JPH10294530A - 多重量子井戸型半導体発光素子 - Google Patents
多重量子井戸型半導体発光素子Info
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- JPH10294530A JPH10294530A JP21223097A JP21223097A JPH10294530A JP H10294530 A JPH10294530 A JP H10294530A JP 21223097 A JP21223097 A JP 21223097A JP 21223097 A JP21223097 A JP 21223097A JP H10294530 A JPH10294530 A JP H10294530A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な発光をする発光特性に優れた半導体発
光装置を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層２とｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３とＧａＩ
ｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４とｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６とｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層７とを順次成長させ、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層７をメサ構造にし、ｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層する。活
性層４はｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層３とｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層５と５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐバリア層と４０Å厚の中央に位置するＧａ0.52Ｉ
ｎ0.48Ｐ量子井戸層と、４６Å厚のクラッド層寄りのＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層からなっている。
光装置を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＧａＡｓバ
ッファ層２とｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３とＧａＩ
ｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭＱＷ構造の活性層４とｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６とｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層７とを順次成長させ、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層５とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層７をメサ構造にし、ｎ型ＧａＡｓ電流ブ
ロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層する。活
性層４はｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層３とｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐク
ラッド層５と５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐバリア層と４０Å厚の中央に位置するＧａ0.52Ｉ
ｎ0.48Ｐ量子井戸層と、４６Å厚のクラッド層寄りのＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層からなっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子に関
し、更に詳しくは３個以上の井戸を持つ多重量子井戸構
造（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）
の半導体レーザに用いて好適なものである。
し、更に詳しくは３個以上の井戸を持つ多重量子井戸構
造（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＭＱＷ）
の半導体レーザに用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザの特性を改善するためには
活性層部を量子井戸（ＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ：ＱＷ）
構造にすることは極めて有効である。階段状の状態密度
関数のために光学利得スペクトルの半値幅が狭くなり、
従って最大利得値が増大するため、しきい値電流が低く
なると共に、電子のエネルギー分布が温度変動を受けに
くくなることから温度特性が向上（Ｔ0 が大きくなる）
する。また、レーザ発振波長の短波長化、異方性利得、
発振スペクトルの安定性、導波路としての低損失性等の
効果も得られる。
活性層部を量子井戸（ＱｕａｎｔｕｍＷｅｌｌ：ＱＷ）
構造にすることは極めて有効である。階段状の状態密度
関数のために光学利得スペクトルの半値幅が狭くなり、
従って最大利得値が増大するため、しきい値電流が低く
なると共に、電子のエネルギー分布が温度変動を受けに
くくなることから温度特性が向上（Ｔ0 が大きくなる）
する。また、レーザ発振波長の短波長化、異方性利得、
発振スペクトルの安定性、導波路としての低損失性等の
効果も得られる。
【０００３】このような特徴を有することから、更に特
性改善を起こすべく量子井戸構造の設計が綿密に行われ
ている。例えば量子井戸における最低のミニバンドと次
のミニバンドの間のエネルギー差を大きくするため、障
壁層を厚くしたり、障壁層を高くして井戸間の結合を弱
くしているが、弱くした場合はキャリアの注入が均一に
できず、更に発振波長に合った設計をする必要があっ
た。
性改善を起こすべく量子井戸構造の設計が綿密に行われ
ている。例えば量子井戸における最低のミニバンドと次
のミニバンドの間のエネルギー差を大きくするため、障
壁層を厚くしたり、障壁層を高くして井戸間の結合を弱
くしているが、弱くした場合はキャリアの注入が均一に
できず、更に発振波長に合った設計をする必要があっ
た。
【０００４】このように設計された多重量子井戸構造は
できうるかぎり均一に作製することが肝要であり、井戸
の膜厚や組成比、障壁層の厚さや組成比は１つの発光素
子の中では同一に成長させてきた。
できうるかぎり均一に作製することが肝要であり、井戸
の膜厚や組成比、障壁層の厚さや組成比は１つの発光素
子の中では同一に成長させてきた。
【０００５】ところが１個のＱＷからなる単一量子井戸
構造（Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＳＱ
Ｗ）や２個のＱＷからなる量子井戸構造では問題はない
が、３個以上のＱＷからなる量子井戸構造では、中央に
位置する量子井戸と端部に位置する量子井戸ではキャリ
アや光の閉じ込めが異なり、発光特性が不均一となる原
因であることが成長膜の評価で示されている。
構造（Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ：ＳＱ
Ｗ）や２個のＱＷからなる量子井戸構造では問題はない
が、３個以上のＱＷからなる量子井戸構造では、中央に
位置する量子井戸と端部に位置する量子井戸ではキャリ
アや光の閉じ込めが異なり、発光特性が不均一となる原
因であることが成長膜の評価で示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明は、多重
量子井戸構造を有する半導体発光素子において、量子井
戸の位置によるキャリアや光の閉じ込めの差異により、
発光の不均一性が生じることを防止する。
量子井戸構造を有する半導体発光素子において、量子井
戸の位置によるキャリアや光の閉じ込めの差異により、
発光の不均一性が生じることを防止する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題に鑑
みなされたものであって、化合物半導体基板上に、少な
くとも第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のク
ラッド層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に
設けられた第２導電型の第２のクラッド層からなる半導
体発光素子において、活性層部が３個以上の量子井戸を
有する際に、中央の１個以上の量子井戸とクラッド層に
隣接する両端の２個の量子井戸の厚さ、または量子井戸
のエネルギーギャップが異なる半導体発光素子を構成す
る。
みなされたものであって、化合物半導体基板上に、少な
くとも第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のク
ラッド層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に
設けられた第２導電型の第２のクラッド層からなる半導
体発光素子において、活性層部が３個以上の量子井戸を
有する際に、中央の１個以上の量子井戸とクラッド層に
隣接する両端の２個の量子井戸の厚さ、または量子井戸
のエネルギーギャップが異なる半導体発光素子を構成す
る。
【０００８】また、化合物半導体基板上に、少なくとも
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設
けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガ
イド層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の
第２のクラッド層からなる半導体発光素子において、活
性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１個
以上の量子井戸と光ガイド層に隣接する両端の２個の量
子井戸の厚さ、または量子井戸のエネルギーギャップが
異なる半導体発光素子を構成する。
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設
けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガ
イド層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の
第２のクラッド層からなる半導体発光素子において、活
性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１個
以上の量子井戸と光ガイド層に隣接する両端の２個の量
子井戸の厚さ、または量子井戸のエネルギーギャップが
異なる半導体発光素子を構成する。
【０００９】また、化合物半導体基板上に、少なくとも
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けら
れた第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光
素子において、活性層部が３個以上の障壁を有する際
に、中央の１個以上の障壁とクラッド層に隣接する両端
の２個の障壁の厚さ、または障壁のエネルギーギャップ
が異なる半導体発光素子を構成する。
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けら
れた第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光
素子において、活性層部が３個以上の障壁を有する際
に、中央の１個以上の障壁とクラッド層に隣接する両端
の２個の障壁の厚さ、または障壁のエネルギーギャップ
が異なる半導体発光素子を構成する。
【００１０】更に、化合物半導体基板上に、少なくとも
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設
けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガ
イド層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の
第２のクラッド層からなる半導体発光素子において、活
性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以上
の障壁と光ガイド層に隣接する両端の２個の障壁の厚
さ、または障壁のエネルギーギャップが異なる半導体発
光素子を構成して、上記課題を解決する。
第１導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド
層上に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設
けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガ
イド層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の
第２のクラッド層からなる半導体発光素子において、活
性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以上
の障壁と光ガイド層に隣接する両端の２個の障壁の厚
さ、または障壁のエネルギーギャップが異なる半導体発
光素子を構成して、上記課題を解決する。
【００１１】上述した構成を採ることによって、中央に
位置する量子井戸層とクラッド層に隣接した両端の量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致し、均一な発光特性が得られる。
位置する量子井戸層とクラッド層に隣接した両端の量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致し、均一な発光特性が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態例について図
１ないし図１４を参照して説明する。図１〜図６は本発
明の課題を解決する手段について説明するための図で、
図１は単一量子井戸のＰＬ（フォトルミネッセンス）ピ
ークを示し、図２は２個の量子井戸のＰＬピークを示
し、図３は３個以上の量子井戸のＰＬピークを示し、図
４は３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構造
のＰＬピークを示し、図５は３個の量子井戸の厚さを変
化させて成長させた他の構造のＰＬピークを示してい
る。また、図６は本発明に係わるＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザの一例の概略断面図である。更に図７〜図１４
はそれぞれ第１〜第８の実施形態例であるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略断面図で
ある。
１ないし図１４を参照して説明する。図１〜図６は本発
明の課題を解決する手段について説明するための図で、
図１は単一量子井戸のＰＬ（フォトルミネッセンス）ピ
ークを示し、図２は２個の量子井戸のＰＬピークを示
し、図３は３個以上の量子井戸のＰＬピークを示し、図
４は３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構造
のＰＬピークを示し、図５は３個の量子井戸の厚さを変
化させて成長させた他の構造のＰＬピークを示してい
る。また、図６は本発明に係わるＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザの一例の概略断面図である。更に図７〜図１４
はそれぞれ第１〜第８の実施形態例であるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略断面図で
ある。
【００１３】本発明者等は前述した課題を解決すべく、
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いたＺｎＣｄＳｅを発光
層とするＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅか
らなる量子井戸構造と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用
いたＩｎＧａＰを発光層とするＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩ
ｎＰからなる量子井戸構造を成長してＰＬにて光学的特
性を評価した。
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を用いたＺｎＣｄＳｅを発光
層とするＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅか
らなる量子井戸構造と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用
いたＩｎＧａＰを発光層とするＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩ
ｎＰからなる量子井戸構造を成長してＰＬにて光学的特
性を評価した。
【００１４】まず、１個の量子井戸を持つ構造では、測
定の結果得られたＰＬピークは図１に示すように左右対
称であった。また、２個の量子井戸を持つ構造でも、測
定の結果得られたＰＬピークは図２に示すように左右対
称であった。しかしながら、３個あるいはそれ以上の量
子井戸を有する構造では、ＰＬピークは図３に示すよう
に短波長側に裾をもつ形状であった。
定の結果得られたＰＬピークは図１に示すように左右対
称であった。また、２個の量子井戸を持つ構造でも、測
定の結果得られたＰＬピークは図２に示すように左右対
称であった。しかしながら、３個あるいはそれ以上の量
子井戸を有する構造では、ＰＬピークは図３に示すよう
に短波長側に裾をもつ形状であった。
【００１５】更に本発明者等は端部に位置する量子井戸
を中央部に位置する量子井戸よりも２モノレイヤーだけ
厚い層と、２モノレイヤーだけ薄い層の２種類の量子井
戸構造を作製し、各々のＰＬピークを測定した。その結
果、２モノレイヤーだけ厚い層のものでは図４に示すよ
うに左右対称であったが、一方、２モノレイヤーだけ薄
い層のものでは図５に示すように短波長側の裾が大きな
値となった。
を中央部に位置する量子井戸よりも２モノレイヤーだけ
厚い層と、２モノレイヤーだけ薄い層の２種類の量子井
戸構造を作製し、各々のＰＬピークを測定した。その結
果、２モノレイヤーだけ厚い層のものでは図４に示すよ
うに左右対称であったが、一方、２モノレイヤーだけ薄
い層のものでは図５に示すように短波長側の裾が大きな
値となった。
【００１６】これらのことから、横軸に波長を、縦軸に
ＰＬ発光強度をとったＰＬピークにおいて、短波長側の
裾は量子井戸の端部の構造に関係していることが分か
る。従ってこの現象を利用してＰＬ発光特性の優れた半
値幅の小さいＰＬピークが得られる量子井戸の設計を行
うことができる。つぎに、この観点に基づいて作製した
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの実施形態について説明
する。
ＰＬ発光強度をとったＰＬピークにおいて、短波長側の
裾は量子井戸の端部の構造に関係していることが分か
る。従ってこの現象を利用してＰＬ発光特性の優れた半
値幅の小さいＰＬピークが得られる量子井戸の設計を行
うことができる。つぎに、この観点に基づいて作製した
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの実施形態について説明
する。
【００１７】第１の実施形態例 図６は本発明の第１の実施形態例であるＩＩＩ−Ｖ族化
合物半導体レーザの断面図であって、この構造は有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製される。この例
ではｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２と、１μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭＱＷ構造の
活性層４と、１μｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５と、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μ
ｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層７とを順次成長させる。
合物半導体レーザの断面図であって、この構造は有機金
属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により作製される。この例
ではｎ型ＧａＡｓ基板１上に０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層２と、１μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３と、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰＭＱＷ構造の
活性層４と、１μｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５と、０．１μｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰ層６と、０．３μ
ｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層７とを順次成長させる。
【００１８】つぎに、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層７
を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエッチ
ングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層する。
ドーパントとしてはｎ型はＳｅ、Ｓｉであり、ｐ型はＺ
ｎである。
とｐ型ＧａＩｎＰ層６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層７
を、例えばフォトリソグラフィを用いて選択的にエッチ
ングしてメサ構造を形成し、その後、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層８をメサ構造の両側に成長させて積層する。
ドーパントとしてはｎ型はＳｅ、Ｓｉであり、ｐ型はＺ
ｎである。
【００１９】図６における活性層４の構造は図７に示す
ように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層５と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１０と、４０Å厚の中央に位置する
Ｇａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１１と、４６Å厚のクラ
ッド層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１２とから
なっている。尚、井戸の層数は５個である。
ように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラ
ッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ
クラッド層５と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１０と、４０Å厚の中央に位置する
Ｇａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１１と、４６Å厚のクラ
ッド層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１２とから
なっている。尚、井戸の層数は５個である。
【００２０】この第１の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
【００２１】第２の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図８に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００
Å厚のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド
層１３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ
0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１５と、４０Å厚の中央
に位置するＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１６と、４３
Å厚のクラッド層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層
１７とからなっている。尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図８に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００
Å厚のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド
層１３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5
Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇａ
0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１５と、４０Å厚の中央
に位置するＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１６と、４３
Å厚のクラッド層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層
１７とからなっている。尚、井戸の層数は５個である。
【００２２】この第２の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
【００２３】第３の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図９に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、５０Å
厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１８
と、４０Å厚の中央に位置する（Ａｌ0.03Ｇａ0.97）
0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１９と、４０Å厚のクラッド
層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２０とからなっ
ている。尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図９に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇ
ａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ
0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、５０Å
厚の（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層１８
と、４０Å厚の中央に位置する（Ａｌ0.03Ｇａ0.97）
0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層１９と、４０Å厚のクラッド
層寄りのＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２０とからなっ
ている。尚、井戸の層数は５個である。
【００２４】この第３の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
【００２５】第４の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図１０に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２１と、４０Å厚の中
央に位置する（Ａｌ0.03Ｇａ0.97）0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子
井戸層２２と、４０Å厚のクラッド層寄りのＧａ0.52Ｉ
ｎ0.48Ｐ量子井戸層２３とからなっている。尚、井戸の
層数は５個である。
活性層４は図１０に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２１と、４０Å厚の中
央に位置する（Ａｌ0.03Ｇａ0.97）0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子
井戸層２２と、４０Å厚のクラッド層寄りのＧａ0.52Ｉ
ｎ0.48Ｐ量子井戸層２３とからなっている。尚、井戸の
層数は５個である。
【００２６】この第４の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
【００２７】第５の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図１１に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、８０Å厚の
中央に位置する（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層２４と、５０Å厚のクラッド層に近い位置にある
（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２５と、
４０Å厚のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２６とからな
っている。尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図１１に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、８０Å厚の
中央に位置する（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層２４と、５０Å厚のクラッド層に近い位置にある
（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２５と、
４０Å厚のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２６とからな
っている。尚、井戸の層数は５個である。
【００２８】この第５の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
【００２９】第６の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図１２に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、８０Å厚の中央に位置する（Ａ
ｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２７と、５０
Å厚のクラッド層に近い位置にある（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２８と、４０Å厚のＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２９とからなっている。
尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図１２に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、８０Å厚の中央に位置する（Ａ
ｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２７と、５０
Å厚のクラッド層に近い位置にある（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層２８と、４０Å厚のＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層２９とからなっている。
尚、井戸の層数は５個である。
【００３０】この第６の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
【００３１】第７の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図１３に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、５０Å厚の
中央に位置する（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層３０と、５０Å厚のクラッド層に近い位置にある
（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３１と、
４０Å厚のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層３２とからな
っている。尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図１３に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、５０Å厚の
中央に位置する（Ａｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバ
リア層３０と、５０Å厚のクラッド層に近い位置にある
（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３１と、
４０Å厚のＧａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層３２とからな
っている。尚、井戸の層数は５個である。
【００３２】この第７の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
置する量子井戸層とクラッド層に隣接する位置にある量
子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に
一致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現する
ことができる。
【００３３】第８の実施形態例 活性層４の構造以外は第１の実施形態例と同一である。
活性層４は図１４に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の中央に位置する（Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３３と、５０
Å厚のクラッド層に近い位置にある（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３４と、４０Å厚のＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層３５とからなっている。
尚、井戸の層数は５個である。
活性層４は図１４に示すように、ｎ型（Ａｌ0.7 Ｇａ
0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層３と、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層５と、３００Å厚
のｎ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐガイド層１
３と、３００Å厚のｐ型（Ａｌ0.35Ｇａ0.65）0.5 Ｉｎ
0.5 Ｐガイド層１４と、５０Å厚の中央に位置する（Ａ
ｌ0.5 Ｇａ0.5 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３３と、５０
Å厚のクラッド層に近い位置にある（Ａｌ0.35Ｇ
ａ0.65）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐバリア層３４と、４０Å厚のＧ
ａ0.52Ｉｎ0.48Ｐ量子井戸層３５とからなっている。
尚、井戸の層数は５個である。
【００３４】この第８の実施形態例によれば、中央に位
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
置する量子井戸層とガイド層に隣接する位置にある量子
井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めが厳密に一
致するため発光特性に優れた半導体レーザを実現するこ
とができる。
【００３５】以上、第１〜第８の実施形態例について説
明したが、本発明はこれらの実施形態例に限定されるも
のでなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形、組
み合わせが可能であることはいうまでもない。例えば、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザをＭＯＣＶＤで成長したが、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体であるＺｎＳｅ系半導体レーザを分子線エピタ
キシャル（ＭＢＥ）で成長することも可能である。ま
た、本発明を発光ダイオードに適用することも可能であ
る。
明したが、本発明はこれらの実施形態例に限定されるも
のでなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形、組
み合わせが可能であることはいうまでもない。例えば、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザをＭＯＣＶＤで成長したが、ＩＩ−ＶＩ族化合
物半導体であるＺｎＳｅ系半導体レーザを分子線エピタ
キシャル（ＭＢＥ）で成長することも可能である。ま
た、本発明を発光ダイオードに適用することも可能であ
る。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば３個以上の井戸を持つ多重量子井戸構造を有す
る半導体レーザにおいて、中央の１個以上の量子井戸層
とクラッド層に隣接した両端の２個の量子井戸層の厚さ
を同一にしないこと、または中央の１個以上の量子井戸
層とクラッド層に隣接した両端の２個の量子井戸層のエ
ネルギーギャップを同一にしないこと、または中央の１
個以上の障壁層とクラッド層に隣接した両端の２個の障
壁層のエネルギーギャップを同一にしないことにより、
中央に位置する量子井戸層とクラッド層に隣接した両端
の量子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めを厳
密に一致することができ、発光特性に優れた半導体発光
素子が実現できる。
によれば３個以上の井戸を持つ多重量子井戸構造を有す
る半導体レーザにおいて、中央の１個以上の量子井戸層
とクラッド層に隣接した両端の２個の量子井戸層の厚さ
を同一にしないこと、または中央の１個以上の量子井戸
層とクラッド層に隣接した両端の２個の量子井戸層のエ
ネルギーギャップを同一にしないこと、または中央の１
個以上の障壁層とクラッド層に隣接した両端の２個の障
壁層のエネルギーギャップを同一にしないことにより、
中央に位置する量子井戸層とクラッド層に隣接した両端
の量子井戸層におけるキャリアおよび光の閉じ込めを厳
密に一致することができ、発光特性に優れた半導体発光
素子が実現できる。
【図１】 課題を解決する手段について説明するための
図で、単一量子井戸のＰＬピークを示す略線図である。
図で、単一量子井戸のＰＬピークを示す略線図である。
【図２】 課題を解決する手段について説明するための
図で、２個の量子井戸のＰＬピークを示す略線図であ
る。
図で、２個の量子井戸のＰＬピークを示す略線図であ
る。
【図３】 課題を解決する手段について説明するための
図で、３個以上の量子井戸のＰＬピークを示す略線図で
ある。
図で、３個以上の量子井戸のＰＬピークを示す略線図で
ある。
【図４】 課題を解決する手段について説明するための
図で、３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構
造のＰＬピークを示す略線図である。
図で、３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構
造のＰＬピークを示す略線図である。
【図５】 課題を解決する手段について説明するための
図で、３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構
造のＰＬピークを示す略線図である。
図で、３個の量子井戸の厚さを変化させて成長させた構
造のＰＬピークを示す略線図である。
【図６】 本発明に係わるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザの一例の概略断面図である。
ザの一例の概略断面図である。
【図７】 本発明に係わる第１の実施形態例であるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
【図８】 本発明に係わる第２の実施形態例であるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
【図９】 本発明に係わる第３の実施形態例であるＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
ＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概略
断面図である。
【図１０】 本発明に係わる第４の実施形態例であるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
【図１１】 本発明に係わる第５の実施形態例であるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
【図１２】 本発明に係わる第６の実施形態例であるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
【図１３】 本発明に係わる第７の実施形態例であるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
【図１４】 本発明に係わる第８の実施形態例であるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの活性層部の構造を示す概
略断面図である。
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、
３…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４…活性層、５…
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、６…ｐ型ＧａＩｎＰ
層、７…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、８…ｎ型ＧａＡｓ電
流ブロック層、１０，１５，１８，２１，２４，２５，
２７，２８，３０，３１，３３，３４…ＡｌＧａＩｎＰ
バリア層、１１，１２，１６，１７，２０，２３，２
６，２９，３２，３５…ＧａＩｎＰ量子井戸層、１３…
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰガイド層、１４…ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐガイド層、１９，２２…ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸層
３…ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４…活性層、５…
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、６…ｐ型ＧａＩｎＰ
層、７…ｐ型ＧａＡｓキャップ層、８…ｎ型ＧａＡｓ電
流ブロック層、１０，１５，１８，２１，２４，２５，
２７，２８，３０，３１，３３，３４…ＡｌＧａＩｎＰ
バリア層、１１，１２，１６，１７，２０，２３，２
６，２９，３２，３５…ＧａＩｎＰ量子井戸層、１３…
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰガイド層、１４…ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐガイド層、１９，２２…ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸層
Claims (8)
- 【請求項１】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた
第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光素子
において、 活性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１
個以上の量子井戸とクラッド層に隣接する両端の２個の
量子井戸の厚さが異なることを特徴とする多重量子井戸
型半導体発光素子。 - 【請求項２】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設けら
れた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガイド
層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の第２
のクラッド層からなる半導体発光素子において、 活性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１
個以上の量子井戸と光ガイド層に隣接する両端の２個の
量子井戸の厚さが異なることを特徴とする多重量子井戸
型半導体発光素子。 - 【請求項３】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた
第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光素子
において、 活性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１
個以上の量子井戸とクラッド層に隣接する両端の２個の
量子井戸のエネルギーギャップが異なることを特徴とす
る多重量子井戸型半導体発光素子。 - 【請求項４】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設けら
れた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガイド
層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の第２
のクラッド層からなる半導体発光素子において、 活性層部が３個以上の量子井戸を有する際に、中央の１
個以上の量子井戸と光ガイド層に隣接する両端の２個の
量子井戸のエネルギーギャップが異なることを特徴とす
る多重量子井戸型半導体発光素子。 - 【請求項５】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた
第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光素子
において、 活性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以
上の障壁とクラッド層に隣接する両端の２個の障壁の厚
さが異なることを特徴とする多重量子井戸型半導体発光
素子。 - 【請求項６】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設けら
れた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガイド
層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の第２
のクラッド層からなる半導体発光素子において、 活性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以
上の障壁と光ガイド層に隣接する両端の２個の障壁の厚
さが異なることを特徴とする多重量子井戸型半導体発光
素子。 - 【請求項７】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた活性層部と、前記活性層部上に設けられた
第２導電型の第２のクラッド層からなる半導体発光素子
において、 活性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以
上の障壁とクラッド層に隣接する両端の２個の障壁のエ
ネルギーギャップが異なることを特徴とする多重量子井
戸型半導体発光素子。 - 【請求項８】 化合物半導体基板上に、少なくとも第１
導電型の第１のクラッド層と、前記第１のクラッド層上
に設けられた光ガイド層と、前記光ガイド層上に設けら
れた活性層部と、前記活性層部上に設けられた光ガイド
層と、前記光ガイド層上に設けられた第２導電型の第２
のクラッド層からなる半導体発光素子において、 活性層部が３個以上の障壁を有する際に、中央の１個以
上の障壁と光ガイド層に隣接する両端の２個の障壁のエ
ネルギーギャップが異なることを特徴とする多重量子井
戸型半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21223097A JP4069479B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-08-06 | 多重量子井戸型半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3527497 | 1997-02-19 | ||
| JP9-35274 | 1997-02-19 | ||
| JP21223097A JP4069479B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-08-06 | 多重量子井戸型半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294530A true JPH10294530A (ja) | 1998-11-04 |
| JP4069479B2 JP4069479B2 (ja) | 2008-04-02 |
Family
ID=26374226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21223097A Expired - Lifetime JP4069479B2 (ja) | 1997-02-19 | 1997-08-06 | 多重量子井戸型半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4069479B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039140A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Sharp Corp | 酸化物半導体レーザ素子 |
| JP2007243073A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Dowa Holdings Co Ltd | 垂直共振器型発光ダイオード |
| WO2007116713A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 面発光素子 |
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| JPH02229487A (ja) * | 1989-03-02 | 1990-09-12 | Nec Corp | 多重量子井戸型半導体発光素子 |
| JPH07170022A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
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| JPH07297481A (ja) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH08250807A (ja) * | 1995-03-13 | 1996-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
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1997
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