JPS63177495A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents

半導体レ−ザ素子

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JPS63177495A
JPS63177495A JP62008833A JP883387A JPS63177495A JP S63177495 A JPS63177495 A JP S63177495A JP 62008833 A JP62008833 A JP 62008833A JP 883387 A JP883387 A JP 883387A JP S63177495 A JPS63177495 A JP S63177495A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は半導体レーザ素子に関し、特に発振波長６６０
　ｎｍ〜８９０　ｎｍでレーザ発振する内部ストライプ
構造の半導体レーザ素子に関するものである０ 〈従来の技術〉 近年、半導体レーザ素子特にＧａＡｌ！Ａｓ　系の半導
体レーザ素子の成長法として、分子線エピタキシー法（
以下、ＭＢＥ法と称す）や有機金属気相成長法ｃ以下、
ＭＯ−ＣＶＤ法と称す）が活用されている。これらの成
長法においては従来の液相成長法と異なり、電流挟挿の
ために基板に印刻されたストライプ状の溝を結晶成長過
程で埋めることができず溝形状に即して均一な厚さに成
長層が形成されるので、半導体レーザ素子の電流及び光
閉じ込め構造としては活性層をクラッド層で挾設する二
重ヘテロ接合構造を積層した後、電流と光を閉じ込める
九めの構造を作り込んでいる。第２図はその作製法を示
す工程説明図である。第２図（５）に示す如＜ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１上にｎ型クラッド層２とＰ型クラッド層４で
ｎ型活性層３を挾設して成る二重ヘテロ接合構造が形成
され、さらにＰ型クラッド層４上に逆極性のｎ−ＧａＡ
ｓ電流阻止層５が積層される。次に電流阻止層５にスト
ライプ状の溝を印刻して第２図（Ｂ）の如くとする０こ
のとき溝底部がＰ　　Ａｌｏ、５Ｇａｏ、５Ａｓ　　ク
ラッド層４にまで達しないようにエツチングする。この
理由は溝がＰ型クラッド層４に達してＰ型クラッド層４
が露呈するとＰ−ＡＩ！ＧａＡｓ　の表面が直ちに酸化
され、以後この上にエピタキシャル成長させることが不
可能になるためである。
次に溝を印刻したウェハーをＭＢＥ又はＭＯ・ＣＶＤ袈
置装成長室に搬入する。第２図（Ｃ）の工程では、成長
室内でＭＢＥ法にあってばＡｓ分子ビーム、ＭＯ−ＣＶ
Ｄ法にあってはＡ　ｓ　Ｈ３ガスをウェハー面に照射し
ながら、８００℃まで昇温する。この加熱によって、溝
底部の電流阻止層５が熱エッチされ、Ｐ型クラッド層が
露出される。この後、第２図（２）に示す如くウェハー
上にＰ−Ａｌｏ、５Ｇａ、５Ａｓ　　層６＋　Ｐ　　（
ｊａＡｓキャップ層７を順次成長させる。以上によって
ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層５が電流閉じ込め及び光閉じ込
め機能を有する半導体レーザ素子が作製される。
ところで上述のプロセスでは少なくとも２つの大きな問
題点があった。第１の問題は第２図（Ｂ）において、ｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層５の底部をわずかに残して印刻を
再現性よく停止することが非常に困難なことである。
第２の問題は第２図（Ｃ）において、溝底部のｎ　−Ｇ
ａＡｓ電流阻止層５の熱エッチを行なう場合、溝内で再
現性よく電流阻止層５を完全に除去しかつＰ−ＡｌＧａ
Ａｓ　　クラッド層４に熱的なダメージを与えないよう
にすることが非常に困難なことである０ 〈発明の目的〉 本発明は、従来クラッド層として用いられてきたＡＩ！
ＧａＡｓ　に代えてＧａＡｓに格子整合したｐ”１−ｓ
ＧａｓＡＳｌ−ｔ”ｔ（０，５１＜ｓ＜１゜０＜ｔく１
．Ｓ＝２．０４ｔ−１，０４）を利用することにより、
混晶成分からＡｌを取シ除き、酸化防止のための複雑困
難なプロセスを必要とすることなく均一な特性で安定な
レーザ発掘な得ることのできる半導体レーザ素子を提供
することを目的とする。
〈実施例〉 第１図は、本発明の１実施例である半導体レーザ素子を
農作工程（Ｃ従って説明する工程図である。
まず、第１図（５）に示す如く、ｎ−ＧａＡｓ基板１上
に、光とキャリアを閉じ込めるｎ　　Ａ７　ｏ５　Ｇａ
　ｏ、５　ＡＳクラッド層２、及びレーザ発振領域とな
るＰ　”０．＋５Ｇａ０．８５ＡＳ活性層３を順次成長
させた後、Ａｌ成分を含まないＰ　　ＩｎＯ，４５Ｇａ
Ｏ，５ＳＰＯ，９□Ａｓ（、。８クラッド層８を積層し
て二重ヘテロ接合構造とする。次にこの上にｎ　−Ｇａ
Ａｓ　　電流阻止層５を積層する。
第１図（Ｂ）の工程では、電流阻止層５にストライプ状
の溝を印刻してその底面がｐ−クラッド層８に達しＰ−
クラッド層８が溝内で露出する電流挟挿用ストライプ構
造を形成する。
本実施例では、この溝の印刻にＨ２Ｓ　０４　：　Ｈ２
０２：Ｈ２０＝４：２：１００（液温１０”Ｃ）のエッ
チャントを使用した。この硫酸系のエッチャントは、Ｇ
ａＡｓを腐食することができるが、ＩｎＯ，４５ＧａＯ
，５５ＰＯ，９２ＡｓＯ，ＯＩｔ　をほとんど腐食でき
ないという性質を有する。このため、ｎ　　ＧａＡｓ電
流阻止層５内でｐ　”０．４５ＧａＯ，５ＳＰ０．９２
Ａｓ０．０８クラッド層８に達する溝を従来に比較して
簡易なプロセスで再現性よく印刻することができる。
次に第１図（Ｃ）において、溝を印刻したウェハーにｐ
　　Ａ　Ｉ！６．５　Ｇ　ａ　ｏ、　５　Ａ　ｓ　　層
６ｒ　ｐ　　ＧａＡｓキヤ。
プ層７を順次積層する。この場合、溝の側面及び底面と
もにＡｌＧａＡｓは全く存在しないので、酸化によるエ
ピタキシャル不良の問題は全くなく、従って成長室内で
の熱エッチも必要ない。
以上によりｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−ＡＡ’ＧａＡｓ
クラッド層とｐ−ＩｎＧａＰＡｓクラッド層８でｐ−Ａ
ｌＧａＡｓ　活性層３を挟設した二重ヘテロ接合構造を
形成しかつこの上に電流狭搾用ストライプ構造を重畳し
た発振波長６６０　ｎｍ〜８９０　ｎｍでレーザ発振す
る本実施例の半導体レーザ素子が作製される。電流阻止
層５と接するｐ−ＩｎＧａＰＡｓクラッド層８の組成は
ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓと格子整合性をとるためＩ　ｎ
　ｓ　−ｓ　Ｇ　ａ　ｓ　Ａ　ｓ　１−（Ｐ　ｔ（０，
５１≦Ｓ≦１，０≦ｔ≦１．ｓ＝２．ｏ４ｔ−１，０４
）に条件設定する。このｐ−クラッド層８は空気中に露
呈されても直ちに酸化されることなくまたＡｌＧａＡｓ
活性層に対してＡＩ！ＧａＡｓ　　クラッド層と同様に
キャリアと光を閉じ込める機能を有する。尚、活性層３
とクラッド層２，８の間に適宜キャリアバリア層や光ガ
イド層を挿入した構造としても良い。また活性層３はＧ
ａＡｌＡｓ系以外にＩ　ｎ　１−　ｙＧ　ａ　ｙＰ　１
−　ｚＡｓ　２（ｏ、　５１≦ｙ≦１゜Ｏ≦２≦１．ｚ
＝２．０４７−１．０４　）系とすることもできる。
〈発明の効果〉 以上詳述した如く、本発明の半導体レーザ素子では、電
流閉じ込めのためのストライプ構造を酸化性成分の含１
れない材料の上に堆積するので、従来プロセスにおける
複雑で再現性に乏しいという問題が完全に解決される。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は、本発明の１実施例の説明
に供する半導体レーザ素子の作製プロセスを示す工程図
である。 第２図■（Ｂ）（Ｃ）Ｄ）は従来の半導体レーザ素子の
作製プロセスを示す工程図である。 １　・＝ｎ−ＧａＡｓ基板、　　２　・・ｎ　−Ａｌ　
ｏ、５Ｇａ　（１４Ａ８クラッド層、　　　３−ｎ　　
”Ｏ，ｔｓＧａｏ、１１５ＡＳ活性層、　　４−　ｐ　
　Ａ７　ｏ、　５　Ｇ　ａ　ｏ、　ｓＡｓクラッド層、
５−ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層、　　６　・−ｐ　−Ａｌ
　ｏ、ｓＧａ　　Ａｓ　層、　　　７　・＝ｐ−ＧａＡ
ｓキーｙツブ層、””ｐ−■ｎＯ，４５ＧａＯ，５ＳＰ
０．９２ＡＳＯ，０８クラッド層○代理人　弁理士　杉
　山　股　至（他１名）（Ａ） ／６υ （Ｃ） 鷹１図 （Ａ） ｌθノ （Ｃ） （Ｄ） 第　２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、１対のクラッド層の間に活性層を挿入した二重ヘテ
    ロ接合構造に逆極性の電流阻止層が重畳され、該電流阻
    止層を貫通するストライプ状の溝内に電流通路を限定す
    るストライプ構造が形成されて成る半導体レーザ素子に
    おいて、前記電流阻止層に接する前記二重ヘテロ接合構
    造の成長層をＩｎ＿１＿−＿ｓＧａ＿ｓＰ＿１＿−＿ｔ
    Ａｓ＿ｔ（０．５１≦ｓ＜１、０≦ｔ≦１、Ｓ＝２．０
    ４ｔ−１．０４）層で構成したことを特徴とする半導体
    レーザ素子。
JP62008833A 1987-01-16 1987-01-16 半導体レ−ザ素子 Granted JPS63177495A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062400A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子
US11500154B1 (en) 2019-10-18 2022-11-15 Apple Inc. Asymmetric optical power splitting system and method
US11713999B2 (en) 2017-09-29 2023-08-01 Apple Inc. Connected epitaxial optical sensing system comprising a trench deeper than a waveguide of a light source electrically isolates the light source and a detector
US11815719B2 (en) 2020-09-25 2023-11-14 Apple Inc. Wavelength agile multiplexing

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03131083A (ja) * 1989-10-17 1991-06-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54132182A (en) * 1978-04-06 1979-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of semiconductor device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1378128A (en) * 1973-06-26 1974-12-18 Alferov Z I Semiconductor laser
JPS5826834B2 (ja) * 1979-09-28 1983-06-06 株式会社日立製作所 半導体レ−ザ−装置
JPS5710992A (en) * 1980-06-24 1982-01-20 Sumitomo Electric Ind Ltd Semiconductor device and manufacture therefor
JPS5726487A (en) * 1980-07-23 1982-02-12 Hitachi Ltd Semiconductor laser device
US4481631A (en) * 1981-06-12 1984-11-06 At&T Bell Laboratories Loss stabilized buried heterostructure laser
GB2105099B (en) * 1981-07-02 1985-06-12 Standard Telephones Cables Ltd Injection laser
US4416012A (en) * 1981-11-19 1983-11-15 Rca Corporation W-Guide buried heterostructure laser
DE3209631A1 (de) * 1982-03-17 1983-09-29 Degussa Ag, 6000 Frankfurt Waessrige stabile suspension wasserunloeslicher, zum binden von calciumionen befaehigter silikate und deren verwendung zur herstellung von wasch- und reinigungsmitteln
JPS59104189A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体レ−ザ
US4512022A (en) * 1982-07-13 1985-04-16 At&T Bell Laboratories Semiconductor laser having graded index waveguide
JPS5948976A (ja) * 1982-09-14 1984-03-21 Nec Corp 半導体レ−ザ
NL8301745A (nl) * 1983-05-17 1984-12-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting.
JPS6014482A (ja) * 1983-07-04 1985-01-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置
JPS61207090A (ja) * 1985-03-12 1986-09-13 Fujitsu Ltd 半導体発光装置
US4706255A (en) * 1985-05-20 1987-11-10 Xerox Corporation Phased array semiconductor laser with preferred emission in the fundamental supermode
JPS6218082A (ja) * 1985-07-16 1987-01-27 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
CA1279394C (en) * 1985-07-26 1991-01-22 Naoki Chinone Multiple quantum well type semiconductor laser
JPS6267890A (ja) * 1985-09-20 1987-03-27 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ
JPS6273687A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS62193192A (ja) * 1986-02-19 1987-08-25 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54132182A (en) * 1978-04-06 1979-10-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Manufacture of semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062400A (ja) * 2008-09-05 2010-03-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体素子
US11713999B2 (en) 2017-09-29 2023-08-01 Apple Inc. Connected epitaxial optical sensing system comprising a trench deeper than a waveguide of a light source electrically isolates the light source and a detector
US11500154B1 (en) 2019-10-18 2022-11-15 Apple Inc. Asymmetric optical power splitting system and method
US11815719B2 (en) 2020-09-25 2023-11-14 Apple Inc. Wavelength agile multiplexing

Also Published As

Publication number Publication date
US4862472A (en) 1989-08-29
EP0275209A2 (en) 1988-07-20
EP0275209A3 (en) 1991-05-08
EP0275209B1 (en) 1993-10-27
JPH0511677B2 (ja) 1993-02-16

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