JPH0334488A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH0334488A JPH0334488A JP16866989A JP16866989A JPH0334488A JP H0334488 A JPH0334488 A JP H0334488A JP 16866989 A JP16866989 A JP 16866989A JP 16866989 A JP16866989 A JP 16866989A JP H0334488 A JPH0334488 A JP H0334488A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superlattice
- layer
- guide layer
- semiconductor laser
- sch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体レーザ素子に関し、特に情報処理用の光
源として最適な半導体レーザに関する。
源として最適な半導体レーザに関する。
（従来の技術）
ＡＩＧａＡｓスはＡｌＧａＩｎＰの化合物半導体を用い
た半導体レーザは０．８〜０．６μｍの近赤外から可視
域の波長帯で発振するため、情報処理用の光源として、
近年需要が高まってきている。
た半導体レーザは０．８〜０．６μｍの近赤外から可視
域の波長帯で発振するため、情報処理用の光源として、
近年需要が高まってきている。
従来の半導体レーザ構造としては、エレクトロニクスレ
ター（Ｅｌｅｃｔ、Ｌｅｔｔ、）ｖｏｌ、１８．ｐ１０
９５〜１０９７．１９８２に記載されている第５図に示
すようなＳＣＨ型量子井戸構造がある０図において、１
はｎＡ １ ｏ、 ｙｓＧ ａ ｏ、 ｔｓＡ Ｓクラ
ッド層、４はｐ−Ａ１．、ｙｓＧ ａ Ｏ，２ＳＡ Ｓ
クラッド層、１３はＡ １ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａ
Ｓガイド層、１４はＡｌｏ、ｏｓＧ ａ ｏ、 ｔｓＡ
ｓ量子井戸活性層をそれぞれ示す。本桐造によれば、
量子効果による発光効率の増加に加えて、ＳＣＨ構造に
よって光および注入キャリヤが有効に閉じ込まれるため
、低しきい値で、高効率な半導体レーザが実現できる。
ター（Ｅｌｅｃｔ、Ｌｅｔｔ、）ｖｏｌ、１８．ｐ１０
９５〜１０９７．１９８２に記載されている第５図に示
すようなＳＣＨ型量子井戸構造がある０図において、１
はｎＡ １ ｏ、 ｙｓＧ ａ ｏ、 ｔｓＡ Ｓクラ
ッド層、４はｐ−Ａ１．、ｙｓＧ ａ Ｏ，２ＳＡ Ｓ
クラッド層、１３はＡ １ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａ
Ｓガイド層、１４はＡｌｏ、ｏｓＧ ａ ｏ、 ｔｓＡ
ｓ量子井戸活性層をそれぞれ示す。本桐造によれば、
量子効果による発光効率の増加に加えて、ＳＣＨ構造に
よって光および注入キャリヤが有効に閉じ込まれるため
、低しきい値で、高効率な半導体レーザが実現できる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の構造では、注入キャリヤの一部は
Ａ １ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｔ Ａ Ｓガイド層１３で
再結合してしまうので、量子井戸層１４に注入されない
無効電流が存在する。ガイド層１３での再結合のライフ
タイムは数ｎ５ｅｃと比較的短いため、この部分で消費
される電流は無視できない、この無効電流は、発振しき
い値電流の上昇をもたらすことになる。さらに、ガイド
層１３での再結合電流は、温度に対して強い依存性があ
るため、発振温度特性の悪化を招くことになる。こうし
たガイド層部分での無効電流による発振しきい値の上昇
、温度特性の低下が従来の技術の問題点であった。
Ａ １ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｔ Ａ Ｓガイド層１３で
再結合してしまうので、量子井戸層１４に注入されない
無効電流が存在する。ガイド層１３での再結合のライフ
タイムは数ｎ５ｅｃと比較的短いため、この部分で消費
される電流は無視できない、この無効電流は、発振しき
い値電流の上昇をもたらすことになる。さらに、ガイド
層１３での再結合電流は、温度に対して強い依存性があ
るため、発振温度特性の悪化を招くことになる。こうし
たガイド層部分での無効電流による発振しきい値の上昇
、温度特性の低下が従来の技術の問題点であった。
（課題を解決するための手段）
前述の課題を解決するため本発明の半導体レーザはＡｌ
ＧａＡｓ又はＡ Ｉ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐの化合物半導
体を用いた５ＣＨＩ造を有する半導体レーザ素子におい
て、前記ＳＣＨ構造のＳＣＨガイド層がＡ１工Ｇａ＋−
えＡｓとこれと同等なバンドギャップを有する（Ａ １
ｙ Ｇａ＋−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐとを
交互に積層した超格子からなり、またＡｌＧａＡｓ又は
ＡｌＧａＩｎＰの化合物半導体を用いたダブルヘテロ構
造を有する半導体レーザ索子において、前記ダブルヘテ
ロ構造のｐおよびｎクラッド層がＡ１．Ｇａ＋−ｘＡｓ
とこれと同等なバンドギャップを有する（Ａ Ｉ Ｆ
Ｇａ＋−ｙ ）。、。
ＧａＡｓ又はＡ Ｉ Ｇ ａ Ｉ ｎ Ｐの化合物半導
体を用いた５ＣＨＩ造を有する半導体レーザ素子におい
て、前記ＳＣＨ構造のＳＣＨガイド層がＡ１工Ｇａ＋−
えＡｓとこれと同等なバンドギャップを有する（Ａ １
ｙ Ｇａ＋−ｙ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐとを
交互に積層した超格子からなり、またＡｌＧａＡｓ又は
ＡｌＧａＩｎＰの化合物半導体を用いたダブルヘテロ構
造を有する半導体レーザ索子において、前記ダブルヘテ
ロ構造のｐおよびｎクラッド層がＡ１．Ｇａ＋−ｘＡｓ
とこれと同等なバンドギャップを有する（Ａ Ｉ Ｆ
Ｇａ＋−ｙ ）。、。
Ｉｎｏ、ｓＰとを交互に積層した超格子からなる。
（作用）
上述の本発明の構造によれば、超格子ガイド層の価電帯
、伝導体それぞれに２００ｍｅＶ以上のエネルギー障壁
が形成されるため、電子とホールはそれぞれのポテンシ
ャル井戸中に局在化する。
、伝導体それぞれに２００ｍｅＶ以上のエネルギー障壁
が形成されるため、電子とホールはそれぞれのポテンシ
ャル井戸中に局在化する。
超格子を形成している物質のエネルギーギャップは同じ
であるため、価電帯、伝導帯それぞれに形成されるポテ
ンシャル井戸は成長層方向に交互に形成され、電子とホ
ールは空間的に分離される。
であるため、価電帯、伝導帯それぞれに形成されるポテ
ンシャル井戸は成長層方向に交互に形成され、電子とホ
ールは空間的に分離される。
この結果、電子−ホール対が再結合する遷移確率が減少
し、バルクに比べて少数キャリヤのライフタイムが長く
なる。このことは、ガイド層で再結合して消費される無
効電流が減少することを意味し、低しきい値で温度特性
のよい半導体レーザを実現することが可能となる。
し、バルクに比べて少数キャリヤのライフタイムが長く
なる。このことは、ガイド層で再結合して消費される無
効電流が減少することを意味し、低しきい値で温度特性
のよい半導体レーザを実現することが可能となる。
（実施例）
次に本発明について図面を参照しながら説明する。
第１図と第２図は本発明の半導体レーザ素子の一実施例
におけるエネルギーバンド図である。
におけるエネルギーバンド図である。
第１図において１はｎ Ａ １ ｏ、 ｙｓＧ ａ
ｏ、 ｚｓＡ Ｓクラッド層、２はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐ／ Ａ １ （１，４Ｇａｏ、ａＡＳ超格子
ガイド層、３はＧａＡｓ１性層、４はｐ Ａ ｌ ｏ
、 ｔｓＧ ａ ｏ、 ｚｓＡ Ｓクラッド層を示し、
また第２図は超格子ガイド層２のエネルギーバンド図で
あり、５はＡ Ｉ １１．４ Ｇ ａｏ、ａ Ａ ８．
６はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐを示す０本実施例ｍ
造を得るには、ｎ型ＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ気相成
長法を用いて、層厚２．Ｏａｍのｎ Ａ １ ｏ、
・ｒｇＧａｏ、＊ｓＡｓクラッド層１、層厚０．２μｍ
のＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ／Ａ ｌ Ｏ，４Ｇａ
ｏ、ａ Ａ Ｓ超格子ガイド層２、層厚０．０１μｍの
ＧａＡｓ活性層３、層厚２．０）ｔｍのＰ Ａ ｌ
ｏ、ｔｓＧ ａ。、１ｓＡＳクラッド層４を順次成長す
る。ここで、超格子ガイド層２はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ ＰとＡＩ。、４ Ｇ ａｏ、ｉ Ａ Ｓとを５０
人ずつ交互に積層した超格子構造から形成されている。
ｏ、 ｚｓＡ Ｓクラッド層、２はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎ
ｏ、ｓ Ｐ／ Ａ １ （１，４Ｇａｏ、ａＡＳ超格子
ガイド層、３はＧａＡｓ１性層、４はｐ Ａ ｌ ｏ
、 ｔｓＧ ａ ｏ、 ｚｓＡ Ｓクラッド層を示し、
また第２図は超格子ガイド層２のエネルギーバンド図で
あり、５はＡ Ｉ １１．４ Ｇ ａｏ、ａ Ａ ８．
６はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐを示す０本実施例ｍ
造を得るには、ｎ型ＧａＡｓ基板上にＭＯＣＶＤ気相成
長法を用いて、層厚２．Ｏａｍのｎ Ａ １ ｏ、
・ｒｇＧａｏ、＊ｓＡｓクラッド層１、層厚０．２μｍ
のＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ／Ａ ｌ Ｏ，４Ｇａ
ｏ、ａ Ａ Ｓ超格子ガイド層２、層厚０．０１μｍの
ＧａＡｓ活性層３、層厚２．０）ｔｍのＰ Ａ ｌ
ｏ、ｔｓＧ ａ。、１ｓＡＳクラッド層４を順次成長す
る。ここで、超格子ガイド層２はＧａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ
、ｓ ＰとＡＩ。、４ Ｇ ａｏ、ｉ Ａ Ｓとを５０
人ずつ交互に積層した超格子構造から形成されている。
この超格子は、それぞれの物質の電子親和力から第２図
に示すように価電帯、伝導体に２３０ｍｅＶのエネルギ
ー障壁が形成される。一方、超格子をガイド層に用いて
も屈折率分布は活性層３に対して対称なｉｆ／Ａ″ｉ１
となっているため、光は活性層３に有効に閉じこもる。
に示すように価電帯、伝導体に２３０ｍｅＶのエネルギ
ー障壁が形成される。一方、超格子をガイド層に用いて
も屈折率分布は活性層３に対して対称なｉｆ／Ａ″ｉ１
となっているため、光は活性層３に有効に閉じこもる。
第３図と第４図は活性層にＧａ５．ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐを用いて可視域で発振する半導体レーザを形成した実
施例についてのエネルギーバンド図である。
Ｐを用いて可視域で発振する半導体レーザを形成した実
施例についてのエネルギーバンド図である。
図において、７はＡ １ ｏ、ｓ Ｉ ｎ＋＞、ｓ Ｐ
クラッド層、８は（Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ）
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ／ Ａ ｌ ｏ、ｉＧ ａ ０．４
Ａ ｓ超格子ガイド層、９はＧａｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ
活性層、１０はｐ Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐりラット層、１１はＡ Ｉ ０．６ Ｇ ａ （１，
４Ａ Ｓ、１２は（Ａ １ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ） Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐをそれぞれ示す、また、ガイド層８は第
１図の例と同様に（Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ）
Ｉ ｎｏ、、ＰとＡ１．。
クラッド層、８は（Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ）
Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ／ Ａ ｌ ｏ、ｉＧ ａ ０．４
Ａ ｓ超格子ガイド層、９はＧａｏ、５ｌｎｏ、ｓＰ
活性層、１０はｐ Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐりラット層、１１はＡ Ｉ ０．６ Ｇ ａ （１，
４Ａ Ｓ、１２は（Ａ １ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ） Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐをそれぞれ示す、また、ガイド層８は第
１図の例と同様に（Ａ ｌ ｏ、ｓ Ｇａｏ、ｓ ）
Ｉ ｎｏ、、ＰとＡ１．。
Ｇ ａｏ、ｉ Ａ ｓとを交互に５０Ａずつ積層した超
格子＃！造から形成されている。この場合も第４図に示
すように価電帯、伝導帯それぞれに３２０ ｍ ｅＶの
エネルギー障壁が形成される。クラッド層厚、超格子ガ
イド層厚、および活性層厚は第１図の実施例と同様に設
定されている。これらのエピタキシャル成長層のρ側、
ｎ１ｌｌｌにそれぞれ電極を形成することにより半導体
レーザ＃Ｉ遠が実現される。
格子＃！造から形成されている。この場合も第４図に示
すように価電帯、伝導帯それぞれに３２０ ｍ ｅＶの
エネルギー障壁が形成される。クラッド層厚、超格子ガ
イド層厚、および活性層厚は第１図の実施例と同様に設
定されている。これらのエピタキシャル成長層のρ側、
ｎ１ｌｌｌにそれぞれ電極を形成することにより半導体
レーザ＃Ｉ遠が実現される。
上述の実施例ではＳＣＨ構造におけるガイド層部分に超
格子構造を適用した場合のみ述べたが、通常のダブルヘ
テロ構造のクラッド層に用いても同様な無効電流の減少
をもたらすことが可能である。
格子構造を適用した場合のみ述べたが、通常のダブルヘ
テロ構造のクラッド層に用いても同様な無効電流の減少
をもたらすことが可能である。
以上本発明のｍ造によれば、０．６〜０．８μｍ帯で発
振する半導体レーザの全ての構造に対して無効電流を減
少させ、低しきい値で温度特性のよい半導体レーザを再
現性よく実現することができる。
振する半導体レーザの全ての構造に対して無効電流を減
少させ、低しきい値で温度特性のよい半導体レーザを再
現性よく実現することができる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の構造によれば、超格子ガ
イド層の価電帯、伝導帯それぞれに２００ｍｅＶ以上の
エネルギー障壁が形成されるため、電子とホールはそれ
ぞれのポテンシャル井戸中に局在化する。超格子を形成
している物質のエネルギーギャップは同じであるため、
価電帯、伝導帯それぞれに形成されるポテンシャル井戸
は成長層方向に交互に形成され、電子とホールは空間的
に分離される。
イド層の価電帯、伝導帯それぞれに２００ｍｅＶ以上の
エネルギー障壁が形成されるため、電子とホールはそれ
ぞれのポテンシャル井戸中に局在化する。超格子を形成
している物質のエネルギーギャップは同じであるため、
価電帯、伝導帯それぞれに形成されるポテンシャル井戸
は成長層方向に交互に形成され、電子とホールは空間的
に分離される。
この結果、電子−ホール対が再結合する遷移確率が減少
し、バルクに比べて少数キャリヤのライフタイムが長く
なる。このことはガイド層で再結合して消費される無効
電流が減少することを意味し、低しきい値で温度特性の
よい半導体レーザ素子を実現することが可能となる。
し、バルクに比べて少数キャリヤのライフタイムが長く
なる。このことはガイド層で再結合して消費される無効
電流が減少することを意味し、低しきい値で温度特性の
よい半導体レーザ素子を実現することが可能となる。
１１図、第２図、第３図および第４図は本発明の実施例
の半導体レーザ素子におけるエネルギーバンド図、第５
図は従来の半導体レーザ素子におけるエネルギーバンド
図をそれぞれ示す。 １− ｎ Ａ ｌ ｏ、 ｔｓＧ ａ ｏ、 ｉｓＡ
Ｓクラッド層、２・・・Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ／ Ａ １０．４ Ｇａｏ、ａ Ａｓ超格子ガイド層
、３・・・ＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ−Ａ Ｉ ０．
７ＳＧ ａ Ｏ，２ＳＡ Ｓクラッド層、５−Ａｌｏ、
ａＧ ａ ｏ ６ Ａ ｓ、６・−Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ、７°°。 Ａ１６ ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、８− （Ａ
１ ｏ、５Ｇａａ、ｓ ） Ｉ ｎａ、ｓ Ｐ／Ａ
Ｉｏ、４ Ｇａｏ、ａ Ａｓ超格子ガイド層、９・−Ｇ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層、１０・”ｐ Ａ
１ ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、１１−Ａ
Ｉ ｏ、ｈ Ｇ ａｏ、＜ Ａ Ｓ、１２ ＝ （Ａ
１ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ） Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ、
１３”Ａ ｌｏ、ｉ Ｇａｏ、ｙ Ａｓガイド層、１４
・・・Ａ １ ｏ、 ｏｓＧ ａ ｏ、 ｉｓＡ Ｓ量
子井戸活性層。
の半導体レーザ素子におけるエネルギーバンド図、第５
図は従来の半導体レーザ素子におけるエネルギーバンド
図をそれぞれ示す。 １− ｎ Ａ ｌ ｏ、 ｔｓＧ ａ ｏ、 ｉｓＡ
Ｓクラッド層、２・・・Ｇａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ
Ｐ／ Ａ １０．４ Ｇａｏ、ａ Ａｓ超格子ガイド層
、３・・・ＧａＡｓ活性層、４・・・ｐ−Ａ Ｉ ０．
７ＳＧ ａ Ｏ，２ＳＡ Ｓクラッド層、５−Ａｌｏ、
ａＧ ａ ｏ ６ Ａ ｓ、６・−Ｇａｏ、ｓ Ｉ
ｎｏ、ｓ Ｐ、７°°。 Ａ１６ ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、８− （Ａ
１ ｏ、５Ｇａａ、ｓ ） Ｉ ｎａ、ｓ Ｐ／Ａ
Ｉｏ、４ Ｇａｏ、ａ Ａｓ超格子ガイド層、９・−Ｇ
ａｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ活性層、１０・”ｐ Ａ
１ ｏ、５ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐクラッド層、１１−Ａ
Ｉ ｏ、ｈ Ｇ ａｏ、＜ Ａ Ｓ、１２ ＝ （Ａ
１ ｏ、ｓ Ｇ ａｏ、ｓ ） Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐ、
１３”Ａ ｌｏ、ｉ Ｇａｏ、ｙ Ａｓガイド層、１４
・・・Ａ １ ｏ、 ｏｓＧ ａ ｏ、 ｉｓＡ Ｓ量
子井戸活性層。
Claims (2)
- （１）ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＩｎＰの化合物半導体
を用いたＳＣＨ構造を有する半導体レーザ素子において
、前記ＳＣＨ構造のＳＣＨガイド層がＡｌ＿ｘＧａ＿１
＿−＿ｘＡｓとこれと同等なバンドギャップを有する（
Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｉｎ＿０＿．
＿５Ｐとを交互に積層した超格子からなることを特徴と
する半導体レーザ素子、 - （２）ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＧａＩｎＰの化合物半導体
を用いたダブルヘテロ構造を有する半導体レーザ素子に
おいて、前記ダブルヘテロ構造のｐおよびｎクラッド層
がＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓとこれと同等なバンド
ギャップを有する（Ａｌ＿ｙＧａ＿１＿−＿ｙ）＿０＿
．＿５Ｉｎ＿０＿．＿５Ｐとを交互に積層した超格子か
らなることを特徴とする半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866989A JP2748570B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16866989A JP2748570B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334488A true JPH0334488A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2748570B2 JP2748570B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15872300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16866989A Expired - Fee Related JP2748570B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2748570B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0480984A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JP2006043441A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-02-16 | Impress:Kk | 組み立て式簡易浴槽用枠体、組み立て式簡易貯液槽用枠体、組み立て式簡易浴槽、組み立て式簡易貯液槽、それらの枠体を構成可能な分割枠体、及び分割枠体の製造方法 |
| JP2007014490A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Ensky:Kk | 額縁 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP16866989A patent/JP2748570B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0480984A (ja) * | 1990-07-24 | 1992-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JP2006043441A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-02-16 | Impress:Kk | 組み立て式簡易浴槽用枠体、組み立て式簡易貯液槽用枠体、組み立て式簡易浴槽、組み立て式簡易貯液槽、それらの枠体を構成可能な分割枠体、及び分割枠体の製造方法 |
| JP2007014490A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Ensky:Kk | 額縁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2748570B2 (ja) | 1998-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6218082A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0143472B2 (ja) | ||
| JP3189791B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0653602A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS6298690A (ja) | 半導体レ−ザ素子及びその製造方法 | |
| JP5381692B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3145718B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0334488A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04350988A (ja) | 量子井戸構造発光素子 | |
| US5362974A (en) | Group II-VI material semiconductor optical device with strained multiquantum barriers | |
| JPH0669589A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3223969B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3033333B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0697598A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH09307183A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05175601A (ja) | 多重量子井戸半導体レーザ | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPH0722212B2 (ja) | 量子井戸レーザ | |
| JPH06164064A (ja) | 可視光半導体レーザ | |
| JPH10294530A (ja) | 多重量子井戸型半導体発光素子 | |
| JPS62144387A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH054833B2 (ja) | ||
| JPS6235591A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH06237040A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS61224482A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |