JPS63116483A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS63116483A JPS63116483A JP26233686A JP26233686A JPS63116483A JP S63116483 A JPS63116483 A JP S63116483A JP 26233686 A JP26233686 A JP 26233686A JP 26233686 A JP26233686 A JP 26233686A JP S63116483 A JPS63116483 A JP S63116483A
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- Japan
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- semiconductor laser
- well
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Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34326—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on InGa(Al)P, e.g. red laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱特性に優れた半導体レーザの構造に関す
る。
る。
半導体レーザは光デイスク用あるいは光プリンタ用など
の光源として優れた特徴をもち幅広く普及している。現
在これらの光源【使用される半導体レーザの材料として
用いられているものは主としてＡＩＧｕＡＳ系である。
の光源として優れた特徴をもち幅広く普及している。現
在これらの光源【使用される半導体レーザの材料として
用いられているものは主としてＡＩＧｕＡＳ系である。
しかし、光エネルギー密度の増加や記録密度の増加のた
めによシ短波長化が望まれている今日では、半導体レー
ザの材料としてＡＩＧｕＡｓ系にとどまらず、工ｎ Ｇ
ｕ Ａ Ｉ Ｐ ５ＩｎＧｕＡｓＰ系などの四元以上
の多元系が注目されている。例えばＩｎＧｕＡＩＰ系の
場合、活性層がＩｎＧｕＰのとき発振波長は６７０．、
程度で、活性層ｉＥ’ＩｎＧｕＡＩＰになると５８０１
程度までのレーザ発振が可能となる。従来、ＩｎＧｕＡ
ＩＰ系やＩｎＧｕＡ８Ｐ系などの材料を用いる半導体レ
ーザの構造において、クラッド層は、そのエネルギーギ
ャップが活性層のエネルギーギャップより大きな四元以
上の多元混晶が使用されていた。
めによシ短波長化が望まれている今日では、半導体レー
ザの材料としてＡＩＧｕＡｓ系にとどまらず、工ｎ Ｇ
ｕ Ａ Ｉ Ｐ ５ＩｎＧｕＡｓＰ系などの四元以上
の多元系が注目されている。例えばＩｎＧｕＡＩＰ系の
場合、活性層がＩｎＧｕＰのとき発振波長は６７０．、
程度で、活性層ｉＥ’ＩｎＧｕＡＩＰになると５８０１
程度までのレーザ発振が可能となる。従来、ＩｎＧｕＡ
ＩＰ系やＩｎＧｕＡ８Ｐ系などの材料を用いる半導体レ
ーザの構造において、クラッド層は、そのエネルギーギ
ャップが活性層のエネルギーギャップより大きな四元以
上の多元混晶が使用されていた。
しかし、半導体混晶は、単結晶に比較して格子振動が不
規則になるため、混晶中の熱伝導性が悪くなる０％に四
元以上の混晶になるとさらに悪化し、熱伝導率は、単結
晶のものと比べると極端に低下してしまう。従来のクラ
ッド層に四元以上の多元混晶を使用する半導体レーザに
おいては、この熱伝導率の低さが問題である。すなわち
、通常活性層から発生する熱は、活性層上下のクラッド
層を伝導してヒートシンクに放出されるが、クラッド層
の熱伝導率が小さいと、熱の放出が悪くなり、活性層内
に熱がこもってしまう結果、半導体レーザのしきい値の
増大、光出力の低下、寿命・信頼性の悪化などの問題を
もたらす。今後、よシ短波長化に進むと、量子効率の低
下に伴なってこうした問題は増々顕著になると考えられ
る。
規則になるため、混晶中の熱伝導性が悪くなる０％に四
元以上の混晶になるとさらに悪化し、熱伝導率は、単結
晶のものと比べると極端に低下してしまう。従来のクラ
ッド層に四元以上の多元混晶を使用する半導体レーザに
おいては、この熱伝導率の低さが問題である。すなわち
、通常活性層から発生する熱は、活性層上下のクラッド
層を伝導してヒートシンクに放出されるが、クラッド層
の熱伝導率が小さいと、熱の放出が悪くなり、活性層内
に熱がこもってしまう結果、半導体レーザのしきい値の
増大、光出力の低下、寿命・信頼性の悪化などの問題を
もたらす。今後、よシ短波長化に進むと、量子効率の低
下に伴なってこうした問題は増々顕著になると考えられ
る。
そこで本発明の目的は、このような熱伝導性の悪いクラ
ッド層の構造を改善し、熱放出性に優れた半導体レーザ
を提供することにある。
ッド層の構造を改善し、熱放出性に優れた半導体レーザ
を提供することにある。
本発明による半導体レーザは、クラッド層に狭まれて積
層された活性層を有するダブルヘテロ接合型の半導体レ
ーザにおいて、該クラッド層の全部もしくは一部に、伝
導帯および価電子帯に形成される基底のミニバンド間の
エネルギー差が誤活性層のエネルギーギャップよりも大
である多重量子井戸構造を有する超格子層を用いること
を特徴としている。
層された活性層を有するダブルヘテロ接合型の半導体レ
ーザにおいて、該クラッド層の全部もしくは一部に、伝
導帯および価電子帯に形成される基底のミニバンド間の
エネルギー差が誤活性層のエネルギーギャップよりも大
である多重量子井戸構造を有する超格子層を用いること
を特徴としている。
例えばｓ ＩｎＧｕＡｌｐ系半導体レーザにおいて、そ
のクラッド層としてＩｎＧｕＡＩＰ四元混晶の代りに、
クラッド層として充分なエネルギーギャップと屈折率と
電気伝導性を有するＩ ｎＧｕＰ−Ｉ ｎＡＩＰ三元混
晶よシなる多重量子井戸構造を有する超格子層を用いる
と、三元混晶は四元混晶に比べ著しく熱伝導性が良いた
め、熱放出性の良好な半導体レーザを得ることができる
。
のクラッド層としてＩｎＧｕＡＩＰ四元混晶の代りに、
クラッド層として充分なエネルギーギャップと屈折率と
電気伝導性を有するＩ ｎＧｕＰ−Ｉ ｎＡＩＰ三元混
晶よシなる多重量子井戸構造を有する超格子層を用いる
と、三元混晶は四元混晶に比べ著しく熱伝導性が良いた
め、熱放出性の良好な半導体レーザを得ることができる
。
第１図は、本発明の一実施例全示すもので、クラッド層
全体に超格子層を用いたダブルヘテロ接合型の利得導波
型半導体レーザの断面図である。
全体に超格子層を用いたダブルヘテロ接合型の利得導波
型半導体レーザの断面図である。
薄膜の成長法として有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法
と言う）を用いた。面方位が（１００）で電子濃度が８
×１０ α のｎ型ＧｕＡｓ単結晶基板１０１上に電子
濃度がｌＸ１０ ｃｎＬ のｎ型ＱｕＡｓバッファ層
１０２を形成した後、不純物をドーピングしない厚さが
３５＾のＡｌα５Ｉｎ（Ｌ５Ｐバリア層１０３とＳｉ不
純物ｆｔ１．２Ｘ１０ ｃｍドーピングした厚さが５
５人のｎ型Ｑｕα５ＩｎＣＬｓＰウェル層１０４とを交
互に積層したｎ型超格子層から成るｎ型クラッド層１０
５を形成し、次に不純物をドーピングしないＧｕαｓ
ｉｎ ｒＬ５ Ｐ活性層１０６を８００大形成し、次に
不純物をドーピングしない厚さが３５＾のＡｌαｓＩｎ
α５Ｐバリア層１０７とＭｇ不純物を９×１０ 口 ド
ーピングした厚さ６５久のＰ型ＧｕｕｓＩｎｕｓＰウェ
ル層１０Ｂとを交互に積層したＰ型超格子層から成るＰ
型クラッド層１０９を形成し、次に正孔濃度がｌＸ１０
１９ｄ５のＰ型ＧｕＡｓキャップ層１１０を形成し、最
後に電子濃度が２×１０ ｃｒｒＬ のｎ型ＱｕＡｓブ
ロック層１１１′ｆ形成した。ｎ型クラッド層およびＰ
型クラッド層はＡ ｌ （Ｌ５ Ｉ ｎ ｌｌｓ Ｐド
リフ層で始まシＡ ｌ （Ｌ５ Ｉ ｎ （Ｌ５ Ｐバ
リア層で終わってお、！ｌ）、ＧｕｌｌＬｓＩｎｃＬｓ
Ｐウェル層はクラッド層光り２９０層存在する。ｎ型Ｇ
ｕＡＳブロック層１１１に化学エツチングによってスト
ライプ状に溝を掘りＰ型ＱｕＡｓキャップ層１１０を露
出させ、Ａｕ／、Ａｕ７’Ｚｎ よシ成るＰ型オーミッ
ク電極１１２を形成した。ｎ型ＱｕＡｓ単結晶基板１０
１の裏面には全厚が１２０４ｍ程度になるまで研磨した
後Ａｕ／Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉよシ成るｎ型オーミック電極
１１３を形成した。
と言う）を用いた。面方位が（１００）で電子濃度が８
×１０ α のｎ型ＧｕＡｓ単結晶基板１０１上に電子
濃度がｌＸ１０ ｃｎＬ のｎ型ＱｕＡｓバッファ層
１０２を形成した後、不純物をドーピングしない厚さが
３５＾のＡｌα５Ｉｎ（Ｌ５Ｐバリア層１０３とＳｉ不
純物ｆｔ１．２Ｘ１０ ｃｍドーピングした厚さが５
５人のｎ型Ｑｕα５ＩｎＣＬｓＰウェル層１０４とを交
互に積層したｎ型超格子層から成るｎ型クラッド層１０
５を形成し、次に不純物をドーピングしないＧｕαｓ
ｉｎ ｒＬ５ Ｐ活性層１０６を８００大形成し、次に
不純物をドーピングしない厚さが３５＾のＡｌαｓＩｎ
α５Ｐバリア層１０７とＭｇ不純物を９×１０ 口 ド
ーピングした厚さ６５久のＰ型ＧｕｕｓＩｎｕｓＰウェ
ル層１０Ｂとを交互に積層したＰ型超格子層から成るＰ
型クラッド層１０９を形成し、次に正孔濃度がｌＸ１０
１９ｄ５のＰ型ＧｕＡｓキャップ層１１０を形成し、最
後に電子濃度が２×１０ ｃｒｒＬ のｎ型ＱｕＡｓブ
ロック層１１１′ｆ形成した。ｎ型クラッド層およびＰ
型クラッド層はＡ ｌ （Ｌ５ Ｉ ｎ ｌｌｓ Ｐド
リフ層で始まシＡ ｌ （Ｌ５ Ｉ ｎ （Ｌ５ Ｐバ
リア層で終わってお、！ｌ）、ＧｕｌｌＬｓＩｎｃＬｓ
Ｐウェル層はクラッド層光り２９０層存在する。ｎ型Ｇ
ｕＡＳブロック層１１１に化学エツチングによってスト
ライプ状に溝を掘りＰ型ＱｕＡｓキャップ層１１０を露
出させ、Ａｕ／、Ａｕ７’Ｚｎ よシ成るＰ型オーミッ
ク電極１１２を形成した。ｎ型ＱｕＡｓ単結晶基板１０
１の裏面には全厚が１２０４ｍ程度になるまで研磨した
後Ａｕ／Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉよシ成るｎ型オーミック電極
１１３を形成した。
第２図は、第１図で示した構造の半導体レーザのバンド
図である。第２図の左側から右側へ第１図に示した半導
体レーザのｎ型ＧｕＡＳ単結晶基板１０１からＰ型Ｇｕ
ＡＳキャップ層１１０に対応する。ｎ型り２ラド層１０
５は、エネルギーギャップの大きなＡ １ （Ｌ５ Ｉ
ｎα５Ｐバリア層１０６とそれよシエネルギーギャッ
プの小さなＳｉドープのｎ型ＧｕｌｌＬｓＩｎａｓＰウ
ェル層１０４が交互Ｋｔ子のドブロイ波長以下で種層さ
れており、各ウェル層内の電子は量子化され、また隣接
するウニを層間の電子が相互干渉して、電子の基底ミニ
バンド２０１を形成している。ｎ型ＧｕαｓＩｎα５Ｐ
ウェル層中の電子は基低ミニバンド２０１に励起され、
ｎ型ＱｕＡｓ単結晶基板に注入された電子を活性層へ導
入する。価電子帯にも正孔の基低ミニバンド２０２が形
成される。Ｐ型クラッド層１０９についても同様である
。Ｐ型りラッグ層１０９内の価電子帯には正孔の基底ミ
ニバンド２０４が形成され、Ｐ型ＧｕＣＬｓＩｎα５Ｐ
ウェル層中の正孔は基底ミニバンド２０４に励起され、
Ｐ型ＧｕＡＳキャップ層１１０から注入された正孔を活
性層内に導入する。伝導帯にも電子の基底ミニバンド２
０３が形成される。ｎ型クラッド層あるいはＰ型クラッ
ド層のどちらにおいても、電子の基底ミニバンドと正孔
の基底ミニバンドの間のエネルギー差は室温で２．０５
ｅＶであ凱Ｇ ｕ ［Ｌ５ Ｉ ｎ （１５Ｐ活性層１
０６のエネルギーギャップ（１，９０ｅＶ） と比較
して大であるため、電子あるいは正孔の活性層中への閉
じ込めが行なわれる。また、それぞれのクラッド層の実
効屈折率は、活性層のそれよシも小さくなるため、活性
層内へ効率的に光閉じ込めが行なわれる。このように多
重量子井戸構造を有する超格子層をクラッド層に用いて
もキャリア閉じ込めと光閉じ込めが容易に可能である。
図である。第２図の左側から右側へ第１図に示した半導
体レーザのｎ型ＧｕＡＳ単結晶基板１０１からＰ型Ｇｕ
ＡＳキャップ層１１０に対応する。ｎ型り２ラド層１０
５は、エネルギーギャップの大きなＡ １ （Ｌ５ Ｉ
ｎα５Ｐバリア層１０６とそれよシエネルギーギャッ
プの小さなＳｉドープのｎ型ＧｕｌｌＬｓＩｎａｓＰウ
ェル層１０４が交互Ｋｔ子のドブロイ波長以下で種層さ
れており、各ウェル層内の電子は量子化され、また隣接
するウニを層間の電子が相互干渉して、電子の基底ミニ
バンド２０１を形成している。ｎ型ＧｕαｓＩｎα５Ｐ
ウェル層中の電子は基低ミニバンド２０１に励起され、
ｎ型ＱｕＡｓ単結晶基板に注入された電子を活性層へ導
入する。価電子帯にも正孔の基低ミニバンド２０２が形
成される。Ｐ型クラッド層１０９についても同様である
。Ｐ型りラッグ層１０９内の価電子帯には正孔の基底ミ
ニバンド２０４が形成され、Ｐ型ＧｕＣＬｓＩｎα５Ｐ
ウェル層中の正孔は基底ミニバンド２０４に励起され、
Ｐ型ＧｕＡＳキャップ層１１０から注入された正孔を活
性層内に導入する。伝導帯にも電子の基底ミニバンド２
０３が形成される。ｎ型クラッド層あるいはＰ型クラッ
ド層のどちらにおいても、電子の基底ミニバンドと正孔
の基底ミニバンドの間のエネルギー差は室温で２．０５
ｅＶであ凱Ｇ ｕ ［Ｌ５ Ｉ ｎ （１５Ｐ活性層１
０６のエネルギーギャップ（１，９０ｅＶ） と比較
して大であるため、電子あるいは正孔の活性層中への閉
じ込めが行なわれる。また、それぞれのクラッド層の実
効屈折率は、活性層のそれよシも小さくなるため、活性
層内へ効率的に光閉じ込めが行なわれる。このように多
重量子井戸構造を有する超格子層をクラッド層に用いて
もキャリア閉じ込めと光閉じ込めが容易に可能である。
本実施例に基き作製されたＧｕＡＩＩｎＰ系半導体レー
ザの発振波長は室温で６７２ ｎｍであυ、特性温度は
１２５にであった。クラッド層にＧｕＡＩＩｎＰ混晶を
用いた半導体レーザの特性温度は９２にであることから
、本発明による半導体レーザは熱放出特性が改善された
ことがわかる。
ザの発振波長は室温で６７２ ｎｍであυ、特性温度は
１２５にであった。クラッド層にＧｕＡＩＩｎＰ混晶を
用いた半導体レーザの特性温度は９２にであることから
、本発明による半導体レーザは熱放出特性が改善された
ことがわかる。
本実施例においてはｓ ＩｎＧｕＡＩＰ系を材料に用
いる半導体レーザについて述べたが、本発明はこの材料
にとどまらずＩｎＧｕＡｓｐ系などのクラッド層に四元
以上の多元混晶を使用する半導体レーザに適用できる。
いる半導体レーザについて述べたが、本発明はこの材料
にとどまらずＩｎＧｕＡｓｐ系などのクラッド層に四元
以上の多元混晶を使用する半導体レーザに適用できる。
また、本実施例においては、利得導波型半導体レーザに
ついて述べたが、屈折率導波型半導体レーザにも本発明
は適用できる。
ついて述べたが、屈折率導波型半導体レーザにも本発明
は適用できる。
クラッド層を構成する超格子層内のドリア層およびウェ
ル層の厚さは、クラッド層として十分なエネルギーギャ
ップと屈折率を持つ多重量子井戸構造を形成できる厚み
であれば良い。
ル層の厚さは、クラッド層として十分なエネルギーギャ
ップと屈折率を持つ多重量子井戸構造を形成できる厚み
であれば良い。
本発明は、次のような発明の効果を有する。
（１） クラッド層の熱伝導性が良好のため、熱放出
特性に優れた特性温度の大きい半導体レーザを得ること
ができる。
特性に優れた特性温度の大きい半導体レーザを得ること
ができる。
（２）特ＫＡＩを含む混晶系では、ＤＸセンタと呼ばれ
る深い電子トラップが存在し、また不純物準位も深くな
ることから、不純物の活性化率が低下し、キャリア濃度
をある程度以上増加させることができないため、クラッ
ド層が高抵抗になるが、本発明によるクラッド層を用い
ると、ＤＸセンタの存在しない浅い不純物準位をもつウ
ェル層に不純物をドーピングして高キャリア濃度が得ら
れるため、低抵抗化が可能である。
る深い電子トラップが存在し、また不純物準位も深くな
ることから、不純物の活性化率が低下し、キャリア濃度
をある程度以上増加させることができないため、クラッ
ド層が高抵抗になるが、本発明によるクラッド層を用い
ると、ＤＸセンタの存在しない浅い不純物準位をもつウ
ェル層に不純物をドーピングして高キャリア濃度が得ら
れるため、低抵抗化が可能である。
第１図は、本発明の一実施例を示すもので、クラッド層
全体に超格子層を用いたダブルヘテロ接合型の利得導波
型半導体レーザの断面図である。 第２図は第１図に示した構造の半導体レーザのバンド図
である。以下簡単に説明する。 １０１・・・ｎ型ＧｕＡｓ単結晶基板 １０２・・・ｎ型ＧｕＡｓドツファ層 １０５−Ｊ、１ｒｈｓ工ｎａｓＰドリア層１０４・−・
ＧｕａｓＩｎｌｌｓＰウェル層１０５・・・ｎ型クラッ
ド層 １０６−−−Ｇｕ （Ｌ５ Ｉ ｎ （Ｌ５Ｐ活性層１
０７一−−Ａ１ａｓＩｎｌｌＬｓＰドリア層１０ Ｂ−
−−Ｇｕｃ５１ｎｔｘｓＰウェル層１０９・・・Ｐ型ク
ラッド層 １１０・・・Ｐ型ＱｕＡｓキャップ層 １１１°−ｎ型ＱｕＡｓブロック層 １１２・・・Ｐ型オーミック電極 １１３・・・ｎ型オーミック電極 ２０１．２０３・・・電子の基底ミニバンド２０２．２
０４・・・正孔の基底ミニバンド以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２図
全体に超格子層を用いたダブルヘテロ接合型の利得導波
型半導体レーザの断面図である。 第２図は第１図に示した構造の半導体レーザのバンド図
である。以下簡単に説明する。 １０１・・・ｎ型ＧｕＡｓ単結晶基板 １０２・・・ｎ型ＧｕＡｓドツファ層 １０５−Ｊ、１ｒｈｓ工ｎａｓＰドリア層１０４・−・
ＧｕａｓＩｎｌｌｓＰウェル層１０５・・・ｎ型クラッ
ド層 １０６−−−Ｇｕ （Ｌ５ Ｉ ｎ （Ｌ５Ｐ活性層１
０７一−−Ａ１ａｓＩｎｌｌＬｓＰドリア層１０ Ｂ−
−−Ｇｕｃ５１ｎｔｘｓＰウェル層１０９・・・Ｐ型ク
ラッド層 １１０・・・Ｐ型ＱｕＡｓキャップ層 １１１°−ｎ型ＱｕＡｓブロック層 １１２・・・Ｐ型オーミック電極 １１３・・・ｎ型オーミック電極 ２０１．２０３・・・電子の基底ミニバンド２０２．２
０４・・・正孔の基底ミニバンド以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２図
Claims (1)
- クラッド層に狭まれて積層された活性層を有するダブル
ヘテロ接合型の半導体レーザにおいて、該クラッド層の
少なくとも一部に、伝導帯および価電子帯に形成される
基底のミニバンド間のエネルギー差が該活性層のエネル
ギーギャップよりも大である多重量子井戸構造を有する
超格子層を用いることを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233686A JPS63116483A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26233686A JPS63116483A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116483A true JPS63116483A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17374343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26233686A Pending JPS63116483A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63116483A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP26233686A patent/JPS63116483A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5034344A (en) * | 1989-07-17 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Method of making a surface emitting semiconductor laser |
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