JPS5948976A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5948976A JPS5948976A JP16005482A JP16005482A JPS5948976A JP S5948976 A JPS5948976 A JP S5948976A JP 16005482 A JP16005482 A JP 16005482A JP 16005482 A JP16005482 A JP 16005482A JP S5948976 A JPS5948976 A JP S5948976A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor layer
- mesa
- laminated
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電流狭窄をほどこし、さらに放熱特性を改善
した低閾値、高出力動作を可能にする埋込み型半導体レ
ーザに関するものであるこれまでの埋込み型半導体レー
ザのｉ造と［７ては第１図に示す構造が考えられてきた
。す外わち第１図において、１はＩｔ型ＧａＡａ基板、
２はｎ戯Ａ１ｏ３ａ ＧａＯ，ｓ７ＡａＭｉ、３はｚ
ｎ 敲ＡＩｏ、ｚｓ （１ａＯ，７５Ａｓ ｋｚ ４は
活性層となるＡＪｏ、ｏｓ ｔ）ａ（１，ａｓ Ａｓ
層、５はＰ Ｍ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ｏ、ｓＡ ｓ ｍ
、６はＰ型Ａ、ｌ ｇ、ｏ ｔｃ１ａｏ９９Ａｓ層、７
はＰ型ＡＩ０，３５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓ Ｊｐ、、８
ｔｔ、ｌ：ｎ型ＡＩ０，３５ Ｇａｏ６ｓ Ａｓ Ｒ
％ ９はｌ’ ５１１不純物１ν、散層、１０ は５
ｉ０２層、１１はＰ型オーミック１１５．４へ、１２は
ｎ屋オーミック電極をそれぞれ示す。
した低閾値、高出力動作を可能にする埋込み型半導体レ
ーザに関するものであるこれまでの埋込み型半導体レー
ザのｉ造と［７ては第１図に示す構造が考えられてきた
。す外わち第１図において、１はＩｔ型ＧａＡａ基板、
２はｎ戯Ａ１ｏ３ａ ＧａＯ，ｓ７ＡａＭｉ、３はｚ
ｎ 敲ＡＩｏ、ｚｓ （１ａＯ，７５Ａｓ ｋｚ ４は
活性層となるＡＪｏ、ｏｓ ｔ）ａ（１，ａｓ Ａｓ
層、５はＰ Ｍ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ｏ、ｓＡ ｓ ｍ
、６はＰ型Ａ、ｌ ｇ、ｏ ｔｃ１ａｏ９９Ａｓ層、７
はＰ型ＡＩ０，３５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓ Ｊｐ、、８
ｔｔ、ｌ：ｎ型ＡＩ０，３５ Ｇａｏ６ｓ Ａｓ Ｒ
％ ９はｌ’ ５１１不純物１ν、散層、１０ は５
ｉ０２層、１１はＰ型オーミック１１５．４へ、１２は
ｎ屋オーミック電極をそれぞれ示す。
この構造においては、Ｐ型オーミックｔｌ：：伶１１、
オ ｎｍｙｒ−ミック電極１２にＪ［Ｋ向ｒｉｆ ＬＥ １
−１ｇ１ｌ加１２、Ａｌ ｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ−９Ｓ
Ａ ｓ層４に電流、を＆ 入Ｌ テ発光ｆｌｆ結合さ
せてレーザ動作を可能に−Ｊ゛るもσ月： 、ｂ、ｊｌ
、Ｐ型ＡＩ０，３５ ＧａＯ，ｓｓ Ａｓ Ｉ薪７およ
び比較的＋ｌｒ ｕｋ 抗層となるｎ ＪｉＡｌｏ、ａ
ｓ Ｇａｃｕｓ Ａｓ Ｍ ８ Ｋ ｊ 、ｊｌ） ）
ｆ領域以外に流れる電流を阻止し、効率良くメーリ部
分に電流を集中してレーザ発振の効率を高める様になさ
れている。
オ ｎｍｙｒ−ミック電極１２にＪ［Ｋ向ｒｉｆ ＬＥ １
−１ｇ１ｌ加１２、Ａｌ ｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ−９Ｓ
Ａ ｓ層４に電流、を＆ 入Ｌ テ発光ｆｌｆ結合さ
せてレーザ動作を可能に−Ｊ゛るもσ月： 、ｂ、ｊｌ
、Ｐ型ＡＩ０，３５ ＧａＯ，ｓｓ Ａｓ Ｉ薪７およ
び比較的＋ｌｒ ｕｋ 抗層となるｎ ＪｉＡｌｏ、ａ
ｓ Ｇａｃｕｓ Ａｓ Ｍ ８ Ｋ ｊ 、ｊｌ） ）
ｆ領域以外に流れる電流を阻止し、効率良くメーリ部
分に電流を集中してレーザ発振の効率を高める様になさ
れている。
しかしながら、この様な半導体レータに於ては、結晶表
面に５Ａ０２層１０を設け１、部分的に芯をあけたあと
、Ｐ型オーミック電極１１を設けて電流を流す構造とな
っているため、７０°Ｃ〜８０°Ｃの＾温存囲気動作に
於ては、５Ａ０２層１０の熱伝尋率がＡＩＧａＡ、ｓ未
結晶のそれよりも１桁程度小さいために、活性層となる
Ａｌ ｏ、ｏｓ （ＪａＯ，９ＳＡＳ 屑４近傍での発
熱が効率よくヒートシンク側に発散されず、熱上昇によ
る発振閾値の上昇、微分基子効率の低１が避けられない
欠点があり、１００°Ｃ近くの雰囲気温度で５ｍＷ以上
の光出力を安定に＋ｙることは不可能であった。また、
１）型不純物拡散層９をメツ領域の真上に位゛置場せて
、部分的拡散を行う必要がある等製作工程も複雑で製造
歩留を向上させることが難かしい欠点を有するものであ
った。さらに、本質的な欠点として、第１図中矢印で示
すリーク電流が存在することである。これは、活性層横
幅が狭いため、Ｐ型Ａｌ ６．４ Ｇａｏ６Ａｇ Ｊ＠
５ 、の比抵抗が無視できなくなシ、発振閾値以上の
電流注入によるＰ ｍ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ０．６ＡＳ
層５中の％ｌ圧降下が大きくなり、第１図矢印で示すリ
ーク電流が増加するものであシ、高温雰囲気での動作を
＃１ｔかしくする最大の欠点メあった。
面に５Ａ０２層１０を設け１、部分的に芯をあけたあと
、Ｐ型オーミック電極１１を設けて電流を流す構造とな
っているため、７０°Ｃ〜８０°Ｃの＾温存囲気動作に
於ては、５Ａ０２層１０の熱伝尋率がＡＩＧａＡ、ｓ未
結晶のそれよりも１桁程度小さいために、活性層となる
Ａｌ ｏ、ｏｓ （ＪａＯ，９ＳＡＳ 屑４近傍での発
熱が効率よくヒートシンク側に発散されず、熱上昇によ
る発振閾値の上昇、微分基子効率の低１が避けられない
欠点があり、１００°Ｃ近くの雰囲気温度で５ｍＷ以上
の光出力を安定に＋ｙることは不可能であった。また、
１）型不純物拡散層９をメツ領域の真上に位゛置場せて
、部分的拡散を行う必要がある等製作工程も複雑で製造
歩留を向上させることが難かしい欠点を有するものであ
った。さらに、本質的な欠点として、第１図中矢印で示
すリーク電流が存在することである。これは、活性層横
幅が狭いため、Ｐ型Ａｌ ６．４ Ｇａｏ６Ａｇ Ｊ＠
５ 、の比抵抗が無視できなくなシ、発振閾値以上の
電流注入によるＰ ｍ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ０．６ＡＳ
層５中の％ｌ圧降下が大きくなり、第１図矢印で示すリ
ーク電流が増加するものであシ、高温雰囲気での動作を
＃１ｔかしくする最大の欠点メあった。
本発明の目的は、上記従来の埋込み構造半導体レーザ構
造の欠点を除去し、高温動作ｌ特性に優れた、製造容易
な埋め込み型半導体レーザを構成することにある。
造の欠点を除去し、高温動作ｌ特性に優れた、製造容易
な埋め込み型半導体レーザを構成することにある。
本発明の半導体レーザは、１−Ｖ族半導体からなる発光
領域と該発光領域を上下からはさむ様に設置された前記
発光領域より禁制帯幅の大きな層とを少なくとも含むメ
サ状積層体を備えだ半導体基板上に、該半導体基板と反
対導電型の第１半導体層、第１半心体層上に第１半尋体
層と反対導電型の第２半導体層、第２半導体層上に第２
半導体層と反対導電型の第３半導体層、第３半導体層上
に第３半導体層と反対導電型の第４半得体層をｌ１ｕ４
次、前記メサ状ａ層体側部に隣接して形成した側部埋め
込み層を設け、この側部埋め込み層内の第２半導体層上
面を前記メサ状積層体内の発光領域上面に位置せしめ、
さらに前記メサ状積層体及び側部埋め込み層の白子面上
に第５半導体層を設けたことを特徴とするものである。
領域と該発光領域を上下からはさむ様に設置された前記
発光領域より禁制帯幅の大きな層とを少なくとも含むメ
サ状積層体を備えだ半導体基板上に、該半導体基板と反
対導電型の第１半導体層、第１半心体層上に第１半尋体
層と反対導電型の第２半導体層、第２半導体層上に第２
半導体層と反対導電型の第３半導体層、第３半導体層上
に第３半導体層と反対導電型の第４半得体層をｌ１ｕ４
次、前記メサ状ａ層体側部に隣接して形成した側部埋め
込み層を設け、この側部埋め込み層内の第２半導体層上
面を前記メサ状積層体内の発光領域上面に位置せしめ、
さらに前記メサ状積層体及び側部埋め込み層の白子面上
に第５半導体層を設けたことを特徴とするものである。
以下、本発明に係る実施例について図面を参照して説明
する。第２図は本発明に係る半導体レーザの構造断面を
示す。図では第１図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示してろる。
する。第２図は本発明に係る半導体レーザの構造断面を
示す。図では第１図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示してろる。
まず、第１の結晶成長工程に於て、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上Ｋ ＋ｌｌＮｌｌＮ型” ０．３３ （３ａｏ６７Ａ
ｓ ４２、ｎｕＡＩｏ、２５ Ｇａ０７ｓＡｓ層３、活
性層となる７ＡＩ６ｏｓＧａ６９５ Ａｓ層４、Ｐ ３
Ｊｉ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ｏ、ａＡｓ ｉ野５、Ｐ型
Ａ ｌ Ｏ，０１Ｇａ Ｏ，９９Ａ３ ／＠６ ／を形
成する。ここで各層厚はそれぞれ１．５μｍ 、 ｊａ
ｍ 、 ０．０８）Ｉｍ 、 １．５＋ｍ 、 ｌｚｉ
ｍとしだ。しかるイ茨、従来構造を形成すると：ｒ、ａ
様なエツチング工程（１１３Ｐ０４＋Ｈ２Ｏ２＋３ＣＨ
３０）（等をエッチャントとする化学エツチング）Ｖこ
よＦ＞、ＧａＡｓ基板１−に達する首でメ・リエソテン
グ葡行い、ン占性領域７有づ−る帯状メサ部を形成する
。
上Ｋ ＋ｌｌＮｌｌＮ型” ０．３３ （３ａｏ６７Ａ
ｓ ４２、ｎｕＡＩｏ、２５ Ｇａ０７ｓＡｓ層３、活
性層となる７ＡＩ６ｏｓＧａ６９５ Ａｓ層４、Ｐ ３
Ｊｉ Ａｌ Ｏ，４Ｇａ ｏ、ａＡｓ ｉ野５、Ｐ型
Ａ ｌ Ｏ，０１Ｇａ Ｏ，９９Ａ３ ／＠６ ／を形
成する。ここで各層厚はそれぞれ１．５μｍ 、 ｊａ
ｍ 、 ０．０８）Ｉｍ 、 １．５＋ｍ 、 ｌｚｉ
ｍとしだ。しかるイ茨、従来構造を形成すると：ｒ、ａ
様なエツチング工程（１１３Ｐ０４＋Ｈ２Ｏ２＋３ＣＨ
３０）（等をエッチャントとする化学エツチング）Ｖこ
よＦ＞、ＧａＡｓ基板１−に達する首でメ・リエソテン
グ葡行い、ン占性領域７有づ−る帯状メサ部を形成する
。
次に、結晶表面を洗浄した後、第２の結晶成長工程によ
り上記メサ部側面に隣接して、Ｐ型ＡＩｏ３５Ｇａ（Ｌ
６５ＡＳ層７、ｎ ｍＡｌ Ｏ，３５’Ｏａ Ｏ，６５
ＡＳ ｍｔ ８、Ｐ型Ａｌ Ｏ，３５Ｇａ Ｏ，６５Ａ
、３層１３、ｎ型Ａｌ ０．３ ｓ Ｕａ Ｏ，６５Ａ
８層１４／を順次成長してメサ側部埋込み層を形成しさ
らに最終層としてＰ Ａｌ！Ａｌｏ、ｏｌ（Ｊａ０９９
Ａｓ ７ｇ１５を、上記メサ部及びメサ仰］部厘め込み
層の白子面上に形成する。しかる後Ｐ型不純物拡散層偏
９、Ｐ型オーミック電極１１、ｎ型オーミック４１１２
イを形成して本発明に係る半導体レーザが形戒宴れる８
本ｈ 造をノ１〉成するに除し、叱２の糸１′、晶成長
工程におりるＰ ｍ Ａ Ｉ ｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，
６５ＡＳ ｌすｊ７の形成は比較的過飽第１度の小鳩な
溶液から成長するととによって、その成長光’＋ｉ＋ｉ
ｒ￥４位置を！１型Ａｌ１３３ＧａＯ，６７Ａｓ 層
２の下部に再現よく位置合せすることが出来た。これは
、メサ側面の成長がＧ ａ Ａ ｓの場合より ＡＩＱ
、３３ Ｇａｏ６７Ａｓ Ｈ（１）方カ’Ｍイ１Ｌ）６
テｈ’ｌ、種々の実験結果Ａｌ工（＋ａ）−えＡｓ層の
χ値が大きい程メｆ側面の成長が遅い傾向があることが
判りた。この株な結晶成長の性質を利用することによっ
て、Ｐ展Ａｔαａ５ Ｇａα６５Ａｓ層７の成長にひき
つづいて行うｎ ｍ Ａｌ Ｏ，３５Ｇａ Ｏ，ｅ ５
Ａｓ Ｎ ８の結晶成長に際しても比較的過飽和度の小
さな溶液から成長することによってその成長表面位置を
発光領域となるＡＩ（１ｏａ Ｇａｏ、ｇ５Ａｓ５Ａｓ
上部に再現よく位置付せｐρ５ をすることが出来だ。これは、ＡＩ―日０ａａ９ｓＡｓ
層４の上にＡｌＯ，、＋ （Ｌｌｏ６Ａ、ｓ層５があり
この層面の結晶成長が遅いためでめるっ又、最終層とな
るＰ型Ａ１χ（）；＋７−よＡｓ ｒ杯１５は過飽和；
建の比１夕的犬き；よ溶液〃・ら成長すること及び０≦
ｆ−＜０．１５な粂組成範囲であれはメサ上部及びメサ
側面埋め込み１−の白子面上に一様に結晶成長できる特
徴が士、す、本実施ｆ！ＩＫかｂでは、ＩＩ： ＝０．
ｔ）１なる組成を用い友。
り上記メサ部側面に隣接して、Ｐ型ＡＩｏ３５Ｇａ（Ｌ
６５ＡＳ層７、ｎ ｍＡｌ Ｏ，３５’Ｏａ Ｏ，６５
ＡＳ ｍｔ ８、Ｐ型Ａｌ Ｏ，３５Ｇａ Ｏ，６５Ａ
、３層１３、ｎ型Ａｌ ０．３ ｓ Ｕａ Ｏ，６５Ａ
８層１４／を順次成長してメサ側部埋込み層を形成しさ
らに最終層としてＰ Ａｌ！Ａｌｏ、ｏｌ（Ｊａ０９９
Ａｓ ７ｇ１５を、上記メサ部及びメサ仰］部厘め込み
層の白子面上に形成する。しかる後Ｐ型不純物拡散層偏
９、Ｐ型オーミック電極１１、ｎ型オーミック４１１２
イを形成して本発明に係る半導体レーザが形戒宴れる８
本ｈ 造をノ１〉成するに除し、叱２の糸１′、晶成長
工程におりるＰ ｍ Ａ Ｉ ｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，
６５ＡＳ ｌすｊ７の形成は比較的過飽第１度の小鳩な
溶液から成長するととによって、その成長光’＋ｉ＋ｉ
ｒ￥４位置を！１型Ａｌ１３３ＧａＯ，６７Ａｓ 層
２の下部に再現よく位置合せすることが出来た。これは
、メサ側面の成長がＧ ａ Ａ ｓの場合より ＡＩＱ
、３３ Ｇａｏ６７Ａｓ Ｈ（１）方カ’Ｍイ１Ｌ）６
テｈ’ｌ、種々の実験結果Ａｌ工（＋ａ）−えＡｓ層の
χ値が大きい程メｆ側面の成長が遅い傾向があることが
判りた。この株な結晶成長の性質を利用することによっ
て、Ｐ展Ａｔαａ５ Ｇａα６５Ａｓ層７の成長にひき
つづいて行うｎ ｍ Ａｌ Ｏ，３５Ｇａ Ｏ，ｅ ５
Ａｓ Ｎ ８の結晶成長に際しても比較的過飽和度の小
さな溶液から成長することによってその成長表面位置を
発光領域となるＡＩ（１ｏａ Ｇａｏ、ｇ５Ａｓ５Ａｓ
上部に再現よく位置付せｐρ５ をすることが出来だ。これは、ＡＩ―日０ａａ９ｓＡｓ
層４の上にＡｌＯ，、＋ （Ｌｌｏ６Ａ、ｓ層５があり
この層面の結晶成長が遅いためでめるっ又、最終層とな
るＰ型Ａ１χ（）；＋７−よＡｓ ｒ杯１５は過飽和；
建の比１夕的犬き；よ溶液〃・ら成長すること及び０≦
ｆ−＜０．１５な粂組成範囲であれはメサ上部及びメサ
側面埋め込み１−の白子面上に一様に結晶成長できる特
徴が士、す、本実施ｆ！ＩＫかｂでは、ＩＩ： ＝０．
ｔ）１なる組成を用い友。
上述の様にして形成した本発明に倭る半導体レーザの構
造においては、発光領域となる”０．０３Ｇａｏ、ｇ５
Ａｓ 活性層４の両側回に近接して活性層よシも票制
帝幅の大きいＡＩＯ，３５ｌａｏ、６５Ａｓ Ｉｆ）の
ｐ’ｎ層５とのｐ・ｎ汝合電ｆＪ差より大きく、かつ、
電ｖ１を注入によるＰ型Ａ １０．４ ＧａＯ，６Ａｓ
層５中の電圧降下よシも大きいために菖１図矢印で示す
様なリーク電流を除去し、効率良く活性層に電流を注入
することができる。
造においては、発光領域となる”０．０３Ｇａｏ、ｇ５
Ａｓ 活性層４の両側回に近接して活性層よシも票制
帝幅の大きいＡＩＯ，３５ｌａｏ、６５Ａｓ Ｉｆ）の
ｐ’ｎ層５とのｐ・ｎ汝合電ｆＪ差より大きく、かつ、
電ｖ１を注入によるＰ型Ａ １０．４ ＧａＯ，６Ａｓ
層５中の電圧降下よシも大きいために菖１図矢印で示す
様なリーク電流を除去し、効率良く活性層に電流を注入
することができる。
さらに、本構造においては、結晶表面最終層としてＡＩ
ｏ、ｏｌ Ｇａｏ、ｇｇＡｓ Ｊｉｉ ９があシ、これ
は第１図に示す８ｉＱ２層１０よシも熱伝導率が大きい
ため、図には示していないがＰ型オーミック電極１１に
固着されるヒートシンク側に、活性領域近傍での発熱を
効率良く発散させることができ、従来構造１ の半導体レーザて＃′写囲気源度１３ ｏ’ｃで５ｍＷ
動作するのが限界であったが、本構造を採用すること
によって１９０°Ｃで５＋ｎＷ 動作することが可能に
なった。
ｏ、ｏｌ Ｇａｏ、ｇｇＡｓ Ｊｉｉ ９があシ、これ
は第１図に示す８ｉＱ２層１０よシも熱伝導率が大きい
ため、図には示していないがＰ型オーミック電極１１に
固着されるヒートシンク側に、活性領域近傍での発熱を
効率良く発散させることができ、従来構造１ の半導体レーザて＃′写囲気源度１３ ｏ’ｃで５ｍＷ
動作するのが限界であったが、本構造を採用すること
によって１９０°Ｃで５＋ｎＷ 動作することが可能に
なった。
また、本発明による構造によシ、Ｐ型不純物拡散層９を
結晶表面全域にわたって行うことが可能になシ従来構造
の様に、メサ領域以外に不純物拡散を選択的に行う必要
もなく、製造容易でｙ作歩留シの高い半導体レーザ装置
を提供することができた。
結晶表面全域にわたって行うことが可能になシ従来構造
の様に、メサ領域以外に不純物拡散を選択的に行う必要
もなく、製造容易でｙ作歩留シの高い半導体レーザ装置
を提供することができた。
以上述べた様に、本発明によれば、従来の半導体レーザ
の欠点を除き、メサ領域以外へ流れる無効電流を阻止す
るとともに、活性領域近傍での発熱を効率よくヒートシ
ンク側へ放熱することが可能になシ、高温雰囲気で効率
良いレーザ動作をり能とするばかシでなく、再現性にも
優れた製造容易な半導体レーザを形成することができる
なお、以上の実施例では、結晶表面最終層にＰ型不純物
拡散層を形成した例について述べたが結晶自身のＰ型不
純物濃度を高めた場合には、拡散層を設ける必要がない
ことは言うまでもない。又、第２の結晶成長工程におい
て、比較的容易に低濃度、高抵抗層を形成できる気相成
長法を用いても本発明に係る半導体レーザ構造を形成で
きることは言うまでもない。
の欠点を除き、メサ領域以外へ流れる無効電流を阻止す
るとともに、活性領域近傍での発熱を効率よくヒートシ
ンク側へ放熱することが可能になシ、高温雰囲気で効率
良いレーザ動作をり能とするばかシでなく、再現性にも
優れた製造容易な半導体レーザを形成することができる
なお、以上の実施例では、結晶表面最終層にＰ型不純物
拡散層を形成した例について述べたが結晶自身のＰ型不
純物濃度を高めた場合には、拡散層を設ける必要がない
ことは言うまでもない。又、第２の結晶成長工程におい
て、比較的容易に低濃度、高抵抗層を形成できる気相成
長法を用いても本発明に係る半導体レーザ構造を形成で
きることは言うまでもない。
第１図は従来の埋込み屋半導体レーザの構造断面図、第
２図は本発明による一実施例の（１ｔ「造断面図Ａをそ
れぞれ示す。各図に於て、１ ： ｎ ｑ（］ａＡｓ基
板、２ ： ｎ ｍＡｌ Ｏ，３３Ｇａ（１，６７Ａｓ
層、３：ｎ型Ａｌｅ、２５ （）ａＣＬ７５ Ａｓ層Ｘ
４ ’ Ａｌｏ、ｏｓ ０ａｏ９ｓ ＡＳＨｚ５ ：
Ｐ ！！！ｌＡｌ０，４０ａｏ、ｓ Ａｓ Ｊｍ、６
、１５ ： Ｐ型ＡＩＯ，０１Ｇａ０．９９ Ａｓ層、
７，１３：Ｐ型Ａ１０．３５ ０ａｏ、ｓｓ人Ｓ層、８
．１４ ： ｎＷＡｌｏ、ａｓ Ｇａｏ、ｅｓ Ａｓ
Ｎｊｓ ９ ： Ｐ型不純物拡散層、１０ ： ５
ｉ０２層、１１ ：Ｐ型オーミック電極、１２ ：ｎｕ
オーミック電極。
２図は本発明による一実施例の（１ｔ「造断面図Ａをそ
れぞれ示す。各図に於て、１ ： ｎ ｑ（］ａＡｓ基
板、２ ： ｎ ｍＡｌ Ｏ，３３Ｇａ（１，６７Ａｓ
層、３：ｎ型Ａｌｅ、２５ （）ａＣＬ７５ Ａｓ層Ｘ
４ ’ Ａｌｏ、ｏｓ ０ａｏ９ｓ ＡＳＨｚ５ ：
Ｐ ！！！ｌＡｌ０，４０ａｏ、ｓ Ａｓ Ｊｍ、６
、１５ ： Ｐ型ＡＩＯ，０１Ｇａ０．９９ Ａｓ層、
７，１３：Ｐ型Ａ１０．３５ ０ａｏ、ｓｓ人Ｓ層、８
．１４ ： ｎＷＡｌｏ、ａｓ Ｇａｏ、ｅｓ Ａｓ
Ｎｊｓ ９ ： Ｐ型不純物拡散層、１０ ： ５
ｉ０２層、１１ ：Ｐ型オーミック電極、１２ ：ｎｕ
オーミック電極。
Claims (1)
- ｈ−ｖ族半導体からなる発光領域と該発光領域を上下か
ら１−［さむ様に設置された前記発光領域より禁制帯幅
の大きな層とを少なくとも含むメサ状積層体を倫オた半
導体基板上に、該半導体基板と反対導電型の第１半導体
層、第１半導体層上に第１半導体層と反対導電型の第２
−１−専悴、い、７１−Ｑ半導体層上に第２半導体層と
反対導電型の第３半導体層、第３半導体層上に第３半導
体層と反対導電型を順次、前記メサ状積層体側部に隣接
して形成したτＩ１１部埋め込み層を設け、この側部埋
め込み層内の第２半導体層上面を前記メサ状積層体内の
発光領域上面に位置せしめ、さらに、前記メサ状積層体
及び側部埋め込み層の両イ面上に第５半導体層を設けて
なることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16005482A JPS5948976A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16005482A JPS5948976A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948976A true JPS5948976A (ja) | 1984-03-21 |
Family
ID=15706906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16005482A Pending JPS5948976A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948976A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0272096A2 (en) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US4860299A (en) * | 1987-05-19 | 1989-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4862472A (en) * | 1987-01-16 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4862470A (en) * | 1987-04-28 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4887274A (en) * | 1986-12-15 | 1989-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device |
| US4894836A (en) * | 1987-02-24 | 1990-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US4984244A (en) * | 1988-09-14 | 1991-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN106887789A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-06-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体激光器及其制作方法 |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP16005482A patent/JPS5948976A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0272096A2 (en) * | 1986-12-15 | 1988-06-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device |
| US4887274A (en) * | 1986-12-15 | 1989-12-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device |
| US4907239A (en) * | 1986-12-15 | 1990-03-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US4862472A (en) * | 1987-01-16 | 1989-08-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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| US4984244A (en) * | 1988-09-14 | 1991-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| CN106887789A (zh) * | 2017-03-13 | 2017-06-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体激光器及其制作方法 |
| CN106887789B (zh) * | 2017-03-13 | 2019-10-18 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 半导体激光器及其制作方法 |
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