JP4163240B2 - 半導体発光素子の製造方法および半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
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SiO 2 層を前記第1の層の上に選択的に形成する工程と、
前記SiO 2 層の上に、前記第1の層を結晶成長の核として面内方向に窒化物系半導体をラテラル成長させて、窒化物系半導体からなる第2の層を形成する工程と、
前記基板の裏面からレーザ光を照射して前記第1の層に吸収させることにより前記基板と前記第2の層とを分離する工程と、
前記レーザ光の照射により、前記第1の層の前記第2の層とは反対の面側の窒素を解離させて、前記第1の層よりも窒素の含有率が低い窒化物系半導体からなる第3の層を形成する工程と、
前記第3の層の前記第2の層側とは反対側の面に電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法が提供される。
まず、本発明の第1の実施の形態として「リフトオフ層」を用いて基板を剥離する方法について説明する。
図2は、図1のGaN12、AlGaN層13、GaN層14の部分を表す要部拡大断面図である。本実施形態においては、AlGaN層13を成長する時にAl(アルミニウム)がもたらす格子歪によってクラック20Aが発生する。特に、Alの組成を30%以上とすることでクラック20Aは高密度化する。本発明者の実験によれば、このクラック20Aを平面的に観察すると6角形状に発生する場合が多いことが分かった。
また、その層厚は、0.1〜1μmの範囲内とすることが望ましい。Al組成がこれよりも低く、または層厚が薄いと、クラックが不足して基板11の剥離が容易でなく、また、Al組成がこれよりも高く、または層厚がこれよりも厚いと、この上に成長する窒化物系半導体層の結晶性が劣化する傾向が顕著となるからである。
図3は、「リフトオフ層」としてInGaNを用いた場合を例示する要部断面図である。すなわち、同図に示した構成においては、GaN層12とn型GaN層14との間にInGaN層21が設けられている。ここで、InGaN層21のIn(インジウム)の組成は20%前後とすることができる。InGaN層21を挿入した場合、Inの相分離が原因と考えられる高密度のピット20Cが成長中に形成される。このピット20Cは、InGaN層21を貫通する微細な孔であり、107 〜109 /cm2 程度の密度で形成される場合が多い。このピットにより、InGaN層21は物理的には脆弱な層となり、基板11を容易に剥離することができる。
図5は、図4と同様な製造方法により作製した発光ダイオードを表す概略断面図である。同図中15はハイドライドVPE法によるn型GaNコンタクト層(Siドープ、1×1018cm-3)、34はn型Al0.08Ga0.92Nクラッド層(Siドープ、1×1018cm-3、0.3μm)、35は多重量子井戸構造(MQW)活性層である。ここでMQWの井戸層は3nm厚のIn0.35Ga0.65N層からなり、バリヤ層は厚さ6nmのIn0.02Ga0.08Nから構成される。井戸層は3層である。
または、各種の治具あるい超音波などをもちいて機械的な応力ないし衝撃を与えることによっても、基板を容易且つ確実に剥離することができる。
図9は、本発明の第2実施形態の変形例を表す概略工程断面図である。本具体例においては、まず、図9(a)に示したように、サファイア基板101の上にハイドライドVPE法によりGaN層107を約1μmの層厚に成長する。
この際に、予め成長したGaN層107がエピタキシャル成長の結晶核となり、溝102を安定して塞ぐことができる。
図10は、本発明の第2実施形態の第2変形例を表す概略工程断面図である。本具体例においては、まず、図10(a)に示したように、サファイア基板101の上に溝102を形成する。具体的には、サファイア基板にダイシングカッターで例えば幅20μm、深さ20μmの溝を約40μm間隔で形成する。
図11は、本発明の第3の実施の形態を表す要部工程断面図である。
また、図12は、本実施形態により製造されるレーザ装置の一例を表す概略断面図である。
まず、図12に示したレーザ装置の構成を説明すると、同図中の符号402はp側電極、403はp型GaNコンタクト層(Mgドープ、3〜5×1019cm-3、0.01μm)、404は第1のAlGaNクラッド層(Mgドープ、3〜5×1018cm-3、0.7μm)、405はAlGaN電流狭窄層(Siドープ、3〜5×1018cm-3、0.2μm)、406は第2のAlGaNクラッド層(Mgドープ、3〜5×1018cm-3、O.1μm)、407はAlGaNオーバーフロー防止層、408はGaNガイド層(アンドープ、0.1μm)、409はMQW(In0.2 Ga0.8 N/In0.03Ga0.97N、3周期)活性層、410はGaNガイド層(Siドープ、5×1018cm-3、0.1μm)、、411はn型AlGaNクラッド層(Siドープ、3〜5×1018cm-3、0.8μm)、412はn型GaNコンタクト層(Siドープ、3〜5×1018cm-3、0.01μm)、413はGaリッチn型GaN層(Siドープ、3〜5×1018cm-3、0.01μm)、414はn側電極である。また、同図中500はヒートシンクである。
素子A 10 5 10 5 6 ×104 9 ×103 6 ×103
素子B 10 5 10 5 10 5 8 ×104 6 ×104
素子C 10 5 10 5 4 ×104 6 ×103 4 ×102
(時間)
ここで、素子Aは、ヒートシンクに接している窒化物層がGaNであるレーザ素子であり、素子Bは、ヒートシンクに接している窒化物層がAlGaN(Al組成は5%)、素子Cは、ヒートシンクに接している窒化物層がInGaN(In組成は10%)のレーザ素子である。いずれの素子構成の場合にも、素子の厚みが薄くなる方が寿命が良好であることが分かる。素子の構造によりばらつきがあるが、素子の厚みがおよそ20μmよりも薄くなると寿命が安定している。つまり、本実施形態において、素子の部分の厚みを20μm以下とすると、良好な寿命が得られる。
このようにすれば、素子の厚みが薄い場合においても、ハンドリング性が向上し生産効率を改善することができる。
図13は、本実施形態の第2の具体例を表す概略断面図である。
すなわち、同図は、サファイア基板101の上に素子構造を形成した状態を表す。同図に関しては、図12について前述した部分と同一の部分には、同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
しかる後に、サファイア基板101の裏面側からレーザ光を照射して基板101を剥離し、GaN層504、SiO2 層503、GaN層504をドライエッチングにより除去してコンタクト層412を露出させる。さらに、電極を形成してレーザ素子が完成する。
図14は、本実施形態の第3の具体例を表す概略断面図である。すなわち、同図は、サファイア基板101の上に素子構造を形成した状態を表す。まず、サファイア基板101の上にGaN層601を成長し、成長装置からウェーハを取り出し、一部分を残してSi02 膜602で表面を覆う。この後、再び成長を行う。すなわち、GaNバッファ層603、InGaN層604、n型GaN層605、n型GaN/AlGaN超格子クラッド層(GaN層:アンドープ、40nm、AlGaN層:Siドープ、3〜5×1018cm-3、40nm、全膜厚O.8μm)606、GaN光閉じ込め層(アンドープ、O.1μm)607、In0.2 Ga0.8 N/GaN−MQW活性層(アンドープ、井戸層2nm、障壁層4nm、3周期)608、GaN光閉じ込め層(アンドープ、0.1μm)609、第1のp型Al0.03Ga0.97Nクラッド層(Mgドープ、1×1018cm-3、Siドープ、1×1017cm-3、0.1μm)610、n型Al0.03Ga0.97N電流狭窄層(Siドープ、1×1018cm-3、Siドープ、1×1017cm-3、0.1μm)611をこの順に成長する。
ここで、レーザ光の波長として、GaNに対しては透明でInGaNに対して吸収率が高い波長を用いることにより、InGaN層604にレーザ光を吸収させて電界によりInGaNが分解され、サファイア基板101とともにGaN層601、Si02 膜602およびGaNバッファ層603を剥離することができる。
13 AlGaN層
14 GaN層
15 GaN層
16 多層構造部
17 治具
18 p側電極
19 n側電極
20A クラック
20B 空隙
20C ピット
21 InGaN層
24 n型Al0.08Ga0.92Nクラッド層
25 GaN光導波層
26 多重量子井戸構造からなる活性層部
27 GaN光導波層
28 p型Al0.08Ga0.92Nクラッド層
29 n型InGaNからなる電流狭窄層
30 p型GaNコンタクト層
31 p側電極
32 n側電極
34 n型Al0.08Ga0.92Nクラッド層
35 多重量子井戸構造(MQW)活性層
36 p型Al0.08Ga0.92Nクラッド層
37 p型GaNコンタクト層
38 p側電極
39 n側電極
40 チップキャリヤ
101 サファイア基板
102 空隙
103 GaNエピタキシャル層
104 多結晶化したGaN
106 素子構造
107 GaN層
108 マスク層
206 n型クラッド層
207 GaN光閉じ込め層
208 InO.2 GaO.8 N/GaN−MQW活性層
209 GaN光閉じ込め層
210 第1のp型Al0.03Ga0.97Nクラッド層
211 n型Al0.03Ga0.97N電流狭窄層
212 第2のp型Al0.03Ga0.97Nクラッド層
213 p型GaNコンタクト層
240 保護膜
250 n側電極
260 p側電極
300 ヒートシンク
401 素子構造部
402 p側電極
403 p型GaNコンタクト層
404 第1のAlGaNクラッド層
405 AlGaN電流狭窄層
406 第2のAlGaNクラッド層
407 AlGaNオーバーフロー防止層
408 GaNガイド層
409 MQW活性層
410 GaNガイド層
411 n型AlGaNクラッド層
412 n型GaNコンタクト層
413 Gaリッチn型GaN層
414 n側電極
500 ヒートシンク
601 GaN層
602 Si02 膜
603 GaNパツファ層
604 InGaN層
605 n型GaN層
606 n型GaNクラッド層
607 GaN光閉じ込め層
608 活性層
609 GaN光閉じ込め層
610 第1のp型Al0.03Ga0.97Nクラッド層
611 n型Al0.03Ga0.97N電流狭窄層
612 第2のp型Al0.03Ga0.97Nクラッド層
613 n型GaNコンタクト層
700 スタック型レーザ
701 レーザ素子
702 ヒートシンク
703 電極
704 ヒートシンク
710 電極
720 電極
Claims (2)
- 基板上に前記基板を構成する材料よりも小さいバンドギャップを有する窒化物系半導体からなる第1の層を形成する工程と、
SiO 2 層を前記第1の層の上に選択的に形成する工程と、
前記SiO 2 層の上に、前記第1の層を結晶成長の核として面内方向に窒化物系半導体をラテラル成長させて、窒化物系半導体からなる第2の層を形成する工程と、
前記基板の裏面からレーザ光を照射して前記第1の層に吸収させることにより前記基板と前記第2の層とを分離する工程と、
前記レーザ光の照射により、前記第1の層の前記第2の層とは反対の面側の窒素を解離させて、前記第1の層よりも窒素の含有率が低い窒化物系半導体からなる第3の層を形成する工程と、
前記第3の層の前記第2の層側とは反対側の面に電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
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