JP2007189075A - 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の実装構造、半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子の実装方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】N型GaAs基板2上に、N型GaAsバッファ層4、N型GaInP中間層6、N型AlGaInPクラッド層8、ノンドープMQW活性層10、P型AlGaInPクラッド層12、P型AlGaInPクラッド層14、P型GaAsキャップ層16を備え、P型クラッド層14及びP型キャップ層16がリッジ部15に形成され、N型基板2の上部からP型クラッド層12までの各層が狭幅部17に形成されている。リッジ部15の側面と、狭幅部17の表面と、N型基板2の段部2aの表面に、SiO2膜18が形成されている。SiO2膜18のリッジ部15と狭幅部17に相当する部分の表面に、P側電極層23が形成されている。活性層10で発生した熱を、SiO2膜18とP側電極層23を介して、この半導体レーザ素子1が実装されるサブマウントに放出する。
【選択図】図1
Description
基板と、
上記基板上に形成された下部クラッド層と、
上記下部クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第1上部クラッド層と、
上記第1上部クラッド層、活性層及び下部クラッド層の側面を覆う誘電体膜と、
上記誘電体膜を覆うと共に、上記第1上部クラッド層に電気的に接続され、かつ、上記第1上部クラッド層の導電型と同じ導電型を有する電極層と
を備えることを特徴としている。
上記誘電体膜は、上記狭幅部の側面を覆っている。
上記実施形態によれば、上記基板と電極層との間を確実に電気的に絶縁できる。
内側面に電極が形成された凹部を有するサブマウントとを備え、
上記サブマウントの凹部内に、上記半導体レーザ素子の電極層が形成された部分が挿入され、この半導体レーザ素子の電極層と、上記サブマウントの電極とが電気的に接続されていることを特徴としている。
上記下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、
上記活性層上に、第1上部クラッド層を形成する工程と、
少なくとも上記下部クラッド層に達する溝を形成する溝形成工程と、
上記溝の内側面に、誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、
上記誘電体膜の表面に、上記第1上部クラッド層に電気的に接続され、かつ、上記第1上部クラッド層の導電型と同じ導電型を有する電極層を形成する工程と、
上記溝の底面に沿って、上記下部クラッド層、活性層、第1上部クラッド層、誘電体膜及び電極層が形成されたウェハを分割する工程と
を備えることを特徴としている。
上記半導体レーザ素子の上記電極層が形成された部分を、上記サブマウントの凹部内に挿入する工程と、
上記ろう材を加熱して、上記半導体レーザ素子の電極層と、上記サブマウントの電極とを溶着する工程と
を備えることを特徴としている。
上記N型GaAsバッファ層4からP型GaAsキャップ層16までの各層は、MOCVD(有機金属気相成長)法を用いた結晶成長によって形成する。
また、活性層の構造は、MQW(多重量子井戸)構造に限られない。
2 N型GaAs基板
4 N型GaAsバッファ層
6 N型GaInP中間層
8 N型AlGaInPクラッド層
10 ノンドープMQW活性層
12 P型AlGaInPクラッド層
14 P型AlGaInPクラッド層
15 リッジ部
16 P型GaAsキャップ層
17 狭幅部
23 P側電極層
Claims (12)
- 基板と、
上記基板上に形成された下部クラッド層と、
上記下部クラッド層上に形成された活性層と、
上記活性層上に形成された第1上部クラッド層と、
上記第1上部クラッド層、活性層及び下部クラッド層の側面を覆う誘電体膜と、
上記誘電体膜を覆うと共に、上記第1上部クラッド層に電気的に接続され、かつ、上記第1上部クラッド層の導電型と同じ導電型を有する電極層と
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記電極層の厚みは、1μm以上50μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記第1上部クラッド層上に、第2上部クラッド層及びキャップ層を含むリッジ部を備えることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子において、
上記第1上部クラッド層、活性層、下部クラッド層に、上記基板の下部の幅よりも小さい幅を有する狭幅部が形成され、
上記誘電体膜は、上記狭幅部の側面を覆っていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 上記狭幅部は、上記基板の上部に形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
- 請求項5に記載の半導体レーザ素子において、
上記誘電体膜は、上記狭幅部に連なる段部の表面であって、上記基板の上部と下部との間の段部の表面を覆っていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項6に記載の半導体レーザ素子において、
上記電極層は、上記誘電体膜の上記段部の表面を覆う部分の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする半導体レーザ素子。 - 請求項1に記載の半導体レーザ素子と、
内側面に電極が形成された凹部を有するサブマウントとを備え、
上記サブマウントの凹部内に上記半導体レーザ素子の電極層が形成された部分が挿入され、この半導体レーザ素子の電極層と、上記サブマウントの電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体レーザ素子の実装構造。 - 請求項8に記載の半導体レーザ素子の実装構造において、
上記凹部内に設けられ、上記半導体レーザ素子の電極層と、上記サブマウントの電極とを溶着するろう材を備えることを特徴とする半導体レーザ素子の実装構造。 - 請求項8に記載の半導体レーザ素子の実装構造において、
上記サブマウントの上記半導体レーザ素子の共振器長方向と平行な方向の長さは、上記半導体レーザ素子の共振器長よりも短いことを特徴とする半導体レーザ素子の実装構造。 - ウェハ上に、下部クラッド層を形成する工程と、
上記下部クラッド層上に、活性層を形成する工程と、
上記活性層上に、第1上部クラッド層を形成する工程と、
少なくとも上記下部クラッド層に達する溝を形成する溝形成工程と、
上記溝の内側面に、誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程と、
上記誘電体膜の表面に、上記第1上部クラッド層に電気的に接続され、かつ、上記第1上部クラッド層の導電型と同じ導電型を有する電極層を形成する工程と、
上記溝の底面に沿って、上記下部クラッド層、活性層、第1上部クラッド層、誘電体膜及び電極層が形成されたウェハを分割する工程と
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 内側面に電極が形成された凹部を有するサブマウントの上記凹部内に、ろう材を配置する工程と、
請求項1に記載の半導体レーザ素子の上記電極層が形成された部分を、上記サブマウントの凹部内に挿入する工程と、
上記ろう材を加熱して、上記半導体レーザ素子の電極層と、上記サブマウントの電極とを溶着する工程と
を備えることを特徴とする半導体レーザ素子の実装方法。
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