JPH049395B2 - - Google Patents
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- JPH049395B2 JPH049395B2 JP22214085A JP22214085A JPH049395B2 JP H049395 B2 JPH049395 B2 JP H049395B2 JP 22214085 A JP22214085 A JP 22214085A JP 22214085 A JP22214085 A JP 22214085A JP H049395 B2 JPH049395 B2 JP H049395B2
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、発光あるいはレーザ発振をする半導
体発光素子に関する。
体発光素子に関する。
（従来技術とその問題点）
光情報処理の光源として可視光半導体発光素子
はその重要性を増している。波長0.58μm〜
0.68μm可視光半導体発光素子として、活性層に
Ga0.5In0.5Ｐまたは、（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ（０＜ｘ
＜１）も用いたダブルヘテロ構造発光素子が注目
されている。クラツド層としては（AlyGa1-y）0.5
In0.5Ｐ（ｘ＜ｙ＜１）またはAlzGa1-zAs（０＜ｚ
≦１）が用いられる（アプライド・フイジクス・
レターズ（AppI.Phys.Lett.）第43巻pp.987−989
（1983），第32回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集p.157（1985））。（AlyGa1-y）0.5In0.5Ｐをクラ
ツ
ド層とした場合の従来例を第３図に示す。ｎ型
GaAs基板３０１上に順次厚さ1.0μmn型GaAsバ
ツフア層３０２、厚さ1.0μmn型（Al0.3Ga0.7）0.5
In0.5Ｐクラツド層３０３、厚さ0.2μmアンドープ
Ga0.5In0.5Ｐ活性層３０４、厚さ1.0μmp型（Al0.3
Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラツド層３０５、厚さ1.0μmp型
GaAsキヤツプ層３０６が形成されている。クラ
ツド層のAl組成ｙを適当に選ぶことにより、こ
の従来例のように活性層への注入キヤリアおよび
光の閉じ込みを充分に行なうことができる。とこ
ろが、（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐのように４元混晶を
活性層より上のクラツド層に用いた場合、この層
の熱抵抗が高い。このため連続動作させた場合、
素子の温度上昇が大きく、高性能、高信頼の素子
を得ることができなかつた。また一方、クラツド
層としてAlzGa1-zAsを用いた場合、熱抵抗は
（AlyGa1-y）0.5In0.5Ｐの場合よりも低くすることが
できるが、エネルギギヤツプの大きさを余り大き
くすることができないため、活性層とのエネルギ
ギヤツプ差を充分にとることができず。0.62μm
程度以下の短い波長を得ることが困難であつた。
従来技術は以上説明したような欠点を有してい
る。
はその重要性を増している。波長0.58μm〜
0.68μm可視光半導体発光素子として、活性層に
Ga0.5In0.5Ｐまたは、（AlxGa1-x）0.5In0.5Ｐ（０＜ｘ
＜１）も用いたダブルヘテロ構造発光素子が注目
されている。クラツド層としては（AlyGa1-y）0.5
In0.5Ｐ（ｘ＜ｙ＜１）またはAlzGa1-zAs（０＜ｚ
≦１）が用いられる（アプライド・フイジクス・
レターズ（AppI.Phys.Lett.）第43巻pp.987−989
（1983），第32回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集p.157（1985））。（AlyGa1-y）0.5In0.5Ｐをクラ
ツ
ド層とした場合の従来例を第３図に示す。ｎ型
GaAs基板３０１上に順次厚さ1.0μmn型GaAsバ
ツフア層３０２、厚さ1.0μmn型（Al0.3Ga0.7）0.5
In0.5Ｐクラツド層３０３、厚さ0.2μmアンドープ
Ga0.5In0.5Ｐ活性層３０４、厚さ1.0μmp型（Al0.3
Ga0.7）0.5In0.5Ｐクラツド層３０５、厚さ1.0μmp型
GaAsキヤツプ層３０６が形成されている。クラ
ツド層のAl組成ｙを適当に選ぶことにより、こ
の従来例のように活性層への注入キヤリアおよび
光の閉じ込みを充分に行なうことができる。とこ
ろが、（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐのように４元混晶を
活性層より上のクラツド層に用いた場合、この層
の熱抵抗が高い。このため連続動作させた場合、
素子の温度上昇が大きく、高性能、高信頼の素子
を得ることができなかつた。また一方、クラツド
層としてAlzGa1-zAsを用いた場合、熱抵抗は
（AlyGa1-y）0.5In0.5Ｐの場合よりも低くすることが
できるが、エネルギギヤツプの大きさを余り大き
くすることができないため、活性層とのエネルギ
ギヤツプ差を充分にとることができず。0.62μm
程度以下の短い波長を得ることが困難であつた。
従来技術は以上説明したような欠点を有してい
る。
（発明の目的）
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去
し、発光効率の高い高性能、高信頼性の半導体発
光素子を提供することにある。
し、発光効率の高い高性能、高信頼性の半導体発
光素子を提供することにある。
（発明の構成）
本発明は、半導体基板上にGaxIn1-xＰ（０＜ｘ
＜１）または（AlyGa1-y）xIn1-xＰ（０＜ｙ≦１，
０＜Ｘ＜１）を活性層とするダブルヘテロ構造を
もち、活性層を挟む２つのクラツド層のうち基板
とは反対側に位置するクラツド層が、AlZGa1-z
As（０≦ｚ≦１）層およびこのAlzGa1-zAs層と活
性層の間に挟まれかつ厚さが電子のド＝ブロイ波
長よりも大きく0.1程度以下の（AluGa1-u）vIn1-v
Ｐ（０＜ｕ≦１，０＜ｖ＜１）より成る点に特徴
がある。
＜１）または（AlyGa1-y）xIn1-xＰ（０＜ｙ≦１，
０＜Ｘ＜１）を活性層とするダブルヘテロ構造を
もち、活性層を挟む２つのクラツド層のうち基板
とは反対側に位置するクラツド層が、AlZGa1-z
As（０≦ｚ≦１）層およびこのAlzGa1-zAs層と活
性層の間に挟まれかつ厚さが電子のド＝ブロイ波
長よりも大きく0.1程度以下の（AluGa1-u）vIn1-v
Ｐ（０＜ｕ≦１，０＜ｖ＜１）より成る点に特徴
がある。
（実施例）
本発明は上述の構成をとることにより従来技術
の問題点を解決したものである。
の問題点を解決したものである。
以下に、実施例を用いて本発明の原理を説明す
る。本発明の実施例の模式図を第１図に示す。本
実施例は、波長0.633μmで発振する赤色可視半導
体レーザに本発明を適用したものである。構成お
よび形成法を第１図を用いて次に示す。ｎ型
GaAs基板１０１上にエピタキシヤル成長法によ
り、厚さ1.0μmのｎ型GaAsバツフア層１０２、
厚さ1.0μmのｎ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３、
厚さ0.1μmのアンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層
１０４、厚さ100Åのｐ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ
層１０５、厚さ1.0μmのｐ型Al0.7Ga0.3As層１０
６、厚さ1.0pμmのｐ型GaAs層１０７を順次形成
する。エピタキシヤル成長法としては、気相成長
法（有機金属熱分解法−MOCVD−、ハロゲン
輸送法−HT.VPE−）、分子ビーム法（MBE）、
液相成長法（LPE）のどれかいずれでもよい。
各層のうちレーザ活性層は、アンドープ（Al0.1
Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層１０４で、ここに注入キヤリア
および発光された光が閉じ込められてレーザ発振
が生ずる。エピタキシヤル法によつて各層が形成
されたのち、ストライプ状の窓１１５をもつ
SiO2膜１０８、Au／Zn合金によるｐ電極１０
９、Au／Ge合金によるｎ電極１１０を形成し
て、アンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ１０４活性
層をストライプ状１１５に電流注入励起して効率
よい発振が可能となるようにする。第２図ａに成
長層方向の距離ｘに対するエネルギバンドダイヤ
グラムを、第２図ｂに距離ｘに対する屈折率ダイ
ヤグラムを示す。ｐ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１
０５の厚さを100Åとしてあり、これはド＝ブロ
イ波長の10倍程度なので電子の障壁としては十分
な厚さとなつている。また活性層１０４と、ｐ型
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０５或いはｎ型（Al0.5
Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３とのエネルギギヤツプ差
は約0.4eVとなるので、注入されたキヤリアはほ
ぼ完全に活性層１０４に閉じこめられる。さらに
第２図ｂにみられるように活性層１０４を挟むｎ
型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３およびｐ型
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０５、ｐ型Al0.7Ga0.5As
層１０６は、活性層１０４と較べていずれも20％
程度大きな屈折率をもつため、光は活性層１０４
でガイドされる。このように注入キヤリアおよび
光の閉じ込めについては、第３図に示したような
従来のダブルヘテロ構造の機能を全く損なうもの
ではなく、さらに以下に述べるように、従来技術
の問題点を克服した機能をもつ。従来技術の問題
点の項で述べたように（AluGa1-u）vIn1-vP4元混
晶は熱抵抗が大きい。多元混晶は、構成元素の種
類の少ない混晶と較べて一般に熱抵抗が大きい。
これは多元になる程結晶格子の乱雑さが増すため
で、４元の（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐの場合、ｘ＝0.5
附近で熱抵抗率は極大値をもち、約14deg・cm／
Ｗとなる。熱抵抗率は、ｘ依存性があり、８〜
14deg・cm／Ｗの範囲の値をもつ。また、Alz
Ga1-zAs（０≦ｚ≦１）の場合は、３元なので、
熱抵抗率の極大値がｚ＝0.5附近の約8deg・cm／
Ｗで、２〜8deg・cm／Ｗの範囲の値をもつ。こ
れは４元（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐのいかなる組成の
ものよりも小さい。そこで放熱する側の半導体層
は、３元以下の組成にすることの望ましいことが
わかる。注入キヤリアの閉じこめの要請からは、
エネルギギヤツプの大きな（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐ
を用いる必要があるが、本発明のように、この４
元層の厚さを薄くすれば、４元層を用いたことに
よる熱抵抗の上昇を低減させることができる。さ
らに最適厚さについて、本発明者らは次の検討を
行なつた。光・キヤリアの閉じ込めを厚さ1μmの
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5のみで行なつた場合、電流注
入領域１１５の面積を20μm×200μmとすると熱
抵抗は35deg／Ｗとなる。一方光・キヤリアの閉
じ込めを厚さ1μmのAl0.7Ga0.3As（熱抵抗7deg・
cm／Ｗ）のみで行なつたとすると、熱抵抗
17.5deg／Ｗとなる。さらに熱抵抗2deg・cm／Ｗ
のAlAsで行なえば熱抵抗は、5deg／Ｗとなる。
そこで、本発明の如く薄い（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ
を、Al0.7Ga0.3AsまたはAlAsと活性層との間に挟
んだ場合、その熱抵抗が、5deg／Ｗの20分の１
程度以下になるようにすれば、熱抵抗率の大きな
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの熱抵抗に対する寄与が無
視できる。つまり、0.25deg／Ｗ程度以下にすれ
ばよい。（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの厚さを100Åとす
れば熱抵抗は0.35deg／Ｗとなり、（Al0.5Ga0.5）0.5
In0.5Ｐの厚さを100Å以下とすれば熱抵抗全体に
対する（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの影響を無視するこ
とができる。用いるAIZGa1-zAS層（AluGa1-u）v
In1-vＰ層の組成により、（AluGa1-u）vIn1-vＰの最
適厚さの範囲は異なるが、光・キヤリアの閉じ込
めを交率よく行ない、かつ熱抵抗の低下の効果の
大きな組合せのとき、４元層の厚みを0.2μm程度
以下、かつ電子のド＝ブロイ波長以上の厚さの範
囲が最適厚さ範囲となる。第１図に示した実施例
の場合、（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐのみをクラツド層
として用いた場合と較べて、熱抵抗は35deg／Ｗ
から17.9deg／Ｗとすることができ、活性層の温
度上昇を約２分の１にすることがきた。さらにｐ
型Al0.7Ga0.3As層の代わりにｐ型AlAs層を用いる
と、熱抵抗は、5.4deg／Ｗとなり、活性層の温度
上昇は６分の１以下となつた。本実施例では、各
層の組成、導電型を特定したが、本発明は他の組
成、導電型にも適用できる。
る。本発明の実施例の模式図を第１図に示す。本
実施例は、波長0.633μmで発振する赤色可視半導
体レーザに本発明を適用したものである。構成お
よび形成法を第１図を用いて次に示す。ｎ型
GaAs基板１０１上にエピタキシヤル成長法によ
り、厚さ1.0μmのｎ型GaAsバツフア層１０２、
厚さ1.0μmのｎ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３、
厚さ0.1μmのアンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層
１０４、厚さ100Åのｐ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ
層１０５、厚さ1.0μmのｐ型Al0.7Ga0.3As層１０
６、厚さ1.0pμmのｐ型GaAs層１０７を順次形成
する。エピタキシヤル成長法としては、気相成長
法（有機金属熱分解法−MOCVD−、ハロゲン
輸送法−HT.VPE−）、分子ビーム法（MBE）、
液相成長法（LPE）のどれかいずれでもよい。
各層のうちレーザ活性層は、アンドープ（Al0.1
Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層１０４で、ここに注入キヤリア
および発光された光が閉じ込められてレーザ発振
が生ずる。エピタキシヤル法によつて各層が形成
されたのち、ストライプ状の窓１１５をもつ
SiO2膜１０８、Au／Zn合金によるｐ電極１０
９、Au／Ge合金によるｎ電極１１０を形成し
て、アンドープ（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ１０４活性
層をストライプ状１１５に電流注入励起して効率
よい発振が可能となるようにする。第２図ａに成
長層方向の距離ｘに対するエネルギバンドダイヤ
グラムを、第２図ｂに距離ｘに対する屈折率ダイ
ヤグラムを示す。ｐ型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１
０５の厚さを100Åとしてあり、これはド＝ブロ
イ波長の10倍程度なので電子の障壁としては十分
な厚さとなつている。また活性層１０４と、ｐ型
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０５或いはｎ型（Al0.5
Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３とのエネルギギヤツプ差
は約0.4eVとなるので、注入されたキヤリアはほ
ぼ完全に活性層１０４に閉じこめられる。さらに
第２図ｂにみられるように活性層１０４を挟むｎ
型（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０３およびｐ型
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層１０５、ｐ型Al0.7Ga0.5As
層１０６は、活性層１０４と較べていずれも20％
程度大きな屈折率をもつため、光は活性層１０４
でガイドされる。このように注入キヤリアおよび
光の閉じ込めについては、第３図に示したような
従来のダブルヘテロ構造の機能を全く損なうもの
ではなく、さらに以下に述べるように、従来技術
の問題点を克服した機能をもつ。従来技術の問題
点の項で述べたように（AluGa1-u）vIn1-vP4元混
晶は熱抵抗が大きい。多元混晶は、構成元素の種
類の少ない混晶と較べて一般に熱抵抗が大きい。
これは多元になる程結晶格子の乱雑さが増すため
で、４元の（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐの場合、ｘ＝0.5
附近で熱抵抗率は極大値をもち、約14deg・cm／
Ｗとなる。熱抵抗率は、ｘ依存性があり、８〜
14deg・cm／Ｗの範囲の値をもつ。また、Alz
Ga1-zAs（０≦ｚ≦１）の場合は、３元なので、
熱抵抗率の極大値がｚ＝0.5附近の約8deg・cm／
Ｗで、２〜8deg・cm／Ｗの範囲の値をもつ。こ
れは４元（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐのいかなる組成の
ものよりも小さい。そこで放熱する側の半導体層
は、３元以下の組成にすることの望ましいことが
わかる。注入キヤリアの閉じこめの要請からは、
エネルギギヤツプの大きな（AluGa1-u）0.5In0.5Ｐ
を用いる必要があるが、本発明のように、この４
元層の厚さを薄くすれば、４元層を用いたことに
よる熱抵抗の上昇を低減させることができる。さ
らに最適厚さについて、本発明者らは次の検討を
行なつた。光・キヤリアの閉じ込めを厚さ1μmの
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5のみで行なつた場合、電流注
入領域１１５の面積を20μm×200μmとすると熱
抵抗は35deg／Ｗとなる。一方光・キヤリアの閉
じ込めを厚さ1μmのAl0.7Ga0.3As（熱抵抗7deg・
cm／Ｗ）のみで行なつたとすると、熱抵抗
17.5deg／Ｗとなる。さらに熱抵抗2deg・cm／Ｗ
のAlAsで行なえば熱抵抗は、5deg／Ｗとなる。
そこで、本発明の如く薄い（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ
を、Al0.7Ga0.3AsまたはAlAsと活性層との間に挟
んだ場合、その熱抵抗が、5deg／Ｗの20分の１
程度以下になるようにすれば、熱抵抗率の大きな
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの熱抵抗に対する寄与が無
視できる。つまり、0.25deg／Ｗ程度以下にすれ
ばよい。（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの厚さを100Åとす
れば熱抵抗は0.35deg／Ｗとなり、（Al0.5Ga0.5）0.5
In0.5Ｐの厚さを100Å以下とすれば熱抵抗全体に
対する（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐの影響を無視するこ
とができる。用いるAIZGa1-zAS層（AluGa1-u）v
In1-vＰ層の組成により、（AluGa1-u）vIn1-vＰの最
適厚さの範囲は異なるが、光・キヤリアの閉じ込
めを交率よく行ない、かつ熱抵抗の低下の効果の
大きな組合せのとき、４元層の厚みを0.2μm程度
以下、かつ電子のド＝ブロイ波長以上の厚さの範
囲が最適厚さ範囲となる。第１図に示した実施例
の場合、（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐのみをクラツド層
として用いた場合と較べて、熱抵抗は35deg／Ｗ
から17.9deg／Ｗとすることができ、活性層の温
度上昇を約２分の１にすることがきた。さらにｐ
型Al0.7Ga0.3As層の代わりにｐ型AlAs層を用いる
と、熱抵抗は、5.4deg／Ｗとなり、活性層の温度
上昇は６分の１以下となつた。本実施例では、各
層の組成、導電型を特定したが、本発明は他の組
成、導電型にも適用できる。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によれば光およびキ
ヤリアの閉じ込めについては従来ある通常のダブ
ルヘテロ構造の機能を全く損わず、熱抵抗を下げ
ることにより特性および信頼性を向上させた半導
体発光素子を提供することができる。
ヤリアの閉じ込めについては従来ある通常のダブ
ルヘテロ構造の機能を全く損わず、熱抵抗を下げ
ることにより特性および信頼性を向上させた半導
体発光素子を提供することができる。
第１図は本発明の実施例を示す模式図、第２図
ａは実施例のエネルギバンドダイラグラムを示す
図、第２図ｂは実施例の屈折率ダイヤグラムを示
す図、第３図は従来の半導体発光素子の例を示す
断面図である。 １０１，３０１…ｎ−GaAs基板、１０２，３
０２…ｎ−GaAsバツフア層、１０３…ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層、１０４…アンドープ
（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層、１０５…ｐ−（Al0.5
Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層、１０６…ｐ−Al0.7Ga0.3As層、
１０７，３０６…ｐ−GaAs層、１０８…SiO2
膜、１０９…ｐ電極、１１０，３０９…ｎ電極、
３０３…ｎ−（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐ層、３０４…
アンドープGa0.5In0.5Ｐ活性層、３０５…ｐ−
（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐ層、１１５…ストライプ状
窓。
ａは実施例のエネルギバンドダイラグラムを示す
図、第２図ｂは実施例の屈折率ダイヤグラムを示
す図、第３図は従来の半導体発光素子の例を示す
断面図である。 １０１，３０１…ｎ−GaAs基板、１０２，３
０２…ｎ−GaAsバツフア層、１０３…ｎ−
（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層、１０４…アンドープ
（Al0.1Ga0.9）0.5In0.5Ｐ層、１０５…ｐ−（Al0.5
Ga0.5）0.5In0.5Ｐ層、１０６…ｐ−Al0.7Ga0.3As層、
１０７，３０６…ｐ−GaAs層、１０８…SiO2
膜、１０９…ｐ電極、１１０，３０９…ｎ電極、
３０３…ｎ−（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐ層、３０４…
アンドープGa0.5In0.5Ｐ活性層、３０５…ｐ−
（Al0.3Ga0.7）0.5In0.5Ｐ層、１１５…ストライプ状
窓。
Claims (1)
- １ 半導体基板上にGaxIn1-XＰ（０＜ｘ＜１）ま
たは（AlyGa1-y）xIn1-xＰ（０＜ｙ≦１，０＜ｘ＜
１）を活性層とするダブルヘテロ構造をもち、当
該活性層を挟み込んでいる２つのクラツド層のう
ち基板とは反対側に位置するクラツド層が、Alz
Ga1-zAs（０≦ｚ≦１）層およびこのAlzGa1-zAs
層と活性層の間に挟まれかつ厚さが電子のド＝ブ
ロイ波長よりも大きく0.2μm程度以下の（Alu
Ga1-u）vIn1-vＰ（０＜ｕ１，０＜ｖ＜１）より
成ることを特徴とした半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222140A JPS6281783A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222140A JPS6281783A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281783A JPS6281783A (ja) | 1987-04-15 |
| JPH049395B2 true JPH049395B2 (ja) | 1992-02-20 |
Family
ID=16777799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222140A Granted JPS6281783A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281783A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63236385A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222140A patent/JPS6281783A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6281783A (ja) | 1987-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |