JPS6286782A - 量子井戸レ−ザ - Google Patents
量子井戸レ−ザInfo
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- JPS6286782A JPS6286782A JP22623885A JP22623885A JPS6286782A JP S6286782 A JPS6286782 A JP S6286782A JP 22623885 A JP22623885 A JP 22623885A JP 22623885 A JP22623885 A JP 22623885A JP S6286782 A JPS6286782 A JP S6286782A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- electrons
- well
- level
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3415—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers containing details related to carrier capture times into wells or barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3418—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers using transitions from higher quantum levels
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光通信・情報処理装置等に用いられる量子井戸
レーザに関する。
レーザに関する。
量子井戸レーザは、低閾値かつ高効率等の優れた特性を
有するための研究開発が盛んに進められ□ている。例え
ば、雑誌「エレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ、 Ｌｅｔｔ、 ）Ｊ第１８巻（１９８２年）の１０
９５〜１０９７ページに掲載の論文には、通常のダブル
へテロレーザに比べはるかに低閾値電流で発振し、低電
流動作が可能な量子井戸レーザが示されている。
有するための研究開発が盛んに進められ□ている。例え
ば、雑誌「エレクトロニクスレターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ、 Ｌｅｔｔ、 ）Ｊ第１８巻（１９８２年）の１０
９５〜１０９７ページに掲載の論文には、通常のダブル
へテロレーザに比べはるかに低閾値電流で発振し、低電
流動作が可能な量子井戸レーザが示されている。
この量子井戸レーザでは、量子井戸の厚みが電子の平均
自由行程と同程度かそれ以下の厚みである友め、閉じ込
め層から注入された多くの電子は格子散乱等によってエ
ネルギーを失って量子井戸の束縛準位に緩和する前に量
子井戸の界面で反射されてしまうことになる。
自由行程と同程度かそれ以下の厚みである友め、閉じ込
め層から注入された多くの電子は格子散乱等によってエ
ネルギーを失って量子井戸の束縛準位に緩和する前に量
子井戸の界面で反射されてしまうことになる。
この量子井戸レーザにおいては、この様な量子力学的な
電子の反射成分があるために、量子井戸へ電子の注入が
効率的に行なわれないという問題があった。このキャリ
ア注入が効率的に行なわれないと、レーザ発振に必要な
量子井戸のキャリア濃度を得るために大きな電圧を必要
とすることになる。このことは電子及び正孔に対するポ
テンシャル障壁を小さくする結果となるため、量子井戸
に注入された電子及び正孔がポテンシャル障壁を乗シ超
えてし壕うキャリアオーバフロー電流が増大し、閾値電
流が増大し、温度特性が悪くなる等のレーザ特性の劣化
を招くことになる。
電子の反射成分があるために、量子井戸へ電子の注入が
効率的に行なわれないという問題があった。このキャリ
ア注入が効率的に行なわれないと、レーザ発振に必要な
量子井戸のキャリア濃度を得るために大きな電圧を必要
とすることになる。このことは電子及び正孔に対するポ
テンシャル障壁を小さくする結果となるため、量子井戸
に注入された電子及び正孔がポテンシャル障壁を乗シ超
えてし壕うキャリアオーバフロー電流が増大し、閾値電
流が増大し、温度特性が悪くなる等のレーザ特性の劣化
を招くことになる。
以上説明した様に、従来の量子井戸レーザにおいては、
量子井戸への電子のキャリア注入が効率的に行なわれな
い九め、閾値電流の増大、温度特性の悪化等のレーザ特
性の劣化を招くという問題があった。
量子井戸への電子のキャリア注入が効率的に行なわれな
い九め、閾値電流の増大、温度特性の悪化等のレーザ特
性の劣化を招くという問題があった。
本発明の目的は、このような問題点を解決し、量子井戸
への電子のヤヤリア注入効率を改善することによって、
閾値電流が小さく、良好な温度特性をもつ友量子井戸レ
ーザを提供することにある。
への電子のヤヤリア注入効率を改善することによって、
閾値電流が小さく、良好な温度特性をもつ友量子井戸レ
ーザを提供することにある。
本発明の量子井戸レーザの構成は、活性層となる量子井
戸と、この量子井戸に接する少なくとも１つのバリヤー
層と、このバリヤー層で前記量子井戸と噛てられる少な
くとも１つのポテンシャル井戸とを備え、このポテンシ
ャル井戸の電子の束縛準位の第１準位と前記゛量子井戸
の電子の束縛準位の第ｎ準位（ｎ≧２）のエネルギー差
が５０ｍｅＶ以下であること全特徴とする。
戸と、この量子井戸に接する少なくとも１つのバリヤー
層と、このバリヤー層で前記量子井戸と噛てられる少な
くとも１つのポテンシャル井戸とを備え、このポテンシ
ャル井戸の電子の束縛準位の第１準位と前記゛量子井戸
の電子の束縛準位の第ｎ準位（ｎ≧２）のエネルギー差
が５０ｍｅＶ以下であること全特徴とする。
次に図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の一量子井戸レーザ
の断面図およびそのバンドダイヤグラムである。図中％
１はｎ型クラッド層（ｎ−んへ。、ＧａニーＥＩＡｓ
、 Ｘ ｇ ｌ（Ｘ （１≦０．８）、２は第１ガイ
ド層（Ａｌｘｇ工Ｇａ１−ｘｇｘＡｓ、 ０＜Ｘｇｉ
＜Ｘｃｔ、厚さ＝５００〜４０００人、典型例としてＸ
ｇ１＝０．２〜０，３．厚さ＝１０００〜２０００人）
％３は第１ポテンシヤル井戸層（ＡｌｘｔＧａｘ−ｘ＊
Ａｓ ＋ Ｏ≦Ｘ□（０，５、厚さ＝５〜１００人
、典型例としてＸｌ” Ｏ＊厚さ５〜３０人）、４は第
１バリヤ層（ＡｌｘｂｌＧａ、−ｘｂｌ、 Ｘｂｔ ＞
Ｘｗ、厚さ＝５〜１００人、典を例としてＸｂｘ ＝）
（ｇ□、厚さ１０〜４０人）、５は量子井戸（ＡｚＸＷ
Ｇａｌ−ｘｗＡｓ、 ０≦Ｘｗ ＜ ０．５ 。
の断面図およびそのバンドダイヤグラムである。図中％
１はｎ型クラッド層（ｎ−んへ。、ＧａニーＥＩＡｓ
、 Ｘ ｇ ｌ（Ｘ （１≦０．８）、２は第１ガイ
ド層（Ａｌｘｇ工Ｇａ１−ｘｇｘＡｓ、 ０＜Ｘｇｉ
＜Ｘｃｔ、厚さ＝５００〜４０００人、典型例としてＸ
ｇ１＝０．２〜０，３．厚さ＝１０００〜２０００人）
％３は第１ポテンシヤル井戸層（ＡｌｘｔＧａｘ−ｘ＊
Ａｓ ＋ Ｏ≦Ｘ□（０，５、厚さ＝５〜１００人
、典型例としてＸｌ” Ｏ＊厚さ５〜３０人）、４は第
１バリヤ層（ＡｌｘｂｌＧａ、−ｘｂｌ、 Ｘｂｔ ＞
Ｘｗ、厚さ＝５〜１００人、典を例としてＸｂｘ ＝）
（ｇ□、厚さ１０〜４０人）、５は量子井戸（ＡｚＸＷ
Ｇａｌ−ｘｗＡｓ、 ０≦Ｘｗ ＜ ０．５ 。
厚さ＝２０〜２５０人、典型例としてＸＷ＝＝＋Ｑ、厚
さ５０〜２００人）、６は第２ガイド層（Ａｚｘｇ、
Ｇａ□−Ｘｇ２Ａ、０＜Ｘｇ□〈Ｘｃ２．厚さ５００〜
４０００人、典型例としてＸｇ、＝０．２〜０．３．厚
さ＝１０００〜２０００Ａ）、７はｐ型クラッド層（ｐ
ＡｔｘｃｚＧａｘ −ｘｃｘＡｓ、 Ｘ、、（Ｘ、≦０
．８）１１はｎ−ＧａＡ３基板、１２はバッファ一層、
１３はキャップ層、１４は８ｉ０□膜、１５′はｐ側電
極、１６はｎ側電極である。
さ５０〜２００人）、６は第２ガイド層（Ａｚｘｇ、
Ｇａ□−Ｘｇ２Ａ、０＜Ｘｇ□〈Ｘｃ２．厚さ５００〜
４０００人、典型例としてＸｇ、＝０．２〜０．３．厚
さ＝１０００〜２０００Ａ）、７はｐ型クラッド層（ｐ
ＡｔｘｃｚＧａｘ −ｘｃｘＡｓ、 Ｘ、、（Ｘ、≦０
．８）１１はｎ−ＧａＡ３基板、１２はバッファ一層、
１３はキャップ層、１４は８ｉ０□膜、１５′はｐ側電
極、１６はｎ側電極である。
捷た。Ａはポテンシャル井戸３の電子の第１束縛準位、
Ｂ及びＣはそれぞれ量子井戸５の電子の第１及び第２束
縛準位を表わす。
Ｂ及びＣはそれぞれ量子井戸５の電子の第１及び第２束
縛準位を表わす。
ここで本実施例における量子井戸５への電子の注入機構
を説明する。電子は第１ガイド層２からポテンシャル井
戸３及び量子井戸５へ注入される。
を説明する。電子は第１ガイド層２からポテンシャル井
戸３及び量子井戸５へ注入される。
ポテンシャル井戸３に注入された電子は、格子散乱等で
エネルギーを失なって第１束縛準位人に緩和することに
なる。本実施例においては、このポテンシャル井戸３の
第１束縛準位Ａと量子井戸５の第２束縛準位Ｃとはほぼ
一致したエネルギーレベルにあるため、ポテンシャル井
戸３の第１束縛準位Ａに注入された電子は、極めて速や
かに量子井戸５の第２束縛準位Ｃに注入される。この量
子井戸５の第２束縛準位Ｃに注入された電子は、第１束
縛準位Ｂに緩和する。
エネルギーを失なって第１束縛準位人に緩和することに
なる。本実施例においては、このポテンシャル井戸３の
第１束縛準位Ａと量子井戸５の第２束縛準位Ｃとはほぼ
一致したエネルギーレベルにあるため、ポテンシャル井
戸３の第１束縛準位Ａに注入された電子は、極めて速や
かに量子井戸５の第２束縛準位Ｃに注入される。この量
子井戸５の第２束縛準位Ｃに注入された電子は、第１束
縛準位Ｂに緩和する。
この第１準位Ａと第２準位Ｃとのエネルギー差は完全に
一致していることが望ましいが、第１準位人での電子の
エネルギー分布は、室温エネルギー（約２５ｍｅＶ）程
度に広がシを持っていると考えられるため、室温のエネ
ルギーの２倍（約５０ｍｅｎ）程度の範囲で一致してい
れば以上述べた効果が得られると考えられる。
一致していることが望ましいが、第１準位人での電子の
エネルギー分布は、室温エネルギー（約２５ｍｅＶ）程
度に広がシを持っていると考えられるため、室温のエネ
ルギーの２倍（約５０ｍｅｎ）程度の範囲で一致してい
れば以上述べた効果が得られると考えられる。
この様にして本実施例の量子井戸レーザにおいては、ポ
テンシャル井戸３に注入された電子も、速やかに量子井
戸５に注入されて発光に寄与することが出来るため、量
子井戸５への電子の注入効果が非常に良好となる。
テンシャル井戸３に注入された電子も、速やかに量子井
戸５に注入されて発光に寄与することが出来るため、量
子井戸５への電子の注入効果が非常に良好となる。
次に本実施例の製造方法について説明する。第１図に示
される様に、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＡｓ
からなるバッファ一層１２、ｎ型クラッド層１．第
１ガイド層２．ポテンシャル井戸３、バリヤー層４．量
子井戸５．第２ガイド層６゜ｐ型クラッド層７．ｐ−Ｇ
ａＡ３のキャップ層Ｂを順次結晶成長させる。
される様に、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＧａＡｓ
からなるバッファ一層１２、ｎ型クラッド層１．第
１ガイド層２．ポテンシャル井戸３、バリヤー層４．量
子井戸５．第２ガイド層６゜ｐ型クラッド層７．ｐ−Ｇ
ａＡ３のキャップ層Ｂを順次結晶成長させる。
このとき、ポテンシャル井戸３の電子の第１束繭重位Ａ
と量子井戸５の電子の第２束繭重位Ｃのエネルギーレベ
ルがほぼ一致する様に、ポテンシャル井戸３及び量子井
戸５の厚みを設定する。例えば、第１ガイド層２．バリ
ヤー層４及び第２ガイド層のｈｔ組成が０．３、ポテン
シャル井戸３及び量子井戸５がＧ ａ Ａ ｓからなる
ときにはポテンシャル井戸の厚みは２５Ａで、量子井戸
５の厚みが８０人、バリヤー層４の厚みは１０人が適当
であった。
と量子井戸５の電子の第２束繭重位Ｃのエネルギーレベ
ルがほぼ一致する様に、ポテンシャル井戸３及び量子井
戸５の厚みを設定する。例えば、第１ガイド層２．バリ
ヤー層４及び第２ガイド層のｈｔ組成が０．３、ポテン
シャル井戸３及び量子井戸５がＧ ａ Ａ ｓからなる
ときにはポテンシャル井戸の厚みは２５Ａで、量子井戸
５の厚みが８０人、バリヤー層４の厚みは１０人が適当
であった。
次に％ ５ｉ０２１１９１４を形成し、ホトエツチング
法によって電流通路となるストライプ領域１７ｔ″形成
する。次に、ｎ側電極１５、ｎ側電極１６を形成してプ
ロセスを終了する。
法によって電流通路となるストライプ領域１７ｔ″形成
する。次に、ｎ側電極１５、ｎ側電極１６を形成してプ
ロセスを終了する。
本実施例においては、ストライプ構造が酸化膜ストライ
プ構造のものについて説明したが、これに限らず他の構
造、例えばプレーナストライプ構造、 −リ
ッジウェ イブガイド＋ｊＫ造、埋め込み構造等のあらゆるストラ
イプ構造の量子井戸レーザに適用出来ることは明らかで
ある。また、量子井戸のｐ側にポテンシャル井戸を設け
ても、電子の注入効率を高めることが出来る。また、本
実施例ではポテンシャル井戸が１つだけであったが、こ
れが多重になっている様な多ｉｆ子井戸あるいは超格子
となりていても、それらの電子の第１準位と量子井戸−
の第ｎ準位（ｎ≧２）のエネルギーレベルをほぼ等しく
することによって、本実施例と同様に電子の注入効率を
高めることが出来る。
プ構造のものについて説明したが、これに限らず他の構
造、例えばプレーナストライプ構造、 −リ
ッジウェ イブガイド＋ｊＫ造、埋め込み構造等のあらゆるストラ
イプ構造の量子井戸レーザに適用出来ることは明らかで
ある。また、量子井戸のｐ側にポテンシャル井戸を設け
ても、電子の注入効率を高めることが出来る。また、本
実施例ではポテンシャル井戸が１つだけであったが、こ
れが多重になっている様な多ｉｆ子井戸あるいは超格子
となりていても、それらの電子の第１準位と量子井戸−
の第ｎ準位（ｎ≧２）のエネルギーレベルをほぼ等しく
することによって、本実施例と同様に電子の注入効率を
高めることが出来る。
また、本実施例では、ポテンシャル井戸の第１準位と量
子井戸の第２準位をほぼ等しくし友が、これに限らず量
子井戸の第ｎ準位（ｎ≧２）とポテンシャル井戸の第１
準位のエネルギーレベルを合わせることによって、本実
施例と同様な効果で高い電子注入効率を得ることが出来
る。
子井戸の第２準位をほぼ等しくし友が、これに限らず量
子井戸の第ｎ準位（ｎ≧２）とポテンシャル井戸の第１
準位のエネルギーレベルを合わせることによって、本実
施例と同様な効果で高い電子注入効率を得ることが出来
る。
また、本実施例においては、ガイド層は膜厚方向におい
て均一な組成を有していたが、これに限らず膜厚方向に
組成が変化しているグレーデツド層となる様ないわゆる
ＧＲＩＮ−８ＣＨ構造においても本発明を適用すること
が出来る。
て均一な組成を有していたが、これに限らず膜厚方向に
組成が変化しているグレーデツド層となる様ないわゆる
ＧＲＩＮ−８ＣＨ構造においても本発明を適用すること
が出来る。
また、本実施例においては、材料としてＡｊＧａＡｓ／
Ｇ ａ Ａ ｓ系材料を用いたが、これに限らずｆｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ 系材料、Ｉ ｎＧａＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＰ系材料等の他の材料を用いても本発明が適用出来る
ことは明らかである。
Ｇ ａ Ａ ｓ系材料を用いたが、これに限らずｆｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰ 系材料、Ｉ ｎＧａＡｌＡｓ／Ｉ
ｎＰ系材料等の他の材料を用いても本発明が適用出来る
ことは明らかである。
以上説明した様に、本発明によれば、量子井戸へ電子が
効率良く注入されるため、閾値電流が小さく、温度特性
が良好な量子井戸レーザを得ることが出来る。
効率良く注入されるため、閾値電流が小さく、温度特性
が良好な量子井戸レーザを得ることが出来る。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本実施例
の量子井戸レーザの主要部のエネルギーバンド図である
。図において、１・・・・・・ｎ型クラッド層、２・・
・・・・第１ガイド層、３・・・・・・ポテンシャル井
戸、４・・・・・・バリヤー層、５・・・・・・量子井
戸、６・・・・・・第２ガイド層、７・・・・・・Ｐ型
りラ・２ド層、１１・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、１
２・・・・・・バッファーｆｉ、１３・・・・・・キャ
ップ層、１４・・・・・・５ｉ０２膜・・・・・・１５
・・・・・・ｐ側電極、１６・・・・・−ｎ＠電極、１
７・・・・・・ストライプ領域、Ａ、Ｂ・・・・・・電
子の第１束繭重位、Ｃ・・・・・・電子の第２束繭重位
、である。 代理人 弁理士 内 原 皆 、２茅１面 峯２面
の量子井戸レーザの主要部のエネルギーバンド図である
。図において、１・・・・・・ｎ型クラッド層、２・・
・・・・第１ガイド層、３・・・・・・ポテンシャル井
戸、４・・・・・・バリヤー層、５・・・・・・量子井
戸、６・・・・・・第２ガイド層、７・・・・・・Ｐ型
りラ・２ド層、１１・・・・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、１
２・・・・・・バッファーｆｉ、１３・・・・・・キャ
ップ層、１４・・・・・・５ｉ０２膜・・・・・・１５
・・・・・・ｐ側電極、１６・・・・・−ｎ＠電極、１
７・・・・・・ストライプ領域、Ａ、Ｂ・・・・・・電
子の第１束繭重位、Ｃ・・・・・・電子の第２束繭重位
、である。 代理人 弁理士 内 原 皆 、２茅１面 峯２面
Claims (1)
- 活性層となる量子井戸と、この量子井戸に接する少なく
とも１つのバリヤー層と、このバリヤー層で前記量子井
戸と隔てられる少なくとも１つのポテンシャル井戸とを
備え、このポテンシャル井戸の電子の束縛準位と前記量
子井戸の電子の束縛準位の第ｎ準位（ｎ≧２）とのエネ
ルギー差が５０ｍｅＶ以下であることを特徴とする量子
井戸レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22623885A JPS6286782A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 量子井戸レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22623885A JPS6286782A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 量子井戸レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286782A true JPS6286782A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16842055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22623885A Pending JPS6286782A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 量子井戸レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286782A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228088A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 量子井戸レーザ |
| EP0444709A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element having a plurality of layers emitting lights of different wavelengths, and its driving method |
| US5375135A (en) * | 1992-04-15 | 1994-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5506856A (en) * | 1993-04-15 | 1996-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a resonator of particular length for reduced threshold current density |
| US5636236A (en) * | 1993-12-28 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Semiconductor laser |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP22623885A patent/JPS6286782A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228088A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Nec Corp | 量子井戸レーザ |
| EP0444709A2 (en) * | 1990-03-02 | 1991-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element having a plurality of layers emitting lights of different wavelengths, and its driving method |
| US5375135A (en) * | 1992-04-15 | 1994-12-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| US5657337A (en) * | 1992-04-15 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a resonator of a particular length for reducing threshold current density |
| US5506856A (en) * | 1993-04-15 | 1996-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device having a resonator of particular length for reduced threshold current density |
| US5636236A (en) * | 1993-12-28 | 1997-06-03 | Nec Corporation | Semiconductor laser |
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