KR100568322B1 - 다파장 반도체 레이저 소자 - Google Patents

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KR100568322B1
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박종익
김유승
문기원
오혜란
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삼성전기주식회사
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Abstract

고출력 LD에 충분한 공진 기장을 제공하면서도 저출력 LD의 동작 전류를 절감시킬 수 있는 다파장 반도체 레이저 소자를 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 레이저 소자는, 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판과; 상기 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제1 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 고출력 파장의 LD부와; 상기 기판의 제2 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 저출력 파장의 LD부를 포함하고, 상기 제1 및 제2 리지부는 대향하는 양단면 사이에 연장되며, 상기 제1 리지부는 2개 이상의 절곡부를 갖는 꺽인 형태로 이루어지고 상기 제2 리지부는 직선형으로 이루어진다.
반도체 레이저 소자, 다파장, 2파장, 리지

Description

다파장 반도체 레이저 소자{MULTI-WAVELENGTH SEMICONDUCTOR LASER DEVICE}
도 1a 및 도 1b는 각각 종래의 다파장 반도체 레이저 소자의 단면도 및 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 다파장 반도체 레이저 소자의 평면도를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다파장 반도체 레이저 소자의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 부분 평면도이다.
도 5a 및 도 5b는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 부분 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 또다른 실시형태에 따른 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 부분 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11: 기판 12: n형 클래드층
13: 활성층 14: p형 하부 클래드층
15: 식각 정지층 40, 41: 미러부
130a, 130b, 131a, 131b: 리지부
본 발명은 반도체 레이저 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고출력 반도체 레이저 다이오드부에 충분한 공진 기장을 제공하면서 저출력 반도체 레이저 다이오드부의 동작 전류를 절감시킬 수 있는 다파장 반도체 레이저 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 레이저 소자는 전류 주입을 위한 p형 클래드층 및 n형 클래드층과, 이 클래드층들 사이에서 실질적인 광자의 유도방출이 일어나는 활성층을 구비한다. 이러한 반도체 레이저 소자는 상부 클래드층을 리지 구조로 형성시킴으로써 향상된 전류 주입 효율을 얻는 동시에 상기 리지가 활성층에서 발생한 빛의 도파로(wave guide)가 되도록 할 수 있다.
최근에, CD-RW 와 DVD-RW의 보급과 더불어 2파장 또는 여러 파장의 레이저 광을 발진할 수 있는 다파장 반도체 레이저 소자가 요구되고 있다. 특히, 2파장을 포함한 다파장 반도체 레이저 소자는 비교적 저밀도인 CD 재생기와 고밀도인 DVD 재생기를 동시에 구현하기 위한 광원으로서 적극적으로 채용되고 있다. 다파장 반도체 레이저 소자로는, 780nm 파장의 출력을 갖는 반도체 레이저 다이오드(laser diode; LD)와 650nm 파장의 출력을 갖는 반도체 레이저 다이오드를 단일 기판 상에 집적시킨 소자 등이 있다. 이러한 다파장 반도체 레이저 소자의 경우, 통상적으로 각 파장 별로 레이저 광의 최대 출력이 서로 다르게 된다.
그러나, 종래의 다파장 반도체 레이저 소자의 경우, 각 파장의 도파로가 동일하게 직선 구조로 형성되어 있어 저출력이 필요한 LD부의 공진 기장은 고출력이 필요한 LD부의 공진 기장과 같게 된다. 따라서, 저출력이 필요한 LD부의 동작 전류가 높아지는 문제가 발생한다.
도 1a 및 도 1b는 각각 종래의 다파장 반도체 레이저 소자의 단면도 및 평면도를 나타낸다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 다파장(여기서는 2파장) 반도체 레이저 소자는, 동일한 기판(11) 상에 형성된 제1 LD부(A)와 제2 LD부(B)를 포함한다. 제1 LD부(A) 및 제2 LD부(B)는 소정의 소자 분리 영역(I)에 의해 전기적, 광학적으로 분리되며, 서로 다른 출력을 갖는 제1 및 제2 파장을 각각 출력하도록 구성된다. 예를 들어, 제1 LD부는 AlGaInP계 반도체로 이루어진 것으로, 고출력의 650nm 파장 레이저광을 출력하고, 제2 LD부는 AlGaAs계 반도체로 이루어진 것으로, 상대적으로 저출력인 780 nm 파장의 레이저광을 출력하도록 구성될 수 있다.
각각의 LD부(A, B)는, 동일 기판(11) 상에 제1 도전형 클래드층(12a, 12b), 활성층(13a, 13b), 제2 도전형 하부 클래드층(14a, 14b) 및 식각 정지층(15a, 15b)이 순차적으로 적층되어 있고 그 위에 제2 도전형 상부 클래드층(16a, 16b), 제2 도전형 캡층(17a, 17b) 및 제2 도전형 콘택층(18a, 18b)이 리지부(30a, 30b)를 이루는 구조로 되어 있다. 상기 리지부(30a, 30b) 주위에는 전류 분산을 차단하기 위한 전류 차단층(21a, 21b)이 형성되어 있다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 레이저 광의 도파로 역할을 하는 리지부(30a, 30b)는 제1 LD부(A) 및 제2 LD부(B) 모두에서 동일하게 직선 구조로 되어 있다. 따라서, 공진 기장의 길이는 양쪽 LD부(A, B)에서 동일한 크기(L)를 갖게 된다. 그런데, 고출력의 경우 전류밀도 증가로 인해 이득 포화(gain saturation) 및 CLD(catastrophic optical damage) 등의 현상이 발생할 수 있기 때문에, 이러한 현상을 억제하여 주기위해 고출력 LD(제1 LD)의 공진 기장을 적어도 600㎛ 이상으로 길게 할 필요가 있다. 따라서, 제1 LD부(A)가 큰 공진 기장(L)을 갖게 됨으로써, 저출력 LD인 제2 LD부(B)의 공진 기장도 불필요하게 큰 공진 기장(L)을 갖게 된다. 저출력 LD부(B)의 공진 기장이 필요 이상으로 길게 되면, 이에 따라 저출력부의 동작 전류는 필요 이상으로 커지게 된다.
또한, 고출력에서의 COD 등의 발생을 억제하기 위해 공진 기장(L)을 길게 함으로써, 한 웨이퍼당 얻을 수 있는 다파장 반도체 레이저 소자의 갯수가 줄어들게 된다. 이를 해결하기 위해 반도체 레이저 소자의 폭(W)을 줄이는 방법을 사용하고 있다. 그러나, 폭(W)을 줄인다 하더라도, 반도체 레이저 소자의 길이(L)는 여전히 줄어들지 않기 때문에 생산성을 크게 향상시킬 수 없으며 , 이 경우 좁아진 폭으로 인해 후속 공정의 공정 마진이 나빠지고, 기계적 손상이 발생하기 쉽게 된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 고출력 LD부와 저출력 LD부가 단일 기판 상에 집적되어 있는 다파장 반도체 레이저 다이오드에 있어서, 저출력 LD부의 동작 전류를 절감할 수 있고 유효 공진 기장을 유지하면서도 소자 크기를 줄여주어 생산성을 향상시킬 수 있는 다파장 반도체 레이저 다이오드를 제공하는 데에 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 다파장 반도체 레이저 소자는, 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판과; 상기 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제1 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 고출력 파장의 LD부와; 상기 기판의 제2 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 저출력 파장의 LD부를 포함하고, 상기 제1 리지부 및 제2 리지부는 대향하는 양단면 사이에 연장되며, 상기 제1 리지부는 2개 이상의 절곡부를 갖는 꺽인 형태로 이루어지고 상기 제2 리지부는 직선형으로 이루어진다.
바람직하게는, 상기 제1 리지부가 상기 절곡부에서 꺽인 각도는 20°내지 160°인 것이 바람직하다. 또한, 상기 절곡부의 형태로는, 상기 절곡부의 양측 중 적어도 하나는 일정한 곡률을 갖는 곡선 형태로 될 수 있다. 상기 제1 리지부는 상기 절곡부에 의해 중첩된 부분을 가질 수 있다. 상기 제1 리지부가 이러한 중첩된 부분을 가질 경우, 상기 리지부 형성시 충분한 공정 마진을 확보하기 위하여, 상기 중첩된 부분의 간격은 10 ㎛이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일 실시형태에 의하면, 상기 절곡부의 외측에 위치한 상기 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 도전형 클래드층 부분에는 홈 형태의 미러(mirror)부가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 미러부에 인접한 부위의 제1 리지부 바닥의 폭은 다른 부위의 제1 리지부 바닥의 폭보다 작을 수 있다. 상기 홈 형태의 미러부 단면에는 자연 산화 또는 불순물의 침입을 방지하기 위해 유전체막을 형성시킬 수 있다.
또한, 상기 제2 도전형 클래드층은 상기 리지부 아래에 형성된 제2 도전형 하부 클래드층과 상기 리지부에 형성된 제2 도전형 상부 클래드층으로 이루어지며, 상기 각각의 LD부는 상기 제2 도전형 하부 클래드층과 상기 제2 도전형 상부 클래드층 사이에 식각 정지층을 더 포함할 수 있다. 이와 같이 식각 정지층을 포함할 경우, 상기 리지부 바로 아래 부분에만 식각정지층이 형성될 수 있다.
본 발명은, 고출력 및 저출력 LD부가 단일 기판상에 집적되어 있는 다파장 반도체 레이저 소자에 있어서, 고출력 LD부에 충분한 공진 기장을 확보하면서도 저출력 LD부의 동작 전류를 절감시킬 수 있고 단위 소자의 집적도를 높여 생산성을 향상시킬 수 있는 방안을 제공해준다. 이를 위해 고출력 LD부의 리지 도파로는 2개 이상의 절곡부를 갖도록 꺽인 형태를 이루고, 저출력 LD부의 리지 도파로는 직선 형태를 이룬다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위 가 이하 설명하는 실시형태들로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 2파장 반도체 레이저 소자의 평면도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 좌측 영역은 고출력 LD부에 해당하고, 우측 영역은 저출력 LD부에 해당한다. 고출력 LD부에는 2개의 절곡부를 갖는 꺽인 형태의 리지부(130a)가 형성되어 있고, 저출력 LD부에는 절곡부를 갖지 않는 직선형태의 리지부(130b)가 형성되어 있다. 따라서, 고출력 LD에 형성된 리지부(130a)의 길이는 저출력 LD에 형성된 리지부(130b)의 길이보다 크게 된다. 여기서 리지부(130a, 130b)는 리지부 아래의 활성층에서 발생된 레이저광의 도파로 역할을 하므로, 상기 리지부의 길이는 반도체 레이저 다이오드의 공진 기장이 된다. 결국, 고출력 LD부의 공진 기장이 저출력 LD부의 공진 기장에 비하여 크게 된다.
절곡부를 갖는 고출력 LD의 리지부(130a)에서, 절곡부의 꺽인 각도(a)는 20° 내지 160°의 범위 내로 하는 것이 바람직하다. 상기 꺽인 각도(a)가 20°보다 작을 경우에는 고출력 LD에서 충분한 공진 기장을 확보하기에 불리하고, 상기 꺽인 각도(a)가 160°보다 클 경우에는 상기 리지부(130a) 형성시 패턴을 정확하게 형성하기 위한 공정 마진 확보에 불리할 수 있다. 상기 절곡부의 형태로는, 상기 절곡 부의 양측에서 모두 각진 형태일 수도 있고 상기 절곡부 양측의 중 어느 한 쪽 또는 양측에서 일정한 곡률을 갖는 곡선 형태일 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시형태에 따르면 고출력 LD의 리지부(130a)에 절곡부를 형성시킴으로써 고출력 LD의 공진 기장을 충분히 길게 할 수 있다. 따라서, 고출력 동작시 발생할 수 있는 COD 등의 문제점을 억제할 수 있다. 반면에, 저출력 LD의 리지부(130b)에는 절곡부를 형성시키지 않고 상기 리지부(130b)를 직선 형태로 만듦으로써 최적 공진 기장이 되도록 설계할 수 있어 저출력 LD의 동작 전류를 절감시킬 수 있게 된다.
또한, 고출력 LD의 리지부(130a)를 직선이 아닌 꺽인 형태로 형성함으로써, 반도체 레이저 소자의 길이(L1)을 작게 할 수 있다. 즉, 고출력 동작시에 요구되는 충분한 크기의 고출력 LD 공진 기장을 확보할 수 있는 동시에 반도체 레이저 소자 자체의 길이는 종래에 비하여 축소시킬 수 있게 된다. 따라서, 단위 웨이퍼당 수득할 수 있는 소자의 갯수는 증가하게 된다. 또한, 단위 LD부의 폭(W1)을 과도하게 줄이지 않아도 충분한 수율을 얻을 수 있으므로, 수율 향상을 위해 단위 LD의 폭(W1)을 과도하게 감소시킴으로 종래 발생되었던 공정 마진의 악화를 방지할 수 있게 된다.
도 3은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 다파장 반도체 레이저 소자의 평면도이다. 도 3의 다파장 반도체 레이저 소자는, 고출력 LD의 리지부(131a)가 절곡부에 의해 중첩된 부분을 가진다는 점을 제외하고는, 도2를 참조하여 설명한 상기 일 실시형태에 따른 다파장 반도체 레이저 소자와 동일하다. 본 실시형태에서도 저출력 LD의 리지부(131b)은 직선 구조를 갖는 반면, 고출력 LD의 리지부(131a)는 2이상의 절곡부를 갖는다. 따라서, 이 경우에도 고출력 LD에서 충분한 공진 기장을 확보하면서 저출력 LD의 동작 전류를 저감시킬 수 있는 동시에, 소자 폭(W2)의 감소없이 소자 길이(L2)를 상대적으로 축소시킴으로써 공정 마진의 악화를 억제하며 생산성을 향상시킬 수 있다.
다만, 도 3에 도시된 바와 같이 고출력 LD의 리지부(131a)가 절곡부에 의해 중첩된 부분 가짐으로써, 중첩된 부분의 간격(M)이 문제될 수 있다. 즉, 중첩된 부분의 간격(M)이 과도하게 작을 경우, 이를 구현하기 위한 실제 공정이 어려워지게 된다. 상기 간격(M)이 과도하게 작을 경우, 리지부 형성을 위한 패터닝 공정시 공정 마진 확보가 어렵고, 좁은 간격(M)으로 인해 식각이 정확히 이루어지지 않을 수 있다. 따라서, 상기 간격(M)은 10 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 부분 평면도로서, 고출력 LD의 리지부에 형성된 절곡부의 실질적인 형태를 보여주고 있다.
도 4a를 참조하면, 기판(11) 상에 n형 클래드층(12), 활성층(13), p형 하부 클래드층(14) 및 식각 정지층(15)이 순차 적층되어 있고, 그 위에 절곡부를 갖는 꺽인 형태의 리지부(130a)가 형성되어 있다. 상기 리지부(130a) 내에는 p형 상부 클래드층이 포함되어 있다. 도 4a를 참조하면 리지부(130a) 바로 아래 이외의 영역 에 식각 정지층(15)이 남아 있으나, 리지부(130a) 형성을 위한 식각시 식각 정지층(15)도 식각함으로써 리지부(130a) 바로 아래에만 식각 정지층을 남겨두고 그외의 영역의 식각 정지층은 모두 제거할 수도 있다.
다른 실시형태로서, 고출력 LD의 리지부의 절곡부 외측에 건식 식각 등으로 홈을 파서 홈 형태의 미러(mirror)부를 형성시킬 수도 있다. 이 미러부는 절곡부에서 레이저 광이 반사되어 리지 도파로를 따라 진행하는 것을 돕는 역할을 한다.
도 5a 및 도 5b는 각각 본 발명의 다른 실시형태 따른 2파장 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 평면도이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 고출력 LD의 리지부(130a)의 절곡부 외측에 홈 형태의 미러부(40)가 형성되어 있다. 이 미러부(40)는 상기 리지부(130a)의 절곡부 외측 부분에 있는 식각 정지층(15), p형 하부 클래드층(14), 활성층(12) 및 n형 클래드층(11)을 선택적으로 건식 식각하여 형성된 것이다.
상기 실시형태에서와 같이 절곡부 외측에 홈 형태의 미러부(40)를 구비함으로써 절곡부에서 레이저광이 리지 도파로를 따라 보다 정확히 꺽이도록 할 수 있다. 이러한 역할은 마치 빛을 일정 각도로 반사시켜 빛의 진행 경로를 절곡시키는 거울과 같다. 따라서, 미러부(40)의 위치 및 형상은, 리지 도파로를 따라 진행하는 빛을 절곡부에서 반사시키도록 하는 거울의 위치와 형상으로 하는 것이 바람직하다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 미러부(40)는 미러부(40)에 접한 절곡부와 연결된 직선부들과는 동일한 각도를 이루면서 절곡부 외측에 배치되며, 길게 연장된 직사 각형 모양의 슬릿 형태로 되어 있다.
그런데, 이러한 미러부(40)가 형성되면, 미러부(40)에 의해 노출되는 단면, 즉, 미러부(40)의 식각 정지층(15), p형 하부 클래드층(14), 활성층(13) 및 n형 클래드층(12)의 단면은 자연 산화되거나 불순물의 침입을 받기 쉽다. 따라서, 이를 방지하고 미러부 단면을 보호하도록 미러부(40) 단면 상에 유전체막을 형성시킬 수도 있다.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 또다른 실시형태에 따른 다파장 반도체 레이저 소자의 부분 사시도 및 평면도이다. 이 실시형태는, 미러부(41)에 인접한 부위의 리지부 바닥의 폭이 다른 부위의 리지부 바닥의 폭보다 작게 되어 있다는 점을 제외하고는, 도 5a 및 도 5b에서 설명한 실시형태와 마찬가지이다. 따라서, 이 경우에도 절곡부 외측에 절곡부와 인접하여 홈 형태의 미러부(41)가 형성되어 있다. 또한 미러부(41) 단면에는 유전체막을 형성하여 상기 단면의 자연 산화를 방지하고 불순물의 침입을 억제할 수 있다.
다만, 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시형태에서는, 상기 미러부(41)에 인접한 부위의 리지부(130) 바닥의 폭은 다른 부위의 리지부 바닥의 폭보다 작게 형성되어 있다. 즉, 미러부(41) 형성을 위해 절곡부 외측의 식각 정지층(15), p형 하부 클래드층(14), 활성층(13) 및 n형 클래드층(12)을 식각할 때, 절곡부의 리지도 일부 식각하여 미러부(41)에 인접한 절곡부에서의 리지부(130) 바닥의 폭이 다른 곳의 리지부(130) 바닥의 폭보다 작게 되도록 한다. 이렇게 함으로써, 절곡부 외측에 미러부(41)를 형성하기 위한 패터닝 공정시 공정 마진을 더 안정적으로 확보할 수 있게 된다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 하며, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 고출력 LD부와 저출력 LD부가 단일 기판에 집적된 다파장 반도체 레이저 소자에 있어서, 고출력 LD부의 리지부가 2이상의 절곡부를 갖는 꺽인 형태를 이루고 저출력 LD부의 리지부가 직선 형태를 이룸으로써 고출력 LD부에 충분한 크기의 공진 기장을 제공하여 과도한 전류 밀도를 억제하고 저출력 LD부의 동작 전류를 절감시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따르면, 고출력 LD부 및 저출력 LD부에 유효 공진 기장을 유지하면서도 소자 크기를 줄여줌으로써 단위 웨이퍼당 얻을 수 있는 소자 개수를 증가시켜 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (10)

  1. 제1 영역과 제2 영역으로 구분된 상면을 갖는 기판;
    상기 기판의 제1 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제1 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 고출력 파장의 LD부;
    상기 기판의 제2 영역 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 리지부를 갖는 제2 도전형 클래드층을 구비하는 저출력 파장의 LD부를 포함하고,
    상기 제1 리지부 및 제2 리지부는 대향하는 양단면 사이에 연장되며,
    상기 제1 리지부는 2개 이상의 절곡부를 갖는 꺽인 형태로 이루어지고, 상기 제2 리지부는 직선형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리지부가 상기 절곡부에서 꺽인 각도는 20°내지 160°인 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절곡부의 양측 중 적어도 하나는 일정한 곡률을 갖는 곡선 형태인 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리지부가 상기 절곡부에 의해 중첩된 부분을 갖는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 중첩된 부분의 간격은 10 ㎛이상인 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절곡부의 외측에 위치한 상기 제1 도전형 클래드층, 활성층 및 제2 도전형 클래드층 부분에는 홈 형태의 미러부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 미러부에 인접한 부위의 제1 리지부 바닥의 폭은 다른 부위의 제1 리지부 바닥의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 미러부의 단면에는 유전체막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다파 장 반도체 레이저 소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도전형 클래드층은 상기 리지부 아래에 형성된 제2 도전형 하부 클래드층과 상기 리지부에 형성된 제2 도전형 상부 클래드층으로 이루어지며, 상기 각각의 LD부는 상기 제2 도전형 하부 클래드층과 상기 제2 도전형 상부 클래드층 사이에 식각 정지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 식각 정지층은 상기 리지부 바로 아래 부분에만 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다파장 반도체 레이저 소자.
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