JP4057802B2 - 半導体光素子 - Google Patents

半導体光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP4057802B2
JP4057802B2 JP2001268421A JP2001268421A JP4057802B2 JP 4057802 B2 JP4057802 B2 JP 4057802B2 JP 2001268421 A JP2001268421 A JP 2001268421A JP 2001268421 A JP2001268421 A JP 2001268421A JP 4057802 B2 JP4057802 B2 JP 4057802B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
concentration
layer
ingaalas
semiconductor
quantum well
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2001268421A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003078213A (ja
Inventor
朋信 土屋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2001268421A priority Critical patent/JP4057802B2/ja
Priority to US10/173,753 priority patent/US6853015B2/en
Publication of JP2003078213A publication Critical patent/JP2003078213A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4057802B2 publication Critical patent/JP4057802B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02392—Phosphides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02463—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02543—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/02546—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
    • H01S5/2223—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties hetero barrier blocking layers, e.g. P-P or N-N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
    • H01S5/2226—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semiconductors with a specific doping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3054—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure p-doping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
    • H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/3407—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers characterised by special barrier layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34313—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer having only As as V-compound, e.g. AlGaAs, InGaAs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34346—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers
    • H01S5/34366—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser characterised by the materials of the barrier layers based on InGa(Al)AS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は半導体光素子、わけてもＩｎＧａＡｌＡｓを用いた半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩｎＰ基板上半導体レーザの結晶成長法では主に有機金属気相成長法が用いられており、結晶組成は主にＩｎＧａＡｓＰで形成され、ｐ型のドーパントにはＺｎ、ｎ型のドーパントにはＳｉ、Ｓｅが用いられている。ｎ型のドーパントであるＳｉ，Ｓｅは拡散しにくいが、ｐ型のドーパントであるＺｎは拡散しやすい。このため、例えば薄膜の多重量子井戸構造内の障壁層へのみＺｎをドープした構造（変調ドープ多重量子井戸構造）を作製した場合、Ｚｎが障壁層から井戸層へ拡散してしまうため、急峻なドーピングプロファイルを実現することは困難であった。また薄膜以外の例として、ｐ型のガイド層やｐ型の埋め込み層のＺｎ濃度を増大した場合、あるＺｎ濃度まではレーザ特性が向上するが、Ｚｎ濃度が高すぎた場合にはアン・ドープ活性層にまでＺｎが拡散してしまうため、レーザ特性が急激に劣化してしまう。このような変調ドープ多重量子井戸構造やｐ型ガイド層におけるドーピング特性とレーザ特性との関係については、以下の報告例がある。（１）ＩｎＧａＡｓＰ系レーザのＺｎ変調ドープ多重量子井戸構造については、Ｚｎ拡散抑制層として障壁層内に０.７ｎｍ膜厚のＩｎＧａＡｓを設けた例がある。この例は、例えば、日本国公開公報、特開平７-１３１１０５号（文献１）である。（２）Ｚｎ以外のｐ型変調ドープ構造については、Ｂｅによる検討例がある。この例は、例えば、アプライド フィジクス レターズ（Applied Physics Letters）、７８ページ、Ｖｏｌ．５１、(１９８７)（文献２）である。（３）一方、ＩｎＧａＡｓＰ系以外の結晶材料として、ＩｎＧａＡｌＡｓ系が着目されており、ＩｎＧａＡｌＡｓ系におけるＺｎドーピングについて報告がある。それは、例えばジャーナル オブ クリスタル グロウス（Journal of Crystal Growth）、４６３ページ、Ｖｏｌ．１３５（１９９４）（文献３）で検討されている。（４）ＩｎＧａＡｓＰ系レーザのｐ型ガイド層やｐ型クラッド層のＺｎ濃度と素子特性の関係についての報告もある。それは、例えば、アイ・イー・イー・イー フォトニック テクノロジー レターズ（IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS）、１５５８ページ、Ｖｏｌ．９、Ｎｏ．１２(１９９７)（文献４）がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、良好な量子井戸構造の活性層領域を有する半導体光素子を実現することである。わけても、本願発明は良好なｐ型変調ドーピングがなされた多重量子井戸構造の活性層領域を有する半導体光素子を実現することである。このことによって、当該半導体光素子の緩和振動周波数特性の改善を図るものである。
【０００４】
より具体的な技術的課題は、化合物半導体分野における、Ｚｎによる急峻なドーピング濃度の制御は困難性を背景に、ｐ型変調ドーピングがなされた多重量子井戸構造の活性層領域を実現することである。このために、ｐ型ドーパントの代表的なＺｎによる急峻なドーピングプロファイルを実現することが必要となる。又、レーザ素子構造においては、しきい電流の増大や効率の劣化を抑制しながら素子抵抗の低減を図ることが可能となる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願発明の代表的な第１の形態の骨子は、次の通りである。
（１）活性層領域の半導体材料として、ＩｎＧａＡｌＡｓ系４元系混晶を用いる。
（２）この活性層領域は量子井戸構造で形成され、且つこの量子井戸構造は、その障壁層にｐ型ドーパント、Ｚｎを用いた変調ドーピングがなされる。尚、その要請に応じて、前記量子井戸構造は多重量子井戸構造を用いることが出来る。又、必要に応じて、歪量子井戸構造、歪補償量子井戸構造などを用いることが出来ることは云うまでもない。
【０００６】
本願発明は、前記ｐ型ドーパントが、ＩｎＧａＡｌＡｓ系４元系混晶において、前記ｐ型ドーパントの濃度を十分確保しつつ、半導体レーザ装置の活性層領域として用い得る変調ドーピングを行うことが出来ることを見出したことによる。
【０００７】
より具体的には、本願発明によれば、Ｚｎを用いた有機金属気相成長法において、Ｚｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立し、例えば、数１０ｎｍ以下の膜厚で急峻なＺｎドーピングプロファイルを実現することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
具体的な実施の形態を例示するに先立って、本願発明の代表的な形態の基本事項を詳細に説明する。
【０００９】
本願発明では、勿論用いる材料において、Ｚｎ拡散が急激に発生する臨界濃度を超えないＺｎ濃度の増大を図ることが肝要である。具体的には、多重量子井戸構造の障壁層に用いる化合物半導体材料として、これまで用いられてきたＩｎＧａＡｓＰ系材料では無くＩｎＧａＡｌＡｓ系４元混晶を用い、且つＺｎ濃度を各ＩｎＧａＡｌＡｓ組成でＺｎ拡散が急激に増大する臨界濃度以下とした。ＩｎＧａＡｌＡｓ系結晶は、ＩｎＰ基板に格子整合しながらＩｎＧａＡｓＰ系と同等の範囲のバンドギャップ波長を制御できる。即ち、組成がＩｎＰからＩｎＧａＡｓに渡る範囲を制御可能である。又、同じバンドギャップ波長におけるＩｎＧａＡｌＡｓ系のＺｎの飽和濃度は、ＩｎＧａＡｓＰ系に比べ高いと判断される。例えば、ＩｎＰ（バンドギャップ波長：９２０ｎｍ）の飽和濃度は１×１０18ｃｍ-3−２×１０18ｃｍ-3、ＩｎＡｌＡｓ（バンドギャップ波長：８５０ｎｍ）の飽和濃度は２×１０18ｃｍ-3−３×１０18ｃｍ-3である。詳しくは図１を参照することで理解される。Ｚｎ拡散は各エピタキシャル層におけるＺｎの飽和濃度に依存している。同じＺｎ濃度であれば、飽和濃度の高いエピタキシャル層の方が、Ｚｎ拡散が発生する臨界濃度も高くなる。このため、同じバンドギャップ波長ではＩｎＧａＡｓＰ層よりＩｎＧａＡｌＡｓ層の方がＺｎ拡散は発生しにくくなる。本願発明では各ＩｎＧａＡｌＡｓ組成でのＺｎ拡散の臨界濃度をまとめ、この濃度以下でＺｎ濃度の増大を図った。
【００１０】
以下、本願発明の実施にあったての詳細を図１より図５を用いて説明する。図１はＩｎＧａＡｌＡｓ系材料のＡｌ組成比とこれに対するＺｎ濃度の関係を示す図、図２はＩｎＰ基板上にアンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ層、Ｚｎド−プＩｎＧａＡｌＡｓ層を成長した時のＺｎプロファイルである。この時、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ層は、ＩｎＰ基板に格子整合し、バンドギャップ波長は９５０ｎｍである。又、Ｚｎド−プＩｎＧａＡｌＡｓ層は、ＩｎＰ基板に格子整合し、バンドギャップ波長は９５０ｎｍである。各曲線はＺｎ原料であるＤＥＺｎ（Ｄｉｅｔｈｙｌｚｉｎｃ：ジエチル亜鉛）のキャリアガス流量が５ｃｃ／ｓｅｃ、４０ｃｃ／ｓｅｃ、１００ｃｃ／ｓｅｃ、３００ｃｃ／ｓｅｃ、及び５００ｃｃ／ｓｅｃの結果を示している。ＤＥｚｎの恒温槽温度は−１０℃の例である。
【００１１】
図２によれば、次の事実を理解することが出来る。Ｚｎ原料であるＤＥＺｎの供給量に伴いＺｎ濃度は増大して行くが、２×１０18ｃｍ-3付近以上ではアンド−プ層へのＺｎ拡散が増大し、２×１０18ｃｍ-3−３×１０18ｃｍ-3付近にＺｎ濃度は飽和した。更に、飽和濃度付近でＤＥＺｎを過剰に供給すると(５００ｃｃ)、Ｚｎの拡散距離は急激に増大した。これは飽和濃度に近づくことにより格子間に入る不活性なＺｎが増大し、格子間のＺｎは拡散しやすいからである。さらに飽和濃度以上では過剰なＺｎがアンド−プ層へ容易に押し出されるからである。
【００１２】
図３は、ＩｎＰ基板上にアンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ層、Ｚｎド−プの各種組成波長のＩｎＧａＡｌＡｓ系材料層を成長した時のＺｎプロファイルである。Ｚｎ原料であるＤＥＺｎ(−１０℃)を３００ｃｃに固定し、ＩｎＧａＡｌＡｓ層の組成を変えた時のＺｎプロファイルである。ＩｎＧａＡｓ層や１.３μｍ波長のＩｎＧａＡｌＡｓ層でのＺｎ濃度は４×１０18ｃｍ-3付近であり、９５０ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層やＩｎＡｌＡｓ層に比べＺｎ濃度は増大し、急峻なＺｎプロファイルが得られた。一方、ＩｎＡｌＡｓでは平坦部のＺｎ濃度が減少し、Ｚｎ拡散の距離も増大した。これはＩｎＡｌＡｓ層でのＺｎの飽和濃度やＺｎ拡散の臨界濃度が４×１０18ｃｍ-3より低いことから、過剰なＺｎがアンド−プ層へ拡散したことによる。
【００１３】
図１は以上の結果を基に、各ＩｎＧａＡｌＡｓ組成におけるＺｎの飽和濃度とＺｎ拡散が発生する臨界濃度をまとめた図である。ＩｎＧａＡｌＡｓ層の各組成は、Ｉｎ組成を０.５２〜０.５３でほぼ固定しながら、ＧａとＡｌの比率を変えることにより、ＩｎＰ基板に格子整合する組成を実現できる。図１はＡｌ組成に対するＺｎの飽和濃度、Ｚｎ拡散の臨界濃度でまとめた。各ＩｎＧａＡｌＡｓ組成（ＩｎＡｌＡｓからＩｎＧａＡｓに変化する組成）において、Ｚｎ拡散の臨界濃度はＺｎの飽和濃度の約半分程度であった。ＩｎＡｌＡｓ（Ａｌ組成０.４８）層での臨界濃度は約１×１０18ｃｍ-3、ＩｎＧａＡｓ（Ｇａ組成０.４７）でのＺｎ拡散の臨界濃度は約１×１０19ｃｍ-3であり、Ａｌ組成の減少に伴い臨界濃度は増大する。この関係を単純な対数で近似すると約１.２×１０19ｅｘｐ(−５×（Ａｌの組成比）)となる。またＩｎＰ層（波長：９２０ｎｍ）におけるＺｎ拡散の臨界濃度は、約５×１０17ｃｍ-3付近であり、ＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＧａＡｌＡｓ層を同じバンドギャップ波長で比較するとＩｎＧａＡｓＰ系の方がＺｎ拡散の臨界濃度は低い傾向であった。即ち、例えば９２０ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層での臨界濃度は約１.３×１０18ｃｍ-3付近であった。
【００１４】
図４、図５は、実際に作製したＩｎＧａＡｌＡｓ層（波長：１１００ｎｍ、Ａｌ組成：０.３５）へ変調ド−プ構造を、ＳＩＭＳ（Secondary Ion mass Spectroscopy）分析した時の、多重量子井戸構造内のＺｎプロファイルである。図４ではＩｎ、Ａｌ、Ｐ及びＺｎの深さ方向での分布が示される。図の上部に量子井戸構造の各層が、各元素の分布に対応して示されている。図４を参酌すれば、Ｚｎのドーパントを用いて良好な変調ドープ多重量子井戸構造が実現出来たことが確認される。即ち、図４に見られるように、２×１０18ｃｍ-3−３×１０18ｃｍ-3の高濃度なＺｎにおいても１０ｎｍ以下で急峻にＺｎ濃度が減少し、井戸層へのＺｎ拡散は見られないといって十分である。
【００１５】
更に、図５は、複数のＺｎ濃度及びアニールの影響を実験した結果である。図５は、やはりＩｎ、Ａｌ、及びＺｎの深さ方向での分布を示す。Ｚｎ濃度は４×１０18ｃｍ-3と１．５×１０18ｃｍ-3の二種類である。又、１．５×１０18ｃｍ-3の例については、７００℃、１時間の高温熱アニ−ルを行った例を例示した。図５に見られるように、７００℃、１時間の高温熱アニ−ル前後においても、Ｚｎプロファイルに変化は見られない。しかし、一方、Ｚｎ濃度が４×１０18ｃｍ-3とＺｎ拡散の臨界濃度を超えた場合には、容易に拡散することを示している。Ｚｎ濃度が４×１０18ｃｍ-3の変調ドープ多重量子井戸構造の井戸層に対し、アニールの後、Ｚｎ濃度が１．５×１０18ｃｍ-3の変調ドープ多重量子井戸構造の井戸層となっている。これでは、実質的に変調ドープ構造としての役割を果たせない。本願発明の実施に当っては、母材に対するＺｎ拡散の臨界濃度を超えないＺｎ濃度とすることである。
【００１６】
以上の諸事実に基づき、Ｚｎによる変調ド−ピングされた多重量子井戸構造やＺｎド−ピングされた光ガイド層において、Ｚｎをド−ピングするＩｎＧａＡｌＡｓ層の結晶組成とＺｎ濃度の関係を臨界濃度以下で最適化することにより、素子特性の向上とＺｎ拡散による特性劣化の両立を図ることが出来る。
【００１７】
以上詳述した本願発明の要点を列挙すれば、次の通りである。尚、半導体レーザ素子を構成する場合、本量子井戸構造を有する活性層領域以外の構成は通例の半導体レーザ素子に関する諸手段を用いて十分である。レーザ素子での光の帰還手段も、ファブリ・ペロー、ＤＦＢ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）、あるいはＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｄｉｆｒａｃｔｉｏｎ）の各種のものをその要請に応じて用いることが出来る。又、横方向の光閉じ込めに関しても、リッジ型、埋め込めヘテロ型など各種のものを、その要請に応じて採用することが出来る。
【００１８】
本願発明の基本形態は、半導体基板の上部に、第１の半導体層とこの第１の半導体層より禁制帯幅の大きい第２の半導体層とを有する量子井戸構造の活性層領域を有し、前記量子井戸構造の第２の半導体層は４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓからなり、且つ前記量子井戸構造は前記第２の半導体層がＺｎを含有する変調ドーピングがなされている半導体光素子である。
【００１９】
この量子井戸構造は、前記第１の半導体層とこの第１の半導体層より禁制帯幅の大きい前記第２の半導体層とを交互に重ね合わせた多重量子井戸構造を必要に応じて用いることが出来る。半導体基板はＩｎＰが最も有用な材料である。又、第１の半導体層、即ち、いわゆる井戸層はアン・ドープのＩｎＧａＡｌＡｓが多く用いられる。
【００２０】
更に、第２の半導体層、いわゆる障壁層が含有するＺｎの濃度が、前記第２の半導体層でのＺｎの拡散に関する臨界濃度以下とすることに留意する必要がある。
【００２１】
又、前記第２の半導体層であるＩｎxＧａ1-x-yＡｌyＡｓ（但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、ｘ＋ｙ≠１）が含有するＺｎの濃度は、該当するＡｌの組成比ｙに対して１.２×１０19ｅｘｐ(−５×ｙ)で表される値以下であると云うことが出来る。
【００２２】
更に、Ｚｎ濃度について、より具体的に実用的な範囲例示すれば、ＩｎＧａＡｌＡｓなる第２の半導体層のＡｌ組成が０.０４から０.４４の範囲にあり、且つそのＺｎ濃度が、前記第２の半導体層のＡｌ組成に対して、Ａｌ組成比と対数表現のＺｎ濃度との関係図において、Ａｌ組成比が０.０４ではＺｎ濃度が９.８×１０18ｃｍ-3、Ａｌ組成比が０.４４ではＺｎ濃度が１.３×１０18ｃｍ-3の点を結ぶ直線でのＺｎ濃度以下である。
【００２３】
尚、前記Ｚｎの濃度は１．０×１０18ｃｍ-3以上であることが好ましい。それは、実質的な良好な変調ドープを得るにある。変調ドープ構造によりレーザの緩和振動周波数を増大することが可能となる。この緩和振動周波数は変調ドープされるＺｎ濃度の増加に伴い増大し、緩和振動周波数の増大を図るために、前述の通り、Ｚｎの濃度は１．０×１０18ｃｍ-3以上であることが好ましい。
【００２４】
より好ましいＺｎの濃度の範囲を図１に即して示せば、第２の半導体層のＡｌ組成に対して、Ａｌ組成比と対数表現のＺｎ濃度との関係図、図１において、Ａｌ組成比が０.０４の時、Ｚｎ濃度が９.８×１０18ｃｍ-3（図１の点Ａ）、Ａｌ組成比が０.０４の時、Ｚｎ濃度が１.０×１０18ｃｍ-3（図１の点Ｂ）、Ａｌ組成比が０.４４の時、Ｚｎ濃度が１.０×１０18ｃｍ-3（図１の点Ｃ）、Ａｌ組成比が０.４４の時、Ｚｎ濃度が１.３×１０18ｃｍ-3（図１の点Ｄ）の４点で囲まれる範囲Ｉ内にある。本願発明の実施には４元系材料が好ましいが、この観点で前記の組成範囲がより好ましい範囲であるといえる。
【００２５】
本願発明の技術思想は、量子井戸構造のみならず、半導体光素子の光ガイド層、食刻停止層あるいは、ストライプ状の半導体領域の側面を埋め込む為の、いわゆる埋め込み層に適用することが出来る。こうして、半導体薄層よりのＺｎの拡散を防ぎつつ、ｐ型半導体層の目的を果たすことが出来る。
【００２６】
本願発明は、半導体層の形成に、有機金属気相成長法を有用に用いることが出来る。即ち、製造方法に関する代表的な形態は、半導体基板の上部に、活性層領域の量子井戸構造を構成する、４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓよりなる第１の半導体層を有機金属気相成長法によって形成する工程、この第１の半導体層より禁制帯幅の大きく且つ４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓよりなり且つＺｎを当該材料のＺｎに関する臨界濃度以下で含有する第２の半導体層を有機金属気相成長法によって形成する工程とを、少なくとも有する製造方法である。
【００２７】
又、別な形態は、所望半導体基板の上部に、少なくとも活性層領域の量子井戸構造を構成する、４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓよりなる第１の半導体層と、この第１の半導体層より禁制帯幅の大きく且つ４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓよりなり且つＺｎを当該材料のＺｎに関する臨界濃度以下で含有する第２の半導体層とを含む半導体積層体を、有機金属気相成長法によって形成し、前記半導体積層体の少なくとも一部をストライプ状に加工し、前記ストライプ状の前記半導体積層体の長手方向に平行な両側面に第１及び第２の半導体領域を有機金属気相成長法によって形成するものである。このように、変調ドープ多重量子井戸構造、多層構造、埋め込み構造の成長法が有機金属気相成長法を用いて有用である。
＜従来技術の考察と諸問題＞
上記従来技術の文献１に示された技術では、障壁層内のＺｎ拡散は若干低減するが、井戸層に接する障壁層部分からのＺｎ拡散を抑制するに難点があった。又、障壁層の膜厚が０.７ｎｍと薄いため、Ｚｎ濃度が高い場合には、ＩｎＧａＡｓ層内のＺｎ濃度が容易に飽和してしまう。従って、井戸層までＺｎが拡散してしまう難点があった。
【００２８】
上記文献２の技術では、分子線エピタキシー法でＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子井戸構造のＡｌＧａＡｓ障壁層にのみ１×１０19ｃｍ-3の高濃度なＢｅをドープし、急峻なドーピングプロファイルを実現している。しかし、有機金属気相成長法ではＢｅを用いることができない。更に、ＺｎをＩｎＧａＡｓＰ障壁層へ高濃度にドープした場合、井戸層まで高濃度なＺｎドープ層になってしまう難点があった。上記文献３の技術では、ＩｎＰ層に比べＩｎＡｌＡｓ層ではＺｎ拡散が若干低減している。しかし、数十ｎｍ以上は拡散しており、急峻な変調ドープ多重量子井戸構造をＩｎＡｌＡｓ層で実現することは不可能である。上記文献４の技術では、ｐ−ＩｎＰクラッド層から活性層直上のｐ-ＩｎＧａＡｓＰガイド層までをＺｎドープした構造において、素子抵抗は最も低くなるが、Ｚｎが活性層内にまで拡散し、しきい電流や効率などのレーザ特性が劣化する。このため、数十ｎｍ以上の厚膜においても、ＩｎＧａＡｓＰ系におけるＺｎ濃度の増大とＺｎ拡散の低減を両立することは困難であった。以上、これまで報告された諸方策は、いずれも実用的な域に達していないのである。
＜実施例１＞
図６は本願発明をｐ型変調ド−プ多重量子井戸構造に適用した例を示す断面図である。ｎ−ＩｎＰ基板１上にｎ−ＩｎＰバッファ層２（Ｓｉ濃度：１×１０18ｃｍ-3、５００ｎｍ膜厚）、ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層３（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、組成波長：１０００ｎｍ、Ｓｉ濃度：１×１０18ｃｍ-3）を積層する。更に、この上部に、変調ド−プ歪量子井戸構造６（５周期）、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓガイド層７（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.３９、波長：１０００ｎｍ）、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層８（１００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.４８、Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓエッチング停止層９（５０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.３０、Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０（２００ｎｍ、Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１（１５００ｎｍ膜厚、Ｚｎ濃度：８×１０17ｃｍ-3）、p−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２（２００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ｚｎ濃度：２×１０19ｃｍ-3）を順次成長する。尚、前記変調ド−プ歪量子井戸構造６は、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ歪量子井戸層４（歪量：＋１.３％、６ｎｍ膜厚）、Ｚｎド−プＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層５（歪量：−０.４％、１０ｎｍ膜厚、障壁層のＡｌ組成：０.３５、Ｚｎ濃度：２×１０18ｃｍ-3、両端の１ｎｍはアンド−プ）からなる。尚、障壁層と井戸層の周期は５周期である。本願発明では、この多重量子井戸構造の構成が重要である。
【００２９】
この後、こうして準備した半導体積層体を、通例のエッチングによりリッジ状のメサ形状４０を形成し、レ−ザ構造とした。図７はこれを示す素子の断面図である。図７では図６と同じ部位は同じ符号で示した。図７はレーザ光の進行方向と交差する面での断面図である。尚、符号３０、３１は各々ｎ側電極、ｐ側電極、符号３２はパッシベーション膜である。
【００３０】
本例では、ＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層（バンドギャップ波長１０００ｎｍ）にはＺｎ濃度２×１０18ｃｍ-3のＺｎをド−プしたが、アンド−プ障壁層に比べ緩和振動周波数を約３割増大できた。又、５×１０18ｃｍ-3相当のＺｎ流量をド−プした場合には、井戸層にもＺｎが拡散したため、アンド−プ障壁層に比べ、しきい電流値が４割増大したが、本実施例の範囲ではアンド−プ歪多重量子井戸構造に比べ、しきい電流値の増大は１割程度であった。
【００３１】
尚、本願発明ではＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層の組成波長を１０００ｎｍとしたが、他の組成でも良い。１０００ｎｍ以上の組成波長を有するＩｎＧａＡｌＡｓでは、Ｚｎ濃度を更に上げることができる。例えば、組成波長１２００ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層（Ａｌ組成：０.２１）の場合、Ｚｎ濃度を４×１０18ｃｍ-3にまで増大することができ、アンド−プ障壁層に比べ、緩和振動周波数を約５割増大することができた。一方、ＩｎＧａＡｌＡｓ層におけるＺｎ濃度の下限はＭＱＷ構造に依存するが、変調ド−プの効果を出すためには、約１×１０18ｃｍ-3以上の濃度が望ましい。
【００３２】
障壁層の歪量については、本例では、−０.４％としたが、歪量に対する臨界膜厚以内であれば他の歪量でも良い。又、井戸層の歪量についても同様であり、歪量に対する臨界膜厚以内であれば他の歪量でも良い。歪の極性についても、本実施例では井戸層をプラス（圧縮）、障壁層をマイナス（引っ張り）としたが、逆の組み合わせでも良い。障壁層のド−ピングについては、本実施例では両端１ｎｍをアンドープとしたが、両端の数ｎｍ以下をアンド−プ層もしくは障壁層全体を一様ドープとした変調ド−プ構造でも良い。又、障壁層の膜厚についても本実施例では１０ｎｍとしたが、より厚い膜厚で障壁層から発生するｐ型の正孔濃度を増大しても良い。
＜実施例２＞
図８は本願発明をｐ型ガイド層及びｐ型クラッド層に適用した例を示す断面図である。
【００３３】
ｎ−ＩｎＰ基板１上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２（Ｓｉ濃度：１×１０18ｃｍ-3、５００ｎｍ膜厚）、ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層３（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、波長：１０００ｎｍ、Ｓｉ濃度：１×１０18ｃｍ-3）、歪多重量子井戸構造１４（５周期）、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層１５（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.３９、波長：１０００ｎｍ、Ｚｎ濃度：１×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１６（１００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.４８、Ｚｎ濃度：１×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓエッチング停止層１７（５０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.３０、Ｚｎ濃度：１×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１（１７００ｎｍ、Ｚｎ濃度：８x１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２（Ｚｎ濃度：２×１０19ｃｍ-3）を、順次成長する。尚、前記歪多重量子井戸構造１４は、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層４（歪量：＋１.３％、６ｎｍ膜厚）、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層１３（歪量：−０.４％、１０ｎｍ膜厚、障壁層のＡｌ組成：０.３５）からなる。又、障壁層と井戸層の周期は５周期である。
【００３４】
次いで、こうして準備した半導体積層体を、エッチングによりリッジ状のメサ形状を形成し、レ−ザ構造とした。このメサ形状を有する半導体レーザ素子の断面構造は前述の例と基本的に同様であるので、図は省略する。
【００３５】
図９は当該半導体積層体の積層方向の深さに対するＺｎプロファイルである。図のＺｎプロファイルに各層との対応関係を示した。ｐ−ＩｎＰクラッド層のＺｎ濃度がＺｎ拡散の臨界濃度を超えていることからｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓエッチング停止層へＺｎが拡散している。しかし、エッチング停止層におけるＺｎの飽和濃度が高いため、エッチング停止層でのＺｎ濃度が若干増大しただけであり、ＩｎＡｌＡｓクラッド層や活性層までの拡散は起きなかった。又、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層やｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層のＺｎ濃度は１×１０18ｃｍ-3と高めである。しかし、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層におけるＺｎ拡散の臨界濃度が高いことから、Ｚｎは、アンド−プの多重量子井戸活性層までは拡散しなかった。以上のことから、Ｚｎド−プＩｎＧａＡｌＡｓ系では低濃度のｐ−ＩｎＰクラッド層やアンド−プのガイド層を活性層直上に設ける必要が無く、活性層直上のＺｎ濃度を増大することができる。
【００３６】
又、本願発明では、例えばアンド−プＩｎＧａＡｌＡｓガイド層、低ド−プ濃度ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層１０（Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）に比べ、抵抗を約１.５Ω程度低減でき、動作電圧においても８ｍＷの出力時での動作電圧を約０.２Ｖ低減できた。
【００３７】
室温のしきい電流値は、従来の低濃度ＩｎＧａＡｌＡｓ系構造、低濃度のＩｎＧａＡｓＰ系構造、本願発明とも１０−１５ｍＡであり、しきい電流値の増大は無かった。
【００３８】
一方、ＩｎＧａＡｓＰ系混晶でｐ−ＩｎＧａＡｓＰガイド層（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、波長：１０００ｎｍ Ｚｎ濃度：１.５×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰクラッド層（１７００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ｚｎ濃度：８×１０17ｃｍ-3）でＺｎ濃度の増大を図った場合には、アンド−プの活性層内へ過剰なＺｎが拡散し、しきい電流値は２０−２５ｍＡと大幅に増大した。
【００３９】
尚、本願発明では活性層直上のガイド層やクラッド層のＺｎ濃度を１×１０18ｃｍ-3としたが、ＩｎＧａＡｌＡｓ層の波長を長波長化すれば、図１の範囲内でさらなる高濃度化も可能である。又、ＩｎＧａＡｌＡｓ層におけるＺｎ濃度の下限はメサ幅にも依存するが、高濃度にド−ピングしすぎた場合にはレ−ザ発振時の損失になることから、素子抵抗と損失の点から１×１０18ｃｍ-3から４×１０18ｃｍ-3付近が望ましい。尚、本願発明ではアンド−プの歪多重量子井戸構造としたが、変調ド−プ多重量子井戸構造でも良い。
＜実施例３＞
図１０は、本願発明をＩｎＧａＡｌＡｓ系の埋め込み型レ−ザに応用した例である。図１０はレーザ光の進行方向と交差する面での断面図である。
【００４０】
上記実施例と同様に、ｎ−ＩｎＰ基板１上に活性層までの各層を積層する。更に、アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓガイド層７（８０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.３９、波長：１０００ｎｍ）、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層８（５０ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.４８、Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０（２００ｎｍ、Ｚｎ濃度：２×１０17ｃｍ-3）を積層する。この後、酸化膜をマスクとして、ドライエッチもしくはウエットエッチにより、当該半導体積層体の表面層から基板までをエッチングし、メサ形状１８を形成する。そして、このメサ形状の両側を、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層１９（５００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、波長：１０５０ｎｍ、Ａｌ組成：０.３５、Ｚｎ濃度：２×１０18ｃｍ-3）、ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層２０（８００ｎｍ膜厚、ＩｎＰ基板に格子整合、Ａｌ組成：０.４８、ｎ型濃度：１×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層２１（８００ｎｍ膜厚ＩｎＰ基板に格子整合、波長：１０５０ｎｍ、Ａｌ組成：０.３５、Ｚｎ濃度：２×１０18ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＰ層２２（４００ｎｍ膜厚, Ｚｎ濃度：８×１０17ｃｍ-3）で埋め込んだ。酸化膜を除去後、通常の多層と同様にｐ−ＩｎＰクラッド層１１（１７００ｎｍ,Ｚｎ濃度：８×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１２（Ｚｎ濃度：２×１０19ｃｍ-3）を積層し、埋め込み型レ−ザ構造とした。尚、符号３３、３４は各々ｎ側電極、ｐ側電極である。
【００４１】
本願発明によれば、従来のメサ側面をｐ−ＩｎＰ、ｎ−ＩｎＰのみで埋め込んだ場合には、Ｚｎ濃度を４×１０17ｃｍ-3程度にまで下げることにより、アンド−プ活性層へのＺｎ拡散を抑制していた。しかし、本願発明のＩｎＧａＡｌＡｓ層で埋め込む場合には、Ｚｎ拡散の臨界濃度が高いことから、Ｚｎ濃度の増大を図ることができた。この結果、ｐ−ｎ接合による大きな電流ブロック効果を得ることができる。例えば、Ｚｎ濃度：４×１０17ｃｍ-3に比べ、８５℃での最大光出力を約４割増大できた。一方、メサ側面を２×１０18ｃｍ-3のｐ−ＩｎＰ層で埋め込んだ場合には、Ｚｎがｎ−ＩｎＰ層やアンド−プ活性層に拡散してしまうため、しきい電流値が５割程度増大してしまったが、本願発明ではしきい電流値は低濃度（４×１０17ｃｍ-3）のｐ−ＩｎＰ層と同程度であった。
【００４２】
尚、本願発明ではメサ側面を組成波長：１０５０ｎｍのＩｎＧａＡｌＡｓを用いていたが、他の組成波長を有するＩｎＧａＡｌＡｓでも良く、ＩｎＧａＡｌＡｓの組成波長を長波長化すれば、図１の上限（例えば１.２×１０19ｅｘｐ(−５×(Ａｌの混晶比))）以内でさらなる高濃度化も可能である。又、メサ側面のｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層における、Ｚｎ濃度の下限は、埋め込み構造にも依存するが、低濃度では大きな電流ブロック効果が得られ無いことから、望ましくは１×１０18ｃｍ-3以上である。
【００４３】
尚、本願発明では埋め込み層の表面をｐ−ＩｎＰ層で終わっているが、これはｐ−ＩｎＰクラッド層との再成長界面の酸化を防ぐためであり、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層からｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓへＺｎが拡散するがｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層におけるＺｎの臨界濃度が高いことから、活性層へのＺｎ拡散は発生しなかった。
【００４４】
以上、詳述したように、ＺｎによるＩｎＧａＡｌＡｓ系変調ド−プ多重量子井戸構造や活性層直上のＺｎ濃度において、Ｚｎ拡散を抑制しながら、急峻なＺｎ変調ド−プ多重量子井戸構造や活性層直上のＺｎ濃度増大を実現することにより、緩和振動周波数の増大や素子抵抗の低減を図る。
【００４５】
【発明の効果】
本願発明は、良好な量子井戸構造の活性層領域を有する半導体光素子を実現することが出来る。わけても、本願発明は良好なｐ型変調ドーピングがなされた多重量子井戸構造の活性層領域を有する半導体光素子を実現することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はＩｎＧａＡｌＡｓ系材料のＡｌ組成比とこれに対するＺｎ濃度の関係を示す図である。
【図２】図２はアンドープとＺｎドーピングのＩｎＧａＡｌＡｓ両層でのＺｎのプロファイルの例を示す図である。
【図３】図３はアンドープとＺｎドーピングのＩｎＧａＡｌＡｓ両層でのＺｎの別なプロファイルの例を示す図である。
【図４】図４はＩｎＧａＡｌＡｓによる変調ドープ構造でのＺｎのプロファイルの例を示す図である。
【図５】図５はＩｎＧａＡｌＡｓによる変調ドープ構造でのＺｎのプロファイルの別な例を示す図である。
【図６】図６は本願発明の第１の実施例を示す半導体積層体の断面図である。
【図７】図７は本願発明の第１の実施例を示す装置の光の進行方向と交差する面での断面図である。
【図８】図８は本願発明の第２の実施例を示す半導体積層体の断面図である。
【図９】図９は第２の実施例の半導体積層体での積層方向のＺｎ濃度の分布を示すＳＩＭＳ分析図である。
【図１０】図１０は本願発明の第３の実施例を示す装置の光の進行方向と交差する面での断面図である。
【符号の説明】
１：ｎ−ＩｎＰ基板、２：ｎ−ＩｎＰバッファ層、３：ｎ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層、４：アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ歪量子井戸層、５：Ｚｎド−プ障壁層、６：変調ド−プ歪量子井戸構造、７：アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓガイド層、８：ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、９：ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓエッチング停止層、１０：ｐ−ＩｎＰクラッド層、１１：ｐ−ＩｎＰクラッド層、１２：ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、１３：アンド−プＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層、１４ 歪多重量子井戸構造、１５：ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓガイド層、１６：ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層、１７：ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓエッチング停止層、１８：メサ形状、１９：ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層、２０：ｎ−ＩｎＡｌＡｓ層、２： ｐ−ＩｎＧａＡｌＡｓ層、２２：ｐ−ＩｎＰ層。

Claims (3)

  1. ＩｎＰよりなる半導体基板の上部に、井戸層となる第１の半導体層と、この第１の半導体層より禁制帯幅の大きく障壁層となる第２の半導体層とを交互に重ね合わせた多重量子井戸構造の活性層領域を有し、前記多重量子井戸構造の前記第２の半導体層が４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓからなり、且つ前記第１の半導体層がアン・ドープであり、前記第２の半導体層がＺｎを含有する変調ドーピングがなされており、且つ、
    前記Ｚｎの濃度が、前記第２の半導体層のＡｌ組成に対して、本願明細書に添付の図１に示すところのＡｌ組成比と対数表現のＺｎ濃度との関係図において、Ａｌ組成比が０ . ０４の時、Ｚｎ濃度が９ . ８×１０ １８ ｃｍ - ３ 、Ａｌ組成比が０ . ０４の時、Ｚｎ濃度が１ . ０×１０ １８ ｃｍ - ３ 、Ａｌ組成比が０ . ４４の時、Ｚｎ濃度が１ . ０×１０ １８ ｃｍ - ３ 、Ａｌ組成比が０ . ４４の時、Ｚｎ濃度が１ . ３×１０ １８ ｃｍ - ３ の４点で囲まれる範囲内にあることを特徴とする半導体光素子。
  2. 前記第２の半導体層が含有するＺｎの濃度が、前記第２の半導体層でのＺｎの拡散に関する臨界濃度以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子。
  3. 前記量子井戸構造内の前記第１の半導体層は４元系混晶のＩｎＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、及び３元系混晶のＩｎＧａＡｓの群から選ばれた少なくとも１つを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体光素子。
JP2001268421A 2001-09-05 2001-09-05 半導体光素子 Expired - Lifetime JP4057802B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001268421A JP4057802B2 (ja) 2001-09-05 2001-09-05 半導体光素子
US10/173,753 US6853015B2 (en) 2001-09-05 2002-06-19 Optical semiconductor device including InGaAlAs doped with Zn

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001268421A JP4057802B2 (ja) 2001-09-05 2001-09-05 半導体光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003078213A JP2003078213A (ja) 2003-03-14
JP4057802B2 true JP4057802B2 (ja) 2008-03-05

Family

ID=19094405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001268421A Expired - Lifetime JP4057802B2 (ja) 2001-09-05 2001-09-05 半導体光素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6853015B2 (ja)
JP (1) JP4057802B2 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072557B2 (en) * 2001-12-21 2006-07-04 Infinera Corporation InP-based photonic integrated circuits with Al-containing waveguide cores and InP-based array waveguide gratings (AWGs) and avalanche photodiodes (APDs) and other optical components containing an InAlGaAs waveguide core
JP4164438B2 (ja) 2003-11-12 2008-10-15 株式会社日立製作所 半導体光素子の製造方法
JP2005175295A (ja) * 2003-12-12 2005-06-30 Hitachi Ltd 半導体光素子及び光モジュール
JP2007005642A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
JP4517653B2 (ja) * 2004-01-29 2010-08-04 住友電気工業株式会社 光半導体デバイス
WO2006103643A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin A semiconductor laser device and a method for fabricating a semiconductor laser device
JP4913358B2 (ja) * 2005-04-14 2012-04-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光半導体装置、その製造方法、及び光通信装置
JP4792854B2 (ja) * 2005-07-25 2011-10-12 三菱電機株式会社 半導体光素子及びその製造方法
EP1883140B1 (de) * 2006-07-27 2013-02-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht und Dotierungsgradienten
EP1883119B1 (de) * 2006-07-27 2015-11-04 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Halbleiter-Schichtstruktur mit Übergitter
EP1883141B1 (de) * 2006-07-27 2017-05-24 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht
US8044381B2 (en) * 2007-07-30 2011-10-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light emitting diode (LED)
JP5660940B2 (ja) * 2010-04-27 2015-01-28 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体装置の製造方法
DE102015102146A1 (de) * 2015-02-13 2016-08-18 Technische Universität Darmstadt Photoleitende Materialschichtanordnung, Verfahren zur Herstellung der photoleitenden Materialschichtanordnung und Verwendung der photoleitenden Materialschichtanordnung
US10833480B2 (en) * 2018-07-03 2020-11-10 Skorpios Technologies, Inc. Diffusion blocking layer for a compound semiconductor structure
CN111354842A (zh) 2018-12-24 2020-06-30 晶元光电股份有限公司 半导体元件

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5132981A (en) * 1989-05-31 1992-07-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical device
DE69129181T2 (de) * 1990-11-29 1998-10-08 Toshiba Kawasaki Kk Optische Halbleitervorrichtung
JP2556273B2 (ja) 1993-10-29 1996-11-20 日本電気株式会社 変調ドープ多重量子井戸型半導体レーザ装置
JP3950604B2 (ja) * 1999-12-28 2007-08-01 日本オプネクスト株式会社 半導体レーザ装置、半導体レーザアレー装置及び光伝送装置
JP2002134842A (ja) * 2000-10-26 2002-05-10 Hitachi Ltd 半導体レーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6853015B2 (en) 2005-02-08
JP2003078213A (ja) 2003-03-14
US20030042479A1 (en) 2003-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3654435B2 (ja) 半導体光素子及びその製造方法
JP4057802B2 (ja) 半導体光素子
US7701993B2 (en) Semiconductor optical device and a method of fabricating the same
US20090086785A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
US6990131B2 (en) Semiconductor optical device and method of manufacturing the same
JP2006286809A (ja) 光半導体デバイス及びその製造方法
US7408965B2 (en) Semiconductor laser diode with emission efficiency independent of thickness of p-type cladding layer
JP2006253212A (ja) 半導体レーザ
WO2019208697A1 (ja) 光半導体素子およびその製造方法ならびに光集積半導体素子およびその製造方法
JP4028158B2 (ja) 半導体光デバイス装置
US6560266B2 (en) Distributed feedback semiconductor laser
JP2001135895A (ja) 半導体発光装置
JP3645320B2 (ja) 半導体レーザ素子
JP2001203423A (ja) 半導体発光装置
JPH10256647A (ja) 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2001185809A (ja) 半導体光デバイス装置及びその製造方法
JP2002124738A (ja) 半導体光デバイス装置及びその製造方法
JPH07193321A (ja) 半導体レーザの製造方法
JP4983791B2 (ja) 光半導体素子
JP3381976B2 (ja) 半導体レーザ装置
US5170404A (en) Semiconductor laser device suitable for optical communications systems drive
JP2685720B2 (ja) 半導体レーザ及びその製造方法
JP2005260109A (ja) 光半導体素子
JP2007005642A (ja) 半導体発光素子
US20050152424A1 (en) Low voltage defect super high efficiency diode sources

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040702

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070807

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071009

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20071009

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20071009

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4057802

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101221

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111221

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121221

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131221

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term