JP3381976B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信や情報処理に用
いる半導体レーザ装置に係わり、特に量子井戸構造の活
性層を有する半導体レーザ装置に関する。
いる半導体レーザ装置に係わり、特に量子井戸構造の活
性層を有する半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理や光通信などの光源とし
て、各種化合物半導体材料を用いた半導体レーザが開発
されており、その高性能化が望まれている。特に、低し
きい値特性、温度に対して出力変動の小さい特性、高信
頼性に対する要求は強く、その研究開発が盛んに行われ
ている。
て、各種化合物半導体材料を用いた半導体レーザが開発
されており、その高性能化が望まれている。特に、低し
きい値特性、温度に対して出力変動の小さい特性、高信
頼性に対する要求は強く、その研究開発が盛んに行われ
ている。
【０００３】低しきい値で発振する半導体レーザを実現
するには、活性層に量子井戸構造を導入することが行わ
れ、特に最近においては量子井戸構造の井戸層がクラッ
ド層と格子定数の異なる歪み量子井戸構造を導入するこ
とが行われている。１．５μｍ帯のレーザの場合に活性
層に歪みを導入する場合には、基板よりも格子定数を大
きくすることでしきい値を下げる効果を実現する場合が
多い。この場合、量子井戸構造の井戸層としては、格子
整合している場合に比べてＩｎＡｓに組成の近いＧａＩ
ｎＡｓ層が用いられる。
するには、活性層に量子井戸構造を導入することが行わ
れ、特に最近においては量子井戸構造の井戸層がクラッ
ド層と格子定数の異なる歪み量子井戸構造を導入するこ
とが行われている。１．５μｍ帯のレーザの場合に活性
層に歪みを導入する場合には、基板よりも格子定数を大
きくすることでしきい値を下げる効果を実現する場合が
多い。この場合、量子井戸構造の井戸層としては、格子
整合している場合に比べてＩｎＡｓに組成の近いＧａＩ
ｎＡｓ層が用いられる。
【０００４】歪み量子井戸構造を導入すると、しきい電
流密度が下がるので、レーザ特性の温度依存性を大きく
する量子井戸内でのキャリアの量を低減することにな
り、温度による特性の変動を小さくすることが期待でき
る。しかし、実際にはしきい電流は下がるものの、温度
に対する依存性は必ずしも小さくないことが明らかにな
ってきている。
流密度が下がるので、レーザ特性の温度依存性を大きく
する量子井戸内でのキャリアの量を低減することにな
り、温度による特性の変動を小さくすることが期待でき
る。しかし、実際にはしきい電流は下がるものの、温度
に対する依存性は必ずしも小さくないことが明らかにな
ってきている。
【０００５】一方、１．３μｍ帯のレーザや量子井戸構
造の井戸層の幅を広くして比較的Ｐ組成の高いＧａＩｎ
ＡｓＰを井戸層に用いて１．５μｍ帯のレーザを作製し
た場合には、温度特性を容易に改善されることが知られ
ている。しかし、このような構造では、井戸層に蒸気圧
の高いＶ族元素を二種類含むＧａＩｎＡｓＰを用いるた
めに、組成や発振波長が制御しにくいという問題があっ
た。
造の井戸層の幅を広くして比較的Ｐ組成の高いＧａＩｎ
ＡｓＰを井戸層に用いて１．５μｍ帯のレーザを作製し
た場合には、温度特性を容易に改善されることが知られ
ている。しかし、このような構造では、井戸層に蒸気圧
の高いＶ族元素を二種類含むＧａＩｎＡｓＰを用いるた
めに、組成や発振波長が制御しにくいという問題があっ
た。
【０００６】これらの問題を、以下に詳しく説明する。
低しきい値の１．５μｍ帯の半導体レーザの場合に活性
層に歪みを導入する場合においては、井戸層として基板
に格子整合している場合に比べてＩｎＡｓに組成の近い
ＧａＩｎＡｓ層が用いられる場合が多い。このとき、し
きい電流密度が下がるのに、レーザ特性の温度依存性が
小さくなりにくい。この点については、クラッド層或い
は基板中に用いられているＺｎが拡散し、Ｚｎの拡散係
数の小さいＧａＩｎＡｓ層中にＺｎが蓄積してしまうと
同時に深いレベルが形成されるためと考えられる。特に
この問題は、量子井戸構造においては井戸層の厚さが薄
いので、Ｚｎの蓄積効果が大きく、その影響が顕著とな
る。
低しきい値の１．５μｍ帯の半導体レーザの場合に活性
層に歪みを導入する場合においては、井戸層として基板
に格子整合している場合に比べてＩｎＡｓに組成の近い
ＧａＩｎＡｓ層が用いられる場合が多い。このとき、し
きい電流密度が下がるのに、レーザ特性の温度依存性が
小さくなりにくい。この点については、クラッド層或い
は基板中に用いられているＺｎが拡散し、Ｚｎの拡散係
数の小さいＧａＩｎＡｓ層中にＺｎが蓄積してしまうと
同時に深いレベルが形成されるためと考えられる。特に
この問題は、量子井戸構造においては井戸層の厚さが薄
いので、Ｚｎの蓄積効果が大きく、その影響が顕著とな
る。
【０００７】一方、ｎ型の不純物が添加されている領域
ではｐ型不純物の拡散係数が小さくなる。特に、ｐ型の
不純物濃度以上にｎ型の不純物が添加されていると、ｐ
型不純物の拡散係数は小さくなる。ＩｎＰ中でのＺｎの
拡散は２段拡散型であり、低濃度の拡散フロントは濃度
が１０15ｃｍ-3程度以下で急激に濃度が下がる。このた
め、量子井戸構造中でのｎ型不純物がこの値を越えた一
定以上の濃度であるとＺｎの拡散が抑制でき、ＧａＩｎ
Ａｓ層へのＺｎの蓄積や深いレベルの発生を低減するこ
とができる。
ではｐ型不純物の拡散係数が小さくなる。特に、ｐ型の
不純物濃度以上にｎ型の不純物が添加されていると、ｐ
型不純物の拡散係数は小さくなる。ＩｎＰ中でのＺｎの
拡散は２段拡散型であり、低濃度の拡散フロントは濃度
が１０15ｃｍ-3程度以下で急激に濃度が下がる。このた
め、量子井戸構造中でのｎ型不純物がこの値を越えた一
定以上の濃度であるとＺｎの拡散が抑制でき、ＧａＩｎ
Ａｓ層へのＺｎの蓄積や深いレベルの発生を低減するこ
とができる。
【０００８】活性層の量子井戸構造を形成する際にはＩ
ｎＰ系の場合、気相成長法、特に有機金属気相成長法で
高品質の結晶の成長が可能である。この方法でＧａＩｎ
Ａｓを成長すると、バックグラウンドの不純物はＳｉが
最も主要な元素であり、ｎ型となり、不純物濃度は１０
15ｃｍ-3以下となるのが普通である。また、歪み量子井
戸構造を用いた場合には井戸層のＧａＩｎＡｓ組成がＩ
ｎＡｓに近くなるが、このような組成の層ではＳｉが不
純物として取り込まれにくく、バックグラウンドのＳｉ
濃度は更に低いものとなる。このため、Ｚｎの拡散及び
蓄積が起こり易くなる。
ｎＰ系の場合、気相成長法、特に有機金属気相成長法で
高品質の結晶の成長が可能である。この方法でＧａＩｎ
Ａｓを成長すると、バックグラウンドの不純物はＳｉが
最も主要な元素であり、ｎ型となり、不純物濃度は１０
15ｃｍ-3以下となるのが普通である。また、歪み量子井
戸構造を用いた場合には井戸層のＧａＩｎＡｓ組成がＩ
ｎＡｓに近くなるが、このような組成の層ではＳｉが不
純物として取り込まれにくく、バックグラウンドのＳｉ
濃度は更に低いものとなる。このため、Ｚｎの拡散及び
蓄積が起こり易くなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｇａ
ＩｎＡｓ層を用いて歪み量子井戸構造を導入しても、温
度に対する依存性が小さくできないという問題、さらに
はＰ組成の高いＧａＩｎＡｓＰを量子井戸構造の井戸層
として用いるとレーザの波長制御が難しくなるという問
題があった。
ＩｎＡｓ層を用いて歪み量子井戸構造を導入しても、温
度に対する依存性が小さくできないという問題、さらに
はＰ組成の高いＧａＩｎＡｓＰを量子井戸構造の井戸層
として用いるとレーザの波長制御が難しくなるという問
題があった。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、波長の制御が容易なＧ
ａＩｎＡｓの歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低
くかつ素子特性の温度依存性を小さくすることのできる
半導体レーザ装置を提供することにある。
ので、その目的とするところは、波長の制御が容易なＧ
ａＩｎＡｓの歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低
くかつ素子特性の温度依存性を小さくすることのできる
半導体レーザ装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次のような構成を採用している。即ち本発
明は、ＧａＩｎＡｓの歪み量子井戸構造からなる活性層
をｐ型及びｎ型のクラッド層で挟んで構成され、１．３
μｍ帯又は１．５μｍ帯の発光波長を有する半導体レー
ザ装置において、活性層は気相成長法で形成されてお
り、かつ活性層における不純物としてのＳｉの濃度を１
×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3に設定したことを特
徴とする。
に、本発明は次のような構成を採用している。即ち本発
明は、ＧａＩｎＡｓの歪み量子井戸構造からなる活性層
をｐ型及びｎ型のクラッド層で挟んで構成され、１．３
μｍ帯又は１．５μｍ帯の発光波長を有する半導体レー
ザ装置において、活性層は気相成長法で形成されてお
り、かつ活性層における不純物としてのＳｉの濃度を１
×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3に設定したことを特
徴とする。
【００１２】ここで、Ｓｉの濃度が略１×１０16ｃｍ-3
〜５×１０17ｃｍ-3の原子濃度というのは、ＳＩＭＳ
（Secondary Ion Mass Spectrometry ）により測定した
値であり、ファクター３の誤差を含んでいる。また、本
発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられ
る。 (1) クラッド層はＩｎＰを含む層である。 (2) 活性層の量子井戸構造の中の井戸層としては、クラ
ッド層に格子整合したＧａＩｎＡｓ、又は基板と格子不
整合したＧａＩｎＡｓを用いること。井戸層については
Ｐ組成の低いＧａＩｎＡｓＰでもよい。 (3) 量子井戸構造の作成にあたっては気相成長法で行う
必要があり、特に有機金属気相成長法を用いる。
〜５×１０17ｃｍ-3の原子濃度というのは、ＳＩＭＳ
（Secondary Ion Mass Spectrometry ）により測定した
値であり、ファクター３の誤差を含んでいる。また、本
発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられ
る。 (1) クラッド層はＩｎＰを含む層である。 (2) 活性層の量子井戸構造の中の井戸層としては、クラ
ッド層に格子整合したＧａＩｎＡｓ、又は基板と格子不
整合したＧａＩｎＡｓを用いること。井戸層については
Ｐ組成の低いＧａＩｎＡｓＰでもよい。 (3) 量子井戸構造の作成にあたっては気相成長法で行う
必要があり、特に有機金属気相成長法を用いる。
【００１３】
【作用】本発明によれば、半導体レーザの活性層中にＳ
ｉを積極的に添加することにより、活性層中でｐ型不純
物（例えばＺｎ）の拡散が抑制できるようになり、量子
井戸構造中でのｐ型不純物の蓄積及び深いレベルの発生
を抑制することが可能となる。
ｉを積極的に添加することにより、活性層中でｐ型不純
物（例えばＺｎ）の拡散が抑制できるようになり、量子
井戸構造中でのｐ型不純物の蓄積及び深いレベルの発生
を抑制することが可能となる。
【００１４】Ｓｉを添加する領域については、活性層全
体でも量子井戸構造の井戸層のみでもよく、さらに量子
井戸構造の障壁層のみでもｐ型不純物の拡散を抑制する
効果がある。
体でも量子井戸構造の井戸層のみでもよく、さらに量子
井戸構造の障壁層のみでもｐ型不純物の拡散を抑制する
効果がある。
【００１５】特に埋め込み型のレーザにおいては、量子
井戸構造のＧａＩｎＡｓ層に対して、埋め込み層から活
性層の量子井戸構造の面にｐ型不純物の拡散が起き易
い。この拡散は量子井戸構造の井戸層沿いに起きるの
で、光ガイド層等によってｐ型不純物の拡散を抑制する
ことは難しいが、本発明を適用することでこのようなｐ
型不純物の拡散を大幅に抑制できるようになる。また、
歪み量子井戸構造の活性層に本発明を用いた場合にも、
意図的にＳｉを添加しているので、井戸層のＳｉの濃度
が十分高く、ｐ型不純物の拡散に対する抑制の効果が顕
著である。
井戸構造のＧａＩｎＡｓ層に対して、埋め込み層から活
性層の量子井戸構造の面にｐ型不純物の拡散が起き易
い。この拡散は量子井戸構造の井戸層沿いに起きるの
で、光ガイド層等によってｐ型不純物の拡散を抑制する
ことは難しいが、本発明を適用することでこのようなｐ
型不純物の拡散を大幅に抑制できるようになる。また、
歪み量子井戸構造の活性層に本発明を用いた場合にも、
意図的にＳｉを添加しているので、井戸層のＳｉの濃度
が十分高く、ｐ型不純物の拡散に対する抑制の効果が顕
著である。
【００１６】以上のように、ｐ型不純物の拡散を抑制で
きた結果、活性層がＧａＩｎＡｓ層であっても、レーザ
特性の温度に対する依存性を小さくすることができる。
活性層中のＳｉの濃度が高すぎると、レーザ発振しきい
電流が上がったり、レーザ素子の寿命が短くなったりし
てしまうが、本発明の範囲内の濃度であれば、このよう
な問題は発生しなかった。
きた結果、活性層がＧａＩｎＡｓ層であっても、レーザ
特性の温度に対する依存性を小さくすることができる。
活性層中のＳｉの濃度が高すぎると、レーザ発振しきい
電流が上がったり、レーザ素子の寿命が短くなったりし
てしまうが、本発明の範囲内の濃度であれば、このよう
な問題は発生しなかった。
【００１７】また、活性層の歪み量子井戸構造の井戸層
として、ＧａＩｎＡｓの代わりにＧａＩｎＡｓＰを用い
た場合、材料の特性としてｐ型不純物の濃度が上がりに
くくまた拡散係数も小さいので、ｐ型不純物を蓄積しに
くい。また、結晶成長の際のバックグラウンドの不純物
濃度が下がりにくいのでｐ型不純物の拡散抑制効果があ
るといった点もあるが、本発明を適用することでＧａＩ
ｎＡｓと同じ様な効果が、程度は小さいながら実現で
き、レーザの温度特性を向上することができる。特に、
Ｐ組成の低いＧａＩｎＡｓＰの場合には材料特性がＧａ
ＩｎＡｓに近いのでその効果が顕著に現れる。
として、ＧａＩｎＡｓの代わりにＧａＩｎＡｓＰを用い
た場合、材料の特性としてｐ型不純物の濃度が上がりに
くくまた拡散係数も小さいので、ｐ型不純物を蓄積しに
くい。また、結晶成長の際のバックグラウンドの不純物
濃度が下がりにくいのでｐ型不純物の拡散抑制効果があ
るといった点もあるが、本発明を適用することでＧａＩ
ｎＡｓと同じ様な効果が、程度は小さいながら実現で
き、レーザの温度特性を向上することができる。特に、
Ｐ組成の低いＧａＩｎＡｓＰの場合には材料特性がＧａ
ＩｎＡｓに近いのでその効果が顕著に現れる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例に係わる半導体レ
ーザの素子構造を示す断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板１
０上に、ｎ型クラッド層１１，光ガイド層１２，活性層
１３，光ガイド層１４及びｐ型クラッド層１５が、上記
順に成長形成されている。
する。図１は、本発明の第１の実施例に係わる半導体レ
ーザの素子構造を示す断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板１
０上に、ｎ型クラッド層１１，光ガイド層１２，活性層
１３，光ガイド層１４及びｐ型クラッド層１５が、上記
順に成長形成されている。
【００１９】ｎ型クラッド層１１は、キャリア濃度１０
18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型ＩｎＰである。光ガイド層１
２は、キャリア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｇａ
ＩｎＡｓＰ（厚さ０．１μｍ，バンドギャップ１．３μ
ｍ）である。活性層１３は、キャリア濃度５×１０16ｃ
ｍ-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ障壁層１３ａ（厚さ１
０ｎｍ，バンドギャップ１．３μｍ，７層）と、キャリ
ア濃度５×１０16ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａ 0.35 Ｉｎ
0.65 Ａｓ井戸層１３ｂ（厚さ３ｎｍ，８層）とが交互
に繰り返された歪み量子井戸構造となっている。光ガイ
ド層１４は、キャリア濃度１０16ｃｍ-3のＳｉ添加のＧ
ａＩｎＡｓＰ（厚さ０．１μｍ，バンドギャップ１．３
μｍ）である。また、ｐ型クラッド層１５は、キャリア
濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ（厚さ０．５
μｍ）である。
18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型ＩｎＰである。光ガイド層１
２は、キャリア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｇａ
ＩｎＡｓＰ（厚さ０．１μｍ，バンドギャップ１．３μ
ｍ）である。活性層１３は、キャリア濃度５×１０16ｃ
ｍ-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ障壁層１３ａ（厚さ１
０ｎｍ，バンドギャップ１．３μｍ，７層）と、キャリ
ア濃度５×１０16ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａ 0.35 Ｉｎ
0.65 Ａｓ井戸層１３ｂ（厚さ３ｎｍ，８層）とが交互
に繰り返された歪み量子井戸構造となっている。光ガイ
ド層１４は、キャリア濃度１０16ｃｍ-3のＳｉ添加のＧ
ａＩｎＡｓＰ（厚さ０．１μｍ，バンドギャップ１．３
μｍ）である。また、ｐ型クラッド層１５は、キャリア
濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ（厚さ０．５
μｍ）である。
【００２０】ｎ型ＩｎＰクラッド層１１の上部より上層
が幅約１．５μｍのメサ構造になっており、その両側が
キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ層１
６及びキャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｉｎ
Ｐ電流阻止層１７で埋め込まれている。さらにその上部
には、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型Ｉｎ
Ｐ層１８及びキャリア濃度５×１０18ｃｍ-3のＺｎ添加
のｐ型のＧａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓコンタクト層１９
（厚さ０．５μｍ）が形成されている。
が幅約１．５μｍのメサ構造になっており、その両側が
キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ層１
６及びキャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｉｎ
Ｐ電流阻止層１７で埋め込まれている。さらにその上部
には、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型Ｉｎ
Ｐ層１８及びキャリア濃度５×１０18ｃｍ-3のＺｎ添加
のｐ型のＧａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓコンタクト層１９
（厚さ０．５μｍ）が形成されている。
【００２１】そして、ＧａＩｎＡｓコンタクト層１９上
にはＡｕ−Ｚｎ／Ａｕ電極（ｐ側電極）２１が蒸着形成
され、ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にはＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ
／Ａｕ電極（ｎ側電極）２２が蒸着形成されている。
にはＡｕ−Ｚｎ／Ａｕ電極（ｐ側電極）２１が蒸着形成
され、ｎ型ＩｎＰ基板１０の下面にはＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ
／Ａｕ電極（ｎ側電極）２２が蒸着形成されている。
【００２２】本実施例の半導体レーザは共振器長を２０
０μｍとし、ＳｉとＳｉＯ2 の多層膜により、一方の端
面の反射率が７０％、他方の端面の反射率が９０％の高
反射コートを施した。
０μｍとし、ＳｉとＳｉＯ2 の多層膜により、一方の端
面の反射率が７０％、他方の端面の反射率が９０％の高
反射コートを施した。
【００２３】本実施例の半導体レーザの発振波長は１．
５６μｍで、しきい電流は３ｍＡ，スロープ効率ηの温
度変動はη（７５℃）／η（２５℃）〜０．７と、この
ような低しきい電流のレーザ素子としては大きな値を示
した。活性層にＳｉに添加を行わなかった同様な構造の
素子においては、η（７５℃）／η（２５℃）〜０．６
となった。
５６μｍで、しきい電流は３ｍＡ，スロープ効率ηの温
度変動はη（７５℃）／η（２５℃）〜０．７と、この
ような低しきい電流のレーザ素子としては大きな値を示
した。活性層にＳｉに添加を行わなかった同様な構造の
素子においては、η（７５℃）／η（２５℃）〜０．６
となった。
【００２４】本実施例の半導体レーザの活性層１３は有
機金属気相成長法で形成した。その際に、Ｓｉの添加は
ＳｉＨ4 をもって行った。結晶成長の温度は６２０〜６
９０℃で行った。Ｇａ 0.35 Ｉｎ 0.65 Ａｓ井戸層１３
ｂについては結晶の厚さが極めて薄いので、膜中のＳｉ
の濃度を測定することが難しい。一方、ＳｉＨ4 につい
てはＩｎＡｓ中への取り込まれ効率は６２０℃では、Ｇ
ａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ中への取り込まれ効率より約
１．５桁小さく、Ｇａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ中への取り
込まれ効率はＧａＡｓ中へのそれよりも約１桁小さかっ
た。このことは、ＳｉＨ4 の取り込まれが材料との表面
反応でＧａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０≦ｘ＝１）の組成に対し
て、指数関数的に変化していることを意味している。
機金属気相成長法で形成した。その際に、Ｓｉの添加は
ＳｉＨ4 をもって行った。結晶成長の温度は６２０〜６
９０℃で行った。Ｇａ 0.35 Ｉｎ 0.65 Ａｓ井戸層１３
ｂについては結晶の厚さが極めて薄いので、膜中のＳｉ
の濃度を測定することが難しい。一方、ＳｉＨ4 につい
てはＩｎＡｓ中への取り込まれ効率は６２０℃では、Ｇ
ａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ中への取り込まれ効率より約
１．５桁小さく、Ｇａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ中への取り
込まれ効率はＧａＡｓ中へのそれよりも約１桁小さかっ
た。このことは、ＳｉＨ4 の取り込まれが材料との表面
反応でＧａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０≦ｘ＝１）の組成に対し
て、指数関数的に変化していることを意味している。
【００２５】そこで、Ｇａ 0.35 Ｉｎ 0.65 Ａｓ井戸層
１３ｂにＳｉＨ4 を供給するときの条件はＳｉＨ4 の取
り込まれ効率がＧａＩｎＡｓの組成変化に対して指数関
数的に変化しているとして決めた。原料としてＳｉＨ4
を用いたとき、Ｓｉの取り込まれ効率はＩｎＡｓ組成の
高いＧａＩｎＡｓほど温度に対して強い依存性を持ち、
このときの活性化エネルギーはＧａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０
≦ｘ＝１）の固相組成に比例した。そこで、ＩｎＡｓへ
のＳｉの取り込まれ効率、Ｇａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓへ
のＳｉの取り込まれ効率の温度依存性、及び材料組成に
対するＳｉの取り込まれ効率を勘案して、Ｇａ 0.35 Ｉ
ｎ 0.65 Ａｓ井戸層１３ｂ中でのキャリア濃度が５×１
０16ｃｍ-3となるようにＳｉＨ4 の供給条件を決めた。
１３ｂにＳｉＨ4 を供給するときの条件はＳｉＨ4 の取
り込まれ効率がＧａＩｎＡｓの組成変化に対して指数関
数的に変化しているとして決めた。原料としてＳｉＨ4
を用いたとき、Ｓｉの取り込まれ効率はＩｎＡｓ組成の
高いＧａＩｎＡｓほど温度に対して強い依存性を持ち、
このときの活性化エネルギーはＧａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０
≦ｘ＝１）の固相組成に比例した。そこで、ＩｎＡｓへ
のＳｉの取り込まれ効率、Ｇａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓへ
のＳｉの取り込まれ効率の温度依存性、及び材料組成に
対するＳｉの取り込まれ効率を勘案して、Ｇａ 0.35 Ｉ
ｎ 0.65 Ａｓ井戸層１３ｂ中でのキャリア濃度が５×１
０16ｃｍ-3となるようにＳｉＨ4 の供給条件を決めた。
【００２６】ここで、活性層１３中のＳｉ濃度の望まし
い範囲について説明する。本実施例の半導体レーザにお
いて、Ｇａ0.35Ｉｎ0.05Ａｓ井戸層１３ｂのｎタイプの
キャリア濃度を１×１０16ｃｍ-3より低くすると、しき
い電流が略３ｍＡから６ｍＡと急激に上昇した。一方、
Ｇａ0.35Ｉｎ0.65Ａｓ井戸層１３ｂのキャリア濃度を略
５×１０17ｃｍ-3より高くすると、再びしきい値が上昇
した。
い範囲について説明する。本実施例の半導体レーザにお
いて、Ｇａ0.35Ｉｎ0.05Ａｓ井戸層１３ｂのｎタイプの
キャリア濃度を１×１０16ｃｍ-3より低くすると、しき
い電流が略３ｍＡから６ｍＡと急激に上昇した。一方、
Ｇａ0.35Ｉｎ0.65Ａｓ井戸層１３ｂのキャリア濃度を略
５×１０17ｃｍ-3より高くすると、再びしきい値が上昇
した。
【００２７】しきい電流のキャリア濃度依存性を図２に
示す。キャリア濃度を下げた時にしきい電流が上昇した
のは、Ｇａ0.35Ｉｎ0.65Ａｓ井戸層１３ｂ中のＳｉ濃度
を下げたために、Ｚｎの二段階拡散の一段目の低濃度領
域のＺｎ濃度とＳｉの濃度が略一致或いはより高くな
り、Ｚｎの拡散が急激に増大したためと推定される。
示す。キャリア濃度を下げた時にしきい電流が上昇した
のは、Ｇａ0.35Ｉｎ0.65Ａｓ井戸層１３ｂ中のＳｉ濃度
を下げたために、Ｚｎの二段階拡散の一段目の低濃度領
域のＺｎ濃度とＳｉの濃度が略一致或いはより高くな
り、Ｚｎの拡散が急激に増大したためと推定される。
【００２８】一方、キャリア濃度を上げた時にしきい電
流が上昇したのは、以下のような理由と考えられる。レ
ーザが発振するためには活性層中で活性層の不純物によ
りキャリア濃度に対して外部から注入されたキャリア濃
度が十分高く、キャリアの反転分布が形成される必要が
ある。ところが、井戸層中の不純物濃度が略５×１０17
ｃｍ-3以上となると、通常レーザ発振するときに外部か
ら注入されるキャリア濃度と差が小さくなる。このた
め、井戸層中の不純物濃度の上昇に伴い反転分布を形成
するために必要な注入キャリア濃度が上昇したと推定さ
れる。
流が上昇したのは、以下のような理由と考えられる。レ
ーザが発振するためには活性層中で活性層の不純物によ
りキャリア濃度に対して外部から注入されたキャリア濃
度が十分高く、キャリアの反転分布が形成される必要が
ある。ところが、井戸層中の不純物濃度が略５×１０17
ｃｍ-3以上となると、通常レーザ発振するときに外部か
ら注入されるキャリア濃度と差が小さくなる。このた
め、井戸層中の不純物濃度の上昇に伴い反転分布を形成
するために必要な注入キャリア濃度が上昇したと推定さ
れる。
【００２９】このような結果に基づき本発明の半導体レ
ーザにおいては、歪み量子井戸層中のＳｉ濃度を１×１
０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3の間にあるようにした。
このように本実施例によれば、歪み量子井戸構造の活性
層１３の井戸層１３ｂに組成制御の行い易いＧａＩｎＡ
ｓを用いることにより、組成の確認が難しい歪み量子井
戸構造を用いても発振波長が極めて安定であり、１．５
６±０．０１μｍに制御することができた。類似の構造
の量子井戸レーザで活性層の井戸層に四元混晶であるＧ
ａＩｎＡｓＰを用いた場合に比べてウェハー毎のばらつ
きを約６割程度に抑えることができた。
ーザにおいては、歪み量子井戸層中のＳｉ濃度を１×１
０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3の間にあるようにした。
このように本実施例によれば、歪み量子井戸構造の活性
層１３の井戸層１３ｂに組成制御の行い易いＧａＩｎＡ
ｓを用いることにより、組成の確認が難しい歪み量子井
戸構造を用いても発振波長が極めて安定であり、１．５
６±０．０１μｍに制御することができた。類似の構造
の量子井戸レーザで活性層の井戸層に四元混晶であるＧ
ａＩｎＡｓＰを用いた場合に比べてウェハー毎のばらつ
きを約６割程度に抑えることができた。
【００３０】しかも、活性層１３中にＳｉを積極的に添
加し、Ｓｉ濃度を１×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3
に設定しているので、活性層１３中でのｐ型不純物（Ｚ
ｎ）の拡散を抑制することができ、歪み量子井戸構造中
でのｐ型不純物の蓄積及び深いレベルの発生を抑制する
ことが可能となる。従って、しきい値の低減化と共に素
子特性の温度依存性を小さくすることができ、その有用
性は絶大である。
加し、Ｓｉ濃度を１×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃｍ-3
に設定しているので、活性層１３中でのｐ型不純物（Ｚ
ｎ）の拡散を抑制することができ、歪み量子井戸構造中
でのｐ型不純物の蓄積及び深いレベルの発生を抑制する
ことが可能となる。従って、しきい値の低減化と共に素
子特性の温度依存性を小さくすることができ、その有用
性は絶大である。
【００３１】図３は、本発明の第２の実施例に係わる半
導体レーザの素子構造を示す断面図である。本実施例の
半導体レーザにおいては、キャリア濃度４×１０18ｃｍ
-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ基板３０の上に、ｐ型クラッ
ド層３１，光ガイド層３２，活性層３３，光ガイド層３
４及びｎ型クラッド層３５が、上記順に成長形成されて
いる。
導体レーザの素子構造を示す断面図である。本実施例の
半導体レーザにおいては、キャリア濃度４×１０18ｃｍ
-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ基板３０の上に、ｐ型クラッ
ド層３１，光ガイド層３２，活性層３３，光ガイド層３
４及びｎ型クラッド層３５が、上記順に成長形成されて
いる。
【００３２】ｐ型クラッド層３１は、キャリア濃度１０
18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ（厚さ１．５μｍ）で
ある。光ガイド層３２は、キャリア濃度５×１０17ｃｍ
-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ（厚さ０．２μｍ，バン
ドギャップ１．１３μｍ）である。活性層３３は、キャ
リア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ障壁
層３３ａ（厚さ６ｎｍ，バンドギャップ１．１３μｍ，
５層）と、キャリア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａ
ＩｎＡｓＰ井戸層３３ｂ（厚さ７ｎｍ，バンドギャップ
１．４μｍ，格子不整合度０．６％，６層）とを、交互
に繰り返した歪み量子井戸構造となっている。光ガイド
層３４は、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3のＳｉ添加の
ＧａＩｎＡｓＰ（バンドギャップ１．１３μｍ）であ
る。また、ｎ型クラッド層３５は、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型ＩｎＰである。
18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ型ＩｎＰ（厚さ１．５μｍ）で
ある。光ガイド層３２は、キャリア濃度５×１０17ｃｍ
-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ（厚さ０．２μｍ，バン
ドギャップ１．１３μｍ）である。活性層３３は、キャ
リア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａＩｎＡｓＰ障壁
層３３ａ（厚さ６ｎｍ，バンドギャップ１．１３μｍ，
５層）と、キャリア濃度１０17ｃｍ-3のＳｉ添加のＧａ
ＩｎＡｓＰ井戸層３３ｂ（厚さ７ｎｍ，バンドギャップ
１．４μｍ，格子不整合度０．６％，６層）とを、交互
に繰り返した歪み量子井戸構造となっている。光ガイド
層３４は、キャリア濃度５×１０17ｃｍ-3のＳｉ添加の
ＧａＩｎＡｓＰ（バンドギャップ１．１３μｍ）であ
る。また、ｎ型クラッド層３５は、キャリア濃度５×１
０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型ＩｎＰである。
【００３３】ｐ型ＩｎＰクラッド層３１の上部より上層
が幅約１．５μｍのメサ構造になっており、その両側が
キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ−ＩｎＰ層３
６ａ、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｉｎ
Ｐ電流阻止層３７、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添
加のｐ型ＩｎＰ層３６ｂで埋め込まれている。さらにそ
の上部は、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型
ＩｎＰ層３８及びキャリア濃度５×１０18ｃｍ-3，厚さ
０．５μｍのＳｉ添加ｎ型のＧａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ
コンタクト層３９が形成されている。
が幅約１．５μｍのメサ構造になっており、その両側が
キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添加のｐ−ＩｎＰ層３
６ａ、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型Ｉｎ
Ｐ電流阻止層３７、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＺｎ添
加のｐ型ＩｎＰ層３６ｂで埋め込まれている。さらにそ
の上部は、キャリア濃度１０18ｃｍ-3のＳｉ添加のｎ型
ＩｎＰ層３８及びキャリア濃度５×１０18ｃｍ-3，厚さ
０．５μｍのＳｉ添加ｎ型のＧａ 0.47 Ｉｎ 0.53 Ａｓ
コンタクト層３９が形成されている。
【００３４】そして、ＧａＩｎＡｓコンタクト層３９上
にはＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極（ｎ側電極）４１が蒸
着形成され、ｐ型ＩｎＰ基板３０の裏面にはＡｕ−Ｚｎ
／Ａｕ電極（ｐ側電極）４２が蒸着形成されている。
にはＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極（ｎ側電極）４１が蒸
着形成され、ｐ型ＩｎＰ基板３０の裏面にはＡｕ−Ｚｎ
／Ａｕ電極（ｐ側電極）４２が蒸着形成されている。
【００３５】本実施例の半導体レーザは共振器長を２０
０μｍとし、ＳｉとＳｉＯ2 の多層膜により、一方の端
面の反射率が７０％、他方の端面の反射率が９０％の高
反射コートを施した。
０μｍとし、ＳｉとＳｉＯ2 の多層膜により、一方の端
面の反射率が７０％、他方の端面の反射率が９０％の高
反射コートを施した。
【００３６】本実施例の半導体レーザの発振波長は１．
３μｍで、しきい電流は２．３ｍＡ，スロープ効率ηの
温度変動はη（７５℃）／η（２５℃）〜０．８とｎ基
板上に形成したレーザと同様のｐ基板上に形成したよう
な低しきい電流のレーザ素子としては優れた特性を示し
た。活性層にＳｉに添加を行わなかった同様な構造の素
子としては、しきい電流η（７５℃）／η（２５℃）〜
０．７となった。これは、光ガイド層３２中のキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3と比較的高いために、高濃度に
添加された基板３０からのＺｎの拡散をこの層で大幅に
低減でき、活性層３３の量子井戸構造の中にＺｎの蓄積
が起こることを防ぐことができたためである。ここで、
光ガイド層３２中のキャリア濃度を５×１０18ｃｍ-3以
上の高い濃度とすると素子の寿命が急激に低下した。
３μｍで、しきい電流は２．３ｍＡ，スロープ効率ηの
温度変動はη（７５℃）／η（２５℃）〜０．８とｎ基
板上に形成したレーザと同様のｐ基板上に形成したよう
な低しきい電流のレーザ素子としては優れた特性を示し
た。活性層にＳｉに添加を行わなかった同様な構造の素
子としては、しきい電流η（７５℃）／η（２５℃）〜
０．７となった。これは、光ガイド層３２中のキャリア
濃度が５×１０17ｃｍ-3と比較的高いために、高濃度に
添加された基板３０からのＺｎの拡散をこの層で大幅に
低減でき、活性層３３の量子井戸構造の中にＺｎの蓄積
が起こることを防ぐことができたためである。ここで、
光ガイド層３２中のキャリア濃度を５×１０18ｃｍ-3以
上の高い濃度とすると素子の寿命が急激に低下した。
【００３７】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、ｐ型の不純物としてＺ
ｎを用いたが、Ｃｄ，Ｍｇ，Ｂｅ等をｐ型の不純物とし
て用いた場合にも本発明はＺｎの場合と同様の効果を発
揮する。
れるものではない。実施例では、ｐ型の不純物としてＺ
ｎを用いたが、Ｃｄ，Ｍｇ，Ｂｅ等をｐ型の不純物とし
て用いた場合にも本発明はＺｎの場合と同様の効果を発
揮する。
【００３８】また、実施例で説明した量子井戸構造はい
ずれも圧縮歪みのＧａＩｎＡｓないしＧａＩｎＡｓＰ量
子井戸であるが、歪みが無くても、引張り歪みの量子井
戸構造でもよい。さらに、ＩｎＡｓＰの活性層等への適
用も可能である。また、実施例では通常の埋め込み型の
ファブリペローレーザを例にとり説明したが、メサ構造
やリッジウェイブ構造のレーザ、ＤＦＢレーザや面発光
レーザへの応用も可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
ずれも圧縮歪みのＧａＩｎＡｓないしＧａＩｎＡｓＰ量
子井戸であるが、歪みが無くても、引張り歪みの量子井
戸構造でもよい。さらに、ＩｎＡｓＰの活性層等への適
用も可能である。また、実施例では通常の埋め込み型の
ファブリペローレーザを例にとり説明したが、メサ構造
やリッジウェイブ構造のレーザ、ＤＦＢレーザや面発光
レーザへの応用も可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。
【００３９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、量
子井戸構造の活性層中にＳｉを積極的に添加し、不純物
としてのＳｉの濃度を１×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃ
ｍ-3に設定することにより、活性層中でｐ型不純物（例
えばＺｎ）の拡散を抑制して、量子井戸構造中でのｐ型
不純物の蓄積及び深いレベルの発生を抑制することが可
能となる。従って、波長の制御が容易なＧａＩｎＡｓの
歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低くかつ素子特
性の温度依存性を小さくすることのできる半導体レーザ
装置を実現することが可能となる。
子井戸構造の活性層中にＳｉを積極的に添加し、不純物
としてのＳｉの濃度を１×１０16ｃｍ-3〜５×１０17ｃ
ｍ-3に設定することにより、活性層中でｐ型不純物（例
えばＺｎ）の拡散を抑制して、量子井戸構造中でのｐ型
不純物の蓄積及び深いレベルの発生を抑制することが可
能となる。従って、波長の制御が容易なＧａＩｎＡｓの
歪み量子井戸構造を用いて、しきい値が低くかつ素子特
性の温度依存性を小さくすることのできる半導体レーザ
装置を実現することが可能となる。
【００４０】またこの効果は高出力の半導体レーザにも
適用可能であり、素子特性の向上を実現できる。さら
に、ＧａＩｎＡｓ井戸層を用いた場合には、井戸層がＧ
ａＩｎＡｓ混晶であり特に有機金属気相成長法を用いた
場合には組成の決定が容易であり発振波長が容易に決定
できる。特に、埋め込み型の１．５μｍ帯の半導体レー
ザにおいて本発明の効果は絶大である。
適用可能であり、素子特性の向上を実現できる。さら
に、ＧａＩｎＡｓ井戸層を用いた場合には、井戸層がＧ
ａＩｎＡｓ混晶であり特に有機金属気相成長法を用いた
場合には組成の決定が容易であり発振波長が容易に決定
できる。特に、埋め込み型の１．５μｍ帯の半導体レー
ザにおいて本発明の効果は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係わる半導体レーザの
素子構造を示す断面図。
素子構造を示す断面図。
【図２】第１の実施例におけるしきい電流のキャリア濃
度依存性を示す特性図。
度依存性を示す特性図。
【図３】本発明の第２の実施例に係わる半導体レーザの
素子構造を示す断面図。
素子構造を示す断面図。
１０…ｎ−ＩｎＰ基板 １１…ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 １２…ｎ−ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 １３…量子井戸
活性層 １４…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 １５…ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 １６…ｐ−ＩｎＰ層 １７…ｎ−Ｉｎ
Ｐ電流阻止層 １８…ｐ−ＩｎＰ層 １９…ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層 ２１…Au-Zn/Au電極（ｐ側電極） ２２…Au-Ge/Ni
/Au 電極（ｎ側電極） ３０…ｐ−ＩｎＰ基板 ３１…ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 ３２…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 ３３…量子井戸
活性層 ３４…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 ３５…ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 ３６ａ，３６ｂ…ｐ−ＩｎＰ層 ３７…ｎ−Ｉｎ
Ｐ電流阻止層 ３８…ｎ−ＩｎＰ層 ３９…ｎ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層 ４１…Au-Ge/Ni/Au 電極（ｎ側電極） ４２…Au-Zn/Au
電極（ｐ側電極）
Ｐクラッド層 １２…ｎ−ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 １３…量子井戸
活性層 １４…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 １５…ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 １６…ｐ−ＩｎＰ層 １７…ｎ−Ｉｎ
Ｐ電流阻止層 １８…ｐ−ＩｎＰ層 １９…ｐ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層 ２１…Au-Zn/Au電極（ｐ側電極） ２２…Au-Ge/Ni
/Au 電極（ｎ側電極） ３０…ｐ−ＩｎＰ基板 ３１…ｐ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 ３２…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 ３３…量子井戸
活性層 ３４…ＧａＩｎＡｓＰ光ガイド層 ３５…ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層 ３６ａ，３６ｂ…ｐ−ＩｎＰ層 ３７…ｎ−Ｉｎ
Ｐ電流阻止層 ３８…ｎ−ＩｎＰ層 ３９…ｎ−Ｇａ
ＩｎＡｓコンタクト層 ４１…Au-Ge/Ni/Au 電極（ｎ側電極） ４２…Au-Zn/Au
電極（ｐ側電極）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小野村 正明
神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地
株式会社東芝研究開発センター内
(56)参考文献 特開 平６−268315（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−73586（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
Claims (2)
- 【請求項１】ＧａＩｎＡｓの歪み量子井戸構造からなる
活性層をｐ型及びｎ型のクラッド層で挟んで構成され、
１．３μｍ帯又は１．５μｍ帯の発光波長を有する半導
体レーザ装置であって、 前記活性層は気相成長法で形成されており、かつ前記活
性層におけるＳｉの濃度を１×１０16ｃｍ-3〜５×１０
17ｃｍ-3に設定してなることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項２】前記活性層及びこれを挟む各クラッド層か
ら成るダブルへテロ構造部はメサ型に加工され、前記活
性層の側面にはｐ型埋め込み層が形成されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23004093A JP3381976B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23004093A JP3381976B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786695A JPH0786695A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3381976B2 true JP3381976B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=16901627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23004093A Expired - Fee Related JP3381976B2 (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381976B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3763303B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2006-04-05 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP2009004451A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子及びその製造方法 |
| JP5801589B2 (ja) * | 2011-04-04 | 2015-10-28 | 三菱電機株式会社 | 光変調素子 |
| JP2019197868A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP23004093A patent/JP3381976B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0786695A (ja) | 1995-03-31 |
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