JP2006032778A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006032778A JP2006032778A JP2004211652A JP2004211652A JP2006032778A JP 2006032778 A JP2006032778 A JP 2006032778A JP 2004211652 A JP2004211652 A JP 2004211652A JP 2004211652 A JP2004211652 A JP 2004211652A JP 2006032778 A JP2006032778 A JP 2006032778A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- support
- semiconductor laser
- etching
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】 放熱や応力緩和というサポートの効果を損なうことなく、エッチングの進行を確認するための領域を確保し、エッチング時の干渉色視認性を向上させる半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジ1の両側方に1本ずつサポート2を有し、サポート2は、リッジ1の短手方向に沿って形成された溝部3によって分割されている構成とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体レーザ素子は、活性層の上方に位置するリッジ1の両側方に1本ずつサポート2を有し、サポート2は、リッジ1の短手方向に沿って形成された溝部3によって分割されている構成とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ストライプ状のリッジを有する、いわゆるリッジストライプ型の半導体レーザ素子に関するものである。
従来から、リッジストライプ型の半導体レーザ素子が種々提案されている(例えば特許文献1参照)。例えば、図7(a)は、従来の1波長半導体レーザ素子の平面図であり、図7(b)は、図7(a)のE−E線断面図である。この1波長半導体レーザ素子は、基板上に、n型クラッド層、活性層、p型クラッド層、エッチングストッパ層、p型クラッド層、p型コンタクト層が順に形成されている。そして、p型クラッド層およびp型コンタクト層をエッチングすることにより、素子表面にリッジ101が形成されているとともに、リッジ101の両側に所定間隔おいてサポート102が形成されている。なお、説明を簡略化するため、図中では、n型ブロック層、p型電極およびn型電極の図示を省略している。
また例えば、図8(a)は、従来の2波長半導体レーザ素子の平面図であり、図8(b)は、図8(a)のF−F線断面図である。この2波長半導体レーザ素子の層構成は、図7に示した1波長半導体レーザ素子の層構成と同じである。素子中央に形成された素子分割溝104を挟んで、両側の素子で異なった波長の光が発せられる。
このような構成の1又は2波長半導体レーザ素子は、図7(c)又は図8(c)に示すように、基板におけるリッジ101およびサポート102側をサブマウント103に取り付け、このサブマウント103を介して保持体(図示せず)に保持される(ジャンクションダウン方式)。
特許第3348024号公報
ところで、半導体レーザ素子では、周囲温度が変化すると、それに伴って、例えば、一定の光出力を得るのに必要な動作電流や動作電圧、波長などの諸特性が変動する。ここで、以下では、周囲温度に対する諸特性のことを温度特性と称し、周囲温度に対して諸特性が変動することを温度特性の低下と称することにする。温度特性の低下は、素子の信頼性を低下させる要因となるため、極力、これを抑制することが必要である。
ここで、半導体レーザ素子の諸特性のうち、動作電流について着目すると、レーザ光を出力する活性層の温度が高くなればなるほど、動作電流が上昇する。これは、活性層の温度が高くなればなるほど、電流を光に変換する効率(変換効率)が低下するからである。したがって、素子の信頼性を向上させるためには、活性層およびその周囲にて発生する熱を活性層以外の部位(素子以外の部位)に逃がし、活性層の温度上昇を抑制して、動作電流の上昇を抑制する必要がある。
そこで、ジャンクションダウン方式が適用される半導体レーザ素子では、リッジの両側にサポート102を設け、活性層にて発生する熱を、リッジ101およびサポート102を介してサブマウント103に伝達させるようにしている。
また、サポート102には、素子をサブマウント103に固定する際にリッジ101にかかる応力を緩和する役割もある。そして、放熱や応力緩和の効果を十分に得るためには、サポート102の面積を増やす必要がある。
一方、リッジ101とサポート102との間は、エッチングストッパ層までエッチングされるが、リッジ101の中心からサポート102におけるリッジ101側の端までの距離(以下では、リッジ−サポート間距離と称する)を短くしすぎたり、素子幅に対するサポート幅の割合を大きくしすぎると、エッチングの進行を目視で確認するための領域が減るため、エッチングの進行を目視で確認することが困難となり、素子の製造に支障をきたす。なお、エッチングの進行は被エッチング部の干渉色を目安に判断できる。
本発明は、放熱や応力緩和というサポートの効果を損なうことなく、エッチングの進行を確認するための領域を確保し、エッチング時の干渉色視認性を向上させる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明は、活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、前記サポートは、前記リッジの短手方向に沿って形成された1以上の溝部によって分割されていることを特徴とする。
また本発明は、前記溝部の前記リッジの長手方向の長さの合計が、300〜600μmであることを特徴とする。
なお、当該素子の前記リッジの長手方向の長さに対する前記溝部の前記リッジの長手方向の長さの合計の割合が、27〜55%であると規定してもよい。
また本発明は、前記サポートは、前記リッジの両側に少なくとも1本ずつ形成されていることを特徴とする。
本発明によれば、リッジの短手方向に沿って形成された1以上の溝部によってサポートを分割することにより、エッチングの進行を確認するための領域(溝部)が確保されるので、エッチング時の干渉色視認性を向上させることができる。更に、素子に溝部が形成されてもサポートの幅は従来品と変わらないので、応力緩和というサポートの効果を損なうことがない。また、動作電流が低くなるようにリッジ−サポート間距離を設定することができるので、良好な放熱性も維持される。
図1(a)は、1波長半導体レーザ素子(以下、単に素子と称する)の概略の構成を示す平面図であり、図1(b)は、図1(a)のA−A線断面図である。なお、説明を簡略化するため、これらの図中、素子表面の電極層(p型電極、n型電極)の図示は省略している。また、図1(a)のB−B線断面図は、図7(b)と同様であるので省略する。
この素子は、ストライプ状のリッジ1と、その側方(本実施形態では両側)に所定間隔をおいて形成されるサポート2とを有している。サポート2は、本素子の短手方向の溝部3によって分割されている。またサポート2は、サブマウント103(図7(c)参照)に素子を安定して取り付けるための支持部であり、このサポート2の存在により、リッジ1が保護される。
本素子は、図7(c)と同様に、リッジ1およびサポート2側をサブマウント103に取り付け、このサブマウント103を介して保持体(図示せず)に保持される(ジャンクションダウン方式)。以下、素子の詳細な構成について説明する。
図2は、図1の素子の詳細な構成を示す断面図である。この素子において、n型(第1導電型)GaAsからなる基板11上には、n型GaInPからなるバッファ層12、n型AlGaInPからなるn型クラッド層13、GaInP/AlGaInPからなり、レーザ光(例えば赤色)を出射する活性層14、p型(第2導電型)AlGaInPからなるp型クラッド層15およびp型GaInPからなるエッチングストッパ層16がこの順で積層されている。
エッチングストッパ層16上には、上記したストライプ状のリッジ1が形成されているとともに、そのリッジ1の両側に所定間隔をおいてサポート2が形成されている。そして、リッジ1のトップを除く表面には、n型AlInPからなるブロック層17が積層されており、リッジ1のトップおよびブロック層17上には、p型電極18が積層されている。一方、基板11の裏面側には、n型電極19が形成されている。p型電極18とn型電極19とを流れる電流が、素子の動作電流である。
上記のリッジ1およびサポート2は、p型AlGaInPからなるp型クラッド層20、p型GaInPからなるコンタクト層21およびp型GaAsからなるコンタクト層22がこの順で積層されて構成されており、これらをエッチングストッパ層16までエッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング)することにより形成されている。
次に、本実施形態では、素子の放熱性の向上および温度特性が向上するように、以下の実験結果に基づいて、リッジ1の中心からサポート2におけるリッジ1側の端までの距離(以下、リッジ−サポート間距離と称する)Waを設定した。この点について説明する。
周囲温度25℃のときに一定の光出力P0(例えば40mW)を得るための動作電流Iop(約85mA)に対する、周囲温度70℃のときに一定の光出力P0(例えば40mW)を得るための動作電流Iopの変化を、リッジ−サポート間距離Waを変化させて調べた。その結果を図3に示す。図3は、リッジ−サポート間距離Waと動作電流Iopとの関係を示すグラフである。なお、チップ幅Wcは、素子1個の幅のことであり、本実施形態では300μmとした。また、各サポート2の幅Wsは、それぞれ50μmとした(サポート2の幅の総和をWssとする)。また、リッジ幅は2〜4μmである。
図3より、リッジ−サポート間距離Waが70μmでは、動作電流Iopは133.6mAであり、最大となっている。また、リッジ−サポート間距離Waが50μm以上70μm以下の範囲でも、動作電流Iopは上記と同じ133.6mAであり、最大となっている。これは、リッジ−サポート間距離Waが大きいため、活性層14にて発生した熱がサポート2に伝達されにくく、放熱性が優れていないため、活性層14での温度上昇により、動作電流Iopが増大しているためと思われる。
一方、リッジ−サポート間距離Waが30μmでは、動作電流Iopは122.9mAと最小であり、放熱性が向上した結果、動作電流Iopが最小になったものと思われる。つまり、リッジ−サポート間距離Waが30μmでは、素子の放熱性向上の効果が一番高いと思われる。
また、リッジ−サポート間距離Waが20μmでは、動作電流Iopは124.6mAであり、最小ではないが、リッジ−サポート間距離Waが70μmのときよりも大幅に低減していることは言え、放熱性向上の効果は依然として高いと言える。ただし、リッジ−サポート間距離Waが20μmちょうどでは、リッジ1とサポート2間のp型クラッド層20、コンタクト層21およびコンタクト層22のエッチングを精度よく行う必要があり、製造の困難性を伴うので、リッジ−サポート間距離Waは、20μmよりも大きくとる必要がある。また、図3のグラフより、リッジ−サポート間距離Waが33μmのときも、動作電流Iopが上記と同じ124.6mAであり、放熱性向上の効果が高いといえる。
また、リッジ−サポート間距離Waが40μmでは、図3のグラフから動作電流Iopは128.0mA付近であり、リッジ−サポート間距離Waが30μm、20μm(33μm)の次に、放熱性向上の効果が高いといえる。
以上のことから、素子の放熱性向上の効果を得るためには、リッジ−サポート間距離Waの上限としては、50μm未満、40μm以下、33μm以下、30μm以下を考えることができる。
また、リッジ−サポート間距離Waの下限としては、リッジ−サポート間のエッチングを容易にすることを主に考慮して、20μmよりも大きい、30μm以上、33μm以上、40μm以上を考えることができる。
したがって、リッジ−サポート間距離Waの適切な範囲としては、20μmよりも大きく50μm未満の範囲で、上記した下限と上限とを適宜組み合わせることによって設定することが可能である。
以上より本実施形態においては、リッジ−サポート間距離Waは30μmを採用する。なお、本素子の長手方向の長さDcは1100μmとする。
ところで、リッジ1及びサポート2を形成するためのエッチング時には、リッジ1とサポート2との間の領域やサポート2間の溝部3を、エッチングの進行を目視で確認するためのモニタ領域として確保する必要がある。エッチングの進行は被エッチング部の干渉色を目安に判断するからである。この干渉色はエッチングされている層の表面での反射光と、エッチングされている層(例えばクラッド層)とその下の層(例えばストッパ層)との界面での反射光とが干渉するために生じる。
ここで、サポート2のリッジ1の長手方向の長さをDs、溝部3のリッジ1の長手方向の長さをDgとする。そしてサポート2の長さの総和をDssとする。図1のような構造では、例えば、Dss=700μm、Dg=400μmとすることができる。なお、溝部3で干渉色の確認を可能にするには、Dg=300〜600μmであることが好ましく、更に好ましくは、Dg=400〜500μmである。割合でいえば、Dg/Dc=27〜55%である。
また、サポート2は他の形状としてもよい。例えば、図4は、他の1波長半導体レーザ素子の概略の構成を示す平面図である。この場合の断面図は図1(b)、図7(b)と同様であるので省略する。図4において、2本のサポート2が2本の溝部3で6つに分割されている。
本素子の各部の長さも、図1と同様にDss=700μm、Dgg=400μm(溝部3のリッジ1の長手方向の長さの総和)とすることができる。つまり、Dg=200である。同様に、Dgg=300〜600μmであれば、溝部3は何本形成しても構わない。
このように、素子に溝部3が形成されてもサポート2の幅Wsは従来品と変わらないので、応力緩和というサポート2の効果を損なうことがない。更に、エッチングの進行を確認するための領域(溝部3)が確保されるので、エッチング時の干渉色視認性を向上させることができる。また、動作電流が低くなるようにリッジ−サポート間距離を設定することができるので、良好な放熱性も維持される。
本発明は2波長半導体レーザ素子にも応用できる。図5(a)は、2波長半導体レーザ素子の概略の構成を示す平面図であり、図5(b)は、図5(a)のC−C線断面図である。なお、説明を簡略化するため、これらの図中、素子表面の電極層(p型電極、n型電極)の図示は省略している。また、図5(a)のD−D線断面図は、図8(b)と同様であるので省略する。
この素子は、図1のような1波長半導体レーザ素子を素子分割溝4を挟んで幅方向に2つ繋げたものである。異なる2つの波長の半導体レーザ素子を組み合わせることで、2波長半導体レーザ素子とすることができる。本素子は、図8(c)と同様に、リッジ1およびサポート2側をサブマウント103に取り付け、このサブマウント103を介して保持体(図示せず)に保持される。
この2波長半導体レーザ素子は上記の1波長半導体レーザ素子を2つ繋げたものであるので、各部(サポート2や溝部3など)の長さは、上記の1波長半導体レーザ素子の長さと同様である。
また、サポート2は他の形状としてもよい。例えば、図6は、他の2波長半導体レーザ素子の概略の構成を示す平面図である。この場合の断面図は図5(b)、図8(b)と同様であるので省略する。図6は図4と同様に、サポート2が2本の溝部3で分割されている。本素子の各部の長さも、図5と同様に設計できる。なお、サポート2と溝部3との長さの比が変わらなければ、溝部3は何本形成しても構わない。
本発明の半導体レーザ素子は、1波長半導体レーザ素子又は2波長以上の半導体レーザ素子とすることができ、光ディスクの読み取りや書き込み等に利用することができる。
1 リッジ
2 サポート
3 溝部
14 活性層
2 サポート
3 溝部
14 活性層
Claims (4)
- 活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
前記サポートは、前記リッジの短手方向に沿って形成された1以上の溝部によって分割されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記溝部の前記リッジの長手方向の長さの合計が、300〜600μmであることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。
- 当該素子の前記リッジの長手方向の長さに対する前記溝部の前記リッジの長手方向の長さの合計の割合が、27〜55%であることを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ素子。
- 前記サポートは、前記リッジの両側に少なくとも1本ずつ形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004211652A JP2006032778A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004211652A JP2006032778A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006032778A true JP2006032778A (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=35898736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004211652A Pending JP2006032778A (ja) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006032778A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019212898A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
-
2004
- 2004-07-20 JP JP2004211652A patent/JP2006032778A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019212898A (ja) * | 2018-06-08 | 2019-12-12 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
CN110581438A (zh) * | 2018-06-08 | 2019-12-17 | 夏普株式会社 | 半导体激光元件 |
US10707651B2 (en) | 2018-06-08 | 2020-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element |
CN110581438B (zh) * | 2018-06-08 | 2021-06-15 | 夏普株式会社 | 半导体激光元件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5465514B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP5133052B2 (ja) | 多段一体型の光デバイス | |
JP2009164640A (ja) | エッジエミッティングレーザのモノリシックアレイ | |
JP4342495B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006278661A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法並びに光半導体装置 | |
JP2018085468A (ja) | 半導体レーザ、光源ユニット及びレーザ光照射装置 | |
JP5103008B2 (ja) | 半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 | |
JP2009141094A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006128617A (ja) | 半導体レーザー素子及びその製造方法 | |
JP2015046467A (ja) | 半導体装置 | |
JP5380135B2 (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JP2010272569A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2006032778A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4372052B2 (ja) | 多波長半導体レーザー素子 | |
JP2008305957A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
JP2014072495A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2007103403A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP5292443B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
JP2798720B2 (ja) | 半導体レーザアレイ | |
JP2012038931A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2013089791A (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
US10707651B2 (en) | Semiconductor laser element | |
US20220376479A1 (en) | Densely packed vcsel array | |
JP2005268561A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2005268563A (ja) | 半導体レーザ素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20051227 |