WO2017154128A1 - 半導体発光装置 - Google Patents

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進吾 宇野
廣木　知之
東條　公資
次郎 齊川
直也 石垣
隼規 坂本
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor light emitting device having a light emitting element module in which a plurality of light emitting elements connected in series are connected in parallel, and more particularly to a technique for suppressing heat generation of a transistor for controlling a current of the light emitting element.
  • a plurality of laser diodes connected in series are further connected in a plurality of rows in parallel, and anodes of the plurality of rows of laser diodes are connected in common, and a plurality of rows of a plurality of laser diodes are connected.
  • the laser diode cathodes are connected in common to form a plurality of parallel lines.
  • the semiconductor laser device described in Patent Document 2 is provided with a plurality of laser diodes (lines) connected in series, one end of the plurality of lines is connected in common, and the other end of the plurality of lines A current control element is connected to the line, and the current of each line is controlled by each current control element.
  • the number of laser diodes in each line is set to be the same, heat generation of the current control element increases due to the forward voltage difference between the laser diodes in each line.
  • Patent Documents 3 and 4 are known as conventional known documents.
  • JP 2009-123833 A JP 2005-129877 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-87818 JP-A-6-275895
  • Patent Document 2 has a problem that when the number of laser diodes is changed in order to absorb the forward voltage difference of each line, the total output of the laser diodes changes.
  • the present invention provides a semiconductor light emitting device capable of obtaining a desired light output, suppressing heat generation of a current control element, and extending the life of the light emitting element when a plurality of light emitting elements are connected in series and connected in parallel. Providing equipment.
  • a semiconductor light emitting device includes a plurality of light emitting elements connected in series, and one end of the plurality of light emitting elements connected in common to a power source.
  • a plurality of light emitting element groups configured to correspond to the plurality of columns, connected to the other ends of the plurality of light emitting elements in each column, and a plurality of current control elements that control current flowing through the plurality of light emitting elements;
  • a forward voltage monitor circuit for monitoring the total forward voltage of the plurality of light emitting elements for each column, and the plurality of the plurality of light emitting elements based on the total forward voltage of the plurality of light emitting elements for each column detected by the forward voltage monitor circuit.
  • a control circuit that controls the current control element so that the variation in the total forward voltage of the plurality of light emitting elements in the column is equal to or less than a threshold value.
  • the control circuit causes the variation in the total forward voltage of the plurality of light emitting elements in the plurality of columns to be equal to or less than the threshold based on the total forward voltage of the plurality of light emitting elements for each column detected by the forward voltage monitor circuit.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a semiconductor light emitting device of Example 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light emitting device of Example 2 of the present invention.
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light-emitting device of Example 3 of the present invention.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a semiconductor light-emitting device of Example 4 of the present invention.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light emitting device of Example 1 of the present invention.
  • the semiconductor light emitting device includes a laser diode group 1, a plurality of current control elements Q1 to Qm, a forward voltage monitor circuit 11, and an LD current amount control circuit 12.
  • the laser diode group 1 corresponds to the light emitting element group of the present invention and includes a plurality of light emitting elements.
  • a laser diode (LD) is used as the light emitting element, but a light emitting diode (LED) can also be used as the light emitting element.
  • LD laser diode
  • LED light emitting diode
  • the laser diode group 1 is configured by arranging m laser diodes (LD11 to LD1n, LD21 to LD2n... LDm1 to LDmn) connected in series with n laser diodes, and the m laser diodes LD11 to LD11.
  • LD1n, LD21 to LD2n,... LDm1 to LDmn have anodes connected in common to the power supply Vcc.
  • the plurality of current control elements Q1 to Qm are made of MOSFETs and are provided corresponding to n laser diodes LD11 to LD1n, LD21 to LD2n,... LDm1 to LDmn in m columns, and n laser diodes LD11 in each column.
  • ... LD1n, LD21 to LD2n are connected to the cathodes of LDm1 to LDmn, and control the current flowing through n laser diodes LD11 to LD1n, LD21 to LD2n... LDm1 to LDmn in each column.
  • the forward voltage monitor circuit 11 monitors the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n, the total forward voltage of the n laser diodes LD21 to LD2n, ..., the total forward voltage of the n laser diodes LDm1 to LDmn.
  • the forward voltage is a voltage between the anode and the cathode of the laser diode LD.
  • the LD current amount control circuit 12 corresponds to the control circuit of the present invention, and the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n detected by the forward voltage monitor circuit 11 and the total order of the n laser diodes LD21 to LD2n. Based on the total forward voltage of the n laser diodes LDm1 to LDmn, the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n, the total forward voltage of the n laser diodes LD21 to LD2n,.
  • the current control elements Q1 to Qm are controlled so that the variation in the total forward voltage of the laser diodes LDm1 to LDmn is below the threshold value. That is, the LD current amount control circuit 12 reduces the currents of the n laser diodes in the column with the large total forward voltage and increases the n laser diode currents in the column with the small total forward voltage. To control.
  • m in the m column is described as 3, for example. Note that m is not limited to 3.
  • the forward voltage monitor circuit 11 includes a total forward voltage Vd1 of n laser diodes LD11 to LD1n, a total forward voltage Vd2 of n laser diodes LD21 to LD2n, and a total forward voltage Vd3 of n laser diodes LD31 to LD3n. To monitor.
  • the LD current amount control circuit 12 includes a total forward voltage Vd1 of n laser diodes LD11 to LD1n detected by the forward voltage monitor circuit 11, a total forward voltage Vd2 of n laser diodes LD21 to LD2n, n. Based on the total forward voltage Vd3 of the laser diodes LD31 to LD3n, the current control elements Q1 to Qm are controlled so that the variation of the three total forward voltages Vd1, Vd2, and Vd3 is less than or equal to the threshold value.
  • the LD current amount control circuit 12 reduces the voltage applied to the gate of the current control element Q1, and the current flowing through the n laser diodes LD11 to LD1n. Decrease. For this reason, the total forward voltage Vd1 of the n laser diodes LD11 to LD1n decreases and the total forward voltage Vd1 approaches the total forward voltage Vd2.
  • the LD current amount control circuit 12 adjusts the current flowing through the n laser diodes LD11 to LD1n so that the variation (difference voltage) between the total forward voltage Vd1 and the total forward voltage Vd2 is equal to or less than the threshold value.
  • the LD current amount control circuit 12 increases the voltage to be applied to the gate of the current control element Q3 to generate the current flowing through the n laser diodes LD31 to LD3n. increase. Therefore, the total forward voltage Vd3 of the n laser diodes LD31 to LD3n increases and the total forward voltage Vd3 approaches the total forward voltage Vd2.
  • the LD current amount control circuit 12 adjusts the current flowing through the n laser diodes LD31 to LD3n so that the variation between the total forward voltage Vd3 and the total forward voltage Vd2 is equal to or less than the threshold value.
  • the variation of the three total forward voltages Vd1, Vd2, and Vd3 is less than the threshold value, so that a desired light output can be obtained and the voltage difference applied between the drain and source of the current control elements Q1 to Qm can be reduced. Can be small. As a result, variations in heat generation of the current control elements Q1 to Qm can be suppressed, and excessive current concentration can be prevented by providing a threshold value, thereby extending the life of the laser diodes LD11 to LD1n... LDm1 to LDmn. be able to.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light-emitting device of Example 2 of the present invention.
  • the semiconductor light emitting device of Example 2 shown in FIG. 2 further includes a light output monitor circuit 13 that monitors the light output of the laser diode group 1 in addition to the configuration shown in FIG.
  • the LD current amount control circuit 12a controls the currents of the n laser diodes so that the optical output of the laser diode group 1 from the optical output monitor circuit 13 becomes a predetermined output, and the n laser diodes in m columns. LD11 to LD1n, LD21 to LD2n... Current control elements Q1 to Qm are controlled so that the total current flowing through LDm1 to LDmn is minimized.
  • m in the m column is described as 3, for example. Note that m is not limited to 3.
  • the light output monitor circuit 13 monitors the light output of the laser diode group 1.
  • the LD current amount control circuit 12 a inputs the optical output of the laser diode group 1 from the optical output monitor circuit 13.
  • the LD current amount control circuit 12a calculates the power of the plurality of laser diodes in each column based on the total forward voltage of the plurality of laser diodes in each column from the forward voltage monitor circuit 11 and the current flowing through the plurality of laser diodes.
  • the power of the n laser diodes LD11 to LD1n is obtained by calculating the total forward voltage Vd1 and the laser diode current.
  • the power of the n laser diodes LD21 to LD2n is obtained by calculating the total forward voltage Vd2 and the laser diode current.
  • the power of the n laser diodes LD31 to LD3n is obtained by calculating the total forward voltage Vd3 and the laser diode current.
  • the LD current amount control circuit 12a controls the laser diode current so that the light output of the laser diode group 1 from the light output monitor circuit 13 becomes a predetermined output.
  • the optical output of the laser diode group 1 is equal to the total power of the power of n laser diodes LD11 to LD1n, the power of n laser diodes LD21 to LD2n, and the power of n laser diodes LD31 to LD3n. For this reason, the LD current amount control circuit 12a controls the current control elements Q1 to Q3 so that the total light output of the n laser diodes in the three rows becomes a predetermined output.
  • the LD current amount control circuit 12a keeps the optical output at a predetermined output so that the total current flowing through the n laser diodes LD11 to LD1n, LD21 to LD2n, and LD31 to LD3n is minimized.
  • Control elements Q1 to Q3 are controlled.
  • control is performed so as to achieve current distribution that achieves the highest light conversion efficiency in a state where the light output is held at a predetermined output. Can do.
  • FIG. 3 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light-emitting device of Example 3 of the present invention.
  • the semiconductor light emitting device of Example 3 shown in FIG. 3 further includes a CPU 14, a DC / DC converter 15, resistors R1 to Rn, and an amplifier 16 in addition to the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 1 shown in FIG.
  • the resistors R1 to Rn are connected to the sources of the current control elements Q1 to Qn.
  • the amplifier 16 amplifies a voltage corresponding to the current flowing through the resistor R1 and outputs the amplified voltage to the LD current amount control circuit 12b.
  • the CPU 14 corresponds to the control circuit of the present invention, and the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n detected by the forward voltage monitor circuit 11, the total forward voltage of the n laser diodes LD21 to LD2n,. Based on the total forward voltage of each of the laser diodes LDm1 to LDmn, a voltage drop signal for generating the heat generation of each of the current control elements Q1 to Qm below a predetermined value is generated, and the voltage drop signal is output to the DC / DC converter 15 To do.
  • the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n is, for example, 10V
  • the total forward voltage of the n laser diodes LD21 to LD2n is, for example, 20V
  • the total forward voltage of the n laser diodes LD31 to LD3n is, for example, 15V.
  • the DC / DC converter 15 outputs an initial voltage.
  • the initial voltage needs to drive the second line (n laser diodes LD21 to LD2n) having the highest total forward voltage. For this reason, the initial voltage is set to 21 V (because the FET operates sufficiently with a potential difference of 1 V).
  • Example 1 Thereafter, the control of Example 1 is performed to reduce the forward voltage difference of each line.
  • the forward voltage difference of line 1 (n laser diodes LD11 to LD1n) is 13V
  • the forward voltage difference of line 2 is 17V
  • the forward voltage difference of line 3 (n laser diodes LD31 to LD3n) is Assume that the voltage remains at 15V (threshold is set to 2V).
  • the voltage applied to the FET becomes 4V from 21-17V. Since the FET operates at 1V, the output of the DC / DC converter can be reduced to 18V. As a result, the voltage applied to the FETs in each line can be suppressed, and the power consumption of the entire device can be reduced.
  • the CPU 14 detects the total forward voltage of the n laser diodes LD11 to LD1n detected by the forward voltage monitor circuit 11, the total forward voltage of the n laser diodes LD21 to LD2n,..., N laser diodes LDm1 to LDmn. Is output to the LD current amount control circuit 12b.
  • FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the semiconductor light-emitting device of Example 4 of the present invention.
  • the semiconductor light emitting device of Example 4 shown in FIG. 4 is configured by combining the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 2 shown in FIG. 2 and the configuration of the semiconductor light emitting device of Example 3 shown in FIG. And
  • the semiconductor light emitting device of Example 4 configured as described above, the operation of the semiconductor light emitting device of Example 2 and the operation of the semiconductor light emitting device of Example 3 are performed. Therefore, the effect of the semiconductor light emitting device of Example 2 and the effect of the semiconductor light emitting device of Example 3 are obtained.
  • the present invention can be applied to a laser processing apparatus or the like.

Abstract

本発明は、直列に接続された複数の発光素子が複数列設けられ、複数列の複数の発光素子の一端が電源に共通に接続されて構成される発光素子群と、前記複数列に対応して設けられ、各列の前記複数の発光素子の他端に接続され、前記複数の発光素子に流れる電流を制御する複数の電流制御素子と、各列毎に、前記複数の発光素子の合計順電圧をモニタする順電圧モニタ回路と、前記順電圧モニタ回路により検出された各列毎の前記複数の発光素子の合計順電圧に基づき前記複数列の前記複数の発光素子の合計順電圧のばらつきが閾値以下になるように前記電流制御素子を制御する制御回路とを備える。

Description

半導体発光装置
　本発明は、直列に接続された複数の発光素子を並列に接続した発光素子モジュールを有する半導体発光装置に関し、特に、発光素子の電流を制御するためのトランジスタの発熱を抑制する技術に関する。
　特許文献１に記載された半導体レーザ装置では、直列に接続された複数のレーザダイオードを、さらに並列に複数列接続し、複数列の複数のレーザダイオードのアノードを共通に接続し、複数列の複数のレーザダイオードのカソードを共通に接続し、複数の並列ラインを構成している。これにより、一つの電流制御素子により各レーザダイオードに電流を供給することができる。このため、半導体レーザ装置を簡素な構成で実現できる。
　しかし、各並列ラインの複数のレーザダイオードの電位差は、同じであるが、各レーザダイオードの順電圧は、個体差を有している。このため、各並列ラインの複数のレーザダイオードに流れる電流は、異なるため、いずれかの並列ラインに電流が集中してしまう。その結果、電流が集中したレーザダイオードの寿命が短くなる。
　また、特許文献２に記載された半導体レーザ装置は、直列に接続された複数のレーザダイオード（ライン）を複数列設け、複数列のラインの一端を共通に接続し、複数列のラインの他端に電流制御素子を接続し、各電流制御素子により各ラインの電流を制御している。この場合、各ラインのレーザダイオード数を同じに設定すると、各ラインのレーザダイオードの順電圧差により電流制御素子の発熱が大きくなる。
　また、従来の公知文献として、特許文献３，４が知られている。
特開２００９－１２３８３３号公報 特開２００５－１２９８７７号公報 特開平１１－８７８１８号公報 特開平６－２７５８９５号公報
　しかしながら、特許文献２において、各ラインの順電圧差を吸収するためにレーザダイオード数を変更すると、レーザダイオードの総出力が変化してしまうという課題を有していた。
　本発明は、複数の発光素子を直列に接続しかつ並列に接続した場合に、所望の光出力を得るとともに、電流制御素子の発熱を抑制し、かつ発光素子の寿命を延ばすことができる半導体発光装置を提供する。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る半導体発光装置は、直列に接続された複数の発光素子が複数列設けられ、複数列の複数の発光素子の一端が電源に共通に接続されて構成される発光素子群と、前記複数列に対応して設けられ、各列の前記複数の発光素子の他端に接続され、前記複数の発光素子に流れる電流を制御する複数の電流制御素子と、各列毎に、前記複数の発光素子の合計順電圧をモニタする順電圧モニタ回路と、前記順電圧モニタ回路により検出された各列毎の前記複数の発光素子の合計順電圧に基づき前記複数列の前記複数の発光素子の合計順電圧のばらつきが閾値以下になるように前記電流制御素子を制御する制御回路とを備える。
　本発明によれば、制御回路が、順電圧モニタ回路により検出された各列毎の複数の発光素子の合計順電圧に基づき複数列の複数の発光素子の合計順電圧のばらつきが閾値以下になるように電流制御素子を制御するので、所望の光出力が得られるとともに、電流制御素子の発熱を抑制し、かつ発光素子の寿命を延ばすことができる。
図１は本発明の実施例１の半導体発光装置の回路構成図である。 図２は本発明の実施例２の半導体発光装置の回路構成図である。 図３は本発明の実施例３の半導体発光装置の回路構成図である。 図４は本発明の実施例４の半導体発光装置の回路構成図である。
　以下、本発明の実施形態に係る半導体発光装置を図面を参照しながら詳細に説明する。
　図１は本発明の実施例１の半導体発光装置の回路構成図である。半導体発光装置は、図１に示すように、レーザダイオード群１と、複数の電流制御素子Ｑ１～Ｑｍと、順電圧モニタ回路１１と、ＬＤ電流量制御回路１２を備える。レーザダイオード群１は、本発明の発光素子群に対応し、複数の発光素子からなる。本実実施例では、発光素子として、レーザダイオード（ＬＤ）を用いるが、発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることもできる。
　レーザダイオード群１は、直列に接続されたn個のレーザダイオードがｍ列（ＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎ）設けられて構成されており、ｍ列のn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ，…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎのアノードが電源Ｖｃｃに共通に接続されている。
　複数の電流制御素子Ｑ１～Ｑｍは、ＭＯＳＦＥＴからなり、ｍ列のn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ，…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎに対応して設けられ、各列のn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎのカソードに接続され、各列のn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎに流れる電流を制御する。
　順電圧モニタ回路１１は、n個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧、n個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧、…、n個のレーザダイオードＬＤｍ１～ＬＤｍｎの合計順電圧をモニタする。ここで、順電圧とは、レーザダイオードＬＤのアノード－カソード間の電圧である。
　ＬＤ電流量制御回路１２は、本発明の制御回路に対応し、順電圧モニタ回路１１により検出されたｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧、ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧、…、ｎ個のレーザダイオードＬＤｍ１～ＬＤｍｎの合計順電圧に基づき、ｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧、ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧、…、ｎ個のレーザダイオードＬＤｍ１～ＬＤｍｎの合計順電圧のばらつきが閾値以下になるように電流制御素子Ｑ１～Ｑｍを制御する。即ち、ＬＤ電流量制御回路１２は、合計順電圧の大きい列のｎ個のレーザダイオードの電流を減らし、合計順電圧の小さい列のｎ個のレーザダイオード電流を増やすように電流制御素子Ｑ１～Ｑｍを制御する。
　次に、このように構成された実施例１の半導体発光装置の動作を図１を参照しながら、詳細に説明する。ここでは、ｍ列のｍを例えば、３として説明する。なお、ｍは３に限定されるものではない。
　まず、順電圧モニタ回路１１は、n個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧Ｖｄ１、n個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧Ｖｄ２、n個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの合計順電圧Ｖｄ３をモニタする。ここで、例えば、Ｖｄ１＞Ｖｄ２＞Ｖｄ３であったとする。
　次に、ＬＤ電流量制御回路１２は、順電圧モニタ回路１１により検出されたn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧Ｖｄ１、n個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧Ｖｄ２、n個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの合計順電圧Ｖｄ３に基づき３つの合計順電圧Ｖｄ１，Ｖｄ２，Ｖｄ３のばらつきが閾値以下になるように電流制御素子Ｑ１～Ｑｍを制御する。
　この例では、合計順電圧Ｖｄ１が一番大きい電圧であるので、ＬＤ電流量制御回路１２は、電流制御素子Ｑ１のゲートに印加させる電圧を減少させてn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎに流れる電流を減少させる。このため、n個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧Ｖｄ１は、減少して合計順電圧Ｖｄ１が合計順電圧Ｖｄ２に近づく。
　そして、ＬＤ電流量制御回路１２は、合計順電圧Ｖｄ１と合計順電圧Ｖｄ２とのばらつき（差分電圧）が閾値以下になるようにn個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎに流れる電流を調整する。
　次に、合計順電圧Ｖｄ３が一番小さい電圧であるので、ＬＤ電流量制御回路１２は、電流制御素子Ｑ３のゲートに印加させる電圧を増加させてn個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎに流れる電流を増加させる。このため、n個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの合計順電圧Ｖｄ３は、増加して合計順電圧Ｖｄ３が合計順電圧Ｖｄ２に近づく。
　そして、ＬＤ電流量制御回路１２は、合計順電圧Ｖｄ３と合計順電圧Ｖｄ２とのばらつきが閾値以下になるようにn個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎに流れる電流を調整する。
　これにより、３つの合計順電圧Ｖｄ１，Ｖｄ２，Ｖｄ３のばらつきが、閾値以下になるので、所望の光出力が得られるとともに、電流制御素子Ｑ１～Ｑｍのドレイン－ソース間に印加される電圧差を小さくすることができる。これにより、電流制御素子Ｑ１～Ｑｍの発熱ばらつきを抑制することができるとともに、閾値を設けることで過度な電流集中を防ぐことが可能であり、レーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎの寿命を延ばすことができる。
　また、レーザダイオードの材料の違いやロットの違いによる順電圧のばらつきも抑えることができる。さらに、順電圧の大きいレーザダイオードは、光変換効率が悪いため、順電圧の小さいレーザダイオードに流す電流を増やすことで、光変換効率を向上させることができる。
　図２は本発明の実施例２の半導体発光装置の回路構成図である。図２に示す実施例２の半導体発光装置は、図１に示す構成にさらに、レーザダイオード群１の光出力をモニタする光出力モニタ回路１３を備える。
　ＬＤ電流量制御回路１２ａは、光出力モニタ回路１３からのレーザダイオード群１の光出力が所定の出力になるようにｎ個のレーザダイオードの電流を制御するとともに、ｍ列のｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ…ＬＤｍ１～ＬＤｍｎに流れる合計電流が最小になるように電流制御素子Ｑ１～Ｑｍを制御する。
　次に、このように構成された実施例２の半導体発光装置の動作を説明する。ここでは、ｍ列のｍを例えば、３として説明する。なお、ｍは３に限定されるものではない。
　まず、光出力モニタ回路１３がレーザダイオード群１の光出力をモニタする。ＬＤ電流量制御回路１２ａは、光出力モニタ回路１３からのレーザダイオード群１の光出力を入力する。
　ＬＤ電流量制御回路１２ａは、順電圧モニタ回路１１からの各列の複数のレーザダイオードの合計順電圧と複数のレーザダイオードに流れる電流とに基づき各列の複数のレーザダイオードの電力を演算する。
　n個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの電力は、合計順電圧Ｖｄ１とレーザダイオード電流とを演算して求められる。n個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの電力は、合計順電圧Ｖｄ２とレーザダイオード電流とを演算して求められる。n個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの電力は、合計順電圧Ｖｄ３とレーザダイオード電流とを演算して求められる。
　ＬＤ電流量制御回路１２ａは、光出力モニタ回路１３からのレーザダイオード群１の光出力が所定の出力になるようにレーザダイオード電流を制御する。レーザダイオード群１の光出力は、n個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの電力とn個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの電力とn個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの電力との合計電力に等しい。このため、ＬＤ電流量制御回路１２ａは、３列のn個のレーザダイオードの合計光出力が所定の出力になるように電流制御素子Ｑ１～Ｑ３を制御する。
　次に、ＬＤ電流量制御回路１２ａは、光出力を所定の出力に保持した状態で、ｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ，ＬＤ２１～ＬＤ２ｎ、ＬＤ３１～ＬＤ３ｎに流れる合計電流が最小になるように電流制御素子Ｑ１～Ｑ３を制御する。
　即ち、実施例２の半導体発光装置によれば、光出力をモニタすることにより、光出力を所定の出力に保持した状態で、最も高い光変換効率を実現する電流分配となるように制御することができる。
　図３は本発明の実施例３の半導体発光装置の回路構成図である。図３に示す実施例３の半導体発光装置は、図１に示す実施例１の半導体発光装置の構成に、さらに、ＣＰＵ１４、ＤＣ／ＤＣコンバータ１５、抵抗Ｒ１～Ｒｎ、増幅器１６を備える。
　抵抗Ｒ１～Ｒｎは、電流制御素子Ｑ１～Ｑｎのソースに接続されている。増幅器１６は、抵抗Ｒ１に流れる電流に応じた電圧を増幅してＬＤ電流量制御回路１２ｂに出力する。
　ＣＰＵ１４は、本発明の制御回路に対応し、順電圧モニタ回路１１により検出されたｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧、ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧、…、ｎ個のレーザダイオードＬＤｍ１～ＬＤｍｎの合計順電圧に基づき、各々の電流制御素子Ｑ１～Ｑｍの発熱を所定値以下にするための電圧低下信号を生成し、電圧低下信号をＤＣ／ＤＣコンバータ１５に出力する。
　ｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧を例えば、１０Ｖとし、ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧を例えば、２０Ｖとし、ｎ個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎの合計順電圧を例えば、１５Ｖとする。
　ＤＣ／ＤＣコンバータ１５は、初期電圧を出力する。初期電圧は、最も合計順電圧の高い第２ライン（ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎ）を駆動する必要がある。このため、初期電圧を２１Ｖに設定する（ＦＥＴは１Ｖの電位差で十分に動作するため）。
　その後、実施例１の制御を行い、各ラインの順電圧差を減少させる。その結果、ライン１（ｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎ）の順電圧差が１３Ｖとなり、ライン２の順電圧差が１７Ｖとなり、ライン３（ｎ個のレーザダイオードＬＤ３１～ＬＤ３ｎ）の順電圧差が１５Ｖのままになったとする（閾値を２Ｖに設定）。
　すると、ＦＥＴにかかる電圧は２１－１７Ｖで４Ｖになる。ＦＥＴは１Ｖで動作するため、ＤＣ／ＤＣコンバータの出力を１８Ｖまで低下させることができる。その結果、各ラインのＦＥＴにかかる電圧を抑制することができ、装置全体の消費電力を低減することができる。
　なお、ＣＰＵ１４は、順電圧モニタ回路１１により検出されたｎ個のレーザダイオードＬＤ１１～ＬＤ１ｎの合計順電圧、ｎ個のレーザダイオードＬＤ２１～ＬＤ２ｎの合計順電圧、…、ｎ個のレーザダイオードＬＤｍ１～ＬＤｍｎの合計順電圧をＬＤ電流量制御回路１２ｂに出力する。
　ＬＤ電流量制御回路１２ｂの動作は、図１に示すＬＤ電流量制御回路１２の動作と同一であるので、ここでは、その動作の説明は、省略する。
　図４は本発明の実施例４の半導体発光装置の回路構成図である。図４に示す実施例４の半導体発光装置は、図２に示す実施例２の半導体発光装置の構成と、図３に示す実施例３の半導体発光装置の構成とを組み合わせて構成したことを特徴とする。
　このように構成された実施例４の半導体発光装置によれば、実施例２の半導体発光装置の動作と実施例３の半導体発光装置の動作とが行われる。従って、実施例２の半導体発光装置の効果と実施例３の半導体発光装置の効果とが得られる。
　本発明は、レーザ加工装置等に適用可能である。

Claims (3)

  1. 　直列に接続された複数の発光素子が複数列設けられ、複数列の複数の発光素子の一端が電源に共通に接続されて構成される発光素子群と、
    　前記複数列に対応して設けられ、各列の前記複数の発光素子の他端に接続され、前記複数の発光素子に流れる電流を制御する複数の電流制御素子と、
    　各列毎に、前記複数の発光素子の合計順電圧をモニタする順電圧モニタ回路と、
    　前記順電圧モニタ回路により検出された各列毎の前記複数の発光素子の合計順電圧に基づき前記複数列の前記複数の発光素子の合計順電圧のばらつきが閾値以下になるように前記電流制御素子を制御する制御回路と、
    を備える半導体発光装置。
  2. 　前記発光素子群の光出力をモニタする光出力モニタ回路を備え、
    　前記制御回路は、前記光出力モニタ回路からの前記発光素子群の光出力が所定の出力になるように前記電流を制御するとともに、前記複数列の前記複数の発光素子に流れる合計電流が最小になるように前記電流制御素子を制御する請求項１記載の半導体発光装置。
  3. 　前記制御回路は、各列毎の前記複数の発光素子の合計順電圧に基づき前記複数の電流制御素子の発熱が所定値以下になるように前記複数列の複数の発光素子の一端に印加される前記電源の電圧を低下させる請求項１又は請求項２記載の半導体発光装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019125712A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 古河電気工業株式会社 発光装置、ファイバレーザ装置、および発光素子の制御方法
WO2020031414A1 (ja) * 2018-08-10 2020-02-13 オムロン株式会社 レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置
WO2020044818A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置、調整方法、センシングモジュール
US20200388987A1 (en) * 2019-06-05 2020-12-10 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Voltage controlled steered vcsel driver
US20220006258A1 (en) * 2018-11-27 2022-01-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Drive device and light emitting device
US20220006259A1 (en) * 2018-11-16 2022-01-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detection circuit, driving circuit, and light emitting device
US11579290B2 (en) 2019-06-05 2023-02-14 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited LIDAR system utilizing multiple networked LIDAR integrated circuits
US11962124B2 (en) * 2018-11-16 2024-04-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detection circuit, driving circuit, and light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317800A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Hitachi Cable Ltd レーザ制御装置及びその制御方法
JP2008130523A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ点灯回路およびそれを用いる照明器具

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3280111B2 (ja) 1993-03-18 2002-04-30 ホーヤ株式会社 レーザダイオード駆動制御回路
JP3456120B2 (ja) * 1997-09-09 2003-10-14 三菱電機株式会社 レーザダイオード用電源制御装置
JP3456121B2 (ja) 1997-09-09 2003-10-14 三菱電機株式会社 レーザダイオード用電源制御装置
US6724523B2 (en) * 2001-11-15 2004-04-20 Hrl Laboratories, Llc Remotely locatable RF power amplification system
JP2005129877A (ja) 2003-10-22 2005-05-19 Sc Technology Kk 発光ダイオードの配列、結線方法
JP2005259724A (ja) * 2004-02-10 2005-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子の順方向電圧降下測定方法及び装置、並びに光源装置及びこれを用いた感熱プリンタ
EP2094063A4 (en) * 2006-10-25 2010-12-01 Panasonic Elec Works Co Ltd LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING CIRCUIT AND LIGHTING APPARATUS USING SAID CIRCUIT
JP2009123838A (ja) 2007-11-13 2009-06-04 Denso Corp 点火コイル及びその製造方法
JP5897865B2 (ja) * 2011-10-18 2016-04-06 シャープ株式会社 発光素子駆動装置
CN202759632U (zh) * 2012-06-20 2013-02-27 伟思科技控股有限公司 一种发光二极管的驱动电路及照明装置
JP5961284B2 (ja) * 2012-12-27 2016-08-02 シャープ株式会社 電子機器
US9054485B1 (en) * 2014-09-17 2015-06-09 Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Company, Ltd. Asymmetric edge compensation of both anode and cathode terminals of a vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) diode
TWI587736B (zh) * 2016-01-05 2017-06-11 立錡科技股份有限公司 發光元件驅動電路及發光元件電路之驅動方法
JP6899695B2 (ja) * 2017-04-26 2021-07-07 ローム株式会社 発光素子駆動装置及びその駆動方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317800A (ja) * 2006-05-24 2007-12-06 Hitachi Cable Ltd レーザ制御装置及びその制御方法
JP2008130523A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄ点灯回路およびそれを用いる照明器具

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019125712A (ja) * 2018-01-17 2019-07-25 古河電気工業株式会社 発光装置、ファイバレーザ装置、および発光素子の制御方法
WO2020031414A1 (ja) * 2018-08-10 2020-02-13 オムロン株式会社 レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置
JP2020027874A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 オムロン株式会社 レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置
JP7021618B2 (ja) 2018-08-10 2022-02-17 オムロン株式会社 レーザダイオードアレイデバイスの製造方法、レーザ発光回路及び測距装置
WO2020044818A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光源装置、調整方法、センシングモジュール
US20220006259A1 (en) * 2018-11-16 2022-01-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detection circuit, driving circuit, and light emitting device
US11962124B2 (en) * 2018-11-16 2024-04-16 Sony Semiconductor Solutions Corporation Detection circuit, driving circuit, and light emitting device
US20220006258A1 (en) * 2018-11-27 2022-01-06 Sony Semiconductor Solutions Corporation Drive device and light emitting device
US20200388987A1 (en) * 2019-06-05 2020-12-10 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Voltage controlled steered vcsel driver
US11579290B2 (en) 2019-06-05 2023-02-14 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited LIDAR system utilizing multiple networked LIDAR integrated circuits
US11728621B2 (en) * 2019-06-05 2023-08-15 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Voltage controlled steered VCSEL driver

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