JPH02110986A - 多波長半導体レーザ - Google Patents
多波長半導体レーザInfo
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- JPH02110986A JPH02110986A JP63263297A JP26329788A JPH02110986A JP H02110986 A JPH02110986 A JP H02110986A JP 63263297 A JP63263297 A JP 63263297A JP 26329788 A JP26329788 A JP 26329788A JP H02110986 A JPH02110986 A JP H02110986A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射可能な半
導体レーザに関するものである。
導体レーザに関するものである。
従来、１素子から２波長以上の複数のレーザ光を出射す
ることのできる半導体レーザ素子としては、出射レーザ
波長が異なるようにその組成を異ならせた複数の活性層
を配列した構成を存するもの：分布帰遷型（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ、 ＤＢＲ）半導体
レーザ構造、あるいは分布反射型（Ｄｉｓｔｒｉ−ｂｕ
ｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ 、 ＤＢＲ）
半導体レーザ構造のからなる単位の複数を同一基板上に
配列し、各レーザ構造の回折格子のピッチを異ならせる
ことにより、各回折格子のピッチに対応するブラッグ反
射波長を異ならせ、その結果として各レーザ構造からの
出射光の波長を異ならせる構成を有するもの等が知られ
ている。
ることのできる半導体レーザ素子としては、出射レーザ
波長が異なるようにその組成を異ならせた複数の活性層
を配列した構成を存するもの：分布帰遷型（Ｄｉｓｔｒ
ｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄ Ｂａｃｋ、 ＤＢＲ）半導体
レーザ構造、あるいは分布反射型（Ｄｉｓｔｒｉ−ｂｕ
ｔｅｄ ＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ 、 ＤＢＲ）
半導体レーザ構造のからなる単位の複数を同一基板上に
配列し、各レーザ構造の回折格子のピッチを異ならせる
ことにより、各回折格子のピッチに対応するブラッグ反
射波長を異ならせ、その結果として各レーザ構造からの
出射光の波長を異ならせる構成を有するもの等が知られ
ている。
しかしながら、従来例の多波長半導体レーザにおいては
、製造に複雑なプロセスが要求される。
、製造に複雑なプロセスが要求される。
例えば、それぞれの組成を変えた複数の活性層をの形成
においては、１つ１つの活性層を個々に形成するいう手
間のかかるプロセスが必要となる。
においては、１つ１つの活性層を個々に形成するいう手
間のかかるプロセスが必要となる。
一方、ＤＦＢ型やＤＢＲ型構造の回折格子は、通常、回
折格子を形成する面−Ｆに設けたレジストに２光束干渉
法による露光後、エツチングを行なって回折格子被形成
面に回折格子を刻印するという方法によって形成される
。しかしながら、異なるピッチの回折格子を有する複数
のＤＦＢ型やＤＢＲ型構造を配列した多波長半導体レー
ザの形成に際して、異なるピッチの回折・格子を得るに
は、レジスト露光の段階で、１つの回折格子の横幅に対
応したスリットを用意し、該スリットを各回折格子形成
位置に対応させてスライドさせるとともに、その都度干
渉させる２光束の角度を順次変えながら、露光を行なう
という手間のかかるプロセスが必要とされる（ＩＥＥＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱＵＡＮＴｔ］ＭＥＬＥＣＴ
ＲＯＮＩＣ５ＶＯＩ ＱＥ−１３ＮＯ４ｐｐ２２０−２
２３参照）。
折格子を形成する面−Ｆに設けたレジストに２光束干渉
法による露光後、エツチングを行なって回折格子被形成
面に回折格子を刻印するという方法によって形成される
。しかしながら、異なるピッチの回折格子を有する複数
のＤＦＢ型やＤＢＲ型構造を配列した多波長半導体レー
ザの形成に際して、異なるピッチの回折・格子を得るに
は、レジスト露光の段階で、１つの回折格子の横幅に対
応したスリットを用意し、該スリットを各回折格子形成
位置に対応させてスライドさせるとともに、その都度干
渉させる２光束の角度を順次変えながら、露光を行なう
という手間のかかるプロセスが必要とされる（ＩＥＥＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＱＵＡＮＴｔ］ＭＥＬＥＣＴ
ＲＯＮＩＣ５ＶＯＩ ＱＥ−１３ＮＯ４ｐｐ２２０−２
２３参照）。
本発明は、多波長半導体レーザ素子の構造的な問題、特
に複雑な製造プロセスが必要とされるという作製上の問
題に鑑みなされたものであり、より簡易なプロセスでの
作製が可能な構造を有する多波長半導体レーザ素子を提
供することにある。
に複雑な製造プロセスが必要とされるという作製上の問
題に鑑みなされたものであり、より簡易なプロセスでの
作製が可能な構造を有する多波長半導体レーザ素子を提
供することにある。
本発明の多波長半導体レーザは、基板上に分布反射型半
導体レーザからなる単位の複数を配列し、各半導体レー
ザ単位の分布反射器（ブラッグ反射器）が形成されてい
る導波路部分のチャンネル幅を異ならせたことを特徴と
し、より簡易な製造プロセスを用いて作製可能な構造を
有する。
導体レーザからなる単位の複数を配列し、各半導体レー
ザ単位の分布反射器（ブラッグ反射器）が形成されてい
る導波路部分のチャンネル幅を異ならせたことを特徴と
し、より簡易な製造プロセスを用いて作製可能な構造を
有する。
すなわち、本発明の多波長レーザにおける各半導体レー
ザ単位は、該導波路の分布反射器形成部分のチャンネル
幅が異なる以外は、同一あるいは共通の構造を有し、活
性層、回折格子等については、効率の良い一括形成が可
能となり、しかも、異なるチャンネル幅を有する導波路
部分の作製も簡単な一括露光による方法を用いて行なえ
る。
ザ単位は、該導波路の分布反射器形成部分のチャンネル
幅が異なる以外は、同一あるいは共通の構造を有し、活
性層、回折格子等については、効率の良い一括形成が可
能となり、しかも、異なるチャンネル幅を有する導波路
部分の作製も簡単な一括露光による方法を用いて行なえ
る。
従って、本発明のレーザ素子は、より簡易な製造プロセ
スを用いて効率良く作製することができるものである。
スを用いて効率良く作製することができるものである。
以Ｆ、実施例により本発明を更に詳細に説明する。なお
、本発明の多波長半導体レーザを構成する各層は、通常
この分野で利用されている材料及び方法によって形成で
きるものであり、また、各層の層厚やリッジ構造等のサ
イズなどは適宜変更可能である。
、本発明の多波長半導体レーザを構成する各層は、通常
この分野で利用されている材料及び方法によって形成で
きるものであり、また、各層の層厚やリッジ構造等のサ
イズなどは適宜変更可能である。
実施例１
′ｆＪｉ図及び第２図は、本発明のレーザ素子の一例の
主要部の構成を示す図であり、第１図（ａ）はその平面
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示したＡ−Ｂ線にそ
った断面図、第２図は第１図（ａ）に示したＣ−Ｄ線部
分断面図である。
主要部の構成を示す図であり、第１図（ａ）はその平面
図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示したＡ−Ｂ線にそ
った断面図、第２図は第１図（ａ）に示したＣ−Ｄ線部
分断面図である。
このレーザ素子は、第２図の部分断面図に示されている
ように、（１１０）而を有するｎ−ＧａＡｓ基板１（厚
さ： １００ ｇｆｌ） 、ｆにｎ−ＧａＡｓバッファ
ー層１７、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８（厚さ：
１．５ ｇｆｆｉ） 、組成Ａ１．Ｇａ＋−８Ａｓの×
が層の厚さ方向の距離の２乗に比例して変化しているｎ
−ＡｌＧａＡｓ ＳＧ （ＳｅｐａｒａｔｅＣｏｎｔｉ
ｎｕｅｎｔ）層１９（厚さ：１５０人）、活性層１６と
してのＧａＡｓ単一量子井戸型（ＳｉｎｇｌｅＱｕａｎ
ｔｕｍ Ｗｅｌｌ、 Ｓ Ｑ Ｗ ）層２０（厚さ：
１００人）、組成ＡｌＸＧａ、−、ＡｓのＸが層１９と
同様に層の厚さ、方向に対して徐々に変化しているｐ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣ層２１（厚さ：１５０人）、ｐ−へ
１ＧａＡｓクラッド層２２（リッジ構造内での厚さ’
１−５ ｕ） 、 １ｌ−ＧａＡｓキャップ層２４（厚
さ＝０．５μｍ）が順次積層された構造を有する。
ように、（１１０）而を有するｎ−ＧａＡｓ基板１（厚
さ： １００ ｇｆｌ） 、ｆにｎ−ＧａＡｓバッファ
ー層１７、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層１８（厚さ：
１．５ ｇｆｆｉ） 、組成Ａ１．Ｇａ＋−８Ａｓの×
が層の厚さ方向の距離の２乗に比例して変化しているｎ
−ＡｌＧａＡｓ ＳＧ （ＳｅｐａｒａｔｅＣｏｎｔｉ
ｎｕｅｎｔ）層１９（厚さ：１５０人）、活性層１６と
してのＧａＡｓ単一量子井戸型（ＳｉｎｇｌｅＱｕａｎ
ｔｕｍ Ｗｅｌｌ、 Ｓ Ｑ Ｗ ）層２０（厚さ：
１００人）、組成ＡｌＸＧａ、−、ＡｓのＸが層１９と
同様に層の厚さ、方向に対して徐々に変化しているｐ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣ層２１（厚さ：１５０人）、ｐ−へ
１ＧａＡｓクラッド層２２（リッジ構造内での厚さ’
１−５ ｕ） 、 １ｌ−ＧａＡｓキャップ層２４（厚
さ＝０．５μｍ）が順次積層された構造を有する。
この多波長単導体レーザにおいては、電流狭窄および光
の閉じ込めがリッジ構造によって行なわれ、このリッジ
構造が設けられている部分が本発明でいう半導体レーザ
単位を構成している。
の閉じ込めがリッジ構造によって行なわれ、このリッジ
構造が設けられている部分が本発明でいう半導体レーザ
単位を構成している。
また、リッジ構造の電極６．７．８直下の領域が活性層
からの発光を行なわせる活性領域となっている。
からの発光を行なわせる活性領域となっている。
このリッジ構造は、上述の各層を順次積層した後に、リ
ッジ構造となる部分がストライプ状に残されるようにエ
ツチングを行なって、リッジ部を形成し、その後ＳｉＮ
絶縁膜２３の成膜、次いでＡｕ電極（個別電極６．７．
８、共通電極１５）の成膜を行なうことによって形成さ
れる。
ッジ構造となる部分がストライプ状に残されるようにエ
ツチングを行なって、リッジ部を形成し、その後ＳｉＮ
絶縁膜２３の成膜、次いでＡｕ電極（個別電極６．７．
８、共通電極１５）の成膜を行なうことによって形成さ
れる。
なお、Ａｕ電極はそれぞれｎ−ＧａＡｓ基板１およびｐ
−ＧａＡｓキャップ層２４と合金化されている。
−ＧａＡｓキャップ層２４と合金化されている。
各ｍ位置で、電極６．７．８の直下のリッジ構造及びク
ラッド層２２から共通電極１５までの構造はすべて同一
となっており、８０層２１から電極１５までの構造は各
単位で共有されている。
ラッド層２２から共通電極１５までの構造はすべて同一
となっており、８０層２１から電極１５までの構造は各
単位で共有されている。
各単位におけるリッジ構造における電ｉ６．７．８の設
けられた活性領域の後方に伸びる領域は、活性領域で発
光した光のブラッグ反射を利用した共振器として作用す
るりッジ状のブラッグ反射型導波路（ＤＢＲ導波路）と
して設けられており、該ＤＢＲ導波路３．４．５のチャ
ンネル幅は各単位で異なっている。
けられた活性領域の後方に伸びる領域は、活性領域で発
光した光のブラッグ反射を利用した共振器として作用す
るりッジ状のブラッグ反射型導波路（ＤＢＲ導波路）と
して設けられており、該ＤＢＲ導波路３．４．５のチャ
ンネル幅は各単位で異なっている。
なお、活性領域と導波路のリッジ幅が一致していない単
位においては、活性領域と導波路との接続部に、ゆるや
かにリッジ幅が変わるテーバ導波路９．１１が設けられ
ている。
位においては、活性領域と導波路との接続部に、ゆるや
かにリッジ幅が変わるテーバ導波路９．１１が設けられ
ている。
これらリッジ構造は、上述したように、例えば８０層２
１−トに、クラッド層２２、キャップ層２４等をエピタ
キシャル成長法によって積層した後に、所望のりッジ構
造が残されるように不必要部をエツチングする操作を必
要に応じて１回以」二繰り返すことにより形成すること
ができる。
１−トに、クラッド層２２、キャップ層２４等をエピタ
キシャル成長法によって積層した後に、所望のりッジ構
造が残されるように不必要部をエツチングする操作を必
要に応じて１回以」二繰り返すことにより形成すること
ができる。
このエツチングの際のレジストを、フォトレジスト材料
へのパタ−ン部分及び現像工程を含むフォトリソグラフ
ィーによる方法を用いて形成する場合、所望のリッジ構
造に対応した露光パターン〔Ｗ、なるチャンネル幅（リ
ッジ幅）を有する複数の導波路に対応するパターン部分
を含む］を有するマスクを用意しておけば、該マスクを
用いた一括露光によって異なるチャンネル幅を有する複
数の導波路の形成に必要なレジストを容易に形成できる
。
へのパタ−ン部分及び現像工程を含むフォトリソグラフ
ィーによる方法を用いて形成する場合、所望のリッジ構
造に対応した露光パターン〔Ｗ、なるチャンネル幅（リ
ッジ幅）を有する複数の導波路に対応するパターン部分
を含む］を有するマスクを用意しておけば、該マスクを
用いた一括露光によって異なるチャンネル幅を有する複
数の導波路の形成に必要なレジストを容易に形成できる
。
なお、各単位における導波路、及び該導波路と活性領域
との接続部の上面には、ブラッグ反射を生じさせるため
の回折格子３が設けられており、これは各単位に共通の
構造（同一のピッチ幅を有する）を有する。従９て、各
学位で回折格子のピッチ幅を変えるという煩雑な操作は
必要とされない。この回折格子３のピッチは、各導波路
３．４．５のチャンネル幅との関係を考慮して、所望の
各種波長のレーザの出射が可能となるように設定すれば
良い。
との接続部の上面には、ブラッグ反射を生じさせるため
の回折格子３が設けられており、これは各単位に共通の
構造（同一のピッチ幅を有する）を有する。従９て、各
学位で回折格子のピッチ幅を変えるという煩雑な操作は
必要とされない。この回折格子３のピッチは、各導波路
３．４．５のチャンネル幅との関係を考慮して、所望の
各種波長のレーザの出射が可能となるように設定すれば
良い。
一方、各導波路３．４．５のチャンネル幅は出射するレ
ーザ光の波長に応じてそれぞれ異なるように設定される
。その結果、リッジ幅（チャンネル幅）の児なる各導波
路を伝搬する光の等価屈折率ｎｅｒｆが異なることにな
り、例えば２次の回折を利用する場合、ブラッグ反射波
長λｇは回折格子のピッチを八としてλｇ＝Δ・ｎｅｆ
ｆとなる。
ーザ光の波長に応じてそれぞれ異なるように設定される
。その結果、リッジ幅（チャンネル幅）の児なる各導波
路を伝搬する光の等価屈折率ｎｅｒｆが異なることにな
り、例えば２次の回折を利用する場合、ブラッグ反射波
長λｇは回折格子のピッチを八としてλｇ＝Δ・ｎｅｆ
ｆとなる。
従って、ｎｅｆｆを導波路のチャンネル幅を異ならせる
ことによってブラッグ反射波長が相異なる各単位を作製
きる。
ことによってブラッグ反射波長が相異なる各単位を作製
きる。
以上の構成の多波長半導体レーザにおける活性領域のり
ッジ構造の長さを２００μｓ、ＤＢＲ導波路のリッジ構
造の幅をそれぞれ２．０鱗、２．５間及び３．０μｍの
３種とし、長さを３００μｍに設定し、回折格子ピッチ
を２２００人とし、電極６．７．８からそれぞれおよそ
６０ｍＡの電流を注入したところ、それぞれ７８０ 、
７８３及び７８６ｎｍの波長のレーザ発振が得られた。
ッジ構造の長さを２００μｓ、ＤＢＲ導波路のリッジ構
造の幅をそれぞれ２．０鱗、２．５間及び３．０μｍの
３種とし、長さを３００μｍに設定し、回折格子ピッチ
を２２００人とし、電極６．７．８からそれぞれおよそ
６０ｍＡの電流を注入したところ、それぞれ７８０ 、
７８３及び７８６ｎｍの波長のレーザ発振が得られた。
なお、回折格子２を設ける位置は図示した例に限定され
ず、例えば、活性領域を２つのＤＢＲ導波路ではさんだ
構造にしてもよい。
ず、例えば、活性領域を２つのＤＢＲ導波路ではさんだ
構造にしてもよい。
実施例２
第３図は本発明の第２の実施例を表した構成図である。
本実施例では、発振波長λ１〜λ、。の半導体レーザ単
位が１０本集積されており、単位２５〜２９と、単位３
０〜３４とで回折格子のピッチが異なる。
位が１０本集積されており、単位２５〜２９と、単位３
０〜３４とで回折格子のピッチが異なる。
このような構成によって、出射レーザの波長数を更に増
加させることができる。
加させることができる。
すなわち、上述の実施例１に示された多波長半導体レー
ザのように各単位間における導波路のチャンネル幅の変
化のみで発掘波長を変える場合には、例えば、チャンネ
ル幅を狭くしすぎると、光の閉じ込めが悪くなり、散乱
損の増加し、スレッショルド電流が増す問題を招き、ま
たチャンネル幅を広くしすぎると、そこから出射された
レーザ光か横多モードとなり、発振波長の不安定性を生
ずるとい問題があるので、各単位間で導波路のチャンネ
ル幅の差を広げることによって、出射レーザ波長数を増
加させるには限界がある。
ザのように各単位間における導波路のチャンネル幅の変
化のみで発掘波長を変える場合には、例えば、チャンネ
ル幅を狭くしすぎると、光の閉じ込めが悪くなり、散乱
損の増加し、スレッショルド電流が増す問題を招き、ま
たチャンネル幅を広くしすぎると、そこから出射された
レーザ光か横多モードとなり、発振波長の不安定性を生
ずるとい問題があるので、各単位間で導波路のチャンネ
ル幅の差を広げることによって、出射レーザ波長数を増
加させるには限界がある。
そこで、より多くの波長数を用いたい場合には、第３図
に示すような構成が好適である。
に示すような構成が好適である。
すなわち、それぞれチャンネル幅の異なる５種のＤＢＲ
導波路を配列した２つの領域４７．４８を２つ作製し、
さらに、回折格子を作製するための２光束干渉露光を条
件を変えて２度行ない、ピッチの異なる回折格子領域を
領域４７．４８に形成することによって、１０種のＤＢ
Ｒ導波路のチャンネル幅を用意することなく、すなわち
最も広い幅のＤＢＲ導波路と、最も狭い幅のＤＢＲ導波
路の幅の差を大幅に広げることなく、ブラッグ反射波長
の異な名ＤＢＲ導波路を３７〜４６の１０種類作製でき
る。この結果、各活性領域２５〜３４に不図示の電流源
から電流を注入することによりλ１〜λ１゜のｌＯ波長
のレーザ光が得られる。
導波路を配列した２つの領域４７．４８を２つ作製し、
さらに、回折格子を作製するための２光束干渉露光を条
件を変えて２度行ない、ピッチの異なる回折格子領域を
領域４７．４８に形成することによって、１０種のＤＢ
Ｒ導波路のチャンネル幅を用意することなく、すなわち
最も広い幅のＤＢＲ導波路と、最も狭い幅のＤＢＲ導波
路の幅の差を大幅に広げることなく、ブラッグ反射波長
の異な名ＤＢＲ導波路を３７〜４６の１０種類作製でき
る。この結果、各活性領域２５〜３４に不図示の電流源
から電流を注入することによりλ１〜λ１゜のｌＯ波長
のレーザ光が得られる。
このような構成とすれば、異なるピッチの回折格子を用
いる場合でも、異なるピッチの回折格子の種類を極力少
なくでき、回折格子の形成の際の２光束干渉露光の操作
回数を最小とすることができる。
いる場合でも、異なるピッチの回折格子の種類を極力少
なくでき、回折格子の形成の際の２光束干渉露光の操作
回数を最小とすることができる。
これに対し、従来のように、各単位の回折格子以外の構
造を共通化して、それぞれの単位の回折格子を変化させ
る方法では、回折格子の形成の際の２光束干渉露光を各
単位ごとに行なわなければならないという煩雑な操作が
要求される。
造を共通化して、それぞれの単位の回折格子を変化させ
る方法では、回折格子の形成の際の２光束干渉露光を各
単位ごとに行なわなければならないという煩雑な操作が
要求される。
なお、本発明の多波長半導体レーザの分布反射型レーザ
構造は以上述べた例に示されたものに限定されるもので
はなく、導波路のチャンネル幅の変化で各半導体レーザ
単位からの発振波長を異ならせることのできる構造であ
ればどのような構成をも取り得る。例えば、埋め込みへ
テロ構造など良好な電流狭窄構造と、光閉じ込め構造が
同時に達成できる構造であれば、いずれであってもがま
ねない。
構造は以上述べた例に示されたものに限定されるもので
はなく、導波路のチャンネル幅の変化で各半導体レーザ
単位からの発振波長を異ならせることのできる構造であ
ればどのような構成をも取り得る。例えば、埋め込みへ
テロ構造など良好な電流狭窄構造と、光閉じ込め構造が
同時に達成できる構造であれば、いずれであってもがま
ねない。
（発明の効果〕
以上説明したように、分布反射型レーザ構造からなる単
位の２以−ヒをアレー状に集積し、各車（ｆｆ間で、共
振器としての分布反射器をその構成の一部とする導波路
の幅を変えて導波路の等側屈折率を変えることにより、
ブラッグ反射波長の異なる分布反射型レーザ構造単位の
２以上を同一基板上に集積した本発明の多波長半導体レ
ーザを形成できる。
位の２以−ヒをアレー状に集積し、各車（ｆｆ間で、共
振器としての分布反射器をその構成の一部とする導波路
の幅を変えて導波路の等側屈折率を変えることにより、
ブラッグ反射波長の異なる分布反射型レーザ構造単位の
２以上を同一基板上に集積した本発明の多波長半導体レ
ーザを形成できる。
本発明の多波長半導体レーザがこのような構造を有する
ことによって、その作製の際の回折格子を刻印する過程
におけるレジスト材料への２光束干渉露光を最小回数に
とどめることができ、干渉露光のプロセスが大幅に簡略
化できる。
ことによって、その作製の際の回折格子を刻印する過程
におけるレジスト材料への２光束干渉露光を最小回数に
とどめることができ、干渉露光のプロセスが大幅に簡略
化できる。
第１図（ａ）は本発明の多波長半導体レーザの一例の主
要部を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示し
たＡ−Ｂ線にそった断面図、第２図は第１図（ａ）に示
したＣ−Ｄ線部分断面図、第３図は本発明の多波長半導
体レーザの他の例の主要部を示す平面図である。 １：基板 ２：回折格子 ３〜５．３７〜４６：ＤＢＲ導波路 ６．７．８：活性領域への電流注入用個別電極９．１１
：テーパ型導波路 １２．１３．１４：活性領域への注入電流源１５：共通
電極 １７ ： Ｇａ八へバッファ層 １８ ： ｎ−ＡｌＧａＡｓｌＧａＡｓクララ： ｎ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣＣ ２Ｏ４： ＧａＡｓ ＳＱＷ 活性層２］ ： ｐ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣ層 ２２ ： ｐ−ＡｌＧａ八ｓクへッド層２３ ： Ｓｉ
ｎ層 ２４ ： ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ２５〜３４：活性領域 特許出願人 キャノン株式会社
要部を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示し
たＡ−Ｂ線にそった断面図、第２図は第１図（ａ）に示
したＣ−Ｄ線部分断面図、第３図は本発明の多波長半導
体レーザの他の例の主要部を示す平面図である。 １：基板 ２：回折格子 ３〜５．３７〜４６：ＤＢＲ導波路 ６．７．８：活性領域への電流注入用個別電極９．１１
：テーパ型導波路 １２．１３．１４：活性領域への注入電流源１５：共通
電極 １７ ： Ｇａ八へバッファ層 １８ ： ｎ−ＡｌＧａＡｓｌＧａＡｓクララ： ｎ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣＣ ２Ｏ４： ＧａＡｓ ＳＱＷ 活性層２］ ： ｐ−
ＡｌＧａＡｓ ＳＣ層 ２２ ： ｐ−ＡｌＧａ八ｓクへッド層２３ ： Ｓｉ
ｎ層 ２４ ： ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ２５〜３４：活性領域 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- １）活性領域と、該活性領域で発光した光の共振器を構
成する分布反射器をその構成の一部とする導波路とを有
する分布反射型半導体レーザからなる単位を同一基板上
に配列し、各単位の導波路の分布反射器を有する部分の
チャンネル幅を異ならせて、各単位から発振する光の波
長を異ならせたことを特徴とする多波長半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263297A JPH02110986A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 多波長半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63263297A JPH02110986A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 多波長半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110986A true JPH02110986A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17387518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63263297A Pending JPH02110986A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 多波長半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110986A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
| US6088374A (en) * | 1997-04-15 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures |
| JP2002181705A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Japan Science & Technology Corp | 分光計測装置 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63263297A patent/JPH02110986A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
| US6088374A (en) * | 1997-04-15 | 2000-07-11 | Nec Corporation | Multi-wavelength semiconductor laser array having phase-shift structures |
| JP2002181705A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-06-26 | Japan Science & Technology Corp | 分光計測装置 |
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