JPS6235591A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6235591A JPS6235591A JP17316385A JP17316385A JPS6235591A JP S6235591 A JPS6235591 A JP S6235591A JP 17316385 A JP17316385 A JP 17316385A JP 17316385 A JP17316385 A JP 17316385A JP S6235591 A JPS6235591 A JP S6235591A
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- Japan
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- layer
- well
- layers
- barrier
- quantum
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/3415—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers containing details related to carrier capture times into wells or barriers
- H01S5/3416—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers containing details related to carrier capture times into wells or barriers tunneling through barriers
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3418—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers using transitions from higher quantum levels
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
電子波のド・ブロイ波長以下の厚さを有するウェル層と
、このウェル層より大きい禁制帯幅を有するバリア層と
が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光
装置において、上記バリア層を、禁制帯幅の異なる少な
くとも２種類の半導体層を積層して構成したことを特徴
とする半導体発光装置。
、このウェル層より大きい禁制帯幅を有するバリア層と
が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光
装置において、上記バリア層を、禁制帯幅の異なる少な
くとも２種類の半導体層を積層して構成したことを特徴
とする半導体発光装置。
［技術分野］
この発明は半導体発光装置、特にウェル層に注入される
キャリアの分布改善によって、キャリヤ注入効率が向上
し、閾値電流等の特性が向上される多重量子井戸レーザ
に関する。
キャリアの分布改善によって、キャリヤ注入効率が向上
し、閾値電流等の特性が向上される多重量子井戸レーザ
に関する。
［従来技術］
量子井戸（Ｑｕａｎｔｕａ＋ Ｗｅｌｌ）半導体レーザ
とは、ダブルへテロ構造の活性層の厚さをキャリアのド
・ブロイ波長（λ−イ／ｐ）以下としたもので、活性層
内のキャリアはへテロ接合によって形成されるポテンシ
ャル井戸に閉じ込められ、この方向（Ｚ方向）での自由
度が制限されている。このため活性層内には量子準位が
形成され、この量子準位間の電子遷移がレーザ発振を支
配するようになる。このような量子井戸層を複数個設け
た構造を活性層に用いたのが、多重量子井戸構造（Ｍｕ
ｌｔｉｑｕａｎｔｕｉＷｅｌｌ、ＭＱＷ）レーザである
。
とは、ダブルへテロ構造の活性層の厚さをキャリアのド
・ブロイ波長（λ−イ／ｐ）以下としたもので、活性層
内のキャリアはへテロ接合によって形成されるポテンシ
ャル井戸に閉じ込められ、この方向（Ｚ方向）での自由
度が制限されている。このため活性層内には量子準位が
形成され、この量子準位間の電子遷移がレーザ発振を支
配するようになる。このような量子井戸層を複数個設け
た構造を活性層に用いたのが、多重量子井戸構造（Ｍｕ
ｌｔｉｑｕａｎｔｕｉＷｅｌｌ、ＭＱＷ）レーザである
。
第１図にＭＱＷレーザの断面図の一例が示されている。
このＭＱＷレーザは、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−Ｇ
ａＡｓバッファ層２．ｏ−Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓク
ラッド層３．多重量子井戸ｘ １−ｘ 構造であってウェル層はＧａＡｓ、バリア層はＡＪｉ
Ｇａ Ａｓによって形成されている活性ｘ
ｌ−ｘ 層４．ｐ−Ａｌ１ Ｇａ Ａｓクラッド層５．お
ｘ １−ｘ よびｐ−ＧａＡｓキャップ層６を順次積層して形成され
る。７は絶縁膜、８はｐ側電極、９はｎ側電極である。
ａＡｓバッファ層２．ｏ−Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓク
ラッド層３．多重量子井戸ｘ １−ｘ 構造であってウェル層はＧａＡｓ、バリア層はＡＪｉ
Ｇａ Ａｓによって形成されている活性ｘ
ｌ−ｘ 層４．ｐ−Ａｌ１ Ｇａ Ａｓクラッド層５．お
ｘ １−ｘ よびｐ−ＧａＡｓキャップ層６を順次積層して形成され
る。７は絶縁膜、８はｐ側電極、９はｎ側電極である。
このＭＱＷレーザにおいてＡ、ｊ Ｇａ Ａｓｘ
１−ｘ 層３と５で挟まれたＧａＡｓｆｆ１子井戸層４の組成の
例が第２図に示されている。従来の多重量子井戸レーザ
においては各バリア層の組成は同一であり、それぞれの
バリア層はウェル層より大なる禁制帯幅をもつ均一な組
成の１つの層により構成されている。
１−ｘ 層３と５で挟まれたＧａＡｓｆｆ１子井戸層４の組成の
例が第２図に示されている。従来の多重量子井戸レーザ
においては各バリア層の組成は同一であり、それぞれの
バリア層はウェル層より大なる禁制帯幅をもつ均一な組
成の１つの層により構成されている。
このような量子井戸構造においては、最低エネルギ準位
における状態密度が、ダブルへテロ構造でのレーザ発振
の遷移に対応するエネルギでの状態密度に比べて著しく
高くなり、少ない注入キャリアで発振するのに必要な最
大利得が得ら５れることになる。バンド底から側った量
子準位ΔＥ は近似的に次式であたえられる。
における状態密度が、ダブルへテロ構造でのレーザ発振
の遷移に対応するエネルギでの状態密度に比べて著しく
高くなり、少ない注入キャリアで発振するのに必要な最
大利得が得ら５れることになる。バンド底から側った量
子準位ΔＥ は近似的に次式であたえられる。
ΔＥ ζ（不 ／２ｍ＊）（ｎ・π／Ｌ ）２ｚ
ｎ−１，２，３，・・・
ここでｍ本はキャリアの有効質量である。Ｌ２はウェル
層の巾である。
層の巾である。
量子井戸が多重化されたときのエネルギ・ダイヤグラム
を図示すれば第３図のようになる。このような多重量子
井戸レーザにおいて、多重量子井戸構造の一つのウェル
層から隣接するウェル層へのキャリアの注入は、その間
にあるバリア層を通してキャリアを量子力学的にトンネ
ル注入することにより行なわれる。この注入におけるト
ンネリング確率Ｐ はトンネル前後のキャリアのエネル
ギ準位、バリア高さ、バリア幅に依存し、近似的に次式
で与えられる。
を図示すれば第３図のようになる。このような多重量子
井戸レーザにおいて、多重量子井戸構造の一つのウェル
層から隣接するウェル層へのキャリアの注入は、その間
にあるバリア層を通してキャリアを量子力学的にトンネ
ル注入することにより行なわれる。この注入におけるト
ンネリング確率Ｐ はトンネル前後のキャリアのエネル
ギ準位、バリア高さ、バリア幅に依存し、近似的に次式
で与えられる。
Ｐ ｏｃｌ／（ＪＶ −Ｌ ）
ｔ ＢＢ
ここでＶｎは、キャリアに対するバリア高さΔＥ 又は
ΔＥ を表し、ＬＢはバリア幅であｃ
Ｖ る。
ΔＥ を表し、ＬＢはバリア幅であｃ
Ｖ る。
従ってトンネリング確率は、トンネリングするバリア層
の幅が厚くなるほど、またはバリア高さが高くなるほど
減少する。すなわち、バリア層を厚くしかつその高さを
高くするとキャリアの注入効率の低下を招き、閾値電流
等が増加する欠点がある。
の幅が厚くなるほど、またはバリア高さが高くなるほど
減少する。すなわち、バリア層を厚くしかつその高さを
高くするとキャリアの注入効率の低下を招き、閾値電流
等が増加する欠点がある。
しかし、注入効率をあげるために、バリア高さＶＢを小
さくすると、キャリアの状態密度が減少し、量子効果が
発生しにくくなる。またバリア層厚さＬＢを薄くすると
、ポテンシャル井戸間の結合が発生し、理想的な量子準
位間の遷移が生じなくなる。
さくすると、キャリアの状態密度が減少し、量子効果が
発生しにくくなる。またバリア層厚さＬＢを薄くすると
、ポテンシャル井戸間の結合が発生し、理想的な量子準
位間の遷移が生じなくなる。
上述したように従来の多重量子井戸レーザにおいては、
Ｖ 、Ｌ をできるだけ大きくしてボテＢ ンシャル井戸間の相互作用を減少させ、かつキャリア注
入効率を低下させないという相反する二つの要素の妥協
点としてＶ 、Ｌ の値が決定されＢＢ ていた０たとえば、 Ｖ、Ｔ、Ｔｓａｎｇ、“Ｅｘｔｒ
ｅ＋ｇｅｌｙ ｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄ （ＡＩＧａ
）Ａｓ ｌ１ｏｄｉｆｉｅｄ ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕ
ｍｗｅｌｌ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ａｓ
ｅｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒ−ｂｅａ
ｎ＋ ｃｐｌｔａｘｙ” 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ−３９（１０）、Ｌ５ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ
１９８１． Ｐ、７８Ｂ。これら２つの要素を独立に
決定し、注入効率が高く、ポテンシャル井戸間相互作用
を減らす新しい手段が要望されている。
Ｖ 、Ｌ をできるだけ大きくしてボテＢ ンシャル井戸間の相互作用を減少させ、かつキャリア注
入効率を低下させないという相反する二つの要素の妥協
点としてＶ 、Ｌ の値が決定されＢＢ ていた０たとえば、 Ｖ、Ｔ、Ｔｓａｎｇ、“Ｅｘｔｒ
ｅ＋ｇｅｌｙ ｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄ （ＡＩＧａ
）Ａｓ ｌ１ｏｄｉｆｉｅｄ ｍｕｌｔｉｑｕａｎｔｕ
ｍｗｅｌｌ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ １ａｓ
ｅｒｓ ｇｒｏｗｎ ｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒ−ｂｅａ
ｎ＋ ｃｐｌｔａｘｙ” 、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙ
ｓ、Ｌｅｔｔ−３９（１０）、Ｌ５ Ｎｏｖｅｍｂｅｒ
１９８１． Ｐ、７８Ｂ。これら２つの要素を独立に
決定し、注入効率が高く、ポテンシャル井戸間相互作用
を減らす新しい手段が要望されている。
［発明の目的コ
この発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、
その目的は、半導体発光装置、特に多重量子井戸レーザ
において、そのキャリヤの注入効率を改善し、かつポテ
ンシャル井戸間の相互作用を減らし、閾値電流の低減等
の特性向上を図ることにある。
その目的は、半導体発光装置、特に多重量子井戸レーザ
において、そのキャリヤの注入効率を改善し、かつポテ
ンシャル井戸間の相互作用を減らし、閾値電流の低減等
の特性向上を図ることにある。
［発明の構成］
この発明は、電子波のド・ブロイ波長以下の厚さを有す
るウェル層と、このウェル層より大きい禁制帯幅を有す
るバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造にお
いて、上記バリア層を禁制帯幅の異る２種類以上の半導
体層を積層することにより構成し、これによってキャリ
アをトンネリングさせる部分と、キャリアを量子準位に
閉じ込める部分とに分けたことを特徴とする。
るウェル層と、このウェル層より大きい禁制帯幅を有す
るバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造にお
いて、上記バリア層を禁制帯幅の異る２種類以上の半導
体層を積層することにより構成し、これによってキャリ
アをトンネリングさせる部分と、キャリアを量子準位に
閉じ込める部分とに分けたことを特徴とする。
［実施例の説明］
以下、この発明の実施例を第４図から第６図を参照して
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第４図はこの発明の実施例を示す断面図であり、この多
重量子井戸レーザにおける各半導体層１２〜１６は２分
子線エピタキシ法や、有機金属気相成長法等によって半
導体基板１１上に順次成長せることにより形成されるが
、量子井戸構造１４以外の各半導体層（基板１１を含む
）の組成は次のとおりである。
重量子井戸レーザにおける各半導体層１２〜１６は２分
子線エピタキシ法や、有機金属気相成長法等によって半
導体基板１１上に順次成長せることにより形成されるが
、量子井戸構造１４以外の各半導体層（基板１１を含む
）の組成は次のとおりである。
ｎ型ＧａＡｓ基板１１
厚さ １００μｍ、不純物濃度 Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ
−３ｎ型バッファ層１２ 厚さ ２μｍ、 不純物濃度 ｌＸｌ０’輻１３ｎ型Ａ
Ｊ！ ｏ ５Ｇ ａ ｏ ５Ａ Ｓクラッド層１３厚
さ １．５μ、 不純物濃度 ５ Ｘ １０１７Ｃ
Ｉ！１−３ｐ型Ａ Ｒｏ５Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ ｓクラ
ッド層１５厚さ １．５μｍ、不純物濃度 ３ ｘ
１０１７ｃｍ”’ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層１６ 厚さ ０．５μｍ、不純物濃度 ｌＸｌ０１９ｃｍ−３
符号１７は保護膜、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極を
示している。
−３ｎ型バッファ層１２ 厚さ ２μｍ、 不純物濃度 ｌＸｌ０’輻１３ｎ型Ａ
Ｊ！ ｏ ５Ｇ ａ ｏ ５Ａ Ｓクラッド層１３厚
さ １．５μ、 不純物濃度 ５ Ｘ １０１７Ｃ
Ｉ！１−３ｐ型Ａ Ｒｏ５Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ ｓクラ
ッド層１５厚さ １．５μｍ、不純物濃度 ３ ｘ
１０１７ｃｍ”’ｐ＋型ＧａＡｓキャップ層１６ 厚さ ０．５μｍ、不純物濃度 ｌＸｌ０１９ｃｍ−３
符号１７は保護膜、１８はｐ側電極、１９はｎ側電極を
示している。
第４図の多重量子井戸レーザにおける量子井戸構造１４
の詳細が、第５図に示されている。
の詳細が、第５図に示されている。
この実施例では、量子井戸構造１４はウェル層５層と２
種類の禁制帯幅をもつバリア層４層により構成されてい
る。ここでウェル層Ｌ 、バリア層ＬＬ の各半導
体層は次のとおりである。
種類の禁制帯幅をもつバリア層４層により構成されてい
る。ここでウェル層Ｌ 、バリア層ＬＬ の各半導
体層は次のとおりである。
ＢＬ’ Ｂ２，３
ウェル層Ｌ ・・・ＧａＡｓ
厚さ ７５人
バリア層Ｌ ・・・Ａ １２ ｏ４Ｇ ａ ｏｅＡ
８ｌ 厚さ ５〜１０人 バリア層Ｌ 、Ｌ −Ａ１０１Ｇａｏ９Ａｓ８２
Ｂ３ 厚さ １５人 ただし各層ともノンドープである。
８ｌ 厚さ ５〜１０人 バリア層Ｌ 、Ｌ −Ａ１０１Ｇａｏ９Ａｓ８２
Ｂ３ 厚さ １５人 ただし各層ともノンドープである。
この実施例ではこれらの各層は分子線エピタキシ法によ
り成長させた。主な成長条件は、成長温度８８０〜７２
０℃、成長速度０．５ｎ＋＋＋／ｍ１ｎであり。
り成長させた。主な成長条件は、成長温度８８０〜７２
０℃、成長速度０．５ｎ＋＋＋／ｍ１ｎであり。
■族の組成変化はＧａセル温度を制御することにより得
た。
た。
この実施例によると、量子井戸中の伝導電子のｎ−１に
おける量子準位ΔＥ はΔＥ１−３２ｆｆ１６Ｖ、ｎ−
２における量子準位ΔＥ はΔＥ２−２５０ａｅＶであ
る。またバリア高さは層ＬＢｌにおいては４５３ａｅＶ
、 ＪＷＬ 、 Ｌ においてはそれぞれ８２
Ｂ５ １２５ａｅＶであるから、ｎ−２における電子は５〜１
０人の幅をもつ層ＬＢ１のみをトンネリングして次のウ
ェル層に注入される。したがって、ＡＪの組成比０．４
でバリア層を形成した通常の構造のＭＱＷレーザに比べ
て注入効率が上昇し、その結果として閾値電流等の低減
の効果が生ずる。
おける量子準位ΔＥ はΔＥ１−３２ｆｆ１６Ｖ、ｎ−
２における量子準位ΔＥ はΔＥ２−２５０ａｅＶであ
る。またバリア高さは層ＬＢｌにおいては４５３ａｅＶ
、 ＪＷＬ 、 Ｌ においてはそれぞれ８２
Ｂ５ １２５ａｅＶであるから、ｎ−２における電子は５〜１
０人の幅をもつ層ＬＢ１のみをトンネリングして次のウ
ェル層に注入される。したがって、ＡＪの組成比０．４
でバリア層を形成した通常の構造のＭＱＷレーザに比べ
て注入効率が上昇し、その結果として閾値電流等の低減
の効果が生ずる。
第６図は、キャリアの注入方向にしたがってトンネル確
率を次第に増大させた他の実施例を示すバンド・ダイヤ
グラムである。各層は次の通りである。
率を次第に増大させた他の実施例を示すバンド・ダイヤ
グラムである。各層は次の通りである。
ウェル層Ｌ ・・・組成は上記実施例と同じバリア層Ｌ
”’ Ａ ｉＯ２Ｇ ａ ０８ Ａ Ｓ厚さ ３０
人 バリア層Ｌ 、Ｌ 、Ｌ ８２ Ｂ４ ８Ｂ Ｇａ Ａｓ 組成 Ａｌ２００５ Ｑ９５ 厚さ それぞれ２４人、 １８人、１２人′ゞ °ノ
７層 Ｌ Ｂ３・ Ｌ Ｂ５・ Ｌ Ｂ７
’組成 しＢｌと同じ 厚さ それぞれ３人、６人、９人 ただし各層ともノンドープである。
”’ Ａ ｉＯ２Ｇ ａ ０８ Ａ Ｓ厚さ ３０
人 バリア層Ｌ 、Ｌ 、Ｌ ８２ Ｂ４ ８Ｂ Ｇａ Ａｓ 組成 Ａｌ２００５ Ｑ９５ 厚さ それぞれ２４人、 １８人、１２人′ゞ °ノ
７層 Ｌ Ｂ３・ Ｌ Ｂ５・ Ｌ Ｂ７
’組成 しＢｌと同じ 厚さ それぞれ３人、６人、９人 ただし各層ともノンドープである。
この実施例においてはキャリアの注入方向にトンネル確
率を変化させる目的でバリア層の厚みが順次減少してい
っているので、積層数が大きい多重量子井戸レーザに有
益である。
率を変化させる目的でバリア層の厚みが順次減少してい
っているので、積層数が大きい多重量子井戸レーザに有
益である。
なお上記実施例においては、ＧａＡｓ系で構成されたレ
ーザについて説明したが、この発明はこれに限定される
ものではなく、他の材料で構成されるレーザにも同様に
適用できることはもちろんである。
ーザについて説明したが、この発明はこれに限定される
ものではなく、他の材料で構成されるレーザにも同様に
適用できることはもちろんである。
［発明の効果］
以上詳細に説明したようにこの発明によれば。
バリア層を二重構造に構成し、キャリアをトンネリング
させる部分と、キャリアを量子準位に閉じ込める部分と
に分離させたので、閾値電流の低減等が図られる。
させる部分と、キャリアを量子準位に閉じ込める部分と
に分離させたので、閾値電流の低減等が図られる。
第１図は従来例を示す断面図である。
第２図は上記従来例の各半導体層の組成を示す図表であ
る。 第３図は上記従来例における多重量子井戸構造のエネル
ギ・ダイヤグラムである。 第４図は、この発明の第１の実施例を示す断面図である
。 第５図は上記実施例の各半導体層の組成およびエネルギ
・ギャップの相関を示す図表である。 第６図は、この発明の第２の実施例を示す各半導体層の
組成およびエネルギ・ギャップの相関を示す図表である
。 １１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、１２・・・ｎ型バッファ
層。 Ｌ３−ｎ型Ａ Ｉ！、、ｏ５Ｇ ａ ｏ５Ａ ｓクラッ
ド層。 １４・・・多重量子井戸構造。 １５−ｐ型Ａ ｊ！ ｏ ｓ Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ Ｓ
クラッド層。 １６・・・ｐ 型ＧａＡｓキャップ層。 以 上
る。 第３図は上記従来例における多重量子井戸構造のエネル
ギ・ダイヤグラムである。 第４図は、この発明の第１の実施例を示す断面図である
。 第５図は上記実施例の各半導体層の組成およびエネルギ
・ギャップの相関を示す図表である。 第６図は、この発明の第２の実施例を示す各半導体層の
組成およびエネルギ・ギャップの相関を示す図表である
。 １１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、１２・・・ｎ型バッファ
層。 Ｌ３−ｎ型Ａ Ｉ！、、ｏ５Ｇ ａ ｏ５Ａ ｓクラッ
ド層。 １４・・・多重量子井戸構造。 １５−ｐ型Ａ ｊ！ ｏ ｓ Ｇ ａ ｏ ｓ Ａ Ｓ
クラッド層。 １６・・・ｐ 型ＧａＡｓキャップ層。 以 上
Claims (1)
- 電子波のド・ブロイ波長以下の厚さを有するウェル層と
、このウェル層より大きい禁制帯幅を有するバリア層と
が交互に積層された多重量子井戸構造を含む半導体発光
装置において、上記バリア層を、禁制帯幅の異なる少な
くとも２種類の半導体層を積層して構成したことを特徴
とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17316385A JPS6235591A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17316385A JPS6235591A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6235591A true JPS6235591A (ja) | 1987-02-16 |
Family
ID=15955266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17316385A Pending JPS6235591A (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6235591A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07193323A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 量子井戸半導体レーザ装置 |
| US5737353A (en) * | 1993-11-26 | 1998-04-07 | Nec Corporation | Multiquantum-well semiconductor laser |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115385A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP17316385A patent/JPS6235591A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115385A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH07193323A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 量子井戸半導体レーザ装置 |
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