JPS62158377A - 分布帰還型半導体レ−ザ− - Google Patents
分布帰還型半導体レ−ザ−Info
- Publication number
- JPS62158377A JPS62158377A JP60298310A JP29831085A JPS62158377A JP S62158377 A JPS62158377 A JP S62158377A JP 60298310 A JP60298310 A JP 60298310A JP 29831085 A JP29831085 A JP 29831085A JP S62158377 A JPS62158377 A JP S62158377A
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- JP
- Japan
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- grating
- laser
- layer
- irregularities
- end surfaces
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分布帰還型半導体レーザーに関するものであっ
て、特に端面効果による悪影響を除去したものである。
て、特に端面効果による悪影響を除去したものである。
本発明は、第１のクラッド層と、この第１のクラッド層
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
かつグレーティングを有するガイド層と、このガイド層
上に設けられている第２のクラッド層とをそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーテ
ィングを構成する凹凸の延びる方向をレーザー端面に対
して傾斜させることによって、端面におけるグレーティ
ングの位相を平均化し、端面反射により生ずる素子間の
特性のばらつきをなくすことができるようにしたもので
ある。
上に設けられている活性層と、この活性層上に設けられ
かつグレーティングを有するガイド層と、このガイド層
上に設けられている第２のクラッド層とをそれぞれ具備
する分布帰還型半導体レーザーにおいて、上記グレーテ
ィングを構成する凹凸の延びる方向をレーザー端面に対
して傾斜させることによって、端面におけるグレーティ
ングの位相を平均化し、端面反射により生ずる素子間の
特性のばらつきをなくすことができるようにしたもので
ある。
従来、第４Ａ図に示すような分布帰還（ｄｉｓｔｒｉ−
ｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃｋ）型半導体レーザー（以
下ＤＦＢレーザーという）が知られている。この第４Ａ
図に示す従来のＤＦＢレーザーにおいては、ｎ −Ｇａ
Ａｓ基板１上にクラッド層を構成するｎ −Ａｌｘ Ｇ
ａ、。
ｂｕｔｅｄ ｆｅｅｄｂａｃｋ）型半導体レーザー（以
下ＤＦＢレーザーという）が知られている。この第４Ａ
図に示す従来のＤＦＢレーザーにおいては、ｎ −Ｇａ
Ａｓ基板１上にクラッド層を構成するｎ −Ａｌｘ Ｇ
ａ、。
Ａｓ層２、活性層を構成する＾Ｒ，Ｇａ、−、Ａｓ （
ｙ ＜ ｘ）層３、ガイド層を構成するｐ−Ａ１１ｚ
Ｇａｌ−２Ａｓ（ｙ＜ｚ＜ｘ）層４及びクラッド層を構
成するｐＡ ｊ！ ｘ Ｇａｌ−ＸＡＳ層５が順次設け
られている。
ｙ ＜ ｘ）層３、ガイド層を構成するｐ−Ａ１１ｚ
Ｇａｌ−２Ａｓ（ｙ＜ｚ＜ｘ）層４及びクラッド層を構
成するｐＡ ｊ！ ｘ Ｇａｌ−ＸＡＳ層５が順次設け
られている。
上記ガイド層を構成するｐ Ａｌｚ Ｇａｌ−１Ａ
ｓ層４のｐ −Ａ Ｉｔ Ｘ Ｇａｒ−ｘ Ａｓ層層側
側表面には、ブラッグ反射により光を分布的に帰還させ
るためのグレーティング６が設けられている。このグレ
ーティング６は、ピッチ八で周期的に形成された三角波
状凹凸（第１Ｂ図においては山または谷を直線で示す）
から成り、この周期的凹凸の延びる方向は、第４Ｂ図に
示すように、レーザーの両端面７ａ、７ｂに平行となっ
ている。また上記クラッド層を構成するｐ Ａ Ｉ
Ｘ Ｇａ Ｉ−ｚ Ａｓ層５の表面には、例えば長方形
断面を有しかつ上記端面７ａからこれと垂直な方向に他
方の端面７ｂまで延びる、例えばリッジ（ｒｉｄｇｅ）
導波路８が形成されている。
ｓ層４のｐ −Ａ Ｉｔ Ｘ Ｇａｒ−ｘ Ａｓ層層側
側表面には、ブラッグ反射により光を分布的に帰還させ
るためのグレーティング６が設けられている。このグレ
ーティング６は、ピッチ八で周期的に形成された三角波
状凹凸（第１Ｂ図においては山または谷を直線で示す）
から成り、この周期的凹凸の延びる方向は、第４Ｂ図に
示すように、レーザーの両端面７ａ、７ｂに平行となっ
ている。また上記クラッド層を構成するｐ Ａ Ｉ
Ｘ Ｇａ Ｉ−ｚ Ａｓ層５の表面には、例えば長方形
断面を有しかつ上記端面７ａからこれと垂直な方向に他
方の端面７ｂまで延びる、例えばリッジ（ｒｉｄｇｅ）
導波路８が形成されている。
上述のＤＦＢレーザーの端面７ａ、７ｂは、通常、へき
開によって形成されている。ところが、グレーティング
６の凹凸のとッチＡは、２次グレーティングで波長８５
０ｎｍに対して約０．２５μｍ、１次グレーティングで
０．１２μｍと極めて小さい値であるため、上述のよう
にグレーティング６の凹凸の延びる方向が端面７ａ、７
ｂと平行である場合、へき開によって例えば端面７ａを
第５図に示すＡ、Ｂ、Ｃのいずれの位置（位相）に形成
するかを制御することは不可能に近い。このため、従来
のＤＦＢレーザーにおけるグレーティング６は、素子に
よって異なる、偶然に決められた端面位相を有していた
。ところで、ＤＦＢレーザーにおける端面反射の影響は
極めて大きいことが知られており、端面位相によってレ
ーザーの緒特性が大幅に変化してしまうことになるので
、上述の端面位相の非制御性は素子間の特性のばらつき
を招くことになる。
開によって形成されている。ところが、グレーティング
６の凹凸のとッチＡは、２次グレーティングで波長８５
０ｎｍに対して約０．２５μｍ、１次グレーティングで
０．１２μｍと極めて小さい値であるため、上述のよう
にグレーティング６の凹凸の延びる方向が端面７ａ、７
ｂと平行である場合、へき開によって例えば端面７ａを
第５図に示すＡ、Ｂ、Ｃのいずれの位置（位相）に形成
するかを制御することは不可能に近い。このため、従来
のＤＦＢレーザーにおけるグレーティング６は、素子に
よって異なる、偶然に決められた端面位相を有していた
。ところで、ＤＦＢレーザーにおける端面反射の影響は
極めて大きいことが知られており、端面位相によってレ
ーザーの緒特性が大幅に変化してしまうことになるので
、上述の端面位相の非制御性は素子間の特性のばらつき
を招くことになる。
上述の端面効果を除去するために、従来、端面に反射防
止膜を形成する、いわゆる無反射コート（ＡＲコート）
技術が用いられている。
止膜を形成する、いわゆる無反射コート（ＡＲコート）
技術が用いられている。
しかしながら、上述の無反射コート技術は容易とは言え
ない技術であるのみならず、レーザーの製造に要する工
程数が増加するという欠点がある。
ない技術であるのみならず、レーザーの製造に要する工
程数が増加するという欠点がある。
本発明は、従来技術が有する上述のような欠点を是正し
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
た分布帰還型半導体レーザーを提供することを目的とす
る。
本発明に係る分布帰還型半導体レーザーは、第１のクラ
ッド層と、この第１のクラッド層上に設けられている活
性層と、この活性層上に設けられかつグレーティングを
有するガイド層と、このガイド層上に設けられている第
２のクラッド層とをそれぞれ具備する分布帰還型半導体
レーザーにおいて、上記グレーティングを構成する凹凸
の延びる方向をレーザー端面に対して傾斜させている。
ッド層と、この第１のクラッド層上に設けられている活
性層と、この活性層上に設けられかつグレーティングを
有するガイド層と、このガイド層上に設けられている第
２のクラッド層とをそれぞれ具備する分布帰還型半導体
レーザーにおいて、上記グレーティングを構成する凹凸
の延びる方向をレーザー端面に対して傾斜させている。
このように構成することによって、端面におけるグレー
ティングの位相を平均化することが可能となる。
ティングの位相を平均化することが可能となる。
以下本発明をリッジ導波路を有するＤＦＢレーザーに適
用した一実施例につき図面を参照しながら説明する。な
お以下の第１Ａ図及び第Ｌ ８図においては、第４Ａ図
及び第４Ｂ図と同一部分には同一の符号を付す。
用した一実施例につき図面を参照しながら説明する。な
お以下の第１Ａ図及び第Ｌ ８図においては、第４Ａ図
及び第４Ｂ図と同一部分には同一の符号を付す。
第１Ａ図及び第１Ｂ図に示すように、本実施例によるＤ
ＦＢレーザーは、グレーティング６を構成する凹凸の延
びる方向が端面７ａ、７ｂに対して角度θだけ傾斜して
おり、がっこの凹凸の延びる方向とりフジ導波路８の延
びる方向とが直交していることを除いて、第４Ａ図及び
第４Ｂ図に示す従来のＤＦＢレーザーと実質的に同一構
成となっている。
ＦＢレーザーは、グレーティング６を構成する凹凸の延
びる方向が端面７ａ、７ｂに対して角度θだけ傾斜して
おり、がっこの凹凸の延びる方向とりフジ導波路８の延
びる方向とが直交していることを除いて、第４Ａ図及び
第４Ｂ図に示す従来のＤＦＢレーザーと実質的に同一構
成となっている。
上記角度θは、端面７ａ、７ｂにおけるリッジ導波路８
の幅Ｗ（第１Ｂ図参照）内においてグレーティング６の
位相を平均化するように選ばれ、次式を満足する。
の幅Ｗ（第１Ｂ図参照）内においてグレーティング６の
位相を平均化するように選ばれ、次式を満足する。
θ≧５ｉｎ−’ （Δ／Ｗ） ■θΦ値の一例
を挙げると、例えば波長λ＝８５０ｎｍのＤＦＢレーザ
ーの場合、Ａ＝０．１２μｍ５Ｗ＝３μｍとすると■式
よりθ≧２．３° となり、この程度の傾斜角度θはグ
レーティング形成にも特に支障を生じない値である。
を挙げると、例えば波長λ＝８５０ｎｍのＤＦＢレーザ
ーの場合、Ａ＝０．１２μｍ５Ｗ＝３μｍとすると■式
よりθ≧２．３° となり、この程度の傾斜角度θはグ
レーティング形成にも特に支障を生じない値である。
なお上述の第１Ｂ図に示すようなグレーティング６は、
第２図に示すように、図示省略した所定のレーザー光源
からのレーザー光線りをビームスプリッタ−ＢＳに入射
させ、その透過光と反射光とをそれぞれ反射鏡Ｍ１、Ｍ
２により反射させ、これらの反射光を露光面Ｓ上で合流
させて干渉縞を生じさせることにより露光を行うように
した、いわゆるホログラフィック露光の配置において、
端面とグレーティングの凹凸の延びる方向とが平行な従
来のグレーティングを形成する場合に比べて、露光面Ｓ
を面内において角度θだけ回転させた状態で露光を行う
ことにより形成することができる。
第２図に示すように、図示省略した所定のレーザー光源
からのレーザー光線りをビームスプリッタ−ＢＳに入射
させ、その透過光と反射光とをそれぞれ反射鏡Ｍ１、Ｍ
２により反射させ、これらの反射光を露光面Ｓ上で合流
させて干渉縞を生じさせることにより露光を行うように
した、いわゆるホログラフィック露光の配置において、
端面とグレーティングの凹凸の延びる方向とが平行な従
来のグレーティングを形成する場合に比べて、露光面Ｓ
を面内において角度θだけ回転させた状態で露光を行う
ことにより形成することができる。
上述の実施例によれば、グレーティング６を構成する凹
凸の延びる方向をレーザー端面７ａ、７、ｂに対して、
■式で決められる角度θだけ傾斜させているので、へき
開によって端面７ａ、７ｂがどの位置に形成されてもこ
れらの端面７ａ、７ｂにおけるグレーティング６の位相
を上述のように平均化することができる。このため、端
面７ａ、７ｂによる反射光量を減少させることができる
ので、端面反射効果が実質的に除去され、従って素子間
のレーザー特性のばらつきを殆どなくすことができる。
凸の延びる方向をレーザー端面７ａ、７、ｂに対して、
■式で決められる角度θだけ傾斜させているので、へき
開によって端面７ａ、７ｂがどの位置に形成されてもこ
れらの端面７ａ、７ｂにおけるグレーティング６の位相
を上述のように平均化することができる。このため、端
面７ａ、７ｂによる反射光量を減少させることができる
ので、端面反射効果が実質的に除去され、従って素子間
のレーザー特性のばらつきを殆どなくすことができる。
また端面７ａから出射されるレーザー光と端面７ｂから
出射されるレーザー光との非対′称性もなくすことがで
きる。さらにまた、エージングによって生ずる端面位相
特性の不安定性も除去することができる。
出射されるレーザー光との非対′称性もなくすことがで
きる。さらにまた、エージングによって生ずる端面位相
特性の不安定性も除去することができる。
さらに、上述の実施例によれば、ＡＲコート技術を用い
た場合のようにレーザーの製造に要する工程数が増加す
ることがなく、プロセス的にも簡単である。のみならず
、上述の実施例においては、グレーティング６の凹凸の
延びる方向とりフジ導波路８の延びる方向とを直交させ
ているので、従来のＤＦＢレーザーと同等の利得を得る
ことができる。
た場合のようにレーザーの製造に要する工程数が増加す
ることがなく、プロセス的にも簡単である。のみならず
、上述の実施例においては、グレーティング６の凹凸の
延びる方向とりフジ導波路８の延びる方向とを直交させ
ているので、従来のＤＦＢレーザーと同等の利得を得る
ことができる。
以上本発明の一実施例につき説明したが、本発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、グレーテ
ィング６を構成する凹凸の傾斜角度θは、■式に基づき
、さらに必要に応じてレーザーのその他の設計パラメー
タを考慮に入れて適宜選定することができる。また、上
述の実施例においては、光導波路として、屈折率ガイド
の一種であるリッジ導波路８を用いたが、必要に応じて
その他の種類の屈折率ガイド、さらには利得ガイドを用
いることが可能である。さらにまた、上述の実施例にお
いては、クラッド層としてｎ−Ａｌ！、ＸＧａ１−ｘ
Ａｓ層２及びｐ −ＡＮ、 Ｇａ、−、Ａｓ層５、活性
層としてＡ Ｉ！ ｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ層３、ガイド
層としてｐＡｊ２ｚＧａｌ−ｚ＾Ｓ層４を用いたが、必
要に応じてその他の各種半導体層を用いることが可能で
ある。
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、グレーテ
ィング６を構成する凹凸の傾斜角度θは、■式に基づき
、さらに必要に応じてレーザーのその他の設計パラメー
タを考慮に入れて適宜選定することができる。また、上
述の実施例においては、光導波路として、屈折率ガイド
の一種であるリッジ導波路８を用いたが、必要に応じて
その他の種類の屈折率ガイド、さらには利得ガイドを用
いることが可能である。さらにまた、上述の実施例にお
いては、クラッド層としてｎ−Ａｌ！、ＸＧａ１−ｘ
Ａｓ層２及びｐ −ＡＮ、 Ｇａ、−、Ａｓ層５、活性
層としてＡ Ｉ！ ｙ Ｇａ＋−ｙ Ａｓ層３、ガイド
層としてｐＡｊ２ｚＧａｌ−ｚ＾Ｓ層４を用いたが、必
要に応じてその他の各種半導体層を用いることが可能で
ある。
なお第３図に示すように、グレーティング６の凹凸の延
びる方向は従来と同様に端面７ａ、７ｂと平行にし、リ
ッジ導波路８の延びる方向を端面７ａ、７ｂの法線に対
して角度θ′だけ傾斜させることによっても上述の実施
例とほぼ同等の効果が得られる。この場合、上記角度θ
′は、端面７ａ、７ｂ’に垂直な光の導波を妨げるため
に、次式を満足しなければならない。
びる方向は従来と同様に端面７ａ、７ｂと平行にし、リ
ッジ導波路８の延びる方向を端面７ａ、７ｂの法線に対
して角度θ′だけ傾斜させることによっても上述の実施
例とほぼ同等の効果が得られる。この場合、上記角度θ
′は、端面７ａ、７ｂ’に垂直な光の導波を妨げるため
に、次式を満足しなければならない。
θ′≧ｔａｎ−’ （Ｗ／ Ｌ ） ■ここで
、Ｌは端面７ａ、７ｂ間の距離（共振器長に相当する）
である。例えば、Ｗ＝３μｍＳｌ、＝２５０μｍとした
場合、０式よりθ′≧０．７°となり、これは十分に実
現可能な値である。
、Ｌは端面７ａ、７ｂ間の距離（共振器長に相当する）
である。例えば、Ｗ＝３μｍＳｌ、＝２５０μｍとした
場合、０式よりθ′≧０．７°となり、これは十分に実
現可能な値である。
本発明によれば、グレーティングを構成する凹凸の延び
る方向をレーザー端面に対して傾斜させているので、端
面におけるグレーティングの位相を平均化することがで
き、従うて端面による反射光量を減少させることができ
る。このため、端面反射による素子特性のばらつきをな
くすことが可能となる。のみならず、レーザーの製造に
要する工程数を増加させることもない。
る方向をレーザー端面に対して傾斜させているので、端
面におけるグレーティングの位相を平均化することがで
き、従うて端面による反射光量を減少させることができ
る。このため、端面反射による素子特性のばらつきをな
くすことが可能となる。のみならず、レーザーの製造に
要する工程数を増加させることもない。
第１Ａ図は本発明の一実施例によるＤＦＢレーザーの斜
視図、第１Ｂ図は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーのグレ
ーティングの平面図、第２図は第１Ｂ図に示すグレーテ
ィングをホログラフインク露光により形成する方法を説
明するための説明図、第３図は凹凸の延びる方向が端面
と平行で導波路の延びる方向が端面の法線に対して傾斜
しているグレーティングの平面図、第４Ａ図は従来のＤ
ＦＢレーザーの斜視図、第４Ｂ図は第４Ａ図に示す従来
のＤＦＢレーザーのグレーティングの平面図、第５図は
へき開によるレーザー端面の形成位置の非制御性を説明
するための部分拡大断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １ ＝−−−＝−−−−＝−＝ ｎ −ＧａＡｓ基板２
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−・ｎ −Ａ
ｌ 、 Ｇａｔ−、Ａｓ層３−−−−−−−−−−−−
−＝−Ａ ｌ 、 Ｇａ 、 −、Ａｓ層４−・−−−
−−−−−−−−−−−−−ｐ −Ａ ｌ ｚ Ｇａ１
−ｚ Ａｓ層５−−−−−−−−−−−−−−−−−＝
ｐ −Ａ Ｉ ＸＧａ、−、Ａｓ層６・−・・−・−・
−・・・−・・−・グレーティング７ａ、７ｂ−・−・
−・端面 ８−・・−・−−−−−−−−−・・リッジ導波路であ
る。
視図、第１Ｂ図は第１Ａ図に示すＤＦＢレーザーのグレ
ーティングの平面図、第２図は第１Ｂ図に示すグレーテ
ィングをホログラフインク露光により形成する方法を説
明するための説明図、第３図は凹凸の延びる方向が端面
と平行で導波路の延びる方向が端面の法線に対して傾斜
しているグレーティングの平面図、第４Ａ図は従来のＤ
ＦＢレーザーの斜視図、第４Ｂ図は第４Ａ図に示す従来
のＤＦＢレーザーのグレーティングの平面図、第５図は
へき開によるレーザー端面の形成位置の非制御性を説明
するための部分拡大断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １ ＝−−−＝−−−−＝−＝ ｎ −ＧａＡｓ基板２
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−・ｎ −Ａ
ｌ 、 Ｇａｔ−、Ａｓ層３−−−−−−−−−−−−
−＝−Ａ ｌ 、 Ｇａ 、 −、Ａｓ層４−・−−−
−−−−−−−−−−−−−ｐ −Ａ ｌ ｚ Ｇａ１
−ｚ Ａｓ層５−−−−−−−−−−−−−−−−−＝
ｐ −Ａ Ｉ ＸＧａ、−、Ａｓ層６・−・・−・−・
−・・・−・・−・グレーティング７ａ、７ｂ−・−・
−・端面 ８−・・−・−−−−−−−−−・・リッジ導波路であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１のクラッド層と、この第１のクラッド層上に設けら
れている活性層と、この活性層上に設けられかつグレー
ティングを有するガイド層と、このガイド層上に設けら
れている第２のクラッド層とをそれぞれ具備する分布帰
還型半導体レーザーにおいて、 上記グレーティングを構成する凹凸の延びる方向をレー
ザー端面に対して傾斜させたことを特徴とする分布帰還
型半導体レーザー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298310A JPS62158377A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60298310A JPS62158377A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158377A true JPS62158377A (ja) | 1987-07-14 |
Family
ID=17857987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60298310A Pending JPS62158377A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | 分布帰還型半導体レ−ザ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158377A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0447983A2 (en) * | 1990-03-16 | 1991-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser chip and method of making the same |
| US5337328A (en) * | 1992-05-08 | 1994-08-09 | Sdl, Inc. | Semiconductor laser with broad-area intra-cavity angled grating |
| EP0704946A1 (de) * | 1994-08-31 | 1996-04-03 | Deutsche Telekom AG | Optoelektronisches Multi-Wellenlängen Bauelement |
| GB2488399A (en) * | 2011-02-01 | 2012-08-29 | Avago Tech Fiber Ip Sg Pte Ltd | Surface emitting semiconductor laser device |
| US8315287B1 (en) | 2011-05-03 | 2012-11-20 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd | Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive lens, and a method for making the device |
| CN103078250A (zh) * | 2013-01-18 | 2013-05-01 | 中国科学院半导体研究所 | 基于非对称相移光栅的窄线宽dfb半导体激光器 |
| US8582618B2 (en) | 2011-01-18 | 2013-11-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive or refractive lens on the semiconductor laser device |
| CN104917052A (zh) * | 2015-07-06 | 2015-09-16 | 中国科学院半导体研究所 | 变周期倾斜光栅激光器及制备方法 |
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-
1985
- 1985-12-28 JP JP60298310A patent/JPS62158377A/ja active Pending
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