JP2005268563A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 活性層14の上方に位置するリッジ1の側方にサポート2・2を形成する。このとき、素子のチップ幅Wcに対するサポート幅Wssの割合Rwを、33%よりも大きく、52%未満に設定する。これにより、サポート面積が従来よりも広がるので、活性層14にて発生した熱を、リッジ1およびサポート2・2を介して外部(例えばサブマウント)に放散することができる。その結果、素子の放熱性が向上するので、活性層14での温度上昇が抑制され、素子の温度特性が向上し、素子の信頼性が向上する。また、幅比Rwの上限が52%未満であるので、リッジ−サポート間のエッチングに支障をきたすことはない。
【選択図】 図1
Description
2 サポート
14 活性層
Claims (4)
- 活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
当該素子のチップ幅に対する前記サポートの幅の割合が、33%よりも大きく、52%未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 当該素子のチップ幅に対する前記サポートの幅の割合が、44%よりも大きく、50%未満に設定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 活性層の上方に位置するリッジの側方にサポートを有する半導体レーザ素子であって、
当該素子の面積に対する前記サポートの面積の割合が、33%よりも大きく、52%未満に設定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 当該素子の面積に対する前記サポートの面積の割合が、44%よりも大きく、50%未満に設定されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ素子。
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- 2004-03-19 JP JP2004079544A patent/JP2005268563A/ja active Pending
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JP2007173402A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
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