JP2002319176A - 光学ピックアップ装置 - Google Patents
光学ピックアップ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数個の半導体レーザ素子を備えたマルチビ
ーム半導体レーザ装置を光源とし、しかし光の利用効率
が高い光ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 本光学ピックアップ装置４０は、ＤＶＤ
及びＣＤ−Ｒ／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピックア
ップ装置であり、２波長半導体レーザ装置４２と、光学
系４４とを備えている。半導体レーザ装置は、ＣＤ−Ｒ
／ＲＷ用半導体レーザ素子４６と、ＤＶＤ用半導体レー
ザ素子４８とを有する。素子４６のレーザストライプ
は、光学系４４の光軸方向に延在し、素子４８のレーザ
ストライプは、出射端面に近づくにつれて、素子４６の
レーザストライプに対して接近するように、素子４６と
素子４８とが配置されている。光軸補正板５０は、素子
４８のレーザ光が光軸補正板５０に入射し、光軸補正板
５０から出射する際の出射光路を、素子４６のレーザ光
が光軸補正板５０から出射する際の出射光路に一致させ
ることができる。
ーム半導体レーザ装置を光源とし、しかし光の利用効率
が高い光ピックアップ装置を提供する。 【解決手段】 本光学ピックアップ装置４０は、ＤＶＤ
及びＣＤ−Ｒ／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピックア
ップ装置であり、２波長半導体レーザ装置４２と、光学
系４４とを備えている。半導体レーザ装置は、ＣＤ−Ｒ
／ＲＷ用半導体レーザ素子４６と、ＤＶＤ用半導体レー
ザ素子４８とを有する。素子４６のレーザストライプ
は、光学系４４の光軸方向に延在し、素子４８のレーザ
ストライプは、出射端面に近づくにつれて、素子４６の
レーザストライプに対して接近するように、素子４６と
素子４８とが配置されている。光軸補正板５０は、素子
４８のレーザ光が光軸補正板５０に入射し、光軸補正板
５０から出射する際の出射光路を、素子４６のレーザ光
が光軸補正板５０から出射する際の出射光路に一致させ
ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学ピックアップ
装置に関し、更に詳細には、マルチビーム半導体レーザ
装置を光源として備えた、光の利用効率の高い光学ピッ
クアップ装置に関するものである。
装置に関し、更に詳細には、マルチビーム半導体レーザ
装置を光源として備えた、光の利用効率の高い光学ピッ
クアップ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体の記録・再生装置では、複数
種の光記録媒体の記録・再生を行うことができるように
しているものが多い。例えば、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶ
Ｄの双方の記録・再生を行うことができる光記録媒体の
記録・再生装置がある。ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶＤの記
録・再生を行う記録・再生装置では、光学ピックアップ
装置の光源として、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶＤの規格に
適合する二つの波長のレーザ光をそれぞれ出射する２個
の半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置が
使用されている。
種の光記録媒体の記録・再生を行うことができるように
しているものが多い。例えば、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶ
Ｄの双方の記録・再生を行うことができる光記録媒体の
記録・再生装置がある。ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶＤの記
録・再生を行う記録・再生装置では、光学ピックアップ
装置の光源として、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ及びＤＶＤの規格に
適合する二つの波長のレーザ光をそれぞれ出射する２個
の半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置が
使用されている。
【０００３】上述した２波長半導体レーザ装置１０は、
図２に示すように、波長がそれぞれ異なる２個の半導体
レーザ素子１２Ａ、Ｂを共通基板１３上に備えていて、
構造上及び製作上の制約から、半導体レーザ素子１２
Ａ、Ｂは、レーザストライプ１４Ａ、Ｂ、つまり発光点
間隔が１２０μｍ〜になるように配置されている。従っ
て、光学ピックアップ装置の光学系が一つの系統で構成
されていて、例えば一方の半導体レーザ素子１２Ａのレ
ーザストライプ１４Ａから出射されるレーザ光に整合す
るように、光学系の光軸が配置されていると、他方の半
導体レーザ素子１２Ｂのレーザストライプは光学系の光
軸からずれることになる。この結果、半導体レーザ素子
１２Ｂから出射されたレーザ光の一部は、光学系に入射
することができなくなり、無駄に放散する。従って、２
波長半導体レーザ装置からの光出力の全てを有効に利用
していることにはならなくなり、光の利用効率が低くな
る。
図２に示すように、波長がそれぞれ異なる２個の半導体
レーザ素子１２Ａ、Ｂを共通基板１３上に備えていて、
構造上及び製作上の制約から、半導体レーザ素子１２
Ａ、Ｂは、レーザストライプ１４Ａ、Ｂ、つまり発光点
間隔が１２０μｍ〜になるように配置されている。従っ
て、光学ピックアップ装置の光学系が一つの系統で構成
されていて、例えば一方の半導体レーザ素子１２Ａのレ
ーザストライプ１４Ａから出射されるレーザ光に整合す
るように、光学系の光軸が配置されていると、他方の半
導体レーザ素子１２Ｂのレーザストライプは光学系の光
軸からずれることになる。この結果、半導体レーザ素子
１２Ｂから出射されたレーザ光の一部は、光学系に入射
することができなくなり、無駄に放散する。従って、２
波長半導体レーザ装置からの光出力の全てを有効に利用
していることにはならなくなり、光の利用効率が低くな
る。
【０００４】半導体レーザ装置１０が光ディスクから情
報を読み出す際にのみ使用される読みだし専用の光学ピ
ックアップ装置の光源であれば、出力、つまり消費電力
が小さいので、光の利用効率をそれほど重要視する必要
がない。つまり、１２０μｍ〜程度の発光点間隔がある
ために、光利用効率が低下しても、光学ピックアップ装
置の電力対光出力特性にとって、さしたる問題とはなら
ない。
報を読み出す際にのみ使用される読みだし専用の光学ピ
ックアップ装置の光源であれば、出力、つまり消費電力
が小さいので、光の利用効率をそれほど重要視する必要
がない。つまり、１２０μｍ〜程度の発光点間隔がある
ために、光利用効率が低下しても、光学ピックアップ装
置の電力対光出力特性にとって、さしたる問題とはなら
ない。
【０００５】ところで、最近、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８
０ｎｍ帯半導体レーザ素子とＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯の
半導体レーザ素子とを用いたドライブが要求されるよう
になっていて、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の半導体レーザ素子と
ＤＶＤ用の半導体レーザ素子とを同じ基板上にモノリシ
ックに形成した２波長半導体レーザ装置が開発されてい
る。ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用半導体レーザ素子は、光ディスク
の書き込みのために大きな光出力が要求されるので、光
の利用効率を向上させることが求められている。従っ
て、発光点間隔は、限りなく短いことが好ましい。
０ｎｍ帯半導体レーザ素子とＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯の
半導体レーザ素子とを用いたドライブが要求されるよう
になっていて、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の半導体レーザ素子と
ＤＶＤ用の半導体レーザ素子とを同じ基板上にモノリシ
ックに形成した２波長半導体レーザ装置が開発されてい
る。ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用半導体レーザ素子は、光ディスク
の書き込みのために大きな光出力が要求されるので、光
の利用効率を向上させることが求められている。従っ
て、発光点間隔は、限りなく短いことが好ましい。
【０００６】しかし、上述のように、構造上及び製作上
の制約から、レーザストライプの間隔、つまり発光点間
隔を１２０μｍ以下にすることは難しい。そこで、発光
点間隔を補償する補償機構が提案されている。ここで、
図３を参照して、補償機構を備えた従来の光学ピックア
ップ装置の構成を説明する。光学ピックアップ装置２０
は、図３に示すように、２個の半導体レーザ素子２２
Ａ、Ｂを備えた２波長半導体レーザ装置２４と、出射方
向に沿って、順次、設けられた２個の第１の光軸補正板
２６及び第２の光軸補正板２８からなる補償機構を備え
て、半導体レーザ素子２２Ａの光軸を補正している。光
学ピックアップ装置２０は、更に、偏光ビームスプリッ
タ３０、対物レンズ３２、及び光検出器としてフォトダ
イオード３４を備えていて、光ディスク３６上にレーザ
光を照射し、反射光を偏光ビームスプリッタ３０でスプ
リットしてフォトダイオード３４で受光する。第１の光
軸補正板２６は、半導体レーザ素子２２Ａからの第１の
レーザ光を半導体レーザ素子２２Ｂからの第２のレーザ
光に向かって接近させ、第２の光軸補正板２８は、接近
した第１のレーザ光を第２のレーザ光に合波させてい
る。
の制約から、レーザストライプの間隔、つまり発光点間
隔を１２０μｍ以下にすることは難しい。そこで、発光
点間隔を補償する補償機構が提案されている。ここで、
図３を参照して、補償機構を備えた従来の光学ピックア
ップ装置の構成を説明する。光学ピックアップ装置２０
は、図３に示すように、２個の半導体レーザ素子２２
Ａ、Ｂを備えた２波長半導体レーザ装置２４と、出射方
向に沿って、順次、設けられた２個の第１の光軸補正板
２６及び第２の光軸補正板２８からなる補償機構を備え
て、半導体レーザ素子２２Ａの光軸を補正している。光
学ピックアップ装置２０は、更に、偏光ビームスプリッ
タ３０、対物レンズ３２、及び光検出器としてフォトダ
イオード３４を備えていて、光ディスク３６上にレーザ
光を照射し、反射光を偏光ビームスプリッタ３０でスプ
リットしてフォトダイオード３４で受光する。第１の光
軸補正板２６は、半導体レーザ素子２２Ａからの第１の
レーザ光を半導体レーザ素子２２Ｂからの第２のレーザ
光に向かって接近させ、第２の光軸補正板２８は、接近
した第１のレーザ光を第２のレーザ光に合波させてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の補償機
構を備えた光学ピックアップ装置２４は、レーザ光が２
個の光軸補正板２６、２８を通過することになるので、
光軸補正板２６、２８の光透過率で決まる光軸補正板２
６、２８での光吸収により、光の利用効率が低下する。
また、光軸補正板が２個必要になるので、それだけ、光
学ピックアップ装置の構成が複雑になり、コストも嵩む
という問題もある。
構を備えた光学ピックアップ装置２４は、レーザ光が２
個の光軸補正板２６、２８を通過することになるので、
光軸補正板２６、２８の光透過率で決まる光軸補正板２
６、２８での光吸収により、光の利用効率が低下する。
また、光軸補正板が２個必要になるので、それだけ、光
学ピックアップ装置の構成が複雑になり、コストも嵩む
という問題もある。
【０００８】そこで、本発明の目的は、複数個の半導体
レーザ素子を備えたマルチビーム半導体レーザ装置を光
源とし、しかも光の利用効率が高い光ピックアップ装置
を提供することである。
レーザ素子を備えたマルチビーム半導体レーザ装置を光
源とし、しかも光の利用効率が高い光ピックアップ装置
を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の光学
ピックアップ装置で、光軸補正板を１個にできれば、光
軸補正板での光吸収は１個の光軸補正板での光吸収だけ
となるので、光の利用効率は光軸補正板１個の光吸収分
だけ向上すると考えた。そして、光軸補正板に入射する
２本のレーザ光のうちのどちらか一方を予め傾けて光軸
補正板に入射させるとすれば、この傾きを補正する光軸
補正板が１個あれば、離隔した半導体レーザ素子から出
射された２本のレーザ光を１個の光軸補正板で一つのレ
ーザ光に合波することができると考え、実験により確認
して、本発明を発明するに到った。
ピックアップ装置で、光軸補正板を１個にできれば、光
軸補正板での光吸収は１個の光軸補正板での光吸収だけ
となるので、光の利用効率は光軸補正板１個の光吸収分
だけ向上すると考えた。そして、光軸補正板に入射する
２本のレーザ光のうちのどちらか一方を予め傾けて光軸
補正板に入射させるとすれば、この傾きを補正する光軸
補正板が１個あれば、離隔した半導体レーザ素子から出
射された２本のレーザ光を１個の光軸補正板で一つのレ
ーザ光に合波することができると考え、実験により確認
して、本発明を発明するに到った。
【００１０】上記目的を達成するために、本発明に係る
光学ピックアップ装置は、レーザストライプを相互に離
隔した並列配置で複数個の半導体レーザ素子を基板上に
備えるマルチビーム半導体レーザ装置からなる光源と、
少なくとも偏光ビームスプリッタを有する光学系とを備
えた光学ピックアップ装置において、複数個の半導体レ
ーザ素子うちの一の半導体レーザ素子（以下、第１の半
導体レーザ素子と言う）のレーザストライプの延長線に
直交する方向に入射面及び出射面を有する１個の光軸補
正板を偏光ビームスプリッタとマルチビーム半導体レー
ザ装置との間に備え、第１の半導体レーザ素子以外の半
導体レーザ素子（以下、第２の半導体レーザ素子と言
う）のレーザ光が、それぞれ、光軸補正板に入射し、光
軸補正板から出射する際の出射光路が、第１の半導体レ
ーザ素子のレーザ光が光軸補正板から出射する際の出射
光路に一致するようにように、第２の半導体レーザ素子
は、それぞれ、第２の半導体レーザ素子のレーザストラ
イプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプに対
して斜めにした配列で、配置されていることを特徴とし
ている。
光学ピックアップ装置は、レーザストライプを相互に離
隔した並列配置で複数個の半導体レーザ素子を基板上に
備えるマルチビーム半導体レーザ装置からなる光源と、
少なくとも偏光ビームスプリッタを有する光学系とを備
えた光学ピックアップ装置において、複数個の半導体レ
ーザ素子うちの一の半導体レーザ素子（以下、第１の半
導体レーザ素子と言う）のレーザストライプの延長線に
直交する方向に入射面及び出射面を有する１個の光軸補
正板を偏光ビームスプリッタとマルチビーム半導体レー
ザ装置との間に備え、第１の半導体レーザ素子以外の半
導体レーザ素子（以下、第２の半導体レーザ素子と言
う）のレーザ光が、それぞれ、光軸補正板に入射し、光
軸補正板から出射する際の出射光路が、第１の半導体レ
ーザ素子のレーザ光が光軸補正板から出射する際の出射
光路に一致するようにように、第２の半導体レーザ素子
は、それぞれ、第２の半導体レーザ素子のレーザストラ
イプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプに対
して斜めにした配列で、配置されていることを特徴とし
ている。
【００１１】本発明で、光軸補正板とは、色収差が大き
い材料で、波長により屈折率が異なる光学部品である。
本発明は、１個の光軸補正板で第２の半導体レーザ素子
の光軸を補正して、第１の半導体レーザ素子のレーザ光
と第２の半導体レーザ素子のレーザ光とを合波している
ので、従来の２個の光軸補正板を備えた光学ピックアッ
プ装置に比べて、光軸補正板での光吸収は、１個の光軸
補正板の光吸収分だけ少なくなる。よって、それだけ、
光の利用効率が高くなる。第２の半導体レーザ素子の個
数には、制約はなく、１個でも、２個でも、また３個以
上でも良い。また、第２の半導体レーザ素子のレーザス
トライプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプ
に対して斜めにする際の角度は、光軸補正板の仕様、第
２の半導体レーザ素子の波長等によって異なるので、実
験データ、実績データによって決める。
い材料で、波長により屈折率が異なる光学部品である。
本発明は、１個の光軸補正板で第２の半導体レーザ素子
の光軸を補正して、第１の半導体レーザ素子のレーザ光
と第２の半導体レーザ素子のレーザ光とを合波している
ので、従来の２個の光軸補正板を備えた光学ピックアッ
プ装置に比べて、光軸補正板での光吸収は、１個の光軸
補正板の光吸収分だけ少なくなる。よって、それだけ、
光の利用効率が高くなる。第２の半導体レーザ素子の個
数には、制約はなく、１個でも、２個でも、また３個以
上でも良い。また、第２の半導体レーザ素子のレーザス
トライプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプ
に対して斜めにする際の角度は、光軸補正板の仕様、第
２の半導体レーザ素子の波長等によって異なるので、実
験データ、実績データによって決める。
【００１２】複数個の半導体レーザ素子の基板上の集積
態様には制約は無く、モノリシックでもハイブリッドで
も良い。本発明は、例えば光学ピックアップ装置が、Ｄ
ＶＤ及びＣＤ−Ｒ／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピッ
クアップ装置であり、光源として設けられたマルチビー
ム半導体レーザ装置がＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯の半導体
レーザ素子とＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯半導体レ
ーザ素子を有する２波長半導体レーザ装置であり、第１
の半導体レーザ素子がＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯
半導体レーザ素子で、第２の半導体レーザ素子がＤＶＤ
用の６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子である。
態様には制約は無く、モノリシックでもハイブリッドで
も良い。本発明は、例えば光学ピックアップ装置が、Ｄ
ＶＤ及びＣＤ−Ｒ／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピッ
クアップ装置であり、光源として設けられたマルチビー
ム半導体レーザ装置がＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯の半導体
レーザ素子とＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯半導体レ
ーザ素子を有する２波長半導体レーザ装置であり、第１
の半導体レーザ素子がＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯
半導体レーザ素子で、第２の半導体レーザ素子がＤＶＤ
用の６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る光学ピックアップ装置の
実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の光学ピ
ックアップ装置の構成を示す模式図である。本実施形態
例の光学ピックアップ装置４０は、ＤＶＤ及びＣＤ−Ｒ
／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピックアップ装置であ
り、光源として設けられた２波長半導体レーザ装置４２
と、光学系４４とを備えている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る光学ピックアップ装置の
実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の光学ピ
ックアップ装置の構成を示す模式図である。本実施形態
例の光学ピックアップ装置４０は、ＤＶＤ及びＣＤ−Ｒ
／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピックアップ装置であ
り、光源として設けられた２波長半導体レーザ装置４２
と、光学系４４とを備えている。
【００１４】２波長半導体レーザ装置４２は、ＣＤ−Ｒ
／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯半導体レーザ素子４６と、ＤＶ
Ｄ用の６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子４８とを有する２
波長半導体レーザ装置である。半導体レーザ素子４６の
レーザストライプと、半導体レーザ素子４８のレーザス
トライプとは、出射端面とは反対側の端面で１２０μｍ
離隔して配置され、半導体レーザ素子４６のレーザスト
ライプは、光学系４４の光軸方向に延在し、半導体レー
ザ素子４８のレーザストライプは、出射端面に近づくに
つれて、半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対
して接近するように、半導体レーザ素子４６と半導体レ
ーザ素子４８とが配置されている。
／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯半導体レーザ素子４６と、ＤＶ
Ｄ用の６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子４８とを有する２
波長半導体レーザ装置である。半導体レーザ素子４６の
レーザストライプと、半導体レーザ素子４８のレーザス
トライプとは、出射端面とは反対側の端面で１２０μｍ
離隔して配置され、半導体レーザ素子４６のレーザスト
ライプは、光学系４４の光軸方向に延在し、半導体レー
ザ素子４８のレーザストライプは、出射端面に近づくに
つれて、半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対
して接近するように、半導体レーザ素子４６と半導体レ
ーザ素子４８とが配置されている。
【００１５】光学系４４は、半導体レーザ素子４６のレ
ーザストライプの延長線（以下、半導体レーザ素子４６
の光軸と言う）に直交する方向に入射面及び出射面を有
する光軸補正板５０と、半導体レーザ素子４６の光軸上
に、順次、配置された、偏光ビームスプリッタ５２と、
対物レンズ５４と、光検出器として設けられたフォトダ
イオード５６とを有し、レーザ光を光ディスク５８上に
照射し、反射光を偏光ビームスプリッタ５２でスプリッ
トして、フォトダイオード５６で受光する。尚、光軸補
正板５０と偏光ビームスプリッタ５２との間にコリメー
タレンズを配置することも多い。
ーザストライプの延長線（以下、半導体レーザ素子４６
の光軸と言う）に直交する方向に入射面及び出射面を有
する光軸補正板５０と、半導体レーザ素子４６の光軸上
に、順次、配置された、偏光ビームスプリッタ５２と、
対物レンズ５４と、光検出器として設けられたフォトダ
イオード５６とを有し、レーザ光を光ディスク５８上に
照射し、反射光を偏光ビームスプリッタ５２でスプリッ
トして、フォトダイオード５６で受光する。尚、光軸補
正板５０と偏光ビームスプリッタ５２との間にコリメー
タレンズを配置することも多い。
【００１６】半導体レーザ素子４８のレーザ光が、光軸
補正板５０に入射し、光軸補正板５０から出射する際の
出射光路が、半導体レーザ素子４６のレーザ光が光軸補
正板５０から出射する際の出射光路に一致するようによ
うに、半導体レーザ素子４８は、図１に示すように、半
導体レーザ素子４８のレーザストライプを半導体レーザ
素子４６のレーザストライプに対して後述の角度θで斜
めにした配列で配置されている。
補正板５０に入射し、光軸補正板５０から出射する際の
出射光路が、半導体レーザ素子４６のレーザ光が光軸補
正板５０から出射する際の出射光路に一致するようによ
うに、半導体レーザ素子４８は、図１に示すように、半
導体レーザ素子４８のレーザストライプを半導体レーザ
素子４６のレーザストライプに対して後述の角度θで斜
めにした配列で配置されている。
【００１７】半導体レーザ素子４８のレーザストライプ
が半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対して所
定の角度θで斜めにした配列で配置されていると、光軸
補正板５０は、図１に示すように、半導体レーザ素子４
８のレーザ光が光軸補正板５０に入射し、光軸補正板５
０から出射する際の出射光路を、半導体レーザ素子４６
のレーザ光が光軸補正板５０から出射する際の出射光路
に一致させることができる。本実施形態例では、半導体
レーザ素子４６の出力が半導体レーザ素子４８に比べて
高いので、半導体レーザ素子４６の光軸に直交する方向
に光軸補正板５０を配置して、光軸補正板５０内の光路
を短くし、光軸補正板５０での光吸収を減少させること
により、半導体レーザ素子４８の光軸に直交する方向に
光軸補正板５０を配置する配列に比べて、光学ピックア
ップ装置４０の光の利用効率が高くなる。
が半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対して所
定の角度θで斜めにした配列で配置されていると、光軸
補正板５０は、図１に示すように、半導体レーザ素子４
８のレーザ光が光軸補正板５０に入射し、光軸補正板５
０から出射する際の出射光路を、半導体レーザ素子４６
のレーザ光が光軸補正板５０から出射する際の出射光路
に一致させることができる。本実施形態例では、半導体
レーザ素子４６の出力が半導体レーザ素子４８に比べて
高いので、半導体レーザ素子４６の光軸に直交する方向
に光軸補正板５０を配置して、光軸補正板５０内の光路
を短くし、光軸補正板５０での光吸収を減少させること
により、半導体レーザ素子４８の光軸に直交する方向に
光軸補正板５０を配置する配列に比べて、光学ピックア
ップ装置４０の光の利用効率が高くなる。
【００１８】半導体レーザ素子４８のレーザストライプ
が半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対して斜
めになるように半導体レーザ素子４８を配置するために
は、半導体レーザ素子４８のレーザストライプをレーザ
端面に対して所定の角度θで斜めになるようにする。
が半導体レーザ素子４６のレーザストライプに対して斜
めになるように半導体レーザ素子４８を配置するために
は、半導体レーザ素子４８のレーザストライプをレーザ
端面に対して所定の角度θで斜めになるようにする。
【００１９】半導体レーザ素子４８の活性層の屈折率を
ｎ2 とし、レーザストライプの傾きをθ2 とし、空気の
屈折率をｎ1 とすると、出射端面は空気に露出している
ので、出射角θ1 は、ｓｉｎθ1 ／ｓｉｎθ2 ＝ｎ2 ／
ｎ1 の関係から、レーザストライプの傾きを１°ずらす
だけで、半導体レーザ素子４８からのレーザ光は、半導
体レーザ素子４６からのレーザ光に対して３°ほどずれ
た方向に出射されることになる。つまり、出射端面に対
してレーザストライプを垂直方向から１°ずらすこと
で、３°内側に寄った方向にレーザ光が出射される。
ｎ2 とし、レーザストライプの傾きをθ2 とし、空気の
屈折率をｎ1 とすると、出射端面は空気に露出している
ので、出射角θ1 は、ｓｉｎθ1 ／ｓｉｎθ2 ＝ｎ2 ／
ｎ1 の関係から、レーザストライプの傾きを１°ずらす
だけで、半導体レーザ素子４８からのレーザ光は、半導
体レーザ素子４６からのレーザ光に対して３°ほどずれ
た方向に出射されることになる。つまり、出射端面に対
してレーザストライプを垂直方向から１°ずらすこと
で、３°内側に寄った方向にレーザ光が出射される。
【００２０】光軸補正板５０は、光軸補正板５０に直交
して入射する半導体レーザ素子４６からのレーザ光と、
３°だけ半導体レーザ素子４６からのレーザ光に向かう
方向、つまりθ＝８７°の角度で光軸補正板５０に入射
する半導体レーザ素子４８からのレーザ光を合波して一
つのレーザ光として出射する。
して入射する半導体レーザ素子４６からのレーザ光と、
３°だけ半導体レーザ素子４６からのレーザ光に向かう
方向、つまりθ＝８７°の角度で光軸補正板５０に入射
する半導体レーザ素子４８からのレーザ光を合波して一
つのレーザ光として出射する。
【００２１】本実施形態例では、モノリシック集積の２
波長半導体レーザ装置を例に挙げて説明したが、個別に
作製した、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用７８０ｎｍ帯半導体レーザ
素子とＤＶＤ用６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子とをハイ
ブリッド集積した２波長半導体レーザ装置にも適用でき
る。この場合も、上述のように、６５０ｎｍ帯半導体レ
ーザ素子を例えば３°傾けて配置する。本実施形態例で
は、２波長半導体レーザ装置を例にして説明したが、半
導体レーザ素子の個数には制約はなく、半導体レーザ素
子が３個以上であって、本実施形態例と同じように、１
枚の光軸補正板で半導体レーザ素子の光軸補正を行うこ
とができる。
波長半導体レーザ装置を例に挙げて説明したが、個別に
作製した、ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用７８０ｎｍ帯半導体レーザ
素子とＤＶＤ用６５０ｎｍ帯半導体レーザ素子とをハイ
ブリッド集積した２波長半導体レーザ装置にも適用でき
る。この場合も、上述のように、６５０ｎｍ帯半導体レ
ーザ素子を例えば３°傾けて配置する。本実施形態例で
は、２波長半導体レーザ装置を例にして説明したが、半
導体レーザ素子の個数には制約はなく、半導体レーザ素
子が３個以上であって、本実施形態例と同じように、１
枚の光軸補正板で半導体レーザ素子の光軸補正を行うこ
とができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、第２の半導体レーザ素
子のレーザ光が、光軸補正板に入射し、光軸補正板から
出射する際の出射光路が、第１の半導体レーザ素子のレ
ーザ光が光軸補正板から出射する際の出射光路に一致す
るようにように、第２の半導体レーザ素子のレーザスト
ライプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプに
対して斜めにした配列で、第２の半導体レーザ素子を配
置することにより、第１及び第２の半導体レーザ素子か
らのレーザ光を１個の光軸補正板で合波することができ
る。これにより、光学ピックアップ装置の光の利用効率
を最大限にし、簡単な光学系でコンボドライブ用の光学
ピックアップ装置を実現することができる。
子のレーザ光が、光軸補正板に入射し、光軸補正板から
出射する際の出射光路が、第１の半導体レーザ素子のレ
ーザ光が光軸補正板から出射する際の出射光路に一致す
るようにように、第２の半導体レーザ素子のレーザスト
ライプを第１の半導体レーザ素子のレーザストライプに
対して斜めにした配列で、第２の半導体レーザ素子を配
置することにより、第１及び第２の半導体レーザ素子か
らのレーザ光を１個の光軸補正板で合波することができ
る。これにより、光学ピックアップ装置の光の利用効率
を最大限にし、簡単な光学系でコンボドライブ用の光学
ピックアップ装置を実現することができる。
【図１】実施形態例の光学ピックアップ装置の構成を示
す模式図である。
す模式図である。
【図２】２波長半導体レーザ装置の構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来の光学ピックアップ装置の構成を示す模式
図である。
図である。
１０……従来の２波長半導体レーザ装置、１２……半導
体レーザ素子、１４……レーザストライプ、２０……光
学ピックアップ装置、２２……半導体レーザ素子、２４
……２波長半導体レーザ装置、２６……第１の光軸補正
板、２８……第２の光軸補正板、３０……偏光ビームス
プリッタ、３２……対物レンズ、３４……フォトダイオ
ード、３６……光ディスク、４０……実施形態例の光学
ピックアップ装置、４２……２波長半導体レーザ装置、
４４……光学系、４６……ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎ
ｍ帯半導体レーザ素子、４８……ＤＶＤ用の６５０ｎｍ
帯半導体レーザ素子、５０……光軸補正板、５２……偏
光ビームスプリッタ、５４……対物レンズ、５６……フ
ォトダイオード、５８……光ディスク。
体レーザ素子、１４……レーザストライプ、２０……光
学ピックアップ装置、２２……半導体レーザ素子、２４
……２波長半導体レーザ装置、２６……第１の光軸補正
板、２８……第２の光軸補正板、３０……偏光ビームス
プリッタ、３２……対物レンズ、３４……フォトダイオ
ード、３６……光ディスク、４０……実施形態例の光学
ピックアップ装置、４２……２波長半導体レーザ装置、
４４……光学系、４６……ＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の７８０ｎ
ｍ帯半導体レーザ素子、４８……ＤＶＤ用の６５０ｎｍ
帯半導体レーザ素子、５０……光軸補正板、５２……偏
光ビームスプリッタ、５４……対物レンズ、５６……フ
ォトダイオード、５８……光ディスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D119 AA41 AA43 BA01 EC47 FA05 FA08 FA17 FA35 5F073 AB06 AB25 BA05
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザストライプを相互に離隔した並列
配置で複数個の半導体レーザ素子を基板上に備えるマル
チビーム半導体レーザ装置からなる光源と、少なくとも
偏光ビームスプリッタを有する光学系とを備えた光学ピ
ックアップ装置において、 複数個の半導体レーザ素子うちの一の半導体レーザ素子
（以下、第１の半導体レーザ素子と言う）のレーザスト
ライプの延長線に直交する方向に入射面及び出射面を有
する１個の光軸補正板を偏光ビームスプリッタとマルチ
ビーム半導体レーザ装置との間に備え、 第１の半導体レーザ素子以外の半導体レーザ素子（以
下、第２の半導体レーザ素子と言う）のレーザ光が、そ
れぞれ、光軸補正板に入射し、光軸補正板から出射する
際の出射光路が、第１の半導体レーザ素子のレーザ光が
光軸補正板から出射する際の出射光路に一致するように
ように、第２の半導体レーザ素子は、それぞれ、第２の
半導体レーザ素子のレーザストライプを第１の半導体レ
ーザ素子のレーザストライプに対して斜めにした配列
で、配置されていることを特徴とする光学ピックアップ
装置。 - 【請求項２】 複数個の半導体レーザ素子が、モノリシ
ック又はハイブリッドに基板上に集積されていることを
特徴とする請求項１に記載の光学ピックアップ装置。 - 【請求項３】 光学ピックアップ装置が、ＤＶＤ及びＣ
Ｄ−Ｒ／ＲＷ双方の記録・再生用の光学ピックアップ装
置であり、マルチビーム半導体レーザ装置がＤＶＤ用の
６５０ｎｍ帯の半導体レーザ素子とＣＤ−Ｒ／ＲＷ用の
７８０ｎｍ帯半導体レーザ素子とを有する２波長半導体
レーザ装置であり、第１の半導体レーザ素子がＣＤ−Ｒ
／ＲＷ用の７８０ｎｍ帯半導体レーザ素子で、第２の半
導体レーザ素子がＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯半導体レーザ
素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光
学ピックアップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001122752A JP2002319176A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 光学ピックアップ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001122752A JP2002319176A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 光学ピックアップ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002319176A true JP2002319176A (ja) | 2002-10-31 |
Family
ID=18972413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001122752A Pending JP2002319176A (ja) | 2001-04-20 | 2001-04-20 | 光学ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002319176A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269987A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| JP2009238848A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| US8540376B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-09-24 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| WO2014175541A1 (ko) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 한국화학연구원 | 광대역 필터를 이용하여 빛의 파장을 선택할 수 있는 단색화 장치 |
-
2001
- 2001-04-20 JP JP2001122752A patent/JP2002319176A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269987A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| JP4671728B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2011-04-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
| JP2009238848A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| US8540376B2 (en) | 2009-09-18 | 2013-09-24 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| US8727541B2 (en) | 2009-09-18 | 2014-05-20 | Seiko Epson Corporation | Projector |
| WO2014175541A1 (ko) * | 2013-04-25 | 2014-10-30 | 한국화학연구원 | 광대역 필터를 이용하여 빛의 파장을 선택할 수 있는 단색화 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20040317 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040604 |