及び1cは、それぞれ、p型クラッド層12と、p型クラッド層12の上に形成された活性層13と、活性層13の上に形成されたn型クラッド層14と、n型クラッド層14の上に形成されたn型半導体層15と、n型半導体層15の上に形成されたカソード電極16とを備える。LD1a、1b及び1cのp型クラッド層12の裏面には、単一のアノード電極17が電気的に接続(以下、単に「接続」という。)されている。すなわち、LD1a、1b及び1cは、アノード電極17を共有する。このように、LDアレイ1は、アノードコモン構成を有する。
[ステップS101]
図3A~3Dを参照して、LDアレイ1の製造方法の一例について説明する。まず、図3Aに示すように、基板としてのn型半導体層15上にモノリシックに形成された3つのLD20a、20b及び20cを備えるカソードコモン構成のLDアレイ20を準備する(S101)。具体的には、LDアレイ20のn型半導体層15の上には、n型クラッド層14、活性層13及びp型クラッド層12が順番に形成されている。さらに、n型半導体層15の裏面には、単一のカソード電極16が形成されている。
次に、図3Bに示すように、カソードコモン構成のLDアレイ20を、p型クラッド層12がアノード電極17に接続されるように、アノード電極17に接着する(S102)。接着は、銀ペースト又はハンダ等を用いて行われる。なお、図3Bでは、図3Aと比較して、LDアレイ20の上下を逆さまにして示している。すなわち、図3BのLDアレイ20は、図3AのLDアレイ20を、X軸の周りに180°回転させたものである。
次に、隣接する3つのLDのカソードを互いに電気的に分離する(S103)。例えば、図3Dに示すように、LD間にあるn型半導体層15及びカソード電極16の領域Pを除去又は切断する。領域Pは、例えばレーザを照射することによって除去又は切断される。また、領域Pは、ダイサによって切断されてもよい。領域Pを除去又は切断することにより、図2に示すようなアノードコモン構成のLDアレイ1が完成する。
図4は、LDアレイ1を用いてパルスレーザを放射するレーザ発光回路4の構成例を示す図である。レーザ発光回路4は、前述のような3チャネル構成のLDアレイ1を備える。図4では、回路構造を整理するために、図2に示すLD1a、1b及び1cに相当するLDアレイ1の3つのLDチャネルを分離して示す。
回路ユニット40aは、LD1aと、電界効果トランジスタ(FET)41と、FET41を制御するゲートドライバ42とを備える。また、回路ユニット40aは、LD1aのアノードに接続されたLD電源(VLD)端子43aを備える。さらに、回路ユニット40aは、ゲートドライバ42に接続されたドライバ電源(VDD)端子44aと、ゲート駆動信号(TRIG)端子45aと、接地(GND)端子46aとを備える。
レーザ発光回路4は、回路ユニット40a、40b及び40cを備える。回路ユニット40aのVLD端子43aと、回路ユニット40bのVLD端子43bと、回路ユニット40cのVLD端子43cとは、共通のLD電源端子50に接続されている。このように、レーザ発光回路4は、LDアレイ1につきアノードコモン構成を採用したものである。
レーザ発光回路4の共通のLD電源端子50には、図示しないLD電源が接続され、電力が供給される。共通のドライバ電源端子51には、図示しないドライバ電源が接続され、電圧が印加される。接地端子53は、例えば図4に示すように接地される。
図2に戻り、LDアレイ1のLD1a、1b及び1cの発光方法の一例について説明する。例えば、LDアレイ1のLD1a、1b及び1cは、同じタイミングでパルス発光する同時発光モードで使用される。同時発光モードの場合、図4に示す発光信号入力端子52a、52b及び52cには、同じタイミングでパルスが発生するパルス信号が入力される。同時発光モードでは、コンデンサCに充電される電荷を増やすことにより、LDアレイ1の中心から光軸方向に強いレーザ光を発することができるため、長距離測定を行うことができる。
以上のように、実施形態1に係るLDアレイ1は、カソードであるn型半導体基板15上にモノリシックに形成された3つのLDからなるLDアレイ20を準備するステップ(S101)と、LDの各アノード側の端部に、共通のリードフレーム17を電気的に接続し、かつ、リードフレーム17が3つのLDを支持するように固定するステップ(S102)と、隣接するLDのカソードをLD毎に互いに電気的に分離するステップ(S103)と、を含む方法により製造される。
<3.1 構造例>
図5は、実施形態2に係るLDアレイ100の構造例を示す側面図である。LDアレイ100は、支持ベース18に実装されている。図5の例では、LDアレイ100は、互いに間隔を空けて1列に並んだ3つのLD100a、100b及び100cを含む3チャネル構成のLDアレイである。各LD100a、100b及び100cのアノード電極17は分離されている。このように、実施形態2に係るLDアレイ100は、アノードコモン構成のLDアレイではない。
次に、LDアレイ100の製造方法の一例について説明する。分離された3つのLDを、同じ方向を向き、光軸が互いに平行であり、1列に等間隔に並んだレーザ光を放射するように位置合わせして、別々のリードに固定する。固定は、銀ペースト又はハンダ等を用いて行われる。
図6は、LDアレイ100を用いてパルスレーザを放射するレーザ発光回路104の構成例を示す図である。LDアレイ100は、各レーザダイオードの端子が、それぞれ分離されているため、レーザ発光回路104の回路構成は実施形態1と異なる。具体的には、回路ユニット40aのVLD端子43aは第1のLD電源端子50aに、回路ユニット40bのVLD端子43bは第2のLD電源端子50bに、回路ユニット40cのVLD端子43cは第3のLD電源端子50cに、接続されている。各LD電源端子50a、50b及び50cには、それぞれ別のLD電源が接続される。
以上のように、実施形態2に係るLDアレイ100に、同時又は順次にパルス状のレーザ光を放射させるレーザ発光回路104において、各LD100a、100b及び100cのアノードは、互いに電気的に分離されている。
以上、本開示の実施形態を詳細に説明した。しかしながら、上記の説明は本発明の例示に過ぎず、本発明の範囲を逸脱することなく種々の改良や変形を行うことができる。例えば、以下のような変更が可能である。なお、以下では、上記の実施形態と同様の構成要素に関しては同様の符号を用い、上記の実施形態と同様の点については、適宜説明を省略した。以下の変形例は適宜組み合わせ可能である。
実施形態1及び2では、3つのLDからなるLDアレイ1又は100の例について説明した。しかしながら、LDアレイ1又は100に含まれるLDの数は3つに限定されず、複数であればよい。
実施形態1及び2では、カソードであるn型半導体基板15上にモノリシックに形成された3つのLDからなるカソードコモン構成のLDアレイ20を準備するステップ(S101)から始まるLDアレイ1、100の製造方法の一例について説明した。しかしながら、LDアレイ1、100の製造方法はこれに限定されない。例えば、LDアレイ1は、まずp型半導体基板を準備し、その表面上にp型クラッド層12、活性層13、n型クラッド層14及びカソード電極16を順番に積層させるステップと、p型半導体基板の裏面にアノード電極17を形成するステップと、LD間の不要な部分をエッチング等により除去するステップと、により形成されてもよい。
本開示には以下の態様が含まれる。
前記複数のレーザダイオード(20a、20b、20c)の各アノード側の端部に、共通の導電性リードフレーム又は導電性基板(17)を電気的に接続し、かつ、前記導電性リードフレーム又は導電性基板(17)が前記複数のレーザダイオード(20a、20b、20c)を支持するように固定するステップ(S102)と、
隣接する前記複数のレーザダイオード(20a、20b、20c)のカソードを前記レーザダイオード(20a、20b、20c)毎に互いに電気的に分離するステップ(S103)と、
を含むレーザダイオードアレイデバイス(1)の製造方法。
アノードが互いに電気的に接続された前記複数のレーザダイオード(1a、1b、1c)と、
各レーザダイオード(1a、1b、1c)のカソードに電気的に接続され、各レーザダイオード(1a、1b、1c)に流れる電流を制御するスイッチング素子(41)と、
前記スイッチング素子(41)を制御する駆動回路(42)と、
コンデンサ(C)と抵抗(R)とが電気的に直列接続された直列回路であって、一端が前記複数のレーザダイオード(1a、1b、1c)の共通のアノードに電気的に接続され、他端が接地された直列回路と、
前記複数のレーザダイオード(1a、1b、1c)の共通のアノードに電気的に接続され、前記コンデンサ(C)に電荷を供給するためのレーザダイオード電源入力端子(50)と、
前記駆動回路(42)に電力を供給するための駆動回路電源入力端子(51)と、
前記駆動回路(42)のそれぞれに電気的に接続され、パルス信号を入力するパルス信号入力端子(52a、52b、52c)とを備える
レーザ発光回路(4)。
アノードが互いに電気的に分離された前記複数のレーザダイオード(100a、100b、100c)と、
各レーザダイオード(100a、100b、100c)のカソードに電気的に接続され、各レーザダイオード(100a、100b、100c)に流れる電流を制御するスイッチング素子(41)と、
前記スイッチング素子(41)を制御する駆動回路(42)と、
コンデンサ(C)と抵抗(R)とが電気的に直列接続された直列回路であって、一端が前記レーザダイオード(100a、100b、100c)のアノードに電気的に接続され、他端が接地された直列回路と、
前記複数のレーザダイオード(100a、100b、100c)のそれぞれのアノードに電気的に接続され、前記コンデンサ(C)に電荷を供給するためのレーザダイオード電源入力端子(50a、50b、50c)と、
前記駆動回路(42)に電力を供給するための駆動回路電源入力端子(51)と、
前記駆動回路(42)のそれぞれに電気的に接続され、パルス信号を入力するパルス信号入力端子(52a、52b、52c)とを備える
レーザ発光回路(104)。
前記駆動回路(42)は、前記FET(41)のゲート電極に電気的に接続されたゲート駆動回路である、請求項2又は3に記載のレーザ発光回路(4、104)。
レーザ光を受光する受光部(5)と、
前記投光部(2)がレーザ光を放射した時刻と、前記受光部(5)がレーザ光を受光した時刻と、に基づいて、受光されたレーザ光が通過した距離を検出する検出部(6)と、を備える測距装置(10)。
1a、1b、1c LD
2 投光部
3 パルス信号生成回路
4 レーザ発光回路
5 受光部
6 検出部
7 制御部
10 測距装置
12 p型クラッド層
13 活性層
14 n型クラッド層
15 n型半導体層(n型半導体基板)
16 カソード電極
17 アノード電極(リードフレーム)
20 レーザダイオードアレイ
40a、40b、40c 回路ユニット
41 FET
42 ゲートドライバ(ゲート駆動回路)
43a、43b、43c VLD端子
44a、44b、44c VDD端子
45a、45b、45c TRIG端子
46a、46b、46c GND端子
47a、47b、47c IMON端子
50、50a、50b、50c LD電源端子
51 ドライバ電源端子
52a、52b、52c 発光信号入力端子
53 接地端子
54、54a、54b、54c 電流測定端子
Claims (6)
- 複数のレーザダイオードからなるレーザダイオードアレイに、同時又は順次にパルス状のレーザ光を放射させるレーザ発光回路であって、
アノードが互いに電気的に接続された前記複数のレーザダイオードと、
各レーザダイオードのカソードに電気的に接続され、各レーザダイオードに流れる電流を制御するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を制御する駆動回路と、
コンデンサと抵抗とが電気的に直列接続された直列回路であって、一端が前記複数のレーザダイオードの共通のアノードに電気的に接続され、他端が接地された直列回路と、
前記複数のレーザダイオードの共通のアノードに電気的に接続され、前記コンデンサに電荷を供給するためのレーザダイオード電源入力端子と、
前記駆動回路に電力を供給するための駆動回路電源入力端子と、
前記駆動回路のそれぞれに電気的に接続され、パルス信号を入力するパルス信号入力端子とを備える
レーザ発光回路。 - 複数のレーザダイオードからなるレーザダイオードアレイに、同時又は順次にパルス状のレーザ光を放射させるレーザ発光回路であって、
アノードが互いに電気的に分離された前記複数のレーザダイオードと、
各レーザダイオードのカソードに電気的に接続され、各レーザダイオードに流れる電流を制御するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を制御する駆動回路と、
コンデンサと抵抗とが電気的に直列接続された直列回路であって、一端が前記レーザダイオードのアノードに電気的に接続され、他端が接地された直列回路と、
前記複数のレーザダイオードのそれぞれのアノードに電気的に接続され、前記コンデンサに電荷を供給するためのレーザダイオード電源入力端子と、
前記駆動回路に電力を供給するための駆動回路電源入力端子と、
前記駆動回路のそれぞれに電気的に接続され、パルス信号を入力するパルス信号入力端子とを備える
レーザ発光回路。 - 前記スイッチング素子は、ドレイン電極が前記レーザダイオードのカソードに電気的に接続され、ソース電極が接地されたFETであり、
前記駆動回路は、前記FETのゲート電極に電気的に接続されたゲート駆動回路である、請求項1又は2に記載のレーザ発光回路。 - 前記FETは、GaN系FETである、請求項3に記載のレーザ発光回路。
- 請求項1~4のいずれかに記載のレーザ発光回路を備え、パルス状のレーザ光を放射する投光部と、
レーザ光を受光する受光部と、
前記投光部がレーザ光を放射した時刻と、前記受光部がレーザ光を受光した時刻と、に基づいて、受光されたレーザ光が通過した距離を検出する検出部と、を備える測距装置。 - 前記レーザ発光回路の前記複数のレーザダイオードは、等間隔で整列した、請求項5に記載の測距装置。
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CN114585945A (zh) * | 2020-09-28 | 2022-06-03 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 测距模块及测距装置 |
CN115189224A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-10-14 | 上海禾赛科技有限公司 | 激光器以及包括该激光器的激光雷达 |
CN113725724B (zh) * | 2021-09-01 | 2024-02-27 | 上海沛塬电子有限公司 | 一种激光脉冲发射集成电路模组、制造方法及系统 |
WO2023074190A1 (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および測距装置 |
CN116413677B (zh) * | 2021-12-29 | 2024-02-06 | 深圳市速腾聚创科技有限公司 | 阳极选址驱动电路、可寻址驱动电路及激光发射电路 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000168141A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-20 | Toshiba Corp | 画像形成方法 |
JP2005333130A (ja) | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Lg Electron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2006066654A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Works Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
JP2008252069A (ja) | 2007-03-06 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
US20110244613A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | John Heck | WAFER-LEVEL In-P Si BONDING FOR SILICON PHOTONIC APPARATUS |
JP2014078679A (ja) | 2012-09-20 | 2014-05-01 | Casio Comput Co Ltd | 駆動装置、発光装置及び投影装置 |
US20160240999A1 (en) | 2015-02-18 | 2016-08-18 | Ii-Vi Incorporated | Densely-Spaced Laser Diode Configurations |
WO2017154128A1 (ja) | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社島津製作所 | 半導体発光装置 |
JP2017181062A (ja) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 富士通株式会社 | レーザーレーダー装置及びその制御方法 |
JP2018508122A (ja) | 2015-04-10 | 2018-03-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 光センシング応用のための安全なレーザデバイス |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6423560B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-07-23 | Teraconnect, Incoporated | Method of making an optoelectronic device using multiple etch stop layers |
US6816529B2 (en) * | 2001-03-30 | 2004-11-09 | Santur Corporation | High speed modulation of arrayed lasers |
CN1579002A (zh) * | 2001-06-29 | 2005-02-09 | 美莎诺普有限公司 | 光电子器件集成 |
US6674948B2 (en) * | 2001-08-13 | 2004-01-06 | Optoic Technology, Inc. | Optoelectronic IC module |
JP4660224B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2011-03-30 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
US8000368B2 (en) * | 2006-07-26 | 2011-08-16 | Santur Corporation | Modulated semiconductor DFB laser array with a MEMS-based RF switch |
JP2008311576A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | 光源、光源の製造方法、レーザ光源装置、画像表示装置及びモニター装置 |
KR101426285B1 (ko) * | 2008-01-09 | 2014-08-05 | 삼성전자주식회사 | 광 송수신 소자 및 그 제조방법 |
KR101327243B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2013-11-12 | 전자부품연구원 | 바형태의 레이저 다이오드 어레이를 개별 구동하기 위한 p형 서브마운트 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
DE102013216552B4 (de) * | 2013-08-21 | 2017-07-06 | Continental Automotive Gmbh | Vorrichtung zum Betrieb zumindest einer als Laserdiode ausgebildeten lichtemittierenden Diode |
US9368936B1 (en) * | 2013-09-30 | 2016-06-14 | Google Inc. | Laser diode firing system |
US10158211B2 (en) * | 2015-09-22 | 2018-12-18 | Analog Devices, Inc. | Pulsed laser diode driver |
JP6980369B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2021-12-15 | パイオニア株式会社 | 光源駆動装置および距離測定装置 |
CN206976797U (zh) * | 2017-07-31 | 2018-02-06 | 科大国盾量子技术股份有限公司 | 一种用于量子通信单光子源的激光器高速驱动模块 |
-
2018
- 2018-08-10 JP JP2018151826A patent/JP7021618B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-12 EP EP19846648.4A patent/EP3836319A4/en active Pending
- 2019-03-12 US US17/267,270 patent/US20210313763A1/en active Pending
- 2019-03-12 CN CN201980053096.9A patent/CN112544020A/zh active Pending
- 2019-03-12 WO PCT/JP2019/010001 patent/WO2020031414A1/ja unknown
- 2019-03-12 KR KR1020217003831A patent/KR102423155B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000168141A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-20 | Toshiba Corp | 画像形成方法 |
JP2005333130A (ja) | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Lg Electron Inc | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP2006066654A (ja) | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Matsushita Electric Works Ltd | レーザダイオード駆動回路 |
JP2008252069A (ja) | 2007-03-06 | 2008-10-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ素子 |
US20110244613A1 (en) | 2010-04-02 | 2011-10-06 | John Heck | WAFER-LEVEL In-P Si BONDING FOR SILICON PHOTONIC APPARATUS |
JP2014078679A (ja) | 2012-09-20 | 2014-05-01 | Casio Comput Co Ltd | 駆動装置、発光装置及び投影装置 |
US20160240999A1 (en) | 2015-02-18 | 2016-08-18 | Ii-Vi Incorporated | Densely-Spaced Laser Diode Configurations |
JP2018508122A (ja) | 2015-04-10 | 2018-03-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 光センシング応用のための安全なレーザデバイス |
WO2017154128A1 (ja) | 2016-03-09 | 2017-09-14 | 株式会社島津製作所 | 半導体発光装置 |
JP2017181062A (ja) | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 富士通株式会社 | レーザーレーダー装置及びその制御方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020031414A1 (ja) | 2020-02-13 |
US20210313763A1 (en) | 2021-10-07 |
EP3836319A4 (en) | 2022-08-17 |
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