CN110581438B - 半导体激光元件 - Google Patents

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Abstract

半导体激光元件经由焊料层粘接面和基座而形成，该面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，该半导体激光元件包括平台部，其在由焊料层粘接的半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离。金属覆盖包含槽部的区域的上表面。平台部以分散为多个的方式被分割。

Description

半导体激光元件
技术领域
本发明涉及半导体激光元件，例如，在高温或高输出下动作的半导体激光元件。
背景技术
以往，作为用作DVD(数字通用盘)等的信息读取或信息写入的光源的半导体激光元件，例如，存在日本专利特开2002-9382中所记载的半导体激光元件。
图8A和8B是用于说明现有的半导体激光元件1000的一个示例的说明图。图8A是示意性地示出现有的半导体激光元件1000的平面图。图8B是沿着图8A所示的C-C线截取的现有的半导体激光元件1000的概略剖视图。另外，在图8A中，省略了SiO2膜1011和TiAu/Au镀层电极1012的图示。
半导体激光元件1000包括：形成在n型GaAs基板1001上的n型GaAs缓冲层1002、n型GaInP缓冲层1003、n型AlGaInP第一包覆层1004、无掺杂AlGaInP第一引导层1005、无掺杂GaInP/AlGaInP多量子阱活性层1006、无掺杂AlGaInP第二引导层1007、p型AlGaInP第二包覆层1008、p型GaInP中间层1009和p型GaAs盖层1010。无掺杂GaInP/AlGaInP多量子阱活性层1006在下文中有时简称为活性层。
另外，在p型AlGaInP第二包覆层1008、p型GaInP中间层1009和p型GaAs盖层1010上形成条纹状的脊部1151，并且在其两侧形成平台部1152、1153。平台部1152和1153的上表面为平坦面。
另外，SiO2膜1011覆盖脊部1151的侧面，和平台部1152、1153的的上表面以及侧面。
另外，在半导体激光元件1000中，TiAu/Au镀层电极1012形成为第一电极，AuGeNi电极1013形成为第二电极。TiAu/Au镀层电极1012连接到脊部1151的上表面。
在制造半导体激光元件1000的情况下，首先，在n型GaAs基板1001上，通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)依次沉积：n型GaAs缓冲层1002、n型GaInP缓冲层1003、n型AlGaInP第一包覆层1004、无掺杂AlGaInP第一引导层1005、活性层1006、无掺杂AlGaInP第二引导层1007、p型AlGaInP第二包覆层1008、p型GaInP中间层1009和p型GaAs盖层1010。
接着，通过光刻工序，去除p型AlGaInP第二包覆层1008、p型GaInP中间层1009和p型GaAs盖层1010的一部分，形成在谐振器方向R延伸的脊部1151。此时，还形成平台部1152、1153。
接着，在用SiO2膜1011覆盖除脊部1151的表面之外的区域之后，形成TiAu/Au镀层电极1012和AuGeNi电极1013。此时，TiAu/Au镀层电极1012是通过在形成TiAu等的欧姆电极之后形成用于散热的、例如厚度为2μm的Au镀层电极而获得的。
最后，通过元件分割工序获得多个半导体激光元件。
以这种方式制造的半导体激光元件1000经由AuSn等的焊料层(未图示)固接到作为散热部件的基座(安装台)(未图示)上。此时，以作为发热源的活性层1006附近的p型GaAs盖层1010靠近基座的方式进行半导体激光元件1000的固接。
半导体激光元件1000具有如下性质：工作电流随温度升高而增加，并且通过向基座散热来减小由于该温度升高引起的工作电流的增加。
另外，当电流流过脊部1151时，光被限制在脊部1151的下方，并且以位于脊部1151下方的活性层1006为中心而产生激光。
假设在单独形成平台部1152、1153的情况下，当平台部1152、1153固接到基座时，对突起状的脊部1151施加大的应力，而产生半导体激光元件的可靠性劣化等的不良情况。另外，在为仅脊部1151突出的结构的情况下，当固接到基座时没有支撑，并且半导体激光元件1000倾斜，由此辐射特性、偏振特性不一致。
为了防止产生这些不良情况，在脊部1151的一侧隔着例如5μm宽的槽形成平台部1152，并且在脊部1151的另一侧隔着5μm宽的槽形成平台部1153。由此，当将半导体激光元件1000固接到基座上时，可以支撑平台部1152、1153，且防止大的应力施加到脊部1151，进一步地，可以避免半导体激光元件1000倾斜。
并且，在半导体激光元件1000中，在脊部1151下方的活性层1006中产生的热量或者在作为电流通路的脊部1151中产生的热量通过TiAu/Au镀层电极1012释放到基座。
另外，在日本专利特开2014-72495号公报中记载的半导体激光元件中，在平台部中形成沿谐振方向的凹部和沿宽度方向的凹部。在日本专利特开2006-173265号公报中记载的半导体激光元件中，仅涂覆半导体激光元件的表面和脊状的波导路径的侧面的绝缘膜的上部为在垂直、平行或格子状上具有凹凸的形状。另外，在日本专利特开2017-208399号公报中记载的半导体激光元件中，在彼此相邻的波导结构之间形成包括沿谐振方向分割活性层的槽的分割结构。另外，日本专利第5103008号公报中记载的半导体激光元件设置有沿着谐振方向从第二导电型第二包覆层的上表面到半导体基板内形成的两个槽。
然而，存在如上所述的现有的散热方法不充分的问题。特别地，在由AlGaInP类半导体晶体构成的红色半导体激光元件中，随着振荡波长设定得更短，活性层和障碍层之间的能量障碍变低，并且在高温下活性层的载流子释放到障碍层的比例增加。其结果，在高温下工作电流显著增加，这阻碍了高温工作。在日本专利特开2006-128189号公报中记载的半导体激光元件仅在脊部的上表面上具有凹部，并且没有提出针对本发明的问题的解决方案。
因此，本发明的目的在于提供一种与现有技术相比能够使工作温度提高的半导体激光元件。
发明内容
(1)本发明的一个实施方式的半导体激光元件是经由焊料层粘接面和基座而形成的，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件包括平台部，该平台部在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部以分散为多个的方式被分割。
(2)另外，本发明的某个实施方式的半导体激光元件在上述(1)的构成的基础上，所述平台部被规则地分割。
(3)另外，本发明的某个实施方式的半导体激光元件在上述(1)的构成或上述(2)的构成的基础上，所述平台部由纵横的凹部而被分割为格子状。
(4)另外，本发明的某个实施方式的半导体激光元件在上述(1)的构成至上述(3)的构成的任一个的构成的基础上，所述平台部在谐振器方向上被分离为多个，到在至少一部分上沿着谐振器方向的侧面的区域即侧面区域为止未有所述平台部。
(5)另外，本发明的某个实施方式的半导体激光元件在上述(1)的构成至上述(4)的构成的任一个的构成的基础上，所述平台部仅形成在四个角处的区域。
(6)本发明的另一实施方式的半导体激光元件是经由焊料层粘接面和基座而形成的，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件包括平台部，该平台部在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部的宽度即平台宽度在谐振器方向上不是固定的，在至少一部分上所述平台宽度窄于所述平台部与所述脊部之间的槽部的宽度。
(7)本发明的又一地实施方式的半导体激光元件是经由焊料层粘接面和基座而形成的，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件包括平台部，该平台部在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部的宽度即平台宽度在谐振器方向上不是固定的，在所述谐振器方向的整个区域上所述平台宽度窄于所述平台部与所述脊部之间的槽部的宽度。
根据本发明，与现有技术相比能够使工作温度提高。
附图说明
图1是示意性地示出实施例一的半导体激光元件的平面图。
图2是沿着图1所示的A-A线截取的实施例一的半导体激光元件的概略剖视图。
图3是沿着图1所示的B-B线截取的实施例一的半导体激光元件的概略剖视图。
图4是从斜上方观察表示实施例一的半导体激光元件的图1所示的区域α的立体图。
图5是示意性地示出实施例二的半导体激光元件的一个示例的概略平面图。
图6是示意性地示出实施例三的半导体激光元件的一个示例的概略平面图。
图7是示意性地示出实施例四的半导体激光元件的一个示例的概略平面图。
图8A是示意性地示出现有的半导体激光元件的一个示例的平面图。
图8B是沿着图8A所示的C-C线截取的现有的半导体激光元件的概略剖视图。
具体实施方式
以下，关于本发明的实施例，将使用了AlGaInP类半导体晶体的红色半导体激光器作为示例来进行说明。在本实施例中，也适用于使用了其他晶体类的半导体激光元件，例如AlGaAs类，AlGaInAs类等。在以下的说明中，对于相同的部件赋予相同的附图标记。它们的名称以及功能也相同。因此，关于它们的详细说明将不再重复。
(实施例一)
图1是示意性地示出实施例一的半导体激光元件100A的平面图。另外，在图1中，省略了SiO2膜111和TiAu/Au镀层电极112的图示。图2是沿着图1所示的A-A线截取的实施例一的半导体激光元件100A的概略剖视图。图3是沿着图1所示的B-B线截取的实施例一的半导体激光元件100A的概略剖视图。
图4是从斜上方观察表示实施例一的半导体激光元件100A的图1所示的区域α的立体图。
如图1和图2所示，半导体激光元件100A在n型GaAs基板101的基础上，还包括：通过金属有机气相外延法在n型GaAs衬底101上形成的n型GaInP缓冲层102、n型AlGaInP第一包覆层103、无掺杂AlGaInP第一引导层104、无掺杂GaInP/AlGaInP多量子阱活性层105、无掺杂AlGaInP第二引导层106、p型AlGaInP第二包覆层107、p型GaInP蚀刻阻挡层108、p型GaInP中间层109和p型GaAs盖层110。此外，n型GaAs基板101是半导体基板的一个示例，并且在下文中有时简称为半导体基板。多量子阱活性层105是活性层的一个示例，并且在下文中有时简称为活性层或发光部。
另外，在半导体激光元件100A的与n型GaAs基板101侧的相对侧上，通过光刻工序形成有脊部151和平台部152、153。平台部152、153隔着槽154、154设置，槽154、154沿着垂直于谐振器方向R和层厚方向S的宽度方向T延伸，其中脊部151介于其间。通过分别去除p型AlGaInP第二包覆层107、p型GaInP中间层109和p型GaAs盖层110的一部分来形成脊部151和平台部152、153。
另外，SiO2膜111覆盖脊部151的侧面，和平台部152、153的的上表面以及侧面。
另外，在半导体激光元件100A中，TiAu/Au镀层电极112形成为第一电极，AuGeNi电极113形成为第二电极。TiAu/Au镀层电极112连接到脊部151的上表面。此外，TiAu/Au镀层电极112是金属的一个示例，并且在下文中有时简称为金属或金属电极。
在制造以上说明的半导体激光元件100A的情况下，首先，在n型GaAs基板101上，通过例如金属有机化学气相沉积(MOCVD法)依次沉积：n型GaInP(厚度为0.25μm)缓冲层102、n型AlGaInP(AL组成比为0.7，厚度为3.0μm)第一包覆层103、无掺杂AlGaInP(AL组成比为0.55，厚度为20nm)第一引导层104、无掺杂GaInP(厚度为4nm)/AlGaInP(AL组成比为0.55，厚度为6nm)多量子阱活性层105、无掺杂AlGaInP(AL组成比为0.55，厚度为20nm)第二引导层106、p型AlGaInP(AL组成比为0.7，厚度为1.5μm)第二包覆层107、在形成p型AlGaInP第二包覆层107中途设置的p型GaInP(厚度为13nm)蚀刻阻挡层108、p型GaInP(厚度为35nm)中间层109和p型GaAs(厚度为0.3μm)盖层110。
在本实施例一中，在依次层叠p型AlGaInP第二包覆层107、p型GaInP中间层109和p型GaAs盖层110之后，到p型GaInP蚀刻阻挡层108的上方为止实施干蚀刻。之后，执行蚀刻直到在p型GaInP蚀刻阻挡层108中停止蚀刻，形成脊部151和平台部152、153。
接着，除了脊部151的表面之外的区域被SiO2(厚度为0.1μm)膜111覆盖。另外，SiO2膜111是电介质膜的一个示例。
接着，在SiO2膜111和脊部151上形成TiAu/Au镀层电极112。另一方面，AuGeNi电极113形成在n型GaAs基板101下方。
这里，在半导体激光装置100A中，脊部151的宽度(宽度方向T上的长度)H为1.7μm，脊部151与平台部152、153之间的间隔M1、M2为5.0μm。另外，半导体激光元件100A中，谐振器长度为1500μm，芯片宽度为110μm。另外，激光的振荡波长为640nm。此外，谐振器长度是指半导体激光元件100A的谐振器方向R上的长度。另外，芯片宽度是指半导体激光元件100A的宽度方向T上的长度。
另外，在形成脊部151的光刻工序中，将平台部152、153分割为多个的、格子状的凹部152a、153a(凹状的槽)形成在平台部152、153的至少一部分上(在本实例中为整个区域)。此外，与脊部151同时形成凹部152a、153a。凹部152a、153a的纵横的宽度等于或大致等于规定的尺寸(在本示例中为2μm)。相邻凹部(152a、152a)，(153a、153a)之间的间隔是与凹部152a、153a的宽度相等或大致相等的规定的尺寸(在本示例中为2μm)。此外，凹部152a、153a的深度是与脊部151的高度相同或基本相同的规定的尺寸(在本示例中为1.3μm)。在之后的电极形成工序中，在平台部152、153的凹部152a、153a内以夹着SiO2膜111的方式嵌入TiAu/Au镀层电极112。TiAu/Au镀层电极112的厚度为2.5μm。
最后，通过元件分割工序获得多个半导体激光元件100A～100A。
以这种方式制造的半导体激光元件100A经由AuSn等的焊料层(未图示)固接到作为散热部件的基座(安装台)(未图示)上。此时，以作为发热源的活性层105附近的p型GaAs盖层110靠近基座的方式进行半导体激光元件100A的固接。
半导体激光器件100A具有温度升高的同时工作电流也增加的性质，虽担心可能降低高温工作，但在本实施例一中，作为半导体层(102～111)和金属电极(112)之间的连接面积增加，且散热效率良好的结果，与在平台部152、153中没有设置凹部152a、153a的现有的半导体激光元件相比，可以提高工作温度。
在本实施例一中，描述了形成具有相同宽度和相同间隔的格子状的凹部152a、153a作为凹部152a、153a的示例，但是多个凹部152a、153a也能够以不同的宽度或不同的间隔来配置。
(实施例二)
图5是示意性地示出实施例二的半导体激光元件100B的一个示例的概略平面图。
实施例二的半导体激光元件100B的外延结构与实施例一的半导体激光元件100A的外延结构在实质上是相同的。通过与实施例一的制造工艺相同的制造工艺制造实施例二的半导体激光元件100B。
在本实施例二中，半导体激光元件100B中，谐振器长度为1500μm，芯片宽度为110μm，脊部151的宽度H为1.7μm。另外，在半导体激光元件100B中，平台部152、153在谐振器方向R上分开设置多个(在本示例中为三个)分离台1521至1523和1531至1533。在半导体激光元件100B的宽度方向T的两侧的侧表面的更内侧以规定的宽度(在本示例中，宽度为20μm)形成分离台1521至1523和1531至1533。例如，分离台1521至1523和1531至1533的谐振器方向R上的长度均为相同或大致相同的长度(在本示例中为300μm)。另外，没有分离台1521至1523和1531至1533的区域(β1和β2)、(γ1和γ2)的谐振器方向R上的长度也与分离台1521至1523和1531至1533的长度相同或大致相同(在本示例中为300μm)。然而，并不限定于此，分离台1521至1523和1531至1533的谐振器方向R上的长度，与没有分离台1521至1523和1531至1533的区域(β1，β2)、(γ1和γ2)的谐振器方向R上的长度无需相同。
在本实施例二涉及的半导体激光元件100B中，与现有例相比，平台部152、153变小且槽部154、154变宽，并能够提高从发光部(105)到具有良好导热性的金属电极(112)的散热效率，与现有的半导体激光元件相比，可以提高工作温度。
根据本实施例二，由于形成在脊部151的两侧上的平台部152、153用作支撑件，因此在组装到基座时也可以避免半导体激光元件100B倾斜的不良情况。
(实施例三)
图6是示意性地示出实施例三的半导体激光元件100C的一个示例的概略平面图。
实施例三的半导体激光元件100C的外延结构与实施例一的半导体激光元件100A的外延结构在实质上是相同的。通过与实施例一的制造工艺相同的制造工艺制造实施例三的半导体激光元件100C。
在本实施例三中，半导体激光元件100C中，谐振器长度为800μm，芯片宽度为110μm，脊部151的宽度为2.0μm。在半导体激光元件100C中，平台部152、153设置在沿着谐振器方向R的一边与沿宽度方向T的一边相交的角部的四个角处。平台部152、153形成为三角形，以使得顶角与半导体激光元件100C的角对齐。例如，平台部152、153的宽度方向T上两侧的侧面部1525、1535的谐振器方向R上的尺寸(在本示例中为50μm)大于平台部152、153的谐振器方向R上两侧的端面部1524、1534的宽度方向T上尺寸(在本示例中为20μm)。
在本实施例三涉及的半导体激光元件100C中，与现有例相比，平台部152、153变小且槽部154、154变宽，并能够提高从发光部(105)到具有良好导热性的金属电极(112)的散热效率，与现有的半导体激光元件相比，可以提高工作温度。
根据本实施例三，由于形成在半导体激光元件100C的四个角处的平台部152、153用作支撑件，因此可以避免半导体激光元件100C即使在组装到基座时也倾斜的不良情况。
(实施例四)
图7是示意性地示出实施例四的半导体激光元件100D的一个示例的概略平面图。
实施例四的半导体激光元件100D的外延结构与实施例一的半导体激光元件100A的外延结构在实质上是相同的，通过与实施例一的制造工艺相同的制造工艺制造实施例四的半导体激光元件100D。
在本实施例四中，半导体激光元件100D中，芯片宽度为110μm，脊部151的宽度为1.7μm。另外，在半导体激光装置100D中，平台部152、153设置为沿着谐振器方向R的两侧的端面部1524、1534与宽度方向T上的两侧的侧面部1525、1535两者的形状(“コ”(日文)字形状)。例如，平台部152、153的侧面部1525、1535的尺寸大于平台部152、153的端面部1524、1534的尺寸。平台部152、153的端面部1524、1534的谐振器方向R上的宽度与平台部152、153的侧面部1525、1535的宽度方向T上的宽度相等或大致相等，例如为20μm的宽度。
在本实施例四涉及的半导体激光元件100D中，与现有例相比，平台部152、153变小且槽部154、154变宽，并能够提高从发光部(105)到具有良好导热性的金属电极(112)的散热效率，与现有的半导体激光元件相比，可以提高工作温度。
根据本实施例四，由于形成为“コ”字形状的平台部152、153用作支撑件，因此在组装到基座时也可以避免半导体激光元件100D倾斜的不良情况。
[关于本实施方式]
在半导体激光元件100A至100D中，形成条纹状的发光区域。半导体激光元件100A至100D经由未图示的焊料层将与半导体基板(101)相对的面粘接到基座而形成。半导体激光元件100A至100D包括平台部152、153，该平台部152、153在其由焊料层粘接的侧的表面上通过槽部154、154从成为通电部的脊部151分离，且金属(112)覆盖包括槽部154、154的区域的上表面。
在实施例一至实施例四的半导体激光元件100A至100D中，平台部152、153以分散为多个的方式被分割。
在实施例三、实施例四的半导体激光元件100C、100D中，平台部152、153的宽度方向T上的宽度即平台宽度在谐振器方向R上不是固定的(有变化)，且在至少一部分上平台宽度窄于平台部152、153与脊部151之间的槽部154、154的宽度。
在实施例三、实施例四的半导体激光元件100C、100D中，平台部152、153的平台宽度在谐振器方向R上不是固定的(有变化)，且在谐振器方向R上的整个区域，平台宽度窄于平台部152、153与脊部151之间的槽部154、154的宽度。
根据本实施方式(实施例一至实施例四)，在散热路径中，与现有技术相比，可以使晶体层(102至111)与具有比晶体层(102至111)的更高的导热性的金属(112)之间的粘接面积更大。由此，在脊部151下方的活性层105或作为电流通路的脊部151中产生的热量可以效率良好地释放到基座，并且活性层105的有效温度保持低于之前的温度。其结果，与现有技术相比，可以提高半导体激光元件100A至100D的工作温度。
在实施例一至实施例四的半导体激光元件100A至100D中，平台部152、153以分被规则地分割。通过这样，平台部152、153可以稳定地用作支撑件，并且可以从平台部均匀地向金属(112)散热。
并且，在现有的半导体激光元件中，当将半导体激光元件固接到基站上时，半导体激光元件的半导体基板和基座的热膨胀系数不同，在固接之后，应力在与半导体激光元件的脊部的谐振器方向R和层厚方向垂直的宽度方向上起作用，存在激光的偏振特性恶化，或者辐射图案的形状紊乱这样的不良情况。
在这方面，在实施例一至实施例四的半导体激光元件100A至100D中，通过纵横的多个凹部152a、153a将平台部152、153分割为格子状。这样，当分割平台部152、153时，可以使与散热性良好的金属(112)的接触面积增加，并且能够使散热性提升。在此基础上，可以分散由平台部152和153的固接产生的应力，并使施加到脊部151的应力减少。其结果，存在可以降低激光的偏振特性或辐射图案的劣化的效果。
此外，使半导体激光器元件工作时的发热部以脊部下方的发光部为中心，并且为了释放发光部的热量，从发光部到高导热性的金属(金属电极)之间的距离应尽可能靠近。在这种意义上，通过使平台部作为尽可能小的槽部，具有可以容易地进行从平台部到金属(金属电极)的散热的效果。
在这方面，在实施例二、实施例三的半导体激光元件100B、100C中，设为如下结构：平台部152、153在谐振器方向R上被分成多个，并至少在其一部分上沿谐振器方向R的侧面的区域即侧面区域为止不存在平台部152、153。通过这样，在保留固接到基座时的半导体激光元件100B和100C的支撑的基础上，可以提升使从半导体激光元件100B、100C容易地向金属(112)散热的效果。由此，可以将热量效率良好地向基座释放。另外，作为支撑件的平台部152、153在如实施例三的半导体激光元件100C那样仅形成在四个角处的情况下，能够进一步提升作为支撑件的功能。
另外，在实施例四的半导体激光元件100D中，在谐振器方向R上改变平台部152、153的宽度，并且在谐振器方向R两侧的端面部1524和1534处最宽。在这种情况下实施例二、实施例三也是同样地，在留下固接到基座时的半导体激光元件100D的支撑之后，可以进一步提升从半导体激光元件100D容易地向金属(112)散热的效果。由此，可以将热量效率良好地向基座释放。另外，在实施例四中，优选使狭窄处的平台宽度尽可能窄于槽部154、154的宽度。
本发明并不限定于以上说明的实施方式，能够以其他的各种方式来实施。因此，所涉及的实施方式在所有方面仅是示例，不应限定性地理解。本发明的范围是由权利要求所示的范围，在说明书的正文中，没有任何限制。进一步地，属于权利要求的等同范围的变形及变更均在本发明的范围内。

Claims (4)

1.一种半导体激光元件，其经由焊料层粘接面和基座而形成，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件的特征在于，
包括平台部，其在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，
金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部以分散为多个的方式被分割，
所述平台部由纵横的凹部被分割为格子状，
所述平台部的宽度即平台宽度在谐振器方向上的两侧的端面部处最宽，
所述平台部以如下方式设置为コ字形状：垂直于所述谐振器方向和层厚方向的宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述谐振器方向延伸，并且，所述谐振器方向上的两侧的端面部从所述宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述宽度方向延伸，所述宽度方向上的两侧的侧面部在所述谐振器方向上的尺寸大于所述谐振器方向上的两侧的端面部在所述宽度方向上的尺寸。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，
所述平台部被规则地分割。
3.一种半导体激光元件，其经由焊料层粘接面和基座而形成，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件的特征在于，
包括平台部，其在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，
金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部的宽度即平台宽度在谐振器方向上不是固定的，在至少一部分上所述平台宽度窄于所述平台部与所述脊部之间的所述槽部的宽度，并且，在所述谐振器方向上的两侧的端面部处最宽，
所述平台部以如下方式设置为コ字形状：垂直于所述谐振器方向和层厚方向的宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述谐振器方向延伸，并且，所述谐振器方向上的两侧的端面部从所述宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述宽度方向延伸，所述宽度方向上的两侧的侧面部在所述谐振器方向上的尺寸大于所述谐振器方向上的两侧的端面部在所述宽度方向上的尺寸。
4.一种半导体激光元件，其经由焊料层粘接面和基座而形成，所述面为条纹状的发光区域所形成的半导体激光元件的与半导体基板相反侧的面，所述半导体激光元件的特征在于，
包括平台部，其在由所述焊料层粘接的所述半导体激光元件的表面上，通过槽部从成为通电部的脊部分离，
金属覆盖包含所述槽部的区域的上表面，所述平台部的宽度即平台宽度在谐振器方向上不是固定的，在所述谐振器方向的整个区域上所述平台宽度窄于所述平台部与所述脊部之间的所述槽部的宽度，并且，在所述谐振器方向上的两侧的端面部处最宽，
所述平台部以如下方式设置为コ字形状：垂直于所述谐振器方向和层厚方向的宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述谐振器方向延伸，并且，所述谐振器方向上的两侧的端面部从所述宽度方向上的两侧的侧面部沿着所述宽度方向延伸，所述宽度方向上的两侧的侧面部在所述谐振器方向上的尺寸大于所述谐振器方向上的两侧的端面部在所述宽度方向上的尺寸。
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