JP2010062400A - 光半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaAs基板102上に、InGaAsバッファ層121と、格子緩和したInGaAs122を形成して擬似的なInGaAs基板する。この基板上に、量子井戸層131を下クラッド層111と上クラッド層113で挟んだ半導体構造を構成する。このとき、下クラッド層111をInAlGaAsとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層113をInGaPとして表面酸化(劣化)せず信頼性を向上した。
【選択図】図1
Description
InGaAsやInAlAsなどを厚く結晶成長すると、結晶の歪により一部分にミスフィット転位が生じ、その転位の上下で歪が減る方向に格子定数が変化する。これを格子緩和と呼んでいる。これをバッファ層内のみで意図的に生じさせ、バッファ層の上ではGaAsとは格子定数が異なる擬似的なInGaAs基板を作製する。
前記半導体基板上に、量子井戸構造からなる活性層を、該活性層の屈折率より低い屈折率を持つクラッド層で挟んだ半導体構造を有する光半導体素子において、
基板側のクラッド層をInAlGaAs層により形成し、基板と反対側のクラッド層をInGaP層により形成したことを特徴とする。
前記二つのクラッド層は、その屈折率が等しくなるような組成であることを特徴とする。
そこで、活性層より上部のクラッド層にはInGaPを用いた構造を提案した。
クラッド層111,113は上述した組成であるため、両者の格子定数や屈折率が等しくなっている。
本実施例では有機金属気相成長法(MOVPE)法を用いたが、この他に分子線エピタキシー法(MBE法)やガスソース分子線エピタキシー法、有機金属分子線エピタキシー法でも可能である。
実施例1ではレーザを作製したが、量子井戸を用いた電界吸収型光変調器(EA変調器)の作製も可能である。その構造を作製方法と共に以下に述べる。
クラッド層211,213は上述した組成であるため、両者の格子定数や屈折率が等しくなっている。
クラッド層311,313は上述した組成であるため、両者の格子定数や屈折率が等しくなっている。
また本実施例においてはRuドープ高抵抗InGaPを埋め込み層312に用いているので、ポリイミドを用いた場合に比べて放熱性に優れるので高温での素子特性(高周波特性)に優れる。
そこで、各種の変形をした実施形態をまとめて、実施例4として以下に説明する。
このように、下層のクラッド層をp−InAlGaAsにする場合はZnドープだけでなくC(カーボン)ドープも可能である。
例えば、GaAs基板上でInAlAs、InAlGaAsでもよく、GaAsSb、AlAsSb、AlGaAsSb、InGaAsSb、InAlAsSb、InAlGaAsSb、InGaAsNでもよい。この場合、バッファ層121,221,321には歪量が半導体層に対して2、3割大きいものを用いることが望ましく、InAlAsの半導体層に対してInGaAsのバッファ層を用いてもよく、InGaAsの半導体層に対してGaAsSbのバッファ層を用いてもよい。
200 EA変調器
300 Ru−BHLD
102,202,302 GaAs基板
111,211,311 InAlGaAsクラッド層
113,213,313 InGPクラッド層
121,221,321 InGaAsバッファ層
122,222,322 InGaAs層
131,331 量子井戸層
231 量子井戸光吸収層
Claims (7)
- 表面の格子定数が0.567nmから0.578nmである半導体基板と、
前記半導体基板上に、量子井戸構造からなる活性層を、該活性層の屈折率より低い屈折率を持つクラッド層で挟んだ半導体構造を有する光半導体素子において、
基板側のクラッド層をInAlGaAs層により形成し、基板と反対側のクラッド層をInGaP層により形成したことを特徴とする光半導体素子。 - 前記二つのクラッド層は、その格子定数が等しくなるような組成であることを特徴とする請求項1の光半導体素子。
- 前記二つのクラッド層は、その屈折率が等しくなるような組成であることを特徴とする請求項1または請求項2の光半導体素子。
- 前記半導体基板が、GaAs基板と、該GaAs基板上に成長したバッファ層と、該バッファ層上に成長したGaAsより格子定数が大きく格子緩和した半導体層で構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか一項の光半導体素子。
- 前記半導体層がInGaAsまたはInAlAsであり、前記バッファ層がInGaAsまたはInAlAsであり、前記バッファ層の格子定数が前記半導体層の格子定数よりも大きいことを特徴とする請求項4の光半導体素子。
- 前記光半導体素子において、量子井戸構造からなる前記活性層の利得を持つ波長が1.1〜1.4μmであることを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項の光半導体素子。
- 前記光半導体素子において、前記半導体基板と反対側の前記クラッド層を埋め込む埋め込み構造を構成する電流ブロック層として、Ruドープ半絶縁性半導体結晶を用いたことを特徴とする請求項1乃至請求項6の何れか一項の光半導体素子。
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-
2008
- 2008-09-05 JP JP2008227760A patent/JP2010062400A/ja active Pending
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